「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device is provided, on an embedded oxide film 1, with: a semiconductor layer 2 and a gate electrode 5; a source region 8 and a drain region 7; and a body region 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、埋め込み酸化膜１上に、半導体層２とゲート電極５と、ソース領域８及びドレイン領域７と、ボディ領域９とを備えている。 - 特許庁

A source region 16 and a drain region 17 are formed on the side of the gate region 13 through an oxide film 13A so that they sandwich the ridge-type multilayer film laminated structure 20.例文帳に追加

ゲート領域１３の側面には酸化膜１３Ａを介し、リッジ型多層膜積層構造２０の挟むようにして、ソース領域１６及びドレイン領域１７が形成されている。 - 特許庁

The drain region DR is formed on the main surface 12 so as to face to the source region SR with the back gate region BG and the epitaxial layer EP sandwiched therebetween, and is the first conductivity type one.例文帳に追加

ドレイン領域ＤＲはバックゲート領域ＢＧおよびエピタキシャル層ＥＰを挟んでソース領域ＳＲと対向するように主表面１２に形成され、第１導電型である。 - 特許庁

According to the plantation, an auxiliary diffusion region 153, is formed as consisting of a second impurity having a concentration higher than that of the extension region 151 and lower than that of the main diffusion region 152 of the source/drain.例文帳に追加

これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。 - 特許庁

The light radiating device includes a light source to generate light and a light modifier, including a transmissive region and a non-transmissive region, that define a light exposure region.例文帳に追加

本発明に係る光照射装置は、光を発生する光源及び透過領域と不透過領域とを有し、前記光が透過される領域を画定するための光調整子を含む。 - 特許庁

Inside of a region CA including the constant current source region 200 and the differential circuit region 300, the first ground pattern 201 and the second ground pattern 301 are separated from each other.例文帳に追加

定電流源領域２００と差分回路領域３００を含む領域ＣＡの内側において第１グランドパターン２０１と第２グランドパターン３０１とが互いに分離されている。 - 特許庁

A P type body region 11 is formed at one side in a Y direction of a gate trench 5, and an N^+ type source region 13 is formed in a crust of the body region 11.例文帳に追加

ゲートトレンチ５のＹ方向の一方側には、Ｐ型のボディ領域１１が形成され、このボディ領域１１の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the MOS transistor which is formed on a substrate 100 and has a channel region, a gate insulating film 102, a gate electrode 103, the source region, and the drain region 105.例文帳に追加

半導体装置は、基板１００に形成され、チャネル領域、ゲート絶縁膜１０２、ゲート電極１０３、ソース領域及びドレイン領域１０５を有するＭＯＳトランジスタを備える。 - 特許庁

The nonvolatile storage cell comprises a silicon oxide film (2), a polysilicon film (3), a silicon nitride film (4), a silicon oxide film (5) and a gate electrode (6) formed on a channel region (9) between a source region (8) and a drain region (7).例文帳に追加

ソース領域（８）とドレイン領域（７）の間のチャネル領域（９）上に、シリコン酸化膜（２）、ポリシリコン膜（３）、シリコン窒化膜（４）、シリコン酸化膜（５）、ゲート電極（６）を形成する。 - 特許庁

The LDMOS transistor also includes a source region and a drain region at both sides of the asymmetric conductive spacer, and a channel region formed by ion implantation on the asymmetric conductive spacer.例文帳に追加

LDMOSトランジスタはまた、非対称導体スペーサの両側のソース領域及びドレイン領域と、イオン注入を非対称導体スペーサに行うことで形成されたチャネル領域とを備える。 - 特許庁

When activation annealing is performed to a source region 14 and a drain region 15 of a polysilicon layer 11, the amount of hydrogen can be reduced in diffusing from the second gate insulating film 17 to a channel region 13 of the polysilicon layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン層11のソース領域14およびドレイン領域15の活性化アニールの際に、第２ゲート絶縁膜17からポリシリコン層11のチャネル領域13へと拡散する水素量を低減できる。 - 特許庁

As a result, a void layer 8 occurring at the pn-junction between the silicon region 1 and the bottom surface of the source region 3a and drain region 4a extends into the porous silicon layer 2.例文帳に追加

その結果、シリコン領域１とソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面とのｐｎ接合部分に生じる空乏層８は、ポーラスシリコン層２内に達している。 - 特許庁

Then, a heat treatment for drive diffusion is performed at the same time to form a p- base region 5, an n- source region 6, an n- drain region, 7, and n- regions 8, 9 (sec FIG. (b)).例文帳に追加

その後で、ドライブ拡散するための熱処理を同時に行い、ｐ^-ベース領域５とｎ^- ソース領域、ｎ^- ドレイン領域７、ｎ^- 領域８、９を同時に形成する（同図（ｂ））。 - 特許庁

Further, the method includes a process of removing the side wall film and forming a base region and a source region in the semiconductor layer using the mask layer as a mask.例文帳に追加

また、サイドウォール膜を除去し、マスク層をマスクにして半導体層にベース領域及びソース領域を形成する工程を有する。 - 特許庁

A first region 31 and a second region 32 are formed at a rise mirror 4 arranged in an optical path between a light source and an optical disk.例文帳に追加

光源と光ディスクとの間の光路中に配置される立ち上げミラー４に、第１の領域３１と、第２の領域３２とを形成する。 - 特許庁

Before a silicide region 11 is formed on the source-drain region 8, a second sidewall 10 is formed at a side surface of the first sidewall 7.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域８上にシリサイド領域を形成する前に、第１のサイドウォール７の側面に第２のサイドウォール１０が形成される。 - 特許庁

A channel region is made under a gate electrode 1, and a pair of source/drain regions 2 are made with a channel region inbetween.例文帳に追加

ゲート電極１の下方にはチャネル領域が形成されており、チャネル領域を挟んで一対のソース・ドレイン領域２が形成されている。 - 特許庁

On the surface layer of the main surface of the p-type SiC substrate 1, an n^+ source region 2 and an n^+ drain region 3 are formed away from each other.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面での表層部にはｎ^+ソース領域２とｎ^+ドレイン領域３が離間して形成されている。 - 特許庁

A channel region is formed in the surface layer of an N-type silicon substrate 1, and a source area is formed in the surface layer of the channel region.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１の表層部にチャネル領域が形成されるとともに、チャネル領域の表層部にソース領域が形成されている。 - 特許庁

To apply a sufficient stress to a channel region to materialize an embedded S/D (source-drain) region by an epitaxial growth having no shape abnormality.例文帳に追加

チャネル領域に十分な応力を与え、形状異常のないエピタキシャル成長による埋め込みＳ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域を実現する。 - 特許庁

The lower organic semiconductor layer 3A is extended up to a region R2, laminated on the drain electrode 5 from a region R1 laminated on the source electrode 4.例文帳に追加

下部有機半導体層３Ａは、ソース電極４と重なる領域Ｒ１からドレイン電極５と重なる領域Ｒ２まで延在している。 - 特許庁

An impurity diffusion layer, constituting the source region 15 and the drain region 16 of a pMOS 11, is formed very shallow depth, to an extent of 50 nm.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１１のソース領域１５およびドレイン電極１６を構成する不純物拡散層を５０ｎｍ程度の極浅に形成する。 - 特許庁

The display area is equipped with switching elements having the position of the source region S and the drain region D different from one another.例文帳に追加

この表示エリアにおいて、ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄとの配置位置が互いに異なるスイッチング素子を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

A transistor 10 is provided, in the surface layer of a p-type nitride semiconductor layer 6, with an n-type source region 18 and an n-type drain region 12.例文帳に追加

トランジスタ１０は、ｐ型窒化物半導体層６の表層部にｎ型のソース領域１８とｎ型のドレイン領域１２を備えている。 - 特許庁

The source region 15 and the drain region 17 are formed spaced apart from each other in the n-type layer 13, and the conductive type of the regions is n type.例文帳に追加

ソース領域１５およびドレイン領域１７は、ｎ型層１３において、互いに間隔を隔てて形成され、導電型がｎ型である。 - 特許庁

The source metal is brought into contact with a polysilicon region of a TMBS portion, by extending the polysilicon outside an active region of the TMBS portion.例文帳に追加

（ＴＭＢＳ）部のポリシリコン領域に対するソース金属のコンタクトは、（ＴＭＢＳ）部の活性領域外へのポリシリコンの延長よって行なわれる。 - 特許庁

Thereafter, the non-reacted Ni film 115 is removed to form an Ni silicide layer 111 in the region at the upper part of the source-drain region 109.例文帳に追加

その後、未反応のＮｉ膜１１５を除去し、ソース・ドレイン領域１０９の上部の領域にＮｉシリサイド層１１１を形成する。 - 特許庁

A naturally oxidized film on an exposed surface in a source region and a drain region is removed using a cleaning liquid A containing hydrofluoric acid.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。 - 特許庁

In the NAND cell unit, the non-volatile memory cells share a source region and a drain region, and are connected in series.例文帳に追加

ＮＡＮＤセルユニットは、不揮発性メモリセルの互いのソース領域及びドレイン領域を共有し、不揮発性メモリセルが直列接続されている。 - 特許庁

A silicide layer 18a is formed on a region excluding the corner 16a out of the source-drain region 16 by this protective insulating film 17.例文帳に追加

この保護絶縁膜１７によって、ソース・ドレイン領域１６のうちコーナー部１６ａを除く領域上にシリサイド層１８ａを形成する。 - 特許庁

A source region 5 and an unnecessary N semiconductor region 28 are formed by diffusing an N impurity also using a P diffusion mask.例文帳に追加

Ｐ型拡散用マスクを兼用してＮ型不純物を拡散してソース領域５及び不要なＮ型半導体領域２８を形成する。 - 特許庁

To reduce the number of contact holes required for conduction with the source region or the drain region of a semiconductor layer, and to realize closest packed arrangement.例文帳に追加

半導体層のソース領域又はドレイン領域と導通するために必要なコンタクトホールの数を減らし、最密充填配置をすること。 - 特許庁

The interlayer connecting member is connected with the source region of the first conductivity type channel MOS transistor and the second conductivity type well tap region.例文帳に追加

層間接続部材が、第１導電型チャネルＭＯＳトランジスタのソース領域と第２導電型のウェルタップ領域とに接続されている。 - 特許庁

For this reason, in the light guide plate, the difference of brightness between the region of the front face direction of a light source and the region of sides of the right and left end faces can be made smaller.例文帳に追加

このため、導光板において、光源の正面方向の領域と左右端面の側の領域とで輝度の差を小さくできる。 - 特許庁

To suppress deterioration of short-channel characteristics and DIBL by forming a halo region having a conductivity type reverse to that of a source drain extension region.例文帳に追加

ソースドレインエクステンション領域とは逆導電型のハロ領域を形成することで、ＤＩＢＬの劣化と短チャネル特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

A source 14 connected to another region of the elongated part 10 different from the charge concentration region 12 is formed above the substrate 1.例文帳に追加

基板１の上方には細長部１０における電荷集中領域１２とは異なる他の領域に接続するソース１４が形成されている。 - 特許庁

A contact plug 16A is formed in an interlayer insulating film 15A on a source region or a drain region of a first MOS type transistor.例文帳に追加

第１ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ａが形成されている。 - 特許庁

As a result, the horizontal diffusion length of impurities in the source region S and the drain region D can be controlled to 0.25 μm or smaller.例文帳に追加

これにより、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄにおける不純物の水平拡散長を０．２５μｍ以下に抑制することができる。 - 特許庁

Furthermore, the channel-forming region and the source region are formed at ionic implantation where the planar gate electrode and the trench gate electrode are set as masks.例文帳に追加

さらに、プレーナゲート電極およびトレンチゲート電極をマスクとしたイオン注入にてチャネル形成領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

Static analysis information (such as complexity) on a partial region of a source program including a similar region (clone piece) is calculated.例文帳に追加

上記課題を解決するため、類似領域（クローン片）を含むソースプログラムの部分領域の静的解析情報（複雑度等）を算出する。 - 特許庁

Thus, charges accumulated in the source region 44 and charges accumulated in the drain region 46 are readily separated spatially.例文帳に追加

これにより、ソース領域４４側に蓄積する電荷とドレイン領域４６側に蓄積する電荷とを空間的に容易に分離することができる。 - 特許庁

Impurities can be ion-doped to a portion to be used as a source region 12 and a drain region 13 of the polysilicon layer 61 without allowing the impurities to permeate the silicon oxide layer 62.例文帳に追加

酸化シリコン層62を透過させずにポリシリコン層61のソース領域12およびドレイン領域13となる部分に不純物をイオンドーピングできる。 - 特許庁

The voltage impressing region 17 is formed in the same process as a source region 25a and a drain 27a of the PMOS transistor 20.例文帳に追加

電圧印加領域１７はＰＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２５ａおよびドレイン領域２７ａと同一工程により形成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a source region 10, a drain region 9 and conductor plugs 13 (p1) on a reach-through layer 3 (4) for leading out electrodes.例文帳に追加

ソース領域１０、ドレイン領域９およびリーチスルー層３（４）上に電極引き出し用の導体プラグ１３（ｐ１）が設けられている。 - 特許庁

A contact plug 16C is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region of a second MOS type transistor.例文帳に追加

第２ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｃが形成されている。 - 特許庁