「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film transistor of the inverted staggered structure has a crystalline semiconductor film 40 having a source region 41, a drain region 42 and a channel region 43.例文帳に追加

本発明にかかる逆スタガ構造の薄膜トランジスタは、ソース領域４１、ドレイン領域４２、及びチャネル領域４３を有する結晶性半導体膜４０を備える。 - 特許庁

A resist is applied on a silicon substrate 10, ions are implanted into a source region 18 and a drain region 22, and a gate region 20 is formed by diffusion of ions through thermal treatment.例文帳に追加

シリコン基板１０上にレジストを塗布してソース領域１８、ドレイン領域２２にイオン注入し熱処理によりイオン拡散してゲート領域２０を形成する。 - 特許庁

A source region (208) and a drain region (212) are respectively formed in the semiconductor substrate, adjacent to the opposite sides of the channel region of the first and second basal patterns.例文帳に追加

第１、第２基底パターンの前記チャネル領域の反対側に隣接した半導体基板内に各々形成されたソース領域(208)及びドレイン領域(212)が存在する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device, a source region 2 and drain region 3 are formed by sandwiching a channel region in a surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１表面内に、チャネル領域を挟んでソース領域２及びドレイン領域３が形成される。 - 特許庁

After that, a channel formation region, a source region, and a drain region can be formed with the use of the regions with different conductivities formed in the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

その後、酸化物半導体層に形成された導電率が異なる領域を用いて、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 - 特許庁

A source region 7 and a drain region 8 are formed in the SiGe layer 10 and the silicon substrate 9 at positions pinching a channel region below the tunnel insulation film 3.例文帳に追加

トンネル絶縁膜３下のチャネル領域を挟む位置のＳｉＧｅ層１０及びシリコン基板９中には、ソース領域７及びドレイン領域９が形成されている。 - 特許庁

Further, a second impurity region 72 constituting a source region or drain region of a MOS transistor belonging to a circumferential circuit is formed by ion implantation.例文帳に追加

また、周辺回路に属するＭＯＳトランジスタのソース領域あるいはドレイン領域を構成する第２の不純物領域７２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Impurities are selectively introduced to the semiconductor thin film 5 to form a thin-film transistor channel region, and the source region and the drain region on both sides thereof.例文帳に追加

この半導体薄膜５に不純物を選択的に導入して薄膜トランジスタのチャネル領域とその両側のソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A source region 3 and a drain region 4 are formed at both sides of a channel region 2 in the surface layer of the substrate 1 including the surface layer made of a semiconductor.例文帳に追加

半導体からなる表層部を含む基板１の該表層部内のチャネル領域２の両側に、ソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor layer 12, a region (a pixel electrode part 12C) different from the channel region 12A and source and drain connection region 12B is utilized as an anode.例文帳に追加

半導体層１２では、これらのチャネル領域１２Ａおよびソース・ドレイン接続領域１２Ｂとは異なる領域（画素電極部１２Ｃ）がアノードとして利用される。 - 特許庁

After a source region and a drain region are formed by implanting ion, a plasma nitride silicon film and an LP-nitride silicon film are formed only in a pixel region.例文帳に追加

また、イオン注入を行なってソース領域及びドレイン領域を形成した後に、画素領域のみにプラズマ窒化シリコン膜及びＬＰ−窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A fluorine region 50A is provided, in a region immediately under a source electrode 10 and in a region immediately under a drain electrode 20 in the second nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層２における、ソース電極１０の直下の領域およびドレイン電極２０の直下の領域に、フッ素領域５０Ａが、設けられている。 - 特許庁

A MOS transistor comprising a source region (51), a drain region (61) and an H gate electrode (71) is formed in an element forming region isolated by a partial oxide film (31).例文帳に追加

部分酸化膜３１によって素子分離された素子形成領域に、ソース領域５１、ドレイン領域６１及びＨゲート電極７１からなるＭＯＳトランジスタを形成する。 - 特許庁

A MOS transistor is equipped with an n^+-source region 7, an n^+-drain region 8, and a gate electrode 6, and a p-type diffusion region 14 of an n-channel stopper is arranged around the MOS transistor.例文帳に追加

Ｎ＋ソース領域７、Ｎ＋ドレイン領域８、ゲート電極６を備えたＭＯＳトランジスタ周辺にＮチャネルストッパのＰ型拡散領域１４が配置される。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

A p^+-type region 171 becomes a source/drain region of a p-channel MOSFET Qp via the gate electrode 14 and a sidewall 16, and an n^+-type region 172 becomes a source/drain region of an n-channel MOSFET Qn via the gate electrode 14 and the sidewall 16.例文帳に追加

Ｐ^＋領域１７１は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＰチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｐのソース／ドレイン領域、Ｎ^＋領域１７２は、ゲート電極１４及びサイドウォール１６を隔てたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ Ｑｎのソース／ドレイン領域となる。 - 特許庁

A display picture 1 is bisected into a left region and a right region, the left part 2L of a source image 2 is displayed in the left region and simultaneously an image for which the image quality of the right part of the source image 2 is adjusted is displayed in the right region as an adjustment image 3R.例文帳に追加

表示画面１を左領域と右領域とに２分割して、原画像２の左部分２Ｌを左領域に表示すると同時に、原画像２の右部分を画質調整した状態の画像を、調整画像３Ｒとして右領域に表示する。 - 特許庁

Therefore, to determine the minimum clearance (d) between an n + source drain region and a p + source drain region, the lateral diffusion distance of the N well region needs not be considered but only a lateral diffusion distance 1' of the P well region 54 might as well be considered.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ソースドレイン領域とＰ型ソースドレイン領域との間の最小間隔ｄを決める際に、Ｎウエル領域の横方向拡散距離を考慮する必要がなく、このＰウエル領域５４の横方向拡散分ｌ’だけを考慮すればよい。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

Thus, the lower source region 5b and lower drain region 6b are formed in the source region and drain region, and consequently current concentration above a channel region 9 caused as a gate length L becomes shorter is suppressed to make a current flow uniformly over the entire channel region 9, so that an effective gate width is widened by the uneven structure formed in the well region 2.例文帳に追加

このように、ソース領域、ドレイン領域に下部ソース領域５ｂ、下部ドレイン領域６ｂを形成することにより、ゲート長Ｌが短くなるにつれて生じるチャネル領域９の上方の電流集中を抑えチャネル領域９全体に均一に電流を流すことができるようになり、ウェル領域２に形成された凹凸構造によって実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

In two adjoining transistors P205 and P206, there are arranged a common source diffusion region 301, a CA via 200 arranged on the common source diffusion region 301, and a source wiring 213 which is wired on the common source diffusion region 301 and is connected to the CA via 200.例文帳に追加

隣接する２個のトランジスタＰ２０５、Ｐ２０６において、共有ソース拡散領域３０１と、この共有ソース拡散領域上３０１に配置されたＣＡビア２００と、前記共有ソース拡散領域３０１上に配線され且つ前記ＣＡビア２００に接続されたソース配線２１３とが配置される。 - 特許庁

This device lighting a target region using multiple light sources is provided with a first light source 12 constituted to light a first target region 22, a second target region, and a second light source 13 constituted to light the second target region which is disposed far from the second light source 13 compared the a distance from the second light source to the first target region 22.例文帳に追加

複数光源を使用してターゲット領域を照明する装置は、第１のターゲット領域（２２）を照明するように構成された第１の光源（１２）と、第２のターゲット領域、前記第２のターゲット領域は前記第２の光源から前記第１のターゲット領域（２２）までの距離と比べて前記第２の光源（１３）から遠くに配置される、を照明するように構成された第２の光源（１３）とを備える。 - 特許庁

The source region 21 and the drain region 25 are formed by a region forming ohmic metal having the ohmic property to the compound semiconductor layer 10, and the source electrode 22 and the drain electrode 26 are formed by electrode forming ohmic metals 22m, 26m newly formed in the region where region forming ohmic metals 20r, 24r are removed and having the ohmic property to the source region 21 and the drain region 25.例文帳に追加

ソース領域２１およびドレイン領域２５は、化合物半導体層１０に対してオーミック性を有する領域形成用オーミック金属によって形成され、ソース電極２２およびドレイン電極２６は、領域形成用オーミック金属２０ｒ、２４ｒを除去した領域へ新たに形成されソース領域２１およびドレイン領域２５に対してオーミック性を有する電極形成用オーミック金属２２ｍ、２６ｍによって形成されている。 - 特許庁

The device further has a second semiconductor layer (1aa) having a high concentration region (210) that contains the same conductivity-type impurity as in the channel region, with a higher concentration than in the channel region, and comes into contact with at least a part of the channel region but does not come into contact with the data line side source drain region nor the pixel electrode side source drain region.例文帳に追加

更に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、チャネル領域の少なくとも一部に接触すると共にデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域（２１０）を有する第２の半導体層（１ａａ）とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁

A substrate is isolated by a trench 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed at the surface part of the substrate in the isolated element forming region, a gate oxide film is formed on a channel region between the source region 3 and the drain region 4 of the substrate, and a gate electrode 6 is formed on the gate oxide film.例文帳に追加

基板がトレンチ２により絶縁分離され、この絶縁分離された素子形成領域において基板の表層部にソース領域３とドレイン領域４が形成され、基板におけるソース領域３とドレイン領域４の間をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜上にゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

In the source/drain regions 131 and 132, source/drain conductors 155 are so formed as to be stretched over the source/drain regions 131 and 132 and an element isolation region 102.例文帳に追加

また、ソース／ドレイン領域１３１,１３２においては、ソース／ドレイン導電体１５５をソース／ドレイン領域１３１,１３２と素子分離領域１０２にまたがるように形成する。 - 特許庁

To provide a sound source estimating method which easily allow estimating the position of a sound source even if the direction of the sound source is out of a video region of a video capturing means.例文帳に追加

音源の方向が映像採取手段の映像領域を外れている場合でも、音源の位置を容易に推定できる音源推定方法を提供する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

Each source finger includes a heavily-doped region of the first conductivity-type, in contact with the epitaxial layer and with the corresponding source finger, and the rear surface of the substrate is coated with a source metallization.例文帳に追加

各ソース指は、エピタキシャル層と対応するソース指に接触する、第１導電型の重くドープされた領域をふくみ、基板の裏面はソースメタライゼーションで被覆される。 - 特許庁

The center region comprises: a body region 27 formed on the surface of the center region; a contact region 26 formed in the body region 27; a source electrode 36 electrically connected to the contact region 26; and an insulator region 28 formed between the contact region 26 arranged at the furthest terminal side and the terminal region.例文帳に追加

中心領域は、中心領域の表面に設けられているボディ領域２７と、そのボディ領域２７内に設けられているコンタクト領域２６と、そのコンタクト領域２６に電気的に接続されているソース電極３６と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域２６と終端領域の間に設けられている絶縁体領域２８を備えている。 - 特許庁

A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加

第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 - 特許庁

An image output device 1 determines a region to be displayed on a composite destination image out of the whole region of a composite source image, and a region on the composite destination image which is a display region of the region when generating a composite image, and corrects the former region according to the correction of the latter region.例文帳に追加

画像出力装置１においては、合成画像の生成時、合成元の画像の領域全体のうちの、合成先の画像上に表示させる領域と、その領域の表示領域となる合成先の画像上の領域が決定され、後者の領域の補正に合わせて前者の領域が補正される。 - 特許庁

The concentration of the impurity in a first part neighbored to at least the channel region among the peripheral regions of the island-type plane patterns in respective source region and drain region is lower compared with a central region excluding a second part, excluding the peripheral region and neighbored to the channel region along the channel region.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域の夫々における、島状の平面パターンの周辺領域のうち少なくともチャネル領域に隣接する第１部分は、周辺領域を除くと共にチャネル領域に沿ってチャネル領域に隣接する第２部分を除く中央領域と比べて、不純物の濃度が低い。 - 特許庁

An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加

過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁

A first region 11 that functions as a transistor has a drain region 111, a body region 112 formed on the upper side of the drain region 111, a source region 113A formed on the upper side of the body region 112, and a trench formed in the body region 112 and in which a gate electrode 120 is embedded.例文帳に追加

トランジスタとして機能する第１領域１１は、ドレイン領域１１１と、ドレイン領域１１１の上側に形成されたボディー領域１１２と、ボディー領域１１２の上側に形成されたソース領域１１３Ａと、ボディー領域１１２に形成され且つゲート電極１２０が埋め込まれたトレンチとを有する。 - 特許庁

It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6.例文帳に追加

サイドキャップ膜６の幅の分、低濃度のソース領域７aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域７ａの幅を広く維持することができる。 - 特許庁

The gate insulating film 21 is equipped with a first contact hole 21a which exposes a part of a source region 40, and a second contact hole 21b which exposes a part of a source region 41.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２１は、ソース領域４０の一部を露出させる第１のコンタクトホール２１ａ及びドレイン領域４１の一部を露出させる第２のコンタクトホール２１ｂを有する。 - 特許庁

This transistor comprises a polycrystal silicon gate electrode 5 covered with a side wall insulating film 6, a source/drain region, and a silicide layer 9 and a gate insulating film 4 formed on this source/drain region.例文帳に追加

このトランジスタは、側壁絶縁膜６で被覆された多結晶シリコンのゲート電極５と、ソース／ドレイン領域と、この領域上のシリサイド層９及びゲート絶縁膜４とを備えている。 - 特許庁

Here, the "ridge" consists of a single upper surface and two side surfaces perpendicular to the line connecting the first source/drain region and the second source/drain region (in the cross-sectional view).例文帳に追加

この「リッジ状」とは、１つの上面と、第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域とを接続する線に対して（断面図では）垂直である２つの側面とからなる。 - 特許庁

A light source in which a ratio of a radiation energy having a wavelength region of 400-450 nm to a radiation energy having a wavelength region of 400-800 nm is ≥15% is used as the light source 2.例文帳に追加

光源２としては４００〜８００ｎｍの波長領域の放射エネルギのうち４００〜４５０ｎｍの波長領域の割合が１５％以上であるものを用いる。 - 特許庁

When a capacitor connected with a source region 3 of a cell transistor TR is formed, an interlayer dielectric 8 is formed and a contact hole 8D for opening the source region 3 is formed therein.例文帳に追加

セルトランジスタＴＲのソース領域３に接続するキャパシタを形成する際に、層間絶縁膜８を形成し、これにソース領域３を開口するコンタクトホール８Ｄを形成する。 - 特許庁

The transfer destination NAS 30 transfers data to a transfer destination storage region 34 from a transfer source storage region 33 network-mounting the shared-file system 21 of the transfer source NAS 20.例文帳に追加

移行先ＮＡＳ３０は、移行元ＮＡＳ２０の共有ファイルシステム２１をネットワークマウントした移行元記憶領域３３から移行先記憶領域３４にデータを移行させる。 - 特許庁

To provide a power source separating structure for easily enabling rework for changing the power source separating location of an IO region and an internal region formed in a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップに形成されるＩＯ領域および内部領域の電源分離位置を変更する際のリワークを容易に行うことを可能にした電源分離構造を提供する。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁