「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A channel region 8, which is pinched by the source region 3 and the drain region 1, is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

そして、ソース領域３およびドレイン領域１により挟まれ、前記拡散領域２の表面側にチャネル領域８が形成されている。 - 特許庁

A base region 13 is formed on the drift region 12 and column region 14, and a source region 15 is formed in a surface layer thereof.例文帳に追加

ドリフト領域１２及びコラム領域１４の上にはベース領域１３が形成され、その表面層にはソース領域１５が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 300 is provided with an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41 and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置３００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed on an epitaxial layer 3 having a gate trench 6.例文帳に追加

ゲートトレンチ６を有するエピタキシャル層３に、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41, a p^- floating body region 42, and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１，Ｐ^- フローティングボディ領域４２およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A collector region 209 is formed in the resurf region 202 isolated from the base region 206 so that a distance from the collector region 209 to the emitter/source region 208 may become shorter than a distance from the drain region 214 to the emitter/source region 208.例文帳に追加

リサーフ領域２０２内には、ベース領域２０６とは隔離してコレクタ領域２０９が、コレクタ領域２０９からエミッタ／ソース領域２０８までの距離がドレイン領域２１４からエミッタ／ソース領域２０８までの距離よりも短くなるように形勢されている。 - 特許庁

A body region 15 is formed inside the drain region 121, an N-type source region 16 is formed inside the body region 15, and a gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16, thereby forming the LDMOS.例文帳に追加

ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成され、ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁

A semiconductor layer in which a thickness of a source region or a drain region is larger than that of a channel formation region is formed.例文帳に追加

ソース領域又はドレイン領域の膜厚がチャネル形成領域の膜厚よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁

Further, a non-doped region 42 is formed in a position sandwiched between the source region and the drain region in the SOI layer.例文帳に追加

また、ＳＯＩ層中のソース領域及びドレイン領域で挟まれた位置に、ノンドープ領域４２が設けられている。 - 特許庁

On the 2nd gate region 6, an n^+-type source region 7 is formed and a 3rd gate region 8 is formed.例文帳に追加

そして、第２ゲート領域６の上にｎ^+型ソース領域７を形成すると共に第３ゲート領域８を形成する。 - 特許庁

An n^+-type source region 3 is formed within the base region 5 at a predetermined distance from the channel connecting region 4.例文帳に追加

ベース領域５内には、チャネル接続領域４から所定間隔離れてｎ^+型のソース領域３を形成する。 - 特許庁

A channel region is formed over the first layer, and a second source/drain region 235 is formed over the channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、第１の層上に形成され、第２のソース／ドレイン領域２３５はチャネル領域上に形成される。 - 特許庁

A thin film transistor 1 includes a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含んでいる。 - 特許庁

An insulating layers for storing electric charges are formed on edges of a channel region adjacent to the source region and the drain region.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域に隣接したチャンネル領域のエッジ上に電荷貯蔵絶縁層が形成される。 - 特許庁

A source region and a drain region of the switch PMOS are formed in a well region having an inverse conduction type.例文帳に追加

スイッチＰＭＯＳのソース領域およびドレイン領域は、逆の導電型を有するウェル領域内に形成される。 - 特許庁

A semiconductor element comprises a gate region 1, a source region 2, and a drain region 3 formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に形成されたゲート領域１と、ソース領域２、ドレイン領域３とを備える半導体素子である。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

Both sources are arranged, so that a plasma region of the Si sputtering source 3 and a plasma region of the Co sputtering source 4 overlap each other.例文帳に追加

そして、Ｓｉスパッタ源３のプラズマ領域とＣｏスパッタ源４のプラズマ領域とが重なるように配置されている。 - 特許庁

In addition, a first source region is formed using the same mask.例文帳に追加

さらに同じマスクを使用して第１ソース領域を形成する。 - 特許庁

To acquire a spectral radiance of a light source, including an ultraviolet region.例文帳に追加

光源の、紫外域を含む分光放射輝度を取得する。 - 特許庁

A drain contact 2a is formed on the drain region 2, and a source contact 3a is formed on the source region 3.例文帳に追加

前記ドレイン領域２の上にはドレインコンタクト２ａが形成され、前記ソース領域３上にはソースコンタクト３ａが形成される。 - 特許庁

Moreover, in the second region 3b, a contact plug 4 is made to connect the source/drain region 2 with the source/drain wiring is made.例文帳に追加

また、第２部分３ｂには、ソース・ドレイン領域２とソース・ドレイン配線とを接続するためのコンタクトプラグ４が形成されている。 - 特許庁

A common source wiring region (54) formed at the semiconductor substrate is connected to the source region via a connection hole (53H).例文帳に追加

半導体基板内に形成される共通ソース配線領域（５４）は接続孔（５３Ｈ）を介してソース領域に接続される。 - 特許庁

The light source emits pulse light to the imaging region.例文帳に追加

光源は、前記撮像領域に対してパルス光を照射する。 - 特許庁

LIGHTING UNIT EQUIPPED WITH LIGHT SOURCE, OPTICAL CONDUCTOR, AND POLARIZING REGION例文帳に追加

光源、光導体及び偏光領域を備える照明ユニット - 特許庁

The source potential (VSS) is applied to the region 11.例文帳に追加

Ｐ型のウェル領域１１にはソース電位（ＶＳＳ）を印加する。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁

A source electrode 31 is formed on the source region 11, and a drain electrode 32 is formed on the drain region 13.例文帳に追加

ソース領域１１上にはソース電極３１が設けられ、ドレイン領域１３上にはドレイン電極３２が設けられている。 - 特許庁

A plurality of channels are formed on a single n+-type source region.例文帳に追加

単一のｎ+ソース領域に対し複数のチャネルを形成する。 - 特許庁

A second power source circuit 140C is disposed in the third region.例文帳に追加

第３領域には、第２電源回路１４０Ｃを配置する。 - 特許庁

A first power source circuit 140B is disposed in the second region.例文帳に追加

第２領域には、第１電源回路１４０Ｂを配置する。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is patterned to form a filtering channel 63 for connecting an active layer region containing a crystallization source region 60, a source region 64, a channel region under a gate electrode 65, and a drain region 66.例文帳に追加

アモルファスシリコン層をパターニングし、結晶化ソース領域６０とソース領域６４、ゲート電極６５下部のチヤネル領域、及びドレイン領域６６を含む活性層領域を連結するフィルタリングチャンネル６３を形成する。 - 特許庁

The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加

素子活性部１０１は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域１０５およびドレイン領域１０６と、ソース領域１０５とドレイン領域１０６との間に介在するチャネル領域１０７とを含む。 - 特許庁

A drain high concentration region 10D, a drain low concentration region 11D, a channel region, a source low concentration region 11S and a source high concentration region 10S are defined as in this order, along the first direction inside the surface on a polycrystalline silicon film 3.例文帳に追加

多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定されている。 - 特許庁

A base region 44 and a source region 46 are formed on the surface side of such a semiconductor substrate 10, and a section between the source region 46 and the conductive region 42 is used as a channel region 47, thus constituting the transistor 1.例文帳に追加

このような半導体基板１０の表面側にベース領域４４とソース領域４６とを形成し、ソース領域４６と導電領域４２との間をチャネル領域４７とし、トランジスタ１を構成させる。 - 特許庁

A lead-out layer of the body region is arranged below a source region 14S via an insulating layer 4.例文帳に追加

ソース領域１４Ｓの下に絶縁層４を介してボディ領域の引き出し層を設ける。 - 特許庁

The first p-type body region 50a and an n-type source region 120 are connected electrically.例文帳に追加

第１のｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

Next, a second source-drain region 7 is formed in a front surface of the element formation region 150.例文帳に追加

次に、素子形成領域１５０の表面内に第二のソース・ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.例文帳に追加

光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁

A source database contains data that represent geographic features in a region including roads in the region.例文帳に追加

ソースデータベースは、領域内の道路を含む領域内の地理的特徴を表わすデータを含む。 - 特許庁

A first gate electrode 20 is disposed between the drain region 121 and the N-type source region.例文帳に追加

ドレイン領域１２１とＮ型のソース領域との間に第１のゲート電極２０が配置される。 - 特許庁

A base region 8 and a source region are formed using this film 37a as a mask.例文帳に追加

このＬＯＣＯＳ酸化膜３７ａをマスクとしてベース領域８及びソース領域を形成する。 - 特許庁

A low-concentration source region 1b and a low-concentration drain region 1c overlap with an intersection Cd.例文帳に追加

低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは、交差部Ｃｄに重なっている。 - 特許庁