「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Within the base region, an n^+-type emitter/source region 206 is formed in separation from the resurf region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはリサーフ領域２０２と離隔してＮ^+ 型エミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

A source region 8 and a drain region 9 are formed on both side of a channel region 10 of an upper layer of the substrate 1.例文帳に追加

基板１上層のチャネル領域１０の両側にソース領域８とドレイン領域９が形成される。 - 特許庁

In the base region, an N-type emitter/source region 206 is formed separately from the N-type region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはＮ型領域２０２と離隔してＮ型のエミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度の不純物領域１７１及び高濃度の不純物領域１７２を含む。 - 特許庁

A channel region 2, a source region 3, and a drain region 4 are formed on a polycrystalline semiconductor layer 1.例文帳に追加

多結晶の半導体層１に、チャネル領域２、ソース領域３、および、ドレイン領域４が形成されている。 - 特許庁

A source region 113B is formed on the upper side of the body region 112 extending to a second region 12.例文帳に追加

第２領域１２に延在するボディー領域１１２の上側にソース領域１１３Ｂが形成されている。 - 特許庁

That is, the source region, the drain region, the channel region and the gate electrode region are extended in the direction crossing the plane 101.例文帳に追加

すなわち、ソース領域,ドレイン領域,チャネル領域およびゲート電極領域は、面１０１に交差する方向へ延在している。 - 特許庁

Hereby, the current between the body region and the source region can be low suppressed.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

Further, a source region 5 is formed in the upper surface of the high concentration well region 3b.例文帳に追加

また、高濃度ウエル領域３ｂの上面内にソース領域５が形成されている。 - 特許庁

At a surface layer section of the body region 10, an N^+-type source region 12 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed.例文帳に追加

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。 - 特許庁

At a surface layer of the body region 6, an N-type source region 13 is formed.例文帳に追加

ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。 - 特許庁

A p-type body region 50a is electrically connected to an n-type source region 120.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

To reduce ON resistance between a source region and a drain region of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のソース領域とドレイン領域との間のオン抵抗を低減させる。 - 特許庁

A trench gate 30 is formed between the source region 12 and the drain region 14.例文帳に追加

ソース領域１２とドレイン領域１４との間にはトレンチゲート３０が形成されている。 - 特許庁

A p-type body region 50a and an n-type source region 120 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加

ｎ^-領域１０１およびｎ型ソース領域１０３は主表面１２に形成される。 - 特許庁

A wafer has a source region and a drain region, which are located while having an interval distance.例文帳に追加

基板は間隔距離を有して配置されたソース領域およびドレイン領域を有する。 - 特許庁

A p-type source region 210 and the n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ソース領域２１０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The pocket region is formed adjacent to the source region and has a recess.例文帳に追加

前記ポケット領域は前記ソース領域に隣接し、リセスを有するように形成される。 - 特許庁

The height of the asymmetric conductive spacer increases from the source region toward the drain region.例文帳に追加

非対称導体スペーサの高さはソース領域からドレイン領域に向かって増加する。 - 特許庁

The source region and the drain region of the non-volatile memory cells are formed using a silicide.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのソース領域及びドレイン領域は、シリサイドを用いて形成される。 - 特許庁

Further, the channel layer is existent on the gate dielectric layer and between the source region and the drain region.例文帳に追加

さらにチャンネル層は、ゲート絶縁層上の、ソース領域とドレイン領域との間にある。 - 特許庁

At that time, the source diffusion region 3 is not formed at the corners of the body diffusion region 2.例文帳に追加

その際、ボディー拡散領域２の角部にはソース拡散領域３を形成しない。 - 特許庁

Therefore, a current which flows between the body region and the source region can be lessened.例文帳に追加

よって、ボディ領域とソース領域との間の電流を低く抑えることができる。 - 特許庁

In the top layer of the body region 13, a P type source region 14 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１３の表層部には、Ｐ型のソース領域１４が形成されている。 - 特許庁

An n^+-channel source region 37 is formed on the surface layer of a base region 35.例文帳に追加

そして、ベース領域３５の表面層にＮ^＋型ソース領域３７が形成される。 - 特許庁

To easily estimate a sound generation region of a physical model sound source.例文帳に追加

物理モデル音源の発音領域を容易に見積もる。 - 特許庁

ELECTRON EMISSION SOURCE HAVING FLAT EMISSION REGION AND CONVERGING STRUCTURE例文帳に追加

平坦な放射領域と集束構造を有する電子源 - 特許庁

The source electrode 224 and the drain electrode 230 are formed on the source region 214 and the drain region 218, respectively.例文帳に追加

そして、ソース領域２１４上とドレイン領域２１８上にソース電極２２４とドレイン電極２３０を形成する。 - 特許庁

The source region 3 has a p- impurity region 3a and an n+ impurity region 3b, and the drain region 4 has a p- impurity region 4a and an n+ impurity region 4b.例文帳に追加

ソース領域３は、ｐ^-不純物領域３ａと、ｎ^+不純物領域３ｂとを有し、ドレイン領域４は、ｐ^-不純物領域４ａと、ｎ^+不純物領域４ｂとを有する。 - 特許庁

A semiconductor layer 31 has a channel source 31c between a source region 31s and a drain source 31d.例文帳に追加

半導体層３１は、ソース領域３１ｓとドレイン領域３１ｄとの間にチャネル領域３１ｃを有する。 - 特許庁

The contact layer 56 is also formed between the source region 54 and the source electrode 58.例文帳に追加

コンタクト層５６は、ソース領域５４とソース電極５８の間にも形成されている。 - 特許庁

To secure withstand voltage between a drain and a source regardless of the depth of a source region.例文帳に追加

ソース領域の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保できるようにする。 - 特許庁

A source electrode 8 is formed over the n+ type source region 3 and the p+ type base contact region 9 in the p type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ^+形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

This non-volatile memory element is provided with a common source region CSL, a cell source region 218s and a drain region 218d formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明この素子は、半導体基板上に形成された共通ソース領域ＣＳＬ、セルソース領域２１８ｓ及びドレイン領域２１８ｄを含む。 - 特許庁

A light emitter includes a spreader region, a solid light source positioned on the spreader region, and an encapsulant positioned on the spreader region to surround the solid light source.例文帳に追加

発光素子に、スプレッダ領域、スプレッダ領域に位置決めされた固体光源、およびスプレッダ領域に位置決めされ光源を囲む封止材が含まれる。 - 特許庁

In a selection transistor STE, its channel region and its source drain region are formed at approximately the same heights as the source drain region of the cell transistor TC.例文帳に追加

選択トランジスタＳＴＥは、セルトランジスタＴＣのソース・ドレイン領域ＢＬとほぼ同じ高さ位置にチャネル領域とソース・ドレイン領域とが形成される。 - 特許庁

A source electrode 8 is so formed as to bridge between the n+ type source region 3 and a p+ type base contact region 9 in the p-type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

A third doped region for forming a channel of conductivity different from that of the first source/drain region is arranged on the first source/drain region.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域とは異なる伝導形のチャネルを形成する第３のドープ領域が、第１のソース／ドレイン領域上に配置される。 - 特許庁

A p+ substrate 12, n-drift region 14, n-channel region 14a, n+ source region 20, and source electrode 22 are formed on a drain electrode 10.例文帳に追加

ドレイン電極１０上にｐ＋基板１２、ｎドリフト領域１４、ｎチャネル領域１４ａ、ｎ＋ソース領域２０、ソース電極２２を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 101, a first transistor TR1A of an SOI structure has a source region, a drain region, a body region positioned between the source region and the drain region, and a gate electrode positioned above the body region.例文帳に追加

半導体装置１０１は、ＳＯＩ構造の第１のトランジスタＴＲ１Ａは、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域間に位置するボディ領域と、ボディ領域の上方に位置するゲート電極とを有する。 - 特許庁

The thin film transistor 10 is provided with a source region 14, a drain region 15, a channel forming region corresponding to both the source region 14 and the drain region 15, and a gate electrode 12 corresponding to the channel forming region.例文帳に追加

本薄膜トランジスタ１０は、ソース領域１４と、ドレイン領域１５と、ソース及びドレイン領域１４、１５の双方に対応するチャネル形成領域と、該チャネル形成領域に対応するゲート電極１２とを備えている。 - 特許庁

The source electrode 4 is formed so as to contact the source region 16 and has an adhesion layer 41 in which the interface between the adhesion layer 41 and the source region 16 is silicided.例文帳に追加

ソース電極４は、ソース領域１６に接するように形成され、ソース領域１６との界面がシリサイド化された密着層４１を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor memory in which a source drain region of a transistor having different heights of a channel region and the source drain region is easily connected to a source drain region of the other transistor.例文帳に追加

チャネル領域とソース・ドレイン領域との高さ位置が異なるトランジスタのソース・ドレイン領域を、別のトランジスタのソース・ドレイン領域に容易に接続することができる半導体装置及び半導体メモリを提供する。 - 特許庁