「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The width of the fin in the y direction in a source/drain region adjacent in the x direction to the source/drain extension region is Wsd (>Wext).例文帳に追加

さらに、ソース／ドレインエクステンション領域に対して、ｘ方向に隣接するソース／ドレイン領域におけるフィンのｙ方向の幅は、Ｗｓｄ（＞Ｗｅｘｔ）である。 - 特許庁

An optical region P for suppressing luminance of the locally high bright region occurring in the vicinity of the light source 42 is provided at the plane of the substrate 43 supporting the light source 42.例文帳に追加

基板４３のうち光源４２を支持した面には、光源４２の近傍に発生する局所的高輝度領域の輝度を抑えるための光学領域Ｐが設けられる。 - 特許庁

An upper face 35N of a portion of the element-isolation insulating film, adjacent to a first source region 21N and a first drain region 22N of the n-type MOSFET, is positioned below an upper face 25N of the first source region and the first drain region.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴでは、素子分離絶縁膜のうちの第１ソース領域２１Ｎ及び第１ドレイン領域２２Ｎに隣接する部分の上面３５Ｎは、第１ソース領域及び第１ドレイン領域の上面２５Ｎよりも下方に位置する。 - 特許庁

An upper face 35P of a portion of the element-isolation insulating film, adjacent to a second source region 21P and a second drain region 22P of the p-type MOSFET, is positioned above an upper face 25P of the second source region and the second drain region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴでは、素子分離絶縁膜のうちの第２ソース領域２１Ｐ及び第２ドレイン領域２２Ｐに隣接する部分の上面３５Ｐは、第２ソース領域及び第２ドレイン領域の上面２５Ｐよりも上方に位置する。 - 特許庁

The oxide film 112 in an unnecessary part is removed by etching, and drain/source formation regions wherein a drain region and a source region are to be formed are opened each in an element formation region of a high withstand voltage nMOS region HVn.例文帳に追加

レジストＲ１５Ａを用いて、不要な部分の酸化膜１１２をエッチングにより除去して、高耐圧ｎＭＯＳ領域ＨＶｎの素子形成領域に、ドレイン領域およびソース領域を形成すべきドレイン／ソース形成領域をそれぞれ開口する。 - 特許庁

It also includes a source region 4 selectively formed in an upper part of the well region 3 and a gate electrode 7 formed on a gate insulating film 6 covering the surface of the well region 3 sandwiched between the source region 4 and the epitaxial crystal growth layer 2.例文帳に追加

そして、ウェル領域３上部に選択的に形成されたソース領域４と、ソース領域４とエピタキシャル結晶成長層２とに挟まれたウェル領域３の表面を覆うゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極７とを備える。 - 特許庁

The source region and the drain region are each formed with a microcrystalline semiconductor layer with impurities for imparting one conductivity type added thereto, and, in the semiconductor layer, regions in contact with the source region and the drain region are formed with crystalline regions.例文帳に追加

さらに、ソース領域及びドレイン領域は、一導電型を付与する不純物が添加された微結晶半導体層で形成され、半導体層において、ソース領域及びドレイン領域と接する領域は結晶領域で形成されている。 - 特許庁

A trench formed on the principal plane 3a has a planer construction in such a manner that the trench penetrates the base regions 20 and 21 positioned between the source region 22 and the drain region 25 in a direction from the n^+-source region 22 to the n^+-drain region 25.例文帳に追加

主表面３ａに平面構造としてＮ^+ソース領域２２からＮ^+ドレイン領域２５に向かう方向においてソース領域２２とドレイン領域２５との間のベース領域２０，２１を貫通するようにトレンチが形成されている。 - 特許庁

Further, responding to the irradiation direction of the headlamp of the own vehicle, likelihood representing certainty that light source region is the light source region of the headlamp of the oncoming vehicle or the tail lamp of the preceding vehicle and likelihood representing certainty that light source region is the light source region of the reflector (second likelihood) are calculated, and the final likelihood is calculated by multiplying it with the first likelihood.例文帳に追加

さらに、自車両のヘッドランプの照射方向に応じて、光源領域が対向車両のヘッドランプや先行車両のテールランプによる光源領域である確からしさを示す尤度と、リフレクタによる光源領域である確からしさを示す尤度（第２の尤度）を算出し、第１の尤度と乗算することにより、最終的な尤度を算出する。 - 特許庁

In a well layer (channel region) 12 between a drain region, comprising a silicon substrate 10 and an epitaxial layer 11, and a source region 21, change in depth-directional impurity concentration is made to be smaller on a side close to a PN junction of the source region 21, and the peak of the impurity concentration is positioned within 0.1 μm below the PN junction of the source region 21.例文帳に追加

シリコン基板１０、エピタキシャル層１１からなるドレイン領域とソース領域２１との間のウエル層（チャネル領域）１２において、ソース領域２１のＰＮ接合に近い側で、深さ方向の不純物濃度変化が小さくなるようし、またその不純物濃度のピークがソース領域２１のＰＮ接合から下方に０．１μｍ以内に位置するようにする。 - 特許庁

The transistor device includes: a source and a drain (S and D) regions; nano-tube structures (2 and 3) for providing paths of charge carriers between the source region and the drain region; and a gate region (4).例文帳に追加

トランジスタデバイスであって、ソース領域とドレイン領域（ＳとＤ）と、前記ソース領域とドレイン領域との間に電荷キャリアのパスを提供するナノチューブ構造体（２と３）と、ゲート領域（４）とを具備するトランジスタデバイス。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling increase in an electrical resistance at an interface in a source/drain region or between a source/drain region and a silicide layer while improving carrier mobility by giving distortion to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを与えてキャリア移動度を向上させつつ、ソース・ドレイン領域またはソース・ドレイン領域とシリサイド層の界面における電気抵抗の増加を抑えることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The source region 116 and drain region 117 of an N-channel MOS transistor 110 are set lower in impurity concentration than the source/drain region of an N-channel MOS transistor 160.例文帳に追加

保護回路を構成するｎチャネルＭＯＳトランジスタ１１０のソース領域１１６とドレイン領域１１７のｎ形の不純物濃度を、ｎチャネルＭＯＳトランジスタ１６０のソース・ドレイン不純物濃度より低くする。 - 特許庁

At the surface layer part of the epitaxial layer 3, an N^+ type source region 9 and a body contact region 10 which penetrates the center part of the N^+ type source region 9 along the layer thickness are formed between mutually adjacent trenches 6.例文帳に追加

エピタキシャル層３の表層部には、互いに隣り合うトレンチ６間において、Ｎ^+型のソース領域９、およびソース領域９の中央部を層厚方向に貫通するボディコンタクト領域１０が形成されている。 - 特許庁

A field-effect transistor gate region comprising a channel and a gate electrode is formed on the first source/drain region, and then a second source/ drain region is formed on a channel having an appropriate conduction type.例文帳に追加

チャネルおよびゲート電極を備えた電界効果トランジスタ・ゲート領域が、第１のソース／ドレイン領域の上に形成され、次に第２のソース／ドレイン領域が、適切な導電型を有するチャネルの上に形成される。 - 特許庁

A source / drain region 54 is formed inside the top face of the semiconductor substrate 1 in the logic forming region, and a cobalt silicide film 59 is formed inside the top face in the source / drain region 54.例文帳に追加

また、ロジック形成領域における半導体基板１の上面内にはソース・ドレイン領域５４が形成されており、そのソース・ドレイン領域５４の上面内にはコバルトシリサイド膜５９が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

The channel region is provided with a P+ impurity region 31 having a higher concentration than the substrate 21 on the source region side and an N- impurity region 33 having a conductive type opposite to that of the substrate 21 on the drain region side.例文帳に追加

チャンネル領域のうち、ソース領域側には基板２１より高濃度のＰ＋ 不純物領域３１が形成されており、ドレイン領域側には基板２１と反対導電型であるＮ− 不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

The source region, drain region and channel region of an insulating gate electric field effect type transistor are respectively positioned on the surface of a semiconductor provided with a plurality of grooves while an electric charge storage region is provided on the channel region through an insulating layer.例文帳に追加

複数の溝を設けた半導体表面上に絶縁ゲート電界効果型トランジスタのソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域がそれぞれ位置され、該チャネル領域上に絶縁層を介して電荷蓄積領域を設けた。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁

The light generated in the SOA region 3 is propagated to the first FP region 2 and to the second FP region 4, and the oscillating wavelength of the light-source apparatus 1 is selected by the overlap of the peak of the first FP region 2 with the peak of the second FP region 4.例文帳に追加

ＳＯＡ領域３で発生した光は、第１ＦＰ領域２及び第２ＦＰ領域４へ伝搬し、第１ＦＰ領域２のピークと第２ＦＰ領域４のピークの重なりにより発振波長が選択される。 - 特許庁

A p-type well region 2 and an n+ drain region 3 are formed separately from each other on the surface of a semiconductor layer 1c over a SOI(silicon on insulator) substrate 1a and an n+ source region 4 is formed in such a way that the region 4 is involved in the region 2.例文帳に追加

SOI基板の半導体層１ｃの表面には、ｐ型ウェル領域２と、ｎ＋型ドレイン領域３とが離間して形成され、ｐ型ウェル領域２に内包されるようにｎ＋型ソース領域４が形成されている。 - 特許庁

On this cathode film 24, a portion in contact with the n^--single crystal silicon substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer region 25, a p-base region 27 is formed next to this buffer region and an n^+ source region 26 is further formed next to this base region.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-単結晶シリコン基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

The ground potential 8 is applied to a p^- well region 26, and the power source potential 9 is applied to an n^- well region 27.例文帳に追加

ｐ^-ウェル領域２６はグランド電位８が印加されており、ｎ^-ウェル領域２７は電源電位９が印加されている。 - 特許庁

The thick-film (13a) part is formed in a source or drain region, and provided with a part projecting toward a channel region when seen as plan view.例文帳に追加

厚膜(13a)部分はソース又はドレイン領域に形成され、チャネル領域に向かって平面視で突出する部分を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where contact with a source region and a drain region of a thin film transistor is ensured.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

The switch of an N^+ region 12 as a source/drain region is disposed so that it covers the branch end 141.例文帳に追加

少なくとも、この分岐端部１４１にかかるようにソース・ドレイン領域としてのＮ^+領域１２の切り替え部分が設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that ensures contact to a source region and a drain region of a thin-film transistor.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

The lower face of the gate insulating film 60 is positioned below lower faces of a source side extension region 42 and a drain region 50.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６０は、その下面がソース側エクステンション領域４２およびドレイン領域５０の下面より下に位置する。 - 特許庁

Next, a gate electrode is formed, a side spacer is formed, and thereafter a second source region and a drain region are formed at the same time.例文帳に追加

次に、ゲート電極を形成し、サイドスペーサーを形成した後、第２ソース領域とドレイン領域とを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein contact with the source region and the drain region of a thin film transistor surely is ensured.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of easily restraining a surge voltage from occurring between a drain region and a source region when it is switched off.例文帳に追加

スイッチオフする時のドレイン・ソース間のサージ電圧の発生を、容易に抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

The drain region 2d and the source region 2s have a structure that an n^--layer is adjacent to an n^+-layer, respectively.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄとソース領域２ｓは、それぞれｎ^−層とｎ^＋層とが隣接して形成されている構造を有している。 - 特許庁

A channel region 11 and source and drain regions 141, 142 separate from the channel region 11 are formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にチャネル領域１１及びチャネル領域１１を隔てたソース・ドレイン領域１４１，１４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which can be rewritten without applying a high voltage between the source region and the drain region.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域の間に高電圧を印加せずに書き替えることができる不揮発性メモリセルを提供する。 - 特許庁

An n+ type contact region 2 is formed on the side surface of the trench 22 which leads to the n+ type source region 104.例文帳に追加

トレンチ溝２２の側面には、ｎ＋型コンタクト領域２が形成され、これはｎ＋型ソース領域１０４に繋がっている。 - 特許庁

The fluctuation width of a voltage is estimated for each of a transmission side region and a reception side region obtained by separating a power source (step S1).例文帳に追加

電源を分離した送信側領域と受信側領域のそれぞれについて電圧の変動幅を見積もる（ステップＳ１）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is surely in contact with a source region and a drain region of a thin film transistor.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実にした半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

To improve transistor characteristics by suppressing the generation of a defect near a boundary between a source/drain region and a channel region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域とチャネル領域との境界付近における欠陥発生を抑制して、トランジスタ特性を向上させること。 - 特許庁

Trenches 6 that contact the n^+ source region 4, and penetrate the p-well regions 3 to reach the n^- drift region 2 are provided.例文帳に追加

また、ｎ^+ソース領域４に接し、かつｐウェル領域３を貫通し、ｎ^-ドリフト領域２に達するトレンチ６が設けられている。 - 特許庁

Moreover, source and drain regions 31 and 32 of the J-FET element are formed simultaneously with the formation of an emitter region 30 in the region 28.例文帳に追加

更に、エミッタ領域３０を形成すると同時的にＪ−ＦＥＴ素子のソース・ドレイン領域３１、３２を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell that can be rewritten without applying a high voltage between a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域の間に高電圧を印加せずに書き替えることができる不揮発性メモリセルを提供する。 - 特許庁

Then a deep source/drain region 230 is formed in the upper region of the semiconductor substrate outside the side wall of the gate electrode.例文帳に追加

次に、半導体基板の上部領域のゲート電極側壁の外側にはディープソース／ドレイン領域２３０が形成される。 - 特許庁