「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

This substrate for interaction detection is equipped with a group of reaction regions 2 serving as a field where interactions progress between substances, electrodes E_1 provided so as to face on the respective reaction regions 2 directly or with insulating layers interposed therebetween, and power feed wiring 3 for supplying electric power from an external power supply V to the respective electrodes E_1.例文帳に追加

物質間の相互作用が進行する場となる反応領域２群と、各反応領域２に直接又は絶縁層を介して臨むように設けられた電極Ｅ_１と、外部電源Ｖからの電力を各電極Ｅ_１に供給する給電配線３と、を備える相互作用検出用の基板である。 - 特許庁

In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁

The artificial leather comprises a fibrous substrate having laminated on one side thereof an adhesive layer comprising a polyurethane resin formed by a moisture curing reaction of a urethane polyisocyanate prepolymer, a surface layer comprising a polyurethane resin formed by a reaction between a urethane polyol prepolymer and a urethane hardener, and a protective layer comprising a polyurethane resin, in this order.例文帳に追加

繊維質基材に、ウレタンポリイソシアネートプレポリマーの湿気硬化反応により形成されるポリウレタン樹脂からなる接着層、ウレタンポリオールプレポリマーとウレタン硬化剤との反応により形成されるポリウレタン樹脂からなる表皮層、およびポリウレタン樹脂からなる保護層が順に積層されてなる合成皮革である。 - 特許庁

Provided is a method for producing an objective compound by reacting a substrate compound in an aqueous medium in the presence of a microbial catalyst, characterized in that a cationic coagulant having an amidine group is added to the reaction system after the reaction and the coagulated catalyst is separated from the system.例文帳に追加

本発明は、水性媒体中、菌体触媒の存在下で基質化合物を反応させて、目的化合物を製造する方法において、該反応後の反応系にアミジン基を有するカチオン系凝集剤を添加した後、前記触媒の凝集体を分離することを特徴とする方法である。 - 特許庁

Then, after making the pressure in the mixing vessel 200 larger than that of inside the reaction tank 100, the valve 210 is opened and the supercritical CO_2 dissolved with a platinum compound in the mixing vessel 200 is introduced to the reaction tank 100 and the silicon substrate (Sub) is heated for a prescribed time up to 150°C, and platinum is deposited.例文帳に追加

撹拌槽２００内の圧力を反応槽１００内の圧力より大きくしてからバルブ２１０を開き、撹拌槽２００内部の白金化合物を溶解した超臨界ＣＯ_2を反応槽１００に導入して、所定時間、シリコン基板（Ｓｕｂ）を１５０℃に加熱して白金を析出させた。 - 特許庁

Then, after making the pressure in the mixing vessel 200 larger than that of inside the reaction tank 100, the valve 210 is opened and the supercritical CO_2 dissolved with a platinum compound in the mixing vessel 200 is introduced to the reaction tank 100 and the silicon substrate (Sub) is heated for a prescribed time up to 150°C, and platinum is deposited.例文帳に追加

次に撹拌槽２００内の圧力を反応槽１００内の圧力より大きくしてからバルブ２１０を開き、撹拌槽２００内部の白金化合物を溶解した超臨界ＣＯ_2を反応槽１００に導入して、所定時間、シリコン基板（Ｓｕｂ）を１５０℃に加熱して白金を析出させた。 - 特許庁

This silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 through causing a reaction by ionizing a reaction gas, containing an Si(OR)nHm compound (where R is a alkyl group and n+m=4), an SiFp(OR)q compound (where R is an alkyl group and p+q=4), and an oxidizing gas into a plasma with a microwave.例文帳に追加

Ｓｉ（ＯＲ）_n Ｈ_m 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｎ＋ｍ＝４）と、ＳｉＦ_p （ＯＲ）_q 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｐ＋ｑ＝４）と、酸化性ガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

A film deposition apparatus 100 includes a chamber 1, a reaction gas supply part 14 supplying a reaction gas 26 into the chamber 1, an inert gas supply part 4 supplying an inert gas 25 into the chamber 1, a hollow cylindrical liner 2 disposed in the chamber 1 and a susceptor 7 on which a semiconductor substrate 6 is loaded provided in the liner 2.例文帳に追加

成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。 - 特許庁

Then at least either H_2 gas or inert gas is introduced into the reaction chamber, the substrate is heated a temperature of ≥370 and ≤410°C for ≥30 seconds (S40), and the gas containing tungsten is introduced into the reaction chamber to form a second tungsten film on the first tungsten film (S50).例文帳に追加

次いで、反応室内にＨ_2ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を導入し、かつ３０秒以上の時間をかけて半導体基板を３７０℃以上４１０℃以下に昇温して（Ｓ４０）、タングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜上に第２のタングステン膜を成膜する（Ｓ５０）。 - 特許庁

The reaction container kit is equipped with: a reaction container 10, having a reagent housing part 14 and a non-volatile liquid housing part 16 formed as recessed parts formed thereto on the same side as a flat plate-shaped substrate 9; and dispensing chips 70a and 70b mounted on the leading end of a dispensing probe for sucking or discharging liquids.例文帳に追加

反応容器キットは、平板状の板状基板９の同じ側に試薬収容部１４及び不揮発性液体収容部１６が凹部として形成された反応容器１０と、分注プローブの先端に装着して液の吸入・吐出を行なうための分注チップ７０ａ，７０ｂを備えている。 - 特許庁

The substrate treatment machine has a reaction furnace to treat substrates, an enclosure 16 to house the reaction furnace, an inlet to take in air to the inside of the enclosure 16, and a chemical pollutant decontamination unit 11 built at the air inlet 17 to prevent chemical pollutants from entering inside the enclosure 16.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応炉と、反応炉を収容する筐体１６と、筐体１６内部に空気を取り入れる空気取り入れ口１７と、空気取り入れ口１７に設けられ筐体１６内部に化学汚染物質が侵入するのを防止する化学汚染物質除去ユニット１１とを有する。 - 特許庁

The pressure in the agitation vessel 200 is controlled to be higher than that in the reaction vessel 100 and the supercritical CO_2 dissolving a platinum compound in the agitation vessel 200 is introduced into the reaction vessel 100 by opening the valve 210 and then platinum is deposited by heating the silicon substrate (Sub) for a specified time at 500°C.例文帳に追加

次に撹拌槽２００内の圧力を反応槽１００内の圧力より大きくしてからバルブ２１０を開き、撹拌槽２００内部の白金化合物を溶解した超臨界ＣＯ_2を反応槽１００に導入して、所定時間、シリコン基板（Ｓｕｂ）を５００℃に加熱して白金を析出させた。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

When carrying out a substrate S after etching from a reaction chamber 11, this dry etching device supplies the reaction chamber with inert gas before separating the board from a lower electrode 13 by means of a lifting mechanism 23, and shifts the electric charge to the inert gas without applying voltage to the lower electrode, and removes the statics on the board and the lower electrode.例文帳に追加

エッチング終了後の基板Ｓを反応室１１から搬出する際、昇降機構２３によって基板を下部電極１３から分離する前に、反応室に不活性ガスを供給し、下部電極に電圧を印加することなく電荷を不活性ガスに移して、基板および下部電極の帯電を除去する。 - 特許庁

In the substrate treatment system where a reaction chamber (1) is concatenated with a wafer carrying chamber (3) through a partition (2c), the partition (2c) is provided with a pipe (11) for interconnecting the reaction chamber (1) and the wafer carrying chamber (3) and the interconnecting pipe (11) is provided with an on/off valve (10).例文帳に追加

反応室（１）が、仕切部材（２ｃ）を介してウエハ搬送室（３）に連接された基板処理装置であって、上記仕切部材（２ｃ）に、上記反応室（１）とウエハ搬送室（３）とを連通する連通管（１１）を設け、連通管（１１）に連通管開閉バルブ（１０）を設けた基板処理装置とする。 - 特許庁

In the peeling sheet, on one side of the film substrate containing the curing inhibitor for an addition reaction type thermosetting silicone, the primer layer containing an α-olefin-unsaturated carboxylic acid copolymer is laminated and a silicone peeling agent layer comprising an addition reaction type thermosetting silicone curing layer is laminated on the primer layer in turn.例文帳に追加

付加反応型熱硬化型シリコーンの硬化阻害物質が含まれているフィルム基材の片面に、α−オレフィン・不飽和カルボン酸共重合体を含む下塗り剤層と、該下塗り剤層上に付加反応型熱硬化型シリコーンの硬化層からなるシリコーン剥離剤層が順次積層されていることを特徴とする剥離シート。 - 特許庁

And a laminate comprising at least two substrates contacting with the reaction product of at least one multi-functional Michael donor and at least one multi-functional Michael acceptor is provided, wherein at least one reaction promotor is existing on the surface of the above-mentioned at least one substrate before the lamination step.例文帳に追加

また、少なくとも１つの多官能性マイケルドナー、および少なくとも１つの多官能性マイケルアクセプターの反応生成物と接触する少なくとも２つの基体を含み、ここで、少なくとも１つの反応促進剤が、ラミネーション工程の前に、前記少なくとも１つの基体の表面に存在している、ラミネートも提供される。 - 特許庁

The etching apparatus comprises a reaction chamber 1, a lower electrode 2 provided on a bottom surface part of the reaction chamber 1, an upper electrode 10 provided on a ceiling part facing the lower electrode 2, and a focus ring 8 provided on the lower electrode 2 and having a cavity for holding a substrate 3 to be processed.例文帳に追加

本発明のエッチング装置は、反応室１と、反応室１の底面部に設けられた下部電極２と、天井部に下部電極２と対向して設けられた上部電極１０と、下部電極２の上に設けられ、被処理基板３を保持するための空洞を有するフォーカスリング８とを備えている。 - 特許庁

The method is characterized in that optical distortion or local shrinkage due to inhomogeneity accompanying the proceeding of the reaction during injecting the hologram recording material is prevented by preliminarily forming a through hole in a planar substrate; disposing the substrate to oppose another planar substrate at a specified distance and by successively supplying the hologram recording material prepared by mixing by a mixing means such as dynamic mixer through the hole formed in the planar substrate.例文帳に追加

本発明は、予め平面基板に貫通孔を形成し、これを別の平面基板と所定の間隔を置いて対向させた後に、この平面基板に形成した貫通孔よりダイナミックミキサー等の混合手段によって混合したホログラム記録材料を順次供給することにより、ホログラム記録材料の注入中の反応進行に伴う不均一性による光学歪みや局所的な収縮を防止することを特徴とするものである。 - 特許庁

To suppress a decrease in yield due to sticking of peeled reaction products on an epitaxial growth film on a substrate during manufacture of a compound semiconductor using an organometallic vapor phase epitaxial method.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a thermoplastic polymer, which is crosslinkable via reaction, causes an adhesive to which the polymer has been applied to substantially exhibit low flowability, and is particularly appropriate for adhesion of a transparent substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、反応によって架橋可能であり、適用した接着剤が低い流れ性を実質的に示し、且つ透明基材を接着するために特に適している熱可塑性ポリマーを提供することである。 - 特許庁

The method for producing the self-organized molecular film is also characterized in that the intermolecular cross-linking reaction is carried out in a state of the self-organized molecular film and a substrate left in a high vacuum state by sealing.例文帳に追加

また、紫外線照射時に自己組織化分子膜及びその基板を高真空状態にて密閉放置した状態で、分子間架橋反応を起こすことを特徴とする自己組織化分子膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a support means simple in structure, low in cost and usable in a vacuum to support a balance mass for nullifying vibration caused by reaction force when moving a substrate table in a lithographic projection apparatus.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置であって、基板テーブルを動かすときの反力による振動を打消すための平衡質量を支持するために、真空中でも使える、構造簡単で安価な支持手段を提供すること。 - 特許庁

Then, even if a minute spark discharge occurs in the reaction container 1, damage can be controlled directly to effect the substrate 8 by the spark discharge due to arc discharge.例文帳に追加

このため、反応容器１内において、反応容器１内で微小な火花放電が発生した場合においても、火花放電の発生がアーク放電の発生などに直結して基板８にダメージを与えることが、抑制される。 - 特許庁

A substrate 3 is placed on the SOG solution layer 2, thereafter, a solvent of the SOG solution layer 2 is vaporized and, at the same time, the ladder-type crosslinking reaction is caused in the SOG solution layer 2 to solidify the SOG solution layer 2.例文帳に追加

該ＳＯＧ溶液層２の上に基板３を載置した後、該ＳＯＧ溶液層２の溶媒を気化させつつ該ＳＯＧ溶液層２内でラダー型の架橋反応を生じさせて該ＳＯＧ溶液層２を固化する。 - 特許庁

To provide a highly reliable laminated piezoelectric element obtaining a superior inverse piezoelectric effect by suppressing the formation of the reaction layer of Pb and Pd into a piezoelectric substrate layer, and also to provide a method for manufacturing the laminated piezoelectric element, and an ejector.例文帳に追加

圧電体層中へのＰｂとＰｄとの反応層の形成を抑制して優れた逆圧電効果が得られ、信頼性に優れた積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置を提供する。 - 特許庁

Namely, each processing gas is introduced from a lower portion of a reaction chamber, and is adapted to rise vertically at a high speed and is prevented from passing through the position of the substrate supported below the boat before the mixing.例文帳に追加

すなわち、それぞれの処理用ガスが反応室の下方から導入され、高速で垂直方向に上昇してしまい、混合される以前にボートの下部に支持されている基板の位置を通過することを防止する。 - 特許庁

Without using a coupling agent, the inorganic coating material can be applied to the surface of the resin substrate 13 by reaction to the inorganic substance 11 to obtain resin material with excellent adhesion strength to the inorganic coating material.例文帳に追加

そして、該無機物１１との間の作用によりカップリング剤を用いることなく樹脂基材１３の表面に無機塗料を塗装することが可能となり、無機塗料の接着性に優れた樹脂材が得られる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can increase the rate of temperature increase of a wafer, by suppressing overshoot of a temperature detected by a thermocouple inside a reaction tube, relative to the target temperature during the increase of the wafer temperature.例文帳に追加

ウエハ昇温時における反応管内の熱電対による検出温度が目標温度に対してオーバーシュートするのを抑制し、ウエハの昇温速度を向上させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To reduce background noise and an amount of sample liquid by improving the efficiency of a specific coupling reaction between a probe solidified on a substrate surface and a target substance in detecting the target substance with use of the probe.例文帳に追加

基板表面に固相化されたプローブを用いてターゲット物質を検出する際に、プローブとターゲット物質との間の特異的結合反応の効率を向上し、バックグラウンドノイズおよびサンプル液量を低減する。 - 特許庁

To provide a method for removing any abnormal product of a vapor growth device capable of removing abnormal control in a short time only by a simple removing treatment even when abnormality caused by the product occurs during the film deposition on a substrate in a reaction chamber.例文帳に追加

反応室内で基板に成膜を行っている最中に生成物による異常が発生しても、簡単な除去処理のみで短時間に生成物除去を行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

On the half way of a feed channel 51 through which a treating gas used for treating a substrate 7 set up in a reaction chamber 6 is made to flow, a gas reservoir 10 in which the treating gas is accumulated and a by-pass line 11 which by-passes the reservoir 10 are provided in parallel with each other.例文帳に追加

反応室６内の基板７を処理する処理用ガスを流す供給路５１の途中に、処理用ガスを溜めるガス溜め部１０と、そのガス溜め部１０をバイパスするバイパスライン１１とを並設する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high performance semiconductor device, which forms an electrode by utilizing a reaction between fine metal particles and a semiconductor substrate, and to provide a high performance semiconductor device which has an electrode having a small grain particle size.例文帳に追加

金属微粒子と半導体基板の反応を利用して電極を形成する、高性能な半導体装置の製造方法およびグレイン粒径の小さい電極を有する高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate structure formed on a semiconductor substrate 101 comprises the insulation film 104 having a high dielectric constant, and a reaction prevention layer 105 which is formed on top of the insulation film 104 and composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜１０４及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層１０５から構成される。 - 特許庁

To provide a vacuum film forming apparatus capable of inhibiting deterioration of a valve, a vacuum pump, etc. installed at the downstream side of a reaction chamber where a film is deposited on a substrate by alternately feeding a plurality of raw material gases.例文帳に追加

複数の原料ガスを交互に供給することにより基板上に成膜する反応室の下流側に設けられるバルブや真空ポンプ等の劣化を抑制することができる真空成膜装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, this manufacture includes a process of exhausting the given gas from all the exhaust ports 54 and 55 and removing the residual gas within the reaction tube 51, while supplying it with the given gas from the gas supply ports 52 and 53 after deposition on the substrate.例文帳に追加

また基板成膜後にガス供給口５２，５３から所定のガスを供給しつつ、かつすべての排気口５４，５５から所定のガスを排気し、反応管５１内の残留ガスを除去する工程を含む。 - 特許庁

To provide an electrode substrate for solid polymer fuel cell which solves conventional problems and is low cost, and by which supply and discharge of water and gas used in a reaction are performed smoothly, and cell performance is well demonstrated.例文帳に追加

従来の問題点を克服し、安価でかつ反応に使用される水やガスの供給および排出がスムーズに行なわれ、セル性能を発揮できる固体高分子型燃料電池用電極基材を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate wafer that eliminates wafer cracking caused by a bridge between a beveled portion and a counterbore portion, and then eliminates a decrease in wafer productivity and a decrease in cleanliness of a reaction chamber which are caused by the cracking.例文帳に追加

面取り部とザグリ部との間のブリッジによるウェーハ割れを解消でき、この割れを原因としたウェーハ生産性の低下、反応室の清浄度の低下を解消可能なエピタキシャル基板ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a thin film of a metal oxide such as zinc oxide on a substrate at a low cost and with a high degree of efficiency by utilizing a chemical energy produced by a catalytic reaction without needing an electrical energy.例文帳に追加

触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することにより、電気エネルギーを必要とせずに、酸化亜鉛をはじめとする金属酸化物薄膜を基板上に低コストで効率良く形成する技術を提供する。 - 特許庁

The wafer carry chamber 50 is constituted capable of being evacuated, and a wafer carry vacuum robot 60, which can carry a substrate in vacuum, in between the reaction chamber 70 and the wafer storage chamber 30, is provided in the inside thereof.例文帳に追加

ウェーハ搬送室５０を真空引きできるように構成し、その内部には反応室７０とウェーハ収容室３０との間で真空中で基板を搬送可能なウェーハ搬送真空ロボット６０を設ける。 - 特許庁

To obtain improved film quality and film thickness uniformity within a substrate surface by eliminating the wastage of power that is consumed by a high-temperature electrical heating element, achieves optimum reaction activity according to a film-formed process.例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤにおいて、高温発熱体で消費される電力の無駄をなくし、成膜プロセスに応じた最適な反応活性を実現して、基板面内で良好な膜質及び膜厚均一性を得る。 - 特許庁

In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加

従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

The hybridization reactor is equipped with a container 11 having positioning members 14 for positioning the substrate and with an agitating mechanism 26 for shaking the container 11 to agitate the reaction solution 8 in the container 11.例文帳に追加

このハイブリダイゼーション反応装置は、基板を位置決めする位置決め部１４を有する容器１１と、容器１１内の反応溶液８を撹拌できるように、容器１１を揺する撹拌機構２６とを備える。 - 特許庁

The ashing device and the ashing method are characterized in that a pulse or rectangular wave modulated high-frequency power is supplied into a discharge space, and ashing treatment is performed on the surface of the substrate with a reaction gas introduced into the discharge space.例文帳に追加

放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力が供給され、前記放電空間に導入した反応ガスにより基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁