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「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索
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reaction substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1714



例文

To provide an anodic oxidation process for efficiently anodizing only a predetermined range of outer surface in the axis direction of a columnar or tubular substrate to be treated, by forming a reaction chamber containing only the portion, and provide an apparatus.例文帳に追加

柱状や筒状の被処理体の外周面軸方向所定範囲のみを内包する反応チャンバーを形成し能率的に陽極酸化処理する陽極酸化処理方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

An organic matter washing part 52 of the washing unit 50 selectively sprays a first detergent 68 on a substrate 100 at a position to be washed and a reaction product, or the like, is sucked by a first suction port 72.例文帳に追加

洗浄ユニット50の有機物洗浄部52は、第1洗浄剤68を基板100の洗浄を必要とする位置に選択的に吹き付け、反応生成物などを第1吸引口72によって吸引する。 - 特許庁

While evacuating through the bypass tube 65 with the sub valve SSV open, a wafer boat 14 is loaded to / unloaded from a reaction tube 11, to prevent sublimation gases and particles as by-product materials from being adsorbed to a semiconductor substrate 15.例文帳に追加

このサブバルブSSVを開いて、サブバイパス管65で排気しながら、ウエハボート14を反応管11にロード又はアンロードし、反応副生成物の昇華ガスやパーティクルの半導体基板15への吸着を防止する。 - 特許庁

例文

This production method is a structural improvement of a substrate of an intramolecular coupling reaction, a phenol derivative is used as one of two kinds of phenyl groups and a pyrogallol derivative symmetrically containing three oxygen-substituted groups is used as the other.例文帳に追加

分子内カップリング反応の基質の構造的改良であり、2種のフェニル基の一方にフェノール誘導体を用い、他方に3個の酸素置換基を対称的にもつピロガロール誘導体を用いた点にある。 - 特許庁


例文

The first gas supply passage 4 consists of an inner tube and an outer pipe, the tip extends to a semiconductor substrate 6 proximity, and enables it to supply the first reaction gas 25 to the inner tube while supplying a hydrogen gas to the outer pipe.例文帳に追加

第1のガス供給路4は、内管と外管とからなって、先端が半導体基板6近傍まで延び、外管に水素ガスを供給しながら、内管に第1の反応ガス25を供給できるようにする。 - 特許庁

This reaction probe chip is characterized in that the chip has a structure in which carriers on which probe molecules different in each through hole are immobilized are filled in and retained in a plurality of the isolated through holes which are regularly arranged on a substrate.例文帳に追加

基板に規則的に配列された複数の孤立した貫通穴中に、穴ごとにそれぞれ異なったプローブ分子が固定化された担体が、充填保持された構造を持つことを特徴とする反応プローブチップ。 - 特許庁

To provide an inspection device and an inspection method capable of inspecting accurately whether liquid is dispensed accurately into a well-shaped reaction part formed on a substrate, whose bottom surface has a flat and hollow shape, and whose volume is small, or not.例文帳に追加

基板上に形成された底面が平坦な窪み形状で容積が小さいウェル状反応部に液体が正しく分注されたかどうかを精度良く検査する検査装置および検査方法を提供する。 - 特許庁

The composition for lipase activity assay secures long-term storage stability in a liquid state by using diglyceride dissolved in an amphoteric surfactant as a lipase substrate and enzymatically detects a monoglyceride formed by a lipase reaction.例文帳に追加

両イオン性界面活性剤に溶解したジグリセリドをリパーゼの基質とすることで液状で長期保存安定性を確保し、リパーゼ反応で生成されるモノグリセリドを酵素的に検出してリパーゼ活性を測定する。 - 特許庁

例文

This method for producing the polyurethane-attached fibrous sheetlike material includes the step of applying polyurethane liquid on a fibrous substrate material, wherein, the polyurethane liquid is the aqueous polyurethane dispersion containing a radical reaction-initiating agent.例文帳に追加

繊維基材にポリウレタン液を付与する工程を含み、当該ポリウレタン液がラジカル反応開始剤を含有する水分散型ポリウレタン液であることを特徴とするポリウレタン付繊維シート状物の製造方法。 - 特許庁

例文

To provide the manufacturing method of an MOCVD device or a semiconductor layer, capable of preventing the depositing of reaction products on a region except a substrate and capable of growing a semiconductor with excellent reproducibility.例文帳に追加

反応生成物が基板以外の領域に堆積することを防止すると共に、再現性良く半導体を成長させることができるMOCVD装置又は半導体層の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for controlling the enzyme activity comprises regulating an enzyme concentration and the substrate concentration in an enzyme reaction liquid under an optimum condition or an identical condition and irradiating the liquid with the magnetic field.例文帳に追加

本発明は、酵素反応液を、最適な条件又は同一の条件下において、酵素濃度、基質濃度を調節し、磁界を照射することにより酵素活性の調節が可能となる制御方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of controlling the distribution of plasma density within a reaction chamber in the semiconductor manufacturing apparatus to uniformly form and process a film inside the surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

プラズマを用いる半導体製造装置における反応チャンバ内のプラズマ密度の分布を制御し、半導体基板面内の膜形成あるいは加工を均一に行うことができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing hydrogen using microorganisms, enabling hydrogen production to be increased in its continuous production process by controlling the organic substrate concentration of the reaction liquid.例文帳に追加

微生物により水素を製造する方法において、反応液中の有機性基質濃度を制御することにより、連続生産時の水素生産量を増加させることが可能である水素製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method, a silicon wafer is manufactured by performing vapor deposition for a silicon thin film on the surface of a silicon single crystalline substrate W which is carried via a load lock chamber and mounted on a susceptor 1 inside a reaction vessel 2.例文帳に追加

ロードロック室を介して搬送され反応容器2内のサセプタ1上に載置されたシリコン単結晶基板Wの表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造する方法である。 - 特許庁

The contact mechanism is provided with feed nozzles 6 and 7 of bringing at least one kind of reactant selected from a reaction liquid comprising ferrous ions, an oxidizer and an oxidation medium comprising oxygen into contact with the substrate.例文帳に追加

接触機構は、基体を、第一鉄イオンを含む反応液、酸化剤、及び酸素を含んだ酸化媒体の内の少なくとも一種の反応物質を前記基体に接触させる供給ノズル6,7を備えている。 - 特許庁

Then voltage is applied between the transparent electrode 8 of the substrate and the stainless steel bottom 4 of the electrode position tank to cause electrolytic reaction to form a dyestuff layer as a color filter on the transparent electrode 8.例文帳に追加

そして、基板の透明電極8と電着槽のステンレス基底部4との間に電圧を印加することにより電解反応を生じさせて、透明電極8上にカラーフィルターとしての色素層を形成する。 - 特許庁

A main gas component comprising siloxane and N2O is admixed with an inert gas or nitrogen gas (N2) for dilution and subjected to plasma reaction thus forming an insulation film 22 on a substrate 21.例文帳に追加

シロキサンとN_2Oとからなる主要な成膜用ガス成分に希釈用の不活性ガス又は窒素ガス(N_2)を加えて構成される成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、被成膜基板21上に絶縁膜22を形成する。 - 特許庁

This assaying reagent for determination, composed of a reagent 1 containing a substrate, and a reagent 2 containing the enzyme, and utilizing the before reaction system is obtained by including the coupling enzyme and a coenzyme (NAD) in the reagent 1.例文帳に追加

基質を含む試薬1と、酵素を含む試薬2より構成され、上記の反応系を利用する定量用の測定試薬において、共役酵素および補酵素(NAD)を試薬1に含有させてなる。 - 特許庁

The method for reducing the substrate inhibition in measuring glucose is to bring pH in the reaction of measurement to be acidic in measuring glucose in a system containing pyrroloquinoline quinone-dependent glucose dehydrogenase.例文帳に追加

ピロロキノリンキノン依存性グルコース脱水素酵素を含む系においてグルコースを測定する方法において、測定反応時のpHが酸性であることを特徴とする、グルコース測定における基質阻害を低減する方法。 - 特許庁

To provide a chip resistor in which there is no break in a wire caused by corrosion and disappearance of a resistor, because of the occurrence of an electric field corrosion reaction resulting from the permeation of water from between a protective film and a chip substrate.例文帳に追加

保護膜とチップ基板との間からの水分の滲入によって電界腐食反応が生じ、抵抗体の腐食および消失が生じることにより断線が生じることのないチップ抵抗器を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for vertical alignment layer includes a stage of supplying a processed substrate into a reactor, a stage of injecting silicon-based gas and carbon-based gas into the reactor, and a stage of subjecting the silicon-based gas and carbon-based gas to chemical reaction on a surface of the processed substrate to form a vertical alignment layer containing silicon carbide on the processed substrate.例文帳に追加

反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。 - 特許庁

The method for measuring the therapeutic and preventive effects of test specimens comprises the step (I) where the presenilinase is allowed to contact with substrate peptide in the presence or absence of the test specimens and the step (II) where the amounts of the substrate fragments formed by chain breakage reaction of the substrate polypeptide are measured to compare their amounts in the presence of or in the absence of the test specimens.例文帳に追加

以下の工程からなる、被験物質のアルツハイマー病治療又は予防効果を測定する方法、(I)被験物質の存在下または非存在下でプレセニリネース及び基質ポリペプチドを接触させる工程、(II)該基質ポリペプチドの切断により生じた基質断片の産生量を測定し、被験物質の存在下及び非存在下における該産生量を比較する工程。 - 特許庁

The substrate 101 is heated to 650°C by a heater 105 in a reaction furnace 104 and after a plurality of the carbon nanotubes 102 are grown on the surface of the substrate 101 by the CVD method, a plurality of double wall carbon nanotubes (DWNT) are deposited so as to form a carbon nanotube layer 103 constituted of two kinds of carbon nanotubes on the surface of the substrate 101.例文帳に追加

基板101を反応炉104の中でヒータ105により650℃に加熱して、基板101の表面に化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブ102を成長させたあと、電着法により、複数のDWNTを付着させ、基板101の表面に、二種類のカーボンナノチューブから構成されたカーボンナノチューブ層103を形成する。 - 特許庁

A resist removing apparatus for removing resist deposited on a surface of the substrate includes: a first supply part 35 for supplying sulfuric acid to the substrate; a second supply part 36 for supplying ozone gas for atomizing the sulfuric acid to be supplied to the substrate; and a third supply part 37 for generating heat of reaction by supplying superheated steam to the sulfuric acid atomized by the ozone gas.例文帳に追加

基板の表面に付着残留するレジストを除去するレジスト除去装置であって、基板に硫酸を供給する第1の供給部35と、基板に供給される硫酸を霧化させるオゾンガスを供給する第2の供給部36と、オゾンガスによって霧化された硫酸に過熱水蒸気を供給して反応熱を生じさせる第3の供給部37を具備する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an electro-optical device having a film formation process for forming a film of a polymer-based material on a substrate by an ink jet method, the film of the polymer-based material is formed by printing a monomer 15a of a raw material of the polymer-based material and its polymerization initiator 15b on a substrate 100, and by executing a polymerization reaction on the substrate 100.例文帳に追加

インクジェット法により、基板上に高分子系材料の膜を形成する膜形成工程を有する電気光学装置の製造方法において、基板100上に、高分子系材料の原料であるモノマー15aと、その重合開始剤15bとを印字し、当該基板100上で重合反応を行わせて高分子系材料の膜を形成する。 - 特許庁

Regarding the method where a glass substrate is dipped into a chemical processing liquid, and the whole or a part of the surface in the glass substrate is processed, the chemical processing liquid comprises an anionic surfactant or an aminic amphoteric surfactant preventing the resticking of reaction products such as fluorides to the surface of the glass substrate, and grinding is performed at a processing speed of10 μm/min.例文帳に追加

ガラス基板を化学加工液に浸漬してガラス基板表面の全部または一部を加工する方法であって、化学加工液がフッ化物等の反応生成物がガラス基板表面に再付着することを防止する陰イオン系界面活性剤またはアミン系両性界面活性剤を含有し、10μm/分以下の加工速度で研磨加工する方法である。 - 特許庁

This apparatus comprises arranging several cylindrical substrates 101 in a reaction vessel 102, supplying high frequency powers of two different frequencies f1 and f2 simultaneously to a same high frequency electrode 104, generating plasma by the high frequency power introduced into the reaction vessel 102, decomposing the gas introduced into the reaction vessel 102 through a raw material gas introduction pipe 103, and forming the deposition film on the cylindrical substrate 101.例文帳に追加

反応容器102中に複数の円筒状基体101を配置し、2つの異なる周波数f1,f2の高周波電力を同一の高周波電極104に同時に供給し、反応容器102内に導入された高周波電力によってプラズマを形成し、原料ガス導入管103より反応容器102中に導入されたガスを分解して円筒状基体101上に堆積膜を形成する。 - 特許庁

The apparatus for producing the carbon nanotube aligned aggregate including a growing furnace 3a for growing the carbon nanotube aligned aggregate by supplying a material gas on a catalytic substrate 10 and the exhaust pipe 23 for exhausting the gas in the furnace 3a is equipped with reaction gas injection parts 16 and 17 for injecting the reaction gas to reduce the carbon solid material attached in the exhaust pipe 23 by causing the chemical reaction with the material gas.例文帳に追加

触媒基板10上に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長炉3aと、成長炉3a内のガスを排気する排気管23と、を備えるカーボンナノチューブ配向集合体の製造装置において、前記原料ガスと化学反応を起こすことで前記排気管内23に付着する炭素固形物を低減する反応ガスを噴射する反応ガス噴射部16、17を備えている。 - 特許庁

In this reaction vessel, the substrate consists mainly of a resin composition with a coefficient of thermal expansion of 100-2,000_(10^-5/°C) at 20-120°C and the light transmittance in the visible light region between the bottom of the well-like reaction detective parts and the substrate reverse face is 60-90%.例文帳に追加

基板に、複数のウェル状反応検出部を備え、該ウェル状反応検出部上に保護フィルムがヒートシールにより貼り合わされてなる反応容器であって、該基板の20〜120℃における熱膨張率が100〜2000(10^−5/℃)の範囲内である樹脂組成物を主成分としており、かつウェル状反応検出部底部と基板裏面の間における可視光域での光線透過率が60%〜90%の範囲内である、ことを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

The substrate sensitive membrane material contains both a high molecular compound containing an ester-group-containing poly (meth) acrylamide ester-linked by carboxyl-group-containing poly (meth) acrylamide and/or at least part of the carboxyl group and a hydroxyl group of cyclodextrin and a biofunctional material for oxidizing and reducing a substrate by redox reaction.例文帳に追加

基質感応膜素材は、カルボキシル基含有ポリ(メタ)アクリルアミド及び/又は該カルボキシル基の少なくとも一部とシクロデキストリンの水酸基とでエステル結合しているエステル基含有ポリ(メタ)アクリルアミドを含んだ高分子化合物と、酸化還元反応をして基質を酸化還元させる生体機能物質とが、含有されている。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor substrate that has improved heat dissipation, can improve reflection properties of a base material to light at a short-wavelength region such as ultraviolet rays, and prevents an interface reaction layer from being formed between a group III nitride semiconductor layer and the metal base material, and to provide a manufacturing method of the semiconductor substrate.例文帳に追加

熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas sensor comprises the substrate, the reference electrode provided on the surface of the solid electrolyte, the detection electrode provided on the surface of the electrolyte, and the reaction layer which is provided between the substrate and solid electrolyte.例文帳に追加

基材、前記基材上に設けた固体電解質、前記固体電解質の表面に設けた基準極、及び前記固体電解質の表面に設けた検知極を有するガスセンサであって、前記基材と前記固体電解質の間に、前記基材と前記固体電解質の反応層を設けたことを特徴とするガスセンサ。 - 特許庁

In the ruthenium film manufacturing method, volatile inorganic ruthenium compound in a gas phase state and reducing agent in a gas phase state are introduced into a reaction chamber (11) in which at least one substrate is stored, the volatile inorganic ruthenium compound and the reducing agent are reacted with each other, and ruthenium is deposited on at least one substrate.例文帳に追加

少なくとも1つの基板を収容する反応チャンバ(11)内に気相状態の揮発性無機ルテニウム化合物と気相状態の還元剤を導入することにより両者を反応させ、前記少なくとも1つの基板上にルテニウムを堆積させることを特徴とするルテニウム膜の製造方法 - 特許庁

In the reaction pipe 100 having a susceptor 102 for mounting the substrate 101 and a heater 103 for heating the susceptor 102, vapor phase epitaxy is carried out at the temperature of T1+T2 by heating the susceptor at the temperature of T1 and by heating the surface of the substrate 101 by a temperature T2 further through a heating means 115.例文帳に追加

基板101を載せるためのサセプター102と、該サセプター102を加熱するためのヒーター103を有する反応管100において、上記サセプター102の温度をT1とし、基板101表面を加熱手段115により更にT2加熱することによりT1+T2の温度にて気相成長させる。 - 特許庁

The plasma film deposition apparatus comprises a material gas unit 10 for forming and feeding the material gas of the desired composition, an electrode unit 20 including a cathode electrode 21 and an anode electrode 22 to generate the plasma decomposition reaction to the substrate 23, and a stage unit 40 to movably support the substrate 23 to the cathode electrode 21.例文帳に追加

所望組成の材料ガスを形成して給送する材料ガスユニット10と、基板23に対してプラズマ分解反応を生成させるカソード電極21およびアノード電極22を含む電極ユニット20と、基板23をカソード電極21に対して移動可能に支持するステージユニット40とを備える。 - 特許庁

The long aluminum substrate material 12 is conveyed by a conveying means 16 so that it is dipped in an electrolyte 24 pooled in an electrolytic cell 20, and an electric current is supplied by a power source 30 to an electrode member 28 placed in the electrolyte 24 to induce an electrolytic reaction between the electrode member 28 and the aluminum substrate material 12.例文帳に追加

長尺のアルミニウム基板材12を搬送手段16で、電解槽20内に貯留された電解液24に浸漬させるよう搬送し、電解液24中に配置した電極部材28に電源30から電流を供給して電極部材28とアルミニウム基板材24との間に電解反応を生じさせる。 - 特許庁

While holding a rear face of a semiconductor substrate 10 by a holding member 32 so that edge portions and bevel portions of both sides of the semiconductor substrate 10 loading a semiconductor device may be in an exposed status, the edge portions and the bevel portions are wrapped by a washing liquid reaction accelerating member 31 inserted between air gaps.例文帳に追加

半導体装置を搭載した半導体基板10の両面のエッジ部及びベベル部が露出状態になるように半導体基板10の裏面を保持部材32によって保持すると共に、当該エッジ部及び当該ベベル部を、空隙を挟んで洗浄液反応促進部材31によって覆う。 - 特許庁

To provide a reaction apparatus and an electronic device having an insulation membrane which can be easily crystallized, prevent cracking and ablation of the insulation membrane easy to generate when a metal substrate is deformed under a high-temperature environment and increase the reliability of the electric insulation between the metal substrate and a thin-film heater.例文帳に追加

容易に結晶化でき、高温環境下において金属基板が歪んだ際に起こりやすい絶縁膜の亀裂、剥離を防止することができ、金属基板と薄膜ヒータとの間の電気的絶縁の信頼性を高めることができる絶縁膜を備える反応装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing device and a particle array manufacturing method capable of supplying a particle precisely to an optional reaction area on a solid phase substrate, in production of a particle array arranged on the solid phase substrate with particles with a probe comprising a nucleic acid and a protein immobilized on a surface.例文帳に追加

本発明は、核酸やタンパク質からなるプローブを表面に固定化した粒子を固相基板に配置した粒子アレイの製造において、該粒子を固相基板上の任意の反応領域に精度良く供給できる製造装置及び粒子アレイの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A substrate W where solution containing a silica compound is applied is accommodated into an aging chamber 10, and the mixed gas of ammonia and nitrogen gases and vapor is supplied from a vaporizer 30 to the aging chamber 10 for advancing the crosslinking reaction of the silica compound, thus forming the SOG film on the substrate W.例文帳に追加

シリカ化合物を含む溶液を塗布した基板Wをエージングチャンバ10に収容し、そのエージングチャンバ10にベーパライザ30からアンモニアガスと窒素ガスと水蒸気との混合ガスを供給することによってシリカ化合物の架橋反応を進行させ、基板W上にSOG膜を成膜する。 - 特許庁

The formation method of a silicon film includes: a process for applying a liquid material including a compound having at least a polymerization starting terminal onto a substrate; a process for applying a liquid material including at least a silicide onto the substrate; and a process for stopping a polymerization reaction.例文帳に追加

本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 - 特許庁

There is produced as a result of reaction AlN, a nitride on a main surface of a sapphire substrate by heating the sapphire substrate to at least 1,300°C or higher, under the atmosphere of mixed gas which takes nitrogen gas containing gas as a chief component with oxidative oxygen element containing gas such as water (water vapor gas) or O_2 gas.例文帳に追加

窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分(水蒸気ガス)あるいはO_2ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも1300℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるAlNを反応生成させる。 - 特許庁

The film-forming method includes: supplying a sputtering gas and a reaction gas into a chamber to keep a predetermined degree of the vacuum; and forming a predetermined film on a substrate by sputtering a metal target which is installed in the chamber and is held by a target-holding part so as to oppose to the substrate, through applying a voltage to the target.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。 - 特許庁

In the magnetic recording medium formed by providing a magnetic layer containing magnetic powder and a binder resin on at least one surface of a non-magnetic substrate, the non-magnetic substrate is composed essentially of a polyester obtained by performing an esterification reaction of an aromatic dicarboxylic acid having at least three aromatic rings and a diol.例文帳に追加

非磁性支持体の少なくとも一方の面に磁性粉末とバインダ樹脂とを含む磁性層を設けた磁気記録媒体において、前記非磁性支持体が、芳香環を少なくとも3個有する芳香族ジカルボン酸とジオールとをエステル化反応させて得られるポリエステルを主成分としてなる構成とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a thermal head, the substrate which has high partially convexed protrusions, and also has small undulations in their convexed top surfaces and slopes, by etching while removing a solid reaction product produced in a glass etching so as to improve a decrease of an etching speed and an unevenness of etching.例文帳に追加

エッチング速度の低下及びエッチングの不均一を改善するために、ガラスエッチング時に生成する固形の反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、凸状部の高さが高く、かつ凸状部頂面およびその斜面のうねりが小さいサーマルヘッド用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A nucleic acid amplification reaction is carried out using a target nucleic acid as a template in the presence of a sample containing the target nucleic acid, a nucleic acid synthase and dNTP on the surface of a substrate on which the 5' terminal of a primer corresponding to a target nucleic acid sequence is immobilized and successively an amplified product is detected on the substrate.例文帳に追加

標的核酸配列に対応するプライマーの5’末端を固定化した基板表面において,標的核酸を含む試料、核酸合成酵素,dNTPの存在下で、前記標的核酸を鋳型とした核酸増幅反応を行い,引き続き基板上において増幅物を検出する。 - 特許庁

To provide a film deposition device for depositing a film by using a vertical reaction tube of double-pipe structure consisting of an inner tube and an outer tube in which uniformity of film thickness can be enhanced among substrates held by a substrate holder while restraining adhesion of particles to the substrate.例文帳に追加

内管と外管とからなる二重管構造の縦型の反応管を用いて成膜を行う成膜装置において、基板保持具に保持されている基板間における膜厚均一性の向上を図ることができ、且つ基板へのパーティクルの付着を抑えることができる成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

By such a condition that the porous meal substrate is dipped in the solution with its state of the sheet 11, it is possible to clean the metal impurities uniformly without spots, and since the amount of the porous metal substrate to be dipped in the solution in a time is limited, heat generation due to chemical reaction lessens and temperature management of the solution becomes easy.例文帳に追加

こうして多孔質金属基板をシート11の状態で溶液に浸すことで、斑無く、一様に金属不純物を洗浄することが可能となり、また同時に溶液に浸される多孔質金属板の量が限られるため、化学反応による発熱は少なく、溶液の温度管理が容易ともなる。 - 特許庁

例文

To provide a method for manfuacturing a substrate including a silicone layer, wherein poor curing of a silicone composition diluted with a collected solvent does not occur even if an organic solvent used in dilution of the silicone compositions has been repeatedly recycled when manufacturing the substrate including the silicone layer cured by hydrosilylation reaction.例文帳に追加

ヒドロシリル化反応により硬化してなるシリコーン層を備えた基材を製造する際に、シリコーン組成物の希釈に用いた有機溶媒を繰り返しリサイクルした場合であっても、該回収溶媒を用いて希釈したシリコーン組成物が硬化不良を起こすことのないシリコーン層を備えた基材の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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