「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance generation efficiency of hot carriers, in a charge injection method which is carried out by providing different voltages to a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域に異なる電圧を付与して行う電荷注入方法においてホットキャリアの発生効率を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

There is formed a protective insulating film 17 which covers the element isolation region 12 and a corner 16a of the source-drain region 16.例文帳に追加

そして、素子分離領域１２及びソース・ドレイン領域１６のコーナー部１６ａを覆う保護絶縁膜１７が形成されている。 - 特許庁

A source and drain impurity region is formed in the active region on the substrate, and an insulating film side wall 6 is formed at the side of the word line 4.例文帳に追加

基板のアクティブ領域にソース／ドレイン不純物領域を形成し、ワードライン４の側面に絶縁膜側壁６を形成する。 - 特許庁

An n-type source region 105 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 away from the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ソース領域１０５がｎ型ドリフト領域１０１から離隔して形成されている。 - 特許庁

Contact holes CH which reach the source region SO and the drain region DR of the transistor are formed in an interlayer insulating film II.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＩにトランジスタのソース領域ＳＯおよびドレイン領域ＤＲの各々に達するコンタクトホールＣＨが形成される。 - 特許庁

The n^+ type source region 36 and the p^+ type region 84 can be formed by a self-alignment of the gate electrode 35 and the LDD side spacer 91.例文帳に追加

ゲート電極３５とＬＤＤサイドスペーサ９１のセルフアラインでｎ^+型のソース領域３６とｐ^+型領域８４を形成できる。 - 特許庁

In contrast, there is formed a transistor for logic in a logic region AreaL where a silicide film 10 is formed on a source/drain region 6.例文帳に追加

一方、ロジック領域AreaLには、ソース・ドレイン領域６上にシリサイド膜１０が形成されたるロジック用トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The source/drain forming processing of an n channel MOS transistor is used to form an emitter region 82 and a collector contact region 84.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してエミッタ領域８２及びコレクタコンタクト領域８４を形成する。 - 特許庁

The surface of the source region and the drain region is cleaned with a cleaning water W in which carbon dioxide is dissolved in ultra-pure water P.例文帳に追加

二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。 - 特許庁

A channel region is formed on the first layer 100 and second source/drain regions 152 is formed on the channel region 160.例文帳に追加

チャネル領域は第１の層１００の上に形成され、第２のソース／ドレイン領域１５２はチャネル領域１６０の上に形成される。 - 特許庁

The semiconductor film is so formed on the substrate as to include each source region and each drain region which adjoin to each other via each of channel regions 7b-7d.例文帳に追加

半導体膜は基板上に形成され、チャネル領域７ｂ〜７ｄを介して隣接するソースおよびドレイン領域を含む。 - 特許庁

In a source region 68 and a drain region 69, its junction depth is smaller than the thickness of the body 62 and the body 62 is extended to a lower part.例文帳に追加

ソース領域６８、ドレイン領域６９は、その接合深さがボディー６２の厚みより小さく、下部にはボディー６２が延在する。 - 特許庁

A critical path, having a high electrical conductivity between a source region and a drain region in comparison with that of other critical paths, exists in a polycrystalline semiconductor film.例文帳に追加

多結晶半導体中に、ソース領域とドレイン領域間の電気伝導率が他に比べて高いクリティカルパスが存在する。 - 特許庁

A source region 2 and a drain region 3 are formed in the surface of a P-type single-crystal silicon substrate 1 at a prescribed interval.例文帳に追加

ｐ型単結晶シリコン基板１の表面に、所定間隔を隔ててソース領域２及びドレイン領域３が形成されている。 - 特許庁

In the well region 11, an N+ source/drain region 152 is stretched outside from the vicinity of the end of the insulating film 14.例文帳に追加

ウェル領域１１において側壁絶縁膜１４の終端近傍から外側にＮ^+ ソース，ドレイン領域１５１が延在している。 - 特許庁

A P-type source region 6 and a P-type drain region 7 are arranged in opposition in a second direction at right angles to the first direction.例文帳に追加

P形ソ−ス領域６とP形ドレイン領域７とは第１の方向に直角な第２の方向において対向配置されている。 - 特許庁

The MOS transistor is formed on the surface part of a semiconductor substrate (50) and is provided with a gate (10), a source region (13) and a drain region (14).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、半導体基板（５０）の表面部に形成され、ゲート（１０）、ソース領域（１３）、ドレイン領域（１４）を有する。 - 特許庁

In the region for absorbing noise charges, a P-N junction is formed simultaneously with the formation of a photodiode, and one end of the region is fixed to a power source voltage.例文帳に追加

ノイズ電荷吸収領域には、フォトダイオードと同時にＰＮ接合が形成され、その一端が電源電圧に固定される。 - 特許庁

An N-MOS transistor consists of a drain region 37, a source region 38, and a channel stopper 39, all of which are formed in a P-type well 32-1.例文帳に追加

Ｎ—ＭＯＳトランジスタは、Ｐ型ウエル３２−１にドレイン領域３７、ソース領域３８、及びチャネルストッパー３９として形成される。 - 特許庁

Therefore, the thickness of the film to be etched on the source line formation region 88 can be made the same as that on a region in which a storage element is formed.例文帳に追加

よってソース線形成領域８８上の被エッチング膜の厚みは、記憶素子が形成される領域上のそれと同じになる。 - 特許庁

Then, after arsenic (As) that becomes a p-type impurity is injected, annealing is made, and a source region 2 and a drain region 3 are formed, thus completing an MFSFET.例文帳に追加

次に、n型不純物となる砒素（As）を注入後、アニールを行い、ソース領域２、ドレイン領域３を形成してMFSFETを完成させる。 - 特許庁

To provide a technique for improving the setting control of a source region and a channel region in a trench power transistor.例文帳に追加

トレンチパワートランジスタのソース領域およびチャネル領域の設定制御性を向上させることのできる技術を提供することにある。 - 特許庁

Furthermore, if this method is applied after a gate electrode is formed, an LDD region and a source/drain extended region are formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

さらに、ゲート電極形成後に適用すれば自己整列的にＬＤＤ領域及びソース／ドレイン拡張領域を形成できる。 - 特許庁

A source electrode 21 is provided on the semiconductor region 15, and connected to the second part 15d of the semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース電極２１は、半導体領域１５上に設けられ、また半導体領域１５の第２の部分１５ｃに接続されている。 - 特許庁

Impurities are implanted in the source region and drain region of a semiconductor film, for example, by utilizing the level difference portion of a resist film.例文帳に追加

そして、このレジスト膜の段差部分を利用して、例えば、半導体膜のソース領域とドレイン領域とに不純物を注入する。 - 特許庁

The source region (91) and the drain region (92) are composed of the conductivity type opposite to the conductivity type dominant in the second layer (2b).例文帳に追加

ソース領域（９１）及びドレイン領域（９２）は、第２層（２ｂ）において支配的な導電型とは反対の導電型からなる。 - 特許庁

To provide technology for improving performance of a transistor having a source region and a drain region in a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜中にソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタの性能を向上させることが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A source region 55 and a drain region 56 of the polycrystal silicon film 52A are formed adjacent to both the ends of the gate layer 54.例文帳に追加

ゲート層５４の両端に隣接して多結晶シリコン膜５２Ａのソース領域５５及びドレイン領域５６が形成されている。 - 特許庁

By having an impurity matter introduced in the silicon layer 5, a source region 12 and a drain region 13 are formed on the silicon layer 5.例文帳に追加

そして、シリコン層５に不純物が導入されることにより、シリコン層５にソース領域１２およびドレイン領域１３が形成される。 - 特許庁

The second region, the third region and the conductive element constitute a drain, source and a gate of the MOS transistor, respectively.例文帳に追加

前記第２領域と、前記第３領域と、前記導電素子とは、ＭＯＳトランジスタのドレインと、ソースと、ゲートと、をそれぞれ構成する。 - 特許庁

Two dielectric barrier layers are formed on the substrate under the gate structure between the source region and the drain region respectively.例文帳に追加

二つの誘電体バリア層は、それぞれソース領域とドレイン領域との間において、ゲート構造の下における基板に形成される。 - 特許庁

Thus, silicide films 6a, 3a and 4a are formed on the surfaces of a gate electrode 6, a source region 3 and a drain region 4.例文帳に追加

これにより、ゲート電極６やソース領域３及びドレイン領域４の表面に、シリサイド膜６ａ、３ａ、４ａが形成される。 - 特許庁

A source and drain region 12SD and a formation region of the gate electrode 141 in the oxide semiconductor layer 12 are spaced apart from each other.例文帳に追加

酸化物半導体層１２におけるソース・ドレイン領域１２ＳＤとゲート電極１４１の形成領域とは、互いに離隔している。 - 特許庁

A source/drain region which includes a low-doped region is made within the substrate by the ion implantation, using a gate structure as a mask.例文帳に追加

ゲート構造をマスクとして使用したイオン注入により基板内に低ドーピング領域を含むソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The memory cell has a source region 4 and a drain region 5 formed in the silicon layer 3, an ONO film 6 and a gate electrode 7.例文帳に追加

メモリセルは、シリコン層３内に形成されたソース領域４およびドレイン領域５と、ＯＮＯ膜６と、ゲート電極７とを有する。 - 特許庁

Further, the transistor may have a source or drain formed in the region where the semiconductor film is deformed in addition to the channel formation region.例文帳に追加

また上記トランジスタは、チャネル形成領域に加え、ソースまたはドレインが半導体膜の歪んでいる領域に形成されていても良い。 - 特許庁

Unlike the conventional structure of an insulated-gate bipolar transistor, a well electrode 8 is formed on the region 2, and a source electrode 9 is formed on the region 3.例文帳に追加

従来構造と異なり、ウエル領域２上にウエル電極８を形成し、ソース領域３上にソース電極９を形成する。 - 特許庁

The suction holes contacting the first region 11a are connected to the pressure reducing source via the first region 11a and the connection part 13.例文帳に追加

第１領域１１ａと接触する吸着穴は、第１領域１１ａと接続部１３を介して減圧源と接続される。 - 特許庁

An N-MOS transistor is formed as a drain region 37, a source region 38, and a channel stopper 39 in a P-type well 32-1.例文帳に追加

Ｎ—ＭＯＳトランジスタは、Ｐ型ウエル３２−１にドレイン領域３７、ソース領域３８、及びチャネルストッパー３９として形成される。 - 特許庁

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes, between a second conductive type source region 2 and drain region 3 which are separately formed in a first conductive type semiconductor substrate 1, a second conductive type semiconductor region 4 formed separately from the source region 2 and drain region 3.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、第１導電型の半導体基板１内に互いに離間して形成された第２導電型のソース領域２及びドレイン領域３の間に、ソース領域２及びドレイン領域３と離間形成されるように第２導電型の半導体領域４を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a source region 4; a drain region 3; a first gate electrode 8 formed via gate oxidized film above the channel between the source region 4 and the drain region 3; and a second gate electrode 9 formed via gate oxidized film 7 above a part of the drain region 3 and a part of the first gate electrode 8.例文帳に追加

ソース領域４と、ドレイン領域３と、ソース領域４とドレイン領域３との間のチャネルの上方にゲート酸化膜７を介して形成された第１ゲート電極８と、ドレイン領域３の一部の及び第１ゲート電極８の一部の上方に酸化膜を介して形成された第２ゲート電極９とを有する。 - 特許庁

The H gate electrode (71) electrically isolates a body region (13), formed in a gate width W direction adjacent to the source region (51) and the drain region (61) from the drain region (61) and the source region (51) through "I" in a transverse direction ( vertical directions in Figure), a center "-" functions as a gate electrode of the original MOS transistor.例文帳に追加

Ｈゲート電極７１は左右（図中は上下）の“Ｉ”によって、ソース領域５１及びドレイン領域６１にゲート幅Ｗ方向に隣接して形成されるボディー領域１３とドレイン領域６１及びソース領域５１とを電気的に分離し、中央の“−”が本来のＭＯＳトランジスタのゲート電極として機能する。 - 特許庁

The power MOS transistor 20 includes a second gate electrode 27, formed on the semiconductor layer 2 via an insulating film 30, a source region 24 corresponding to the second gate electrode 27, a drift region 23 formed so as to sandwich the source region 24 and second gate electrode 27, and a drain region 21 adjacent to the drift region.例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタ２０は、半導体層２上に絶縁膜３０を介して形成された第２ゲート電極２７、第２ゲート電極２７に対応して設けられたソース領域２４、ソース領域２４と共に第２ゲート電極２７を挟むように設けられたドリフト領域２３、それに隣接するドレイン領域２１から成る。 - 特許庁