「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial layer 3 is dug from its surface 31 to form a gate trench 6 penetrating the source region 9 and body region 5.例文帳に追加

また、エピタキシャル層３の表面３１から掘り下げることにより、ソース領域９およびボディ領域５を貫通するゲートトレンチ６を形成する。 - 特許庁

An oblique halogen implantation process is carried out to form a halogen implantation region under the gate, on the side of the extension source/drain region 310a on the substrate 300.例文帳に追加

基板内の延長ソース／ドレインの側のゲートの下に、ハロゲン注入領域を形成するため、斜めハロゲン注入工程が実施される。 - 特許庁

A source region 302b' and a drain region 302c' are doped with impurities via openings 310 formed in a resist film 309, respectively.例文帳に追加

レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。 - 特許庁

Furthermore, the FET 11 is provided with intermediate regions 12 and 14 whose impurity concentrations are lower than those of the source region 11 and the drain region 13.例文帳に追加

さらに、ＦＥＴ１には、ソース領域１１およびドレイン領域１３よりも不純物濃度が低い中間領域１２，１４を有する。 - 特許庁

The body potential Vbody-n is applied to a source region so that the body region becomes reverse biased or zero biased according to an input signal VBODYIN.例文帳に追加

ボディ電位Vbody_nは、入力信号Ｖ__BODYINに応じて、ソース領域に対してボディ領域が逆バイアス、または、ゼロバイアスとなるように印加される。 - 特許庁

A cell connected to the power source change path in the transmission side region is multiplied by the delay coefficients of the transmission side region, and the cell connected to the power source change path is multiplied by the delay coefficients of the reception side region in the reception side region so that a script for timing verification of the power source change path can be generated (step S4).例文帳に追加

送信側領域において電源乗り換えパスに接続されたセルに対して送信側領域の遅延係数をかけ、受信側領域において電源乗り換えパスに接続されたセルに対して受信側領域の遅延係数をかけることによって、電源乗り換えパスのタイミング検証用のスクリプトを作成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

The field effect transistor (FET) includes a plurality of device layers disposed vertically in a stack, each device layer has a source region, a drain region and a plurality of nanowire channels 110 connecting the source region and the drain region, wherein the source and drain regions of one or more of the device layers are doped with an n-type dopant or a p-type dopant.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）インバータは、スタック内で垂直方向に配置された複数のデバイス層を含み、各デバイス層は、ソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域を接続する複数のナノワイヤ・チャネル１１０を有し、ここで１つ又は複数のデバイス層のソース及びドレイン領域はｎ型ドーパント、又はｐ型ドーパントでドープされる。 - 特許庁

The body region 32 is so formed as to have a narrow width W in the shape of a cross section nearly orthogonal to a line whereby the source region 24 and the drain region 28 are connected, and the MOS field effect transistor 20 becomes the complete depletion-type one having no neutral region in the body region 32.例文帳に追加

ボディー領域３２は、ソース領域２４とドレイン領域２８とを結ぶ線にほぼ直交する横断面の形状において、狭い幅Ｗで形成され、ボディー領域３２に中性領域が存在しない完全空乏型となっている。 - 特許庁

A power MOS transistor has a structure with a channel region 4 formed in the surface layer part of an n-type well layer 3 in a semiconductor substrate, a source region 5 is formed in the surface layer part of the region 4, and moreover, a p^+ body region 6 which is deeper than the region 4 is formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板におけるｎウェル層３の表層部にチャネル領域４が形成されるとともにチャネル領域４の表層部にソース領域５が形成され、さらに、チャネル領域４よりも深いｐ^+ボディ領域６が形成されている。 - 特許庁

An upper electrode is formed over a heavily-doped region (source region or drain region), and a contact hole penetrating an interlayer insulating film is formed so as to overlap a region, where the upper electrode and the high-concentration impurity region overlap.例文帳に追加

高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）とが積層された領域と重なる位置に形成する。 - 特許庁

This power MOS 100 is a vertical device for low breakdown voltage use, and is provided with an n-type source region 14, a p-type body region 8, a p-type body contact region 10, an n-type drift region 6 and an n-type drain region 4 inside a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

パワーＭＯＳ１００は、半導体基板２内に、ｎ型のソース領域１４と、ｐ型のボディ領域８と、ｐ型のボディコンタクト領域１０と、ｎ型のドリフト領域６と、ｎ型のドレイン領域４を備えており、縦型の低耐圧用デバイスである。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a source region 4, channel region 8, and drain region 5, and a gate electrode 7 is formed on the channel region 8 while a drift region 22, which is at least shallow under the gate electrode 7 (first drift region 22A) but deep near the drain region 5 (second drift region 22B), is comprised between the channel region 6 and the drain region 5.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ソース領域４、チャネル領域８及びドレイン領域５を有し、更に前記チャネル領域８上にゲート電極７が形成されており、前記チャネル領域８及びドレイン領域５間に少なくとも前記ゲート電極７下では浅く（第１のドリフト領域２２Ａ）、かつ前記ドレイン領域５近傍では深く（第２のドリフト領域２２Ｂ）形成されたドリフト領域２２を有することを特徴とする。 - 特許庁

A wavelength variable laser device has a gain chip having a gain part 106 and a phase adjustment region 107, a current source 601 for making a positive current flow to the phase adjustment region, a voltage source 603 for applying negative voltage to the phase adjustment region, and a control part 601 for selectively driving the current source or the voltage source according to the direction of a wavelength shift.例文帳に追加

ゲイン部１０６と位相調整領域１０７を有するゲインチップ、位相調整領域に正方向電流を流す電流源６０１、位相調整領域に負方向電圧を印加する電圧源６０３、波長シフトの方向に応じて電流源あるいは電圧源を選択的に駆動する制御部６０１を有する。 - 特許庁

A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加

半導体基板１上に形成されたドリフト領域１１の一方の側方にＰ型ボディ部５を形成し、このＰ型ボディ部５上にＮ^＋型第１ソース拡散領域部７1ＳおよびＮ^＋型第２ソース拡散領域部７２Ｓを形成する。 - 特許庁

There is provided a constitution of the transistor consisting of: a drain region and source regions, and a first gate and a body contact region; and a part where first conductivity type second regions are provided side by side, that are a second gate, and source regions and a drain region.例文帳に追加

チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第1ゲート−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域の併設部分−第２ゲート−ソース・ドレイン領域からなるトランジスタの構成を提供する。 - 特許庁

Since the light source device 90 is arranged, in a first region 81 that is relatively lower than the substrate handling region in cleanliness, cleanliness of the substrate handling region will not be lowered, even if the lamp of the light source device 90 is replaced.例文帳に追加

光源装置９０は、基板を扱う領域よりも清浄度が相対的に低い第一の領域８１に配置されているので、光源装置９０のランプ交換を行っても基板を扱う領域の清浄度が下がることはない。 - 特許庁

The CMOS 1 includes a first gate electrode 9, formed via an insulating film 5, a source region 3 formed corresponding to the first gate electrode 9, and a drain region 4, formed so as to sandwich the source region 3 and first gate electrode 9.例文帳に追加

ＣＭＯＳ１は、絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極９、第１ゲート電極９対応して設けられたソース領域３、ソース領域３と共に第１ゲート電極９を挟むように設けられたドレイン領域４から成る。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 7 is positioned on the substrate 2 between the drain forming region Z2 and the source forming region Z1, and a gate wiring material 9a is positioned on the LOCOS oxide film 7 at the side edge of the source forming region Z1.例文帳に追加

ドレイン形成領域Ｚ２とソース形成領域Ｚ１との間における基板２上にＬＯＣＯＳ酸化膜７が配置され、ソース形成領域Ｚ１側端部においてＬＯＣＯＳ酸化膜７の上にゲート配線材９ａが配置されている。 - 特許庁

An MOS device includes: a semiconductor layer of a first conductivity type; a source region of a second conductivity type formed in the semiconductor layer; and a drain region of the second conductivity type formed in the semiconductor layer and spaced apart from the source region.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスは、第１の導電型の半導体層と、この半導体層内に形成された第２の導電型のソース領域と、この半導体層内に形成され、かつソース領域から離隔された第２の導電型のドレイン領域とを含む。 - 特許庁

A transistor 10 comprising an active region having a channel layer, with source and drain electrodes 20, 22 formed in contact with the active region and a gate 24 formed between the source and drain electrodes and in contact with the active region.例文帳に追加

トランジスタ１０は、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極２０，２２が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲート２４が形成される。 - 特許庁

Source and drain regions for a plurality of first transistors in the transistors 12 are included in the formation region of the plurality of transistors 12, and an impurity region 19 for setting a threshold voltage of the transistors 12 is also formed in the transistor 12 formation region to be deeper than the source and drain regions.例文帳に追加

複数のトランジスタ１２の形成領域に、複数の前記第１のトランジスタのソース、ドレイン領域を含み、その領域の深さよりも深く、トランジスタ１２の閾値電圧を設定する不純物領域１９が形成されている。 - 特許庁

The light source position deciding part 65 detects a region whose brightness is high in the photographic images of the omnidirectional camera 11, and determines the region corresponding to the region whose brightness is high in the photographic range of the omnidirectional camera 11 as a light source position.例文帳に追加

光源位置判定部６５を、全方位カメラ１１の撮影画像の中での明度の高い領域を検出し、全方位カメラ１１の撮影範囲のうち明度の高い領域に対応する領域を光源位置と判断する構成とする。 - 特許庁

The transistor 100 in the transistor substrate includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (a channel region) 114, a drain region 116, a source region 117, a drain electrode 118, and a source electrode 119.例文帳に追加

トランジスタ基板におけるトランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャネル領域）１１４と、ドレイン領域１１６、ソース領域１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、を備える。 - 特許庁

The P-type impurity concentration of a lower part of a source is so set as to be lower than that of a source-side part of the channel region.例文帳に追加

また、ソースの下側のｐ型不純物濃度は、チャネル領域のソース側部分のｐ型不純物濃度よりも小さく設定されている。 - 特許庁

The gate electrode 12 and the source region 14 are covered with interlayer insulating film, and a source electrode is formed on this interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲート電極１２およびソース領域１４は、層間絶縁膜によって覆われ、この層間絶縁膜上にソース電極が形成されている。 - 特許庁

Carbon nanotubes 9 deposited on regions other than a source part 5, a drain 6 and a region between the source part 5 and the drain part 6 are removed.例文帳に追加

ソース部５、ドレイン部６、及び、ソース部５とドレイン部６との間の領域以外の領域上に堆積したカーボンナノチューブ９を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate with a source region and a drain region formed thereon; a floating gate formed between the source region and the drain region to form a channel based on a programming and an erasing conditions and to control a current flow between the source region and the drain region; and a tunnelling gate to determine the programming and the erasing conditions in the floating gate based on an applied voltage.例文帳に追加

半導体素子は、ソース領域とドレイン領域が形成された半導体基板と、上記ソース領域とドレイン領域との間に形成されてプログラム及び消去状態によってチャネルを形成し、上記ソース領域とドレイン領域との間の電流の流れを制御するフローティングゲートと、印加される電圧によって上記フローティングゲートのプログラム及び消去状態を決定するトンネリングゲートとを含んで構成される。 - 特許庁

As the shape and thickness of the source/ drain region can be set individually by the n type MOS transistor and the p type MOS transistor, the resistance of the source/drain region can be lowered, and moreover the parasitic capacity can be reduced.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳトランジスタとｐ型ＭＯＳトランジスタでソース／ドレイン領域の形状や厚さを個別に設定できるため、ソース／ドレイン領域を低抵抗化できるとともに、寄生容量も低減できる。 - 特許庁

To efficiently introduce fluorescence and excitation light from a phosphor region to an optical system, in a light source device exciting the phosphor region by the excitation light from a solid light source.例文帳に追加

固体光源からの励起光により蛍光体領域を励起する光源装置において、蛍光体領域からの蛍光および励起光を効率的に光学系へ導入して利用する。 - 特許庁

To enable the selection of a light source of the ultraviolet region other than vacuum ultraviolet rays as a light source by exhibiting excellent ultraviolet emission when excited by a wavelength from the vacuum ultraviolet rays to the near-ultraviolet region.例文帳に追加

真空紫外線から近紫外線領域の波長で励起した際に優れた紫外線発光を示し、光源として真空紫外線以外の紫外線領域の光源を選択することを可能とする。 - 特許庁

Suppression level of a drain current Id is altered between a region AR1 where the drain-source voltage Vds of a drive switching element is high and a region AR2 where the drain-source voltage Vds is lower.例文帳に追加

駆動スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが高い領域ＡＲ１と、これより低いドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの領域ＡＲ２とで、ドレイン電流Ｉｄの抑制レベルを変更する。 - 特許庁

The zener diode 9 has an N^+-type region 10 and a P-type region 11 that are connected between a gate interconnection 14 and a source interconnection 13 and are arranged alternately between the gate interconnection and the source interconnection.例文帳に追加

ツェナーダイオード９は、ゲート配線１４とソース配線１３との間に接続され、そのゲート配線−ソース間において交互に並ぶＮ^＋型領域１０およびＰ型領域１１を有している。 - 特許庁

A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁

A camera 20 captures an image based on irradiation light by a first light source applying light with a wavelength in the visible light region or a second light source applying light with a wavelength other than the visible light region.例文帳に追加

カメラ２０は、可視光領域の波長の光を照射する第１の光源、又は可視光領域外の波長の光を照射する第２の光源による照射光をもとに撮像する。 - 特許庁

Recesses are formed in a source region and a drain region of the p-channel MOS transistor, and these recesses are filled with a compression stress source consisting of a metallic film or a metallic compound film deposited at low temperature.例文帳に追加

ｐチャネルＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域にリセスを形成し、これを低温で堆積した金属膜あるいは金属化合物膜よりなる圧縮応力源により充填する。 - 特許庁

Further, a power supply is not in direct contact with the low-concentration source/drain region from the outside of the transistor but is connected through a high-concentration source/drain region, thereby increasing the effective channel length.例文帳に追加

また、低濃度ソース/ドレイン領域にはトランジスタの外部から電源が直接接触されなく、高濃度ソース/ドレイン領域を通じて接続されるので有効チャンネル長を増加させる役割をする。 - 特許庁

During the accumulation of electric charges under light from the light source of one of the visible and infrared ray region, the signal obtained and read under light from the light source of the other region is subjected to an AD conversion and transmitted.例文帳に追加

可視光域照明光源と赤外光域照明光源の一方の照明下で電荷蓄積中に他方の発光下で取得読出し済みの信号をＡＤ変換し送信する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which does not implant SiGe in a source/drain region of an nMOSFET, but implants SiGe reproducibly in only a source/drain region of a pMOSFET.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にはＳｉＧｅを埋め込まず、ｐＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にのみＳｉＧｅを再現性よく埋め込むことが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The source electrode 16 and drain electrode 17 are formed on a source region 14 and drain region 15, which are the regions of high carrier concentration formed on the GaAs substrate 11, respectively.例文帳に追加

ソース電極１６及びドレイン電極１７は、ＧａＡｓ基板１１の上に形成された高キャリア濃度の領域であるソース領域１４及びドレイン領域１５の上にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The input power source wire 9 is not passed on the mounting region of the inverter circuit part 6 on the printed wiring board 8, and wired to a connecting part 3a by extending over the mounting region of the power source circuit part.例文帳に追加

入力電源線９は、プリント配線基板８においてインバータ回路部６の実装領域上を通らず電源回路部の実装領域上にまたがって接続部３ａへ配線されている。 - 特許庁

A source tie region 4 where p-type impurities are introduced with a relatively high concentration is arranged near the center in the direction of the gate width of the gate electrode 5 in the surface of the source region 31.例文帳に追加

また、ソース領域３１の表面内には、ゲート電極５のゲート幅方向のほぼ中央部近傍に、Ｐ型の不純物が比較的高濃度に導入されたソースタイ領域４が配設されている。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a first light source having an emission peak at an infrared wavelength region; and a second light source having an emission peak at blue and green wavelength regions; and a second light source having an emission peak at least at the blue wavelength region.例文帳に追加

発光装置は、赤色波長域に発光ピークを有する第１の光源と青色波長域と緑色波長域に発光ピークを有する第２の光源少なくとも青色波長域に発光ピークを有する第２の光源とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: an active region 1 of a first conductivity type including a transistor structure comprised of a drain region 9, a source region 34, and a gate electrode 4; and a ring-shaped region 20 of the first conductivity type, wherein the ring-shaped region extends from a surface of the active region into the active region and substantially surrounds the transistor structure.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ドレイン領域９，ソース領域３４，ゲート電極４のトランジスタ構造を含む、第１伝導型の活性領域１と、第１伝導型の環形領域２０とを備え、上記環形領域が、上記活性領域の表面から活性領域内へ広がり、トランジスタ構造をほぼ取り囲んでいる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 10 is formed in a region other than the region in which the source electrode 11 is formed, that is, in a region on surfaces of a p-type SiC region 13 and the gate insulating film 8 or the gate electrode 9.例文帳に追加

層間絶縁膜１０は、ｐ型ＳｉＣ領域１３およびゲート絶縁膜８またはゲート電極９の表面上であってソース電極１１が形成された領域以外の領域において形成されている。 - 特許庁