「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A pair of source/drain diffusion layers 11 pinch a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン拡散層１１は、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む。 - 特許庁

Next, a sidewall spacer 8 of a silicon nitride film and a source/drain region 9 are formed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールスペーサ８およびソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A remote plasma source having a U-type plasma region is connected to the gas distribution assembly.例文帳に追加

Ｕ型プラズマ領域を有するリモートプラズマ源は、ガス分配アセンブリに接続されている。 - 特許庁

As any source region formed by ion implantation is not required, the manufacturing cost is decreased.例文帳に追加

イオン注入より形成されていたソース領域が不要となり、製造コストが低減する。 - 特許庁

Ion implantation is performed after removing the gate insulating film 4b on a source/drain region 1d.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域１ｄ上のゲート絶縁膜４ｂを除去後、イオン注入を行う。 - 特許庁

The source and drain region 36 is formed in the active layer 34 on both sides of the control gate 22.例文帳に追加

制御ゲート２２の両側の活性層３４には、ソース・ドレイン３６が形成されている。 - 特許庁

An N^+ type source layer 26 is formed in the inner region of the P type well 23.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE INCLUDING DISCHARGE OF SOURCE/DRAIN REGION, AND RELATED ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の放電を含むメモリ装置の動作方法及び関連した電子装置 - 特許庁

A raised source line of conductive material is arranged laterally on the source region while being insulated from the floating gate.例文帳に追加

上昇された導電性材料のソース線がソース領域上に、浮遊ゲートからは絶縁されて近くに横方向に配される。 - 特許庁

To suppress outer diffusion of impurity and to prevent the contact resistance of a source region connected to a source electrode from becoming high.例文帳に追加

不純物の外部拡散を抑制し、ソース電極と接続されるソース領域のコンタクト抵抗が高くならないようにする。 - 特許庁

To prevent the increase of the junction leak resulting from the excess of the reaction between a source region and silicide caused by the formation of a local source line.例文帳に追加

ローカルソース線の形成で、ソース領域とシリサイド反応が過剰になってジャンクションリークが増大するのを防止する。 - 特許庁

A source and a drain region are formed in the same way with respect to partial transistors B1 and B2 and respective source regions 55A and 55B are connected.例文帳に追加

部分トランジスタＢ１、Ｂ２についても同様にソースとドレインを形成し、各々のソース領域５５Ａ、５５Ｂを接続する。 - 特許庁

A source electrode 13 comes into contact with n+ source regions 7a and 7b and a p+ body region 8 through contact holes 12.例文帳に追加

ソース電極１３はコンタクトホール１２を通してｎ^+ 型ソース領域７ａ，７ｂおよびボディーｐ^+ 型領域８と接している。 - 特許庁

To suppress increase in contact resistance between a source region and a source electrode when removing a damage in a trench.例文帳に追加

トレンチ内のダメージ除去を行う際に、ソース領域とソース電極とのコンタクト抵抗が増大することを抑制できるようにする。 - 特許庁

A means for manufacturing a white light source even from a single light source having a narrow light emitting wavelength region by utilizing this phenomenon is provided.例文帳に追加

この現象を利用して、発光波長域の狭い、単色光光源からでも白色光源を作製できる手段である。 - 特許庁

Materials of the electron source and the hole source are so selected that each of the electrical conductance is larger than that of the light emitting region.例文帳に追加

電子源とホール源の材料は、その各々の導電度が発光領域の導電度より大きいように選択される。 - 特許庁

The bidirectional zener diode formed in the p^--type region 2b is connected between a source and a drain and between a source and a gate.例文帳に追加

また、ｐ^-型領域２ｂに形成された双方向ツェナーダイオードは、ソース−ドレイン間およびソース−ゲート間に接続されている。 - 特許庁

This sensor includes a pickup region positioned on one of first and second source/drain regions on either side of a source follower gate.例文帳に追加

このセンサは、ソースフォロワーゲート両側の第１または第２ソース／ドレイン領域の一側に配置されたピックアップ領域を含む。 - 特許庁

To easily and accurately detect a light source inside images or in a region where the regularly reflected light of light from the light source is projected.例文帳に追加

画像内の光源、または、光源からの光の正反射光が写っている領域を簡単かつ正確に検出する。 - 特許庁

With a p-gate region 44 above a p+ embedded region 42 being cellular, an n+ source region 48 is so provided as to enclose it, increasing the area of a channel.例文帳に追加

ｐ^+ 埋め込み領域４２の上方のｐゲート領域４４をセル状とし、ｎ^+ ソース領域４３をそれを囲むように配置してチャネル部分の面積を増大させる。 - 特許庁

A field oxide device 300 of a primary protective device comprises a drain diffusion region 306, source diffusion region 308, and field oxide region 320.例文帳に追加

本発明は、一次の保護デバイス３００、二次の保護デバイス３０２及び基板ピックアップ３０４を有する、内部回路を保護するためのＥＳＤ保護構造体を有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-resistance impurity region (HRD or low-concentration impurity region), in a self-aligned manner in a source-drain region on a thin-film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤまたは低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。 - 特許庁

Related to an insulated gate field effect transistor 11, an annular source region 15 is formed as an island in a base region 14 exposed in a circle in an n-type drift region.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１１において、Ｎ形のドリフト領域に円形に露出したベース領域１４に、環状のソース領域１５を島状に形成する。 - 特許庁

The transistor 10 is configured to include a source region, a drain region, a channel region respectively comprising semiconductor films 20, 21, 22; a gate insulating film 23; and a gate electrode 24.例文帳に追加

トランジスタ１０は、それぞれ半導体膜２０，２１，２２からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜２３と、ゲート電極２４とを備えて構成される。 - 特許庁

A gate insulating film 70 is formed so as to cover the surface of a P-type region between the N^+-type SiC source region 30 and the N-type SiC drain region 40.例文帳に追加

Ｎ＋型ＳｉＣソース領域３０とＮ型ＳｉＣドレイン領域４０との間のＰ型領域の表面を覆うようにゲート絶縁膜７０が形成されている。 - 特許庁

The vertical JFET 11 (junction field-effect transistor) comprises a semiconductor substrate 12, a first conductive source region 14, a first conductive channel region 16, and a second conductive gate region 18.例文帳に追加

本発明の縦型ＪＦＥＴは、半導体基体、第１導電型のソース領域、第１導電型のチャネル領域と、第２導電型のゲート領域とを備える。 - 特許庁

While the second active region is coated with the first and second cap film, the source/drain region is etched in the first active region, thereby forming a recess part.例文帳に追加

第２活性領域を第１及び第２キャップ膜で覆った状態で、第１活性領域において、ソース／ドレイン領域をエッチングすることにより、凹部を形成する。 - 特許庁

These epitaxial layers form a source region, a drain region, and a channel region each having a different lattice constant, so that it is easy to control distortion happening in the channel.例文帳に追加

これらのエピタキシャル層により、それぞれ格子定数の異なるソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するので、チャネルに生じる歪を制御しやすくなる。 - 特許庁

A P-type body region 5 is formed in an epitaxial layer 3, and an N+ type source region 9 which contacts the body region 5 is formed in a surface layer portion of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

エピタキシャル層３にＰ型のボディ領域５を形成し、エピタキシャル層３の表層部にボディ領域５に接するＮ^+型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device of which is capable of forming an extension region, a source region, and a drain region simultaneously.例文帳に追加

エクステンション領域と、ソース領域およびドレイン領域とを同時に形成することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The cluster ions implanted in the FIN type semiconductor portion 10 are activated thereafter to form a diffusion region that constitutes parts of a source region and a drain region.例文帳に追加

その後、ＦＩＮ状の半導体部１０に注入されたクラスタイオンを活性化して、ソース領域およびドレイン領域の一部を構成する拡散領域を形成する。 - 特許庁

Thereby, the channel region has a first voltage threshold region and a second voltage threshold region, and the programmed cell operates at reduced drain source current.例文帳に追加

これにより、チャネル領域は第１のしきい値電圧領域と第２のしきい値電圧領域とを有し、プログラムされたセルが低減されたドレインソース電流で動作する。 - 特許庁

Then the surface layer of the recessed part 12 is formed into an active region and a source region 14 and a drain region 15 are formed on the polycrystalline silicon films 13 on both the sides of the recessed part 12.例文帳に追加

そして、凹部１２の表層を能動領域とし、凹部１２の両側の多結晶珪素膜１３にソース領域１４とドレイン領域１５を形成する。 - 特許庁

An LDD region is formed by making use of the first gate electrode as a mask, A source region and a drain region are formed by making use of the second gate electrode as a mask.例文帳に追加

ＬＤＤ領域を前記第１のゲート電極をマスクとして形成し、ソース領域およびドレイン領域を前記第２のゲート電極をマスクとして形成する。 - 特許庁

Thereafter, a titanium silicide film is formed on the surface layer of the source/drain region 40 composed of a low-concentration impurity region 40a and a high-concentration impurity region 40b.例文帳に追加

その後、低濃度不純物領域４０ａと高濃度不純物領域４０ｂからなるソース／ドレイン領域４０の表面層にチタンシリサイド膜４２を形成する。 - 特許庁

In the fabrication method, a first device region selected from a group composed of a source region and a drain region of a field-effect transistor is formed on a semiconductor layer.例文帳に追加

作製方法において、電界効果トランジスタのソース領域及びドレイン領域から成るグループから選択された第１のデバイス領域が、半導体層上に形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a channel region 11 is formed on a surface-side of a drain region 1, and source regions 12 are formed selectively on a surface-side of the channel region 11.例文帳に追加

ドレイン領域１の一方の面側にチャネル領域１１が形成され、そのチャネル領域１１の一方の面側にソース領域１２が選択的に形成される。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes an SiC substrate 101, a first semiconductor layer, a base region 105, a second semiconductor layer, a gate region 109, and a source region 113.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ基板１０１、第１半導体層、ベース領域１０５、第２半導体層、ゲート領域１０９およびソース領域１１３を備えている。 - 特許庁

A p type base region 4 is provided on a surface of the n-type epitaxial layer 2, and an n+type source region 5 is provided on a surface of a p type base region 4.例文帳に追加

ｎ−型エピタキシャル層２の表面にはｐ型ベース領域４が設けられ、ｐ型ベース領域４の表面にはｎ＋型ソース領域５が設けられている。 - 特許庁

An n-type source region 107 and a drain region 106 are disposed in parallel to each other in the gate region 103, and they are connected to the n-type channel 203.例文帳に追加

ゲート領域１０３の中にＮ型ソース領域１０７及びドレイン領域１０６が互いに平行に配置され、それらはＮ型チャネル２０３に接続されている。 - 特許庁

At a surface layer in the n^- epitaxial layer 2, a p well region 3 is formed, and at the same time an n^+ source region 4 is formed at the surface layer section of the p well region 3.例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層２における表層部にはｐウエル領域３が形成されるとともに、ｐウエル領域３の表層部にはｎ^+ソース領域４が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting region 13 functions as a region through which one part of the mixed light from the two light source groups is made to pass, and functions as a region where the rest is emitted.例文帳に追加

光出射領域１３は、２つの光源群からの混合光の一部を通過する領域として機能するとともに、残りを出射する領域として機能する。 - 特許庁

A p^+ region 21 is adjacent to the source/drain regions S/D separating from them by a separating region 20, and one end of the gate electrode 15 is included in the separating region 20.例文帳に追加

Ｐ^＋領域２１とソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄは離間領域２０を隔てて隣り合い、離間領域２０にはゲート電極１５の一方端部が含まれる。 - 特許庁

A p-type base region 34 is formed on a surface layer of an n^- type drain layer 33, and an n-type source region 35 is formed on a surface layer of the base region 34.例文帳に追加

ｎ^−型ドレイン層３３の表面層にｐ型ベース領域３４が形成され、ベース領域３４の表面層にｎ型ソース領域３５が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, the thin film transistor has an insulating film 5 formed on the channel region 43 and a silicide layer 61 formed on the source region 41 and the drain region 42.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタは、チャネル領域４３上に形成された絶縁膜５と、ソース領域４１及びドレイン領域４２上に形成されたシリサイド層６１とを備える。 - 特許庁