「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.例文帳に追加

層間膜８０にコンタクトホールを形成し、ＲＴＡ装置を用いて、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ^+型ソース領域４０の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極９０を形成する。 - 特許庁

The power supply system 101 requires the information source device 110, located in a region which demands weather information for providing weather information, and the information source device 110 provides the power supply system 101 with the weather information, according to the demand.例文帳に追加

電源システム１０１は、気象情報が必要な地域に位置する情報源装置１１０に気象情報の提供の要求をし、その要求に応じて情報源装置１１０は電源システム１０１に気象情報を提供する。 - 特許庁

In what way the frequency conversion effect of the crystal is to be promoted and whether a light source of a compact and simple type is manufactured or not in the state fixed with the exciting light source strength and the nonlinear crystal length are the keys in this region of the technique.例文帳に追加

周知の励起光源強度と非線形結晶長さが固定された状況にあって、いかに結晶の周波数変換効果を増進し、並びにコンパクトで簡単な形式の光源を製造するかが、この領域の鍵となる技術である。 - 特許庁

The laser light source has the different refractive index region assembly 25 that is lower in symmetry than a columnar hole used in the conventional two-dimensional photonic crystal surface light emitting laser light source, so that the extraction efficiency of light is high in plane perpendicular direction vertical to the surface.例文帳に追加

このレーザ光源は、従来の２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源において用いられる円柱状の空孔よりも異屈折率領域集合体２５の対称性が低いため、面垂直方向への光の取り出し効率が高い。 - 特許庁

In a first area AR1 provided within the second interface region on a fourth direction D4 side of the electric power source circuit block PB, there is disposed a plurality of columns of a pad for the electric power source circuit block, the columns of a pad each having one pad disposed along a second direction D2.例文帳に追加

電源回路ブロックＰＢの第４の方向Ｄ４側にある第２のインターフェース領域内の第１のエリアＡＲ１には、第２の方向Ｄ２に沿ってＩ個配列された電源回路ブロック用パッドの列が、複数列配置される。 - 特許庁

Since three faces of the thin oxide semiconductor are covered by the gates in this structure, electrons injected from a source and a drain can be effectively eliminated and the space between the source and the drain can be made substantially a depletion region, thereby reducing the off current.例文帳に追加

この構成では、薄片状の酸化物半導体の三方の面をゲートが覆うこととなるため、ソース、ドレインから注入される電子を効率的に排除し、ソースとドレインの間をほぼ空乏化領域とでき、オフ電流を低減できる。 - 特許庁

First light source parts 4, 4 are mounted on one region of a frame 3 installed at the outer peripheral edge part of a fixture body 2 making a main light source 1 possible to be attached thereto so that axial angles between the radial direction of the frame 3 and axial parts 43, 43 will make 115°.例文帳に追加

第１の光源部４は、主光源１を装着可能とする器具本体２の外周縁部に設けられた枠３の一方の領域に、枠３の半径方向と軸部４３との間の軸角度が１１５°になるように取り付けられている。 - 特許庁

The illumination optical system has a light source device, a lens array for splitting the ray flux emitted from the light source device to plural partial ray fluxes and a superposition optical system for superposing the plural partial ray fluxes onto a prescribed illumination region.例文帳に追加

照明光学系は、光源装置と、光源装置から射出された光線束を複数の部分光線束に分割するためのレンズアレイと、複数の部分光線束を所定の照明領域上に重畳するための重畳光学系とを備える。 - 特許庁

In a contour part 30 of the source/drain electrode 18, 19 in a region (hatched part) which contacts the semiconductor film 15, edge points 31 of the source/drain electrode 18, 19 at both ends thereof are positioned on the outer side of a gate electrode 13 in the planar view.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極１８,１９は、半導体膜１５と接する領域（斜線部）の当該ソース・ドレイン電極の輪郭部分３０において、その両端のエッジポイント３１の各々が、平面視でゲート電極１３の外側に位置している。 - 特許庁

A thin film transistor has two lightly doped regions 215 and 216 at least and a source/drain which is adjacent to a channel forming region 202 and the source/drain regions 213 and 214 contain catalyst elements which crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

チャネル形成領域２０２に隣接して、少なくとも２つの低濃度不純物領域２１５，２１６と、ソース／ドレインを有する薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域２１３，２１４にはアモルファスシリコンを結晶化させる触媒元素が含有されている。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

With this, a whole width of the light-emitting unit is decreased as compared with the conventional one having the grounding line for grounding the light source part and the power source line set in the same layer, so that a width of a bezel region where the light-emitting unit is arranged in the display device is decreased.例文帳に追加

これによって、光源部を接地する接地ラインと電源ラインが同一層に具備された従来よりも発光ユニットの全体の幅が減少し、表示装置において発光ユニットが配置されるベゼル領域の幅が減少する。 - 特許庁

Three electrodes (a gate electrode 21a connected with a trench gate electrode 17, a source electrode 20 being in contact with an N^+ source region 14 and a P base layer 12, and a drain electrode 22 being in contact with an N^+ drain layer 10) are arranged on one side of semiconductor substrates 10, 11 of a U-MOSFET.例文帳に追加

Ｕ−ＭＯＳＦＥＴの半導体基板10、11の片面側に、３つの電極（トレンチゲート電極17に連なるゲート電極21a 、Ｎ+ ソース領域14およびＰベース層12にコンタクトするソース電極20、Ｎ+ ドレイン層10にコンタクトするドレイン電極22）を設ける。 - 特許庁

In the lower vicinity of a light source 18a are provided a plurality of light shielding portions 22a1, 22a2, 22a3 in the front and rear directions at a prescribed space, which shield part of the light that travels from the light source 18a to a lower reflection region 20a1 of a reflection surface 20a.例文帳に追加

光源１８ａの下方近傍に、光源１８ａから反射面２０ａの下部反射領域２０ａ１へ向かう光の一部を遮蔽する複数の遮光部２２ａ１、２２ａ２、２２ａ３を前後方向に所定間隔をおいて設ける。 - 特許庁

A control device for controlling the temperature of the induction heat source portion 10 energizes the induction heat source portion 10 at starting combustion operation, controls the temperature of the vaporizing part 8 to be not lower than a boiling point region of the liquid fuel and promotes the vaporization of the fuel in the vaporizing part 8.例文帳に追加

誘導熱源部１０の温度を制御する制御装置は、燃焼動作の開始時に誘導熱源部１０に通電し、気化部８を液体燃料の沸点領域以上に温度制御し、気化部８における燃料の気化を促進する。 - 特許庁

The semiconductor wafer marking apparatus includes a laser source radiating laser for marking on a semiconductor wafer, and a laser head unit including a flow cell having a laser irradiation region irradiated by the laser radiated by the laser source.例文帳に追加

半導体ウェーハ上にマーキングのためのレーザー光を発生させるレーザー光源とレーザー光源から発生する前記レーザー光が照射されるレーザー照射領域を有するフローセルとを備えるレーザーヘッドユニットを備える半導体ウェーハマーキング装置。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer 101 formed of single crystal silicon, n-type source 102 and drain 103 formed in the semiconductor layer 101, and a channel region 104 formed in the semiconductor layer 101 interposed between the source 102 and the drain 103.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる半導体層１０１、半導体層１０１に形成されたｎ形のソース１０２及びドレイン１０３、ソース１０２及びドレイン１０３に挾まれた半導体層１０１に形成されたチャネル領域１０４を備える。 - 特許庁

In the photoelectric conversion semiconductor thin film provided under the channel protective film 42, a portion between the source electrode S and drain electrode D forms a channel region not covered with the source electrode S and drain electrode D.例文帳に追加

そして、チャネル保護膜４２下に設けられた光電変換半導体薄膜のうち、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間における部分がチャネル領域となり、このチャネル領域はソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄによって覆われていない。 - 特許庁

To each of the plurality of linear light sources 3a, a strip-like planar insulating material 21 is stuck just under the light source over the entire region of the part of the linear light source 3a emitting light to illuminate the liquid crystal panel (not shown in the figure).例文帳に追加

複数の線状光源３ａのそれぞれには、線状光源３ａの液晶パネル（図示せず）を照らすための光を出射する部分の全域に亘って、その直下に帯状に延びた板状の絶縁物２１が貼り付けられている。 - 特許庁

In the transistor where the oxide semiconductor is used as a channel layer, at least an amorphous structure is included in a region of an oxide semiconductor layer between a source electrode layer and a drain electrode layer, where a channel is to be formed, and a crystal structure is included in a region which is electrically connected to an external portion such as the source electrode layer and the drain electrode layer.例文帳に追加

チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

A first impurity layer 109 having a different conductivity type from a source-drain region 108 is formed beneath a gate electrode 104 in a substrate 101, and a second impurity layer 110 having a different conductivity type from the source-drain region 108 is formed beneath the first impurity layer 109 in the substrate 101.例文帳に追加

基板１０１におけるゲート電極１０４の下側に、ソース・ドレイン領域１０８と異なる導電型を持つ第１の不純物層１０９が形成されていると共に、基板１０１における第１の不純物層１０９の下側に、ソース・ドレイン領域１０８と異なる導電型を持つ第２の不純物層１１０が形成されている。 - 特許庁

The external form of the scanning optical apparatus is composed of an optical box 1, in which a light source 2 which emits respective laser beams LY through LB of a visible region, a light deflector 3 which deflects the respective laser beams from the light source into a main scanning region, and an optical system which guides the respective laser beams from the light deflector to respective photoreceptors 10Y through 10B are mounted.例文帳に追加

走査光学装置は外形が光学箱１で構成され、この光学箱内には、可視領域の各レーザー光ＬＹ〜ＬＢを発する光源器２と、この光源器からの各レーザー光を主走査方向に偏向する光偏向器３と、この光偏向器からの各レーザー光を各感光体１０Ｙ〜１０Ｂ上に導く光学系とが取り付けられる。 - 特許庁

The imaging unit is characterized by including: a designation means for designating a prescribed chromatic region on the photographed image; and a white balance processing means for particularizing the color temperature of a light source on the basis of an output signal from an imaging device in the designated region and carrying out white balance processing on the basis of a white balance coefficient corresponding to the particularized color temperature of the light source.例文帳に追加

撮影画面上の所定の有彩色領域を指定する指定手段と、前記指定された領域内の撮像素子の出力信号に基づいて、光源の色温度を特定し、特定された光源の色温度に対応するホワイトバランス係数によりホワイトバランス処理するホワイトバランス処理手段とを有することを特徴とする撮像装置。 - 特許庁

Furthermore, this semiconductor device comprises a source/drain region 7 selectively formed in the main plane of the silicon substrate 1, and a Co silicide layer 8 formed, so as to extend from the upper plane of the source/drain region 7 exposed from the sidewall 6 and the gate structure downward of an end part of the gate structure, in the principal plane of the silicon substrate 1.例文帳に追加

また、半導体装置は、シリコン基板１の主面内に選択的に形成されたソース・ドレイン領域７と、シリコン基板１の主面内において、サイドウォール６及びゲート構造から露出するソース・ドレイン領域７の上面から、ゲート構造の端部の下方にまで延在して形成されたＣｏシリサイド層８とを備えている。 - 特許庁

In that case, the first reflector 16 is constructed of a solid transparent material and a part of the region is constituted as a total reflection part 16A to make total reflection of the light from the first light source and the remaining region is constituted as a transparent part 16B which transmits in transparency the light from the second light source reflected by the second reflector 18.例文帳に追加

その際、第１リフレクタ１６を無垢の透光部材で構成した上で、その一部の領域を、第１光源からの光を全反射させる全反射部１６Ａとして構成するとともに、その残りの領域を、第２リフレクタ１８で反射した第２光源からの光を素通しにより透過させる素通し部１６Ｂとして構成する。 - 特許庁

A memory transistor MT as a memory cell of a semiconductor memory device is provided with a drain region 7, and a source region 9 that are formed in a silicon layer of an SOI substrate, a floating channel body formed in a silicon layer among the drain and source regions, and a gate electrode (word line WL) arranged on the channel body with a gate insulating film in between.例文帳に追加

半導体メモリ装置のメモリセルである記憶トランジスタＭＴは、ＳＯＩ基板のシリコン層に形成されたドレイン領域７及びソース領域９と、これらの領域の間のシリコン層に形成されたフローティングのチャネルボディと、チャネルボディ上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極（ワード線ＷＬ）と、で構成される。 - 特許庁

A trapping level is introduced by density of 5×10^12/cm^2 or more into a source region 8 and a drain region 9 on the surface on the light shielding film 3 side of the active layer 7 by passing electric current and applying electric stress in an insulation film 4 between the light shielding film 3 and a source electrode 15 or a drain electrode 16.例文帳に追加

活性層７の遮光膜３側の表面部分のうち、ソース領域８及びドレイン領域９には、ソース電極１５及びドレイン電極１６と遮光膜３との間の絶縁膜４中に電流を流して電気的ストレスを印加することで、５×１０^12／ｃｍ^2以上の密度で捕獲準位が導入される。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first wiring layer 20 disposed at a position closest to a semiconductor substrate 10 includes first source wiring 21 electrically connected to a source region 15 of a semiconductor element, first drain wiring 22 electrically connected to a drain region 12 of the semiconductor element, and a relay portion 23 electrically connected to a gate electrode 17.例文帳に追加

もっとも半導体基板１０側に位置する第１配線層２０は、半導体素子のソース領域１５に電気的に接続された第１ソース配線２１と、半導体素子のドレイン領域１２に電気的に接続された第１ドレイン配線２２と、ゲート電極１７に電気的に接続された中継部２３とを備えている。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

The contact hole which is formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS type transistor and a trench isolation structure 41 extends to a part of the source/drain region 34 and a part of the trench isolation structure 41 of the MOS type transistor, and an electrode plug 49 for contact which is in contact with the source/drain region 34 is formed in an aperture part of the contact hole.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよびトレンチ分離構造４１を覆う層間絶縁膜３６中に形成されたコンタクトホールが、ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域３４の一部およびトレンチ分離構造４１の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域３４に接触するコンタクト用電極プラグ４９が形成されている。 - 特許庁

The width of a semiconductor film 4, located on a gate electrode 2 forming a channel region between a source electrode 6a and a drain electrode 6b, is larger than any of the widths of the source electrode 6a and the drain electrode 6b located on the gate electrode 2, and uneveness regions 4a and 4b are formed in the width direction of the semiconductor film on both side edges of the channel region.例文帳に追加

ソース電極６ａとドレイン電極６ｂの間のチャネル領域を形成するゲート電極２上に位置する半導体膜４の幅が、ゲート電極２上に位置するソース電極６ａの幅とドレイン電極６ｂの幅の何れよりも広く、かつチャネル領域の両辺縁部の半導体膜の幅方向に凹凸部４ａ，４ｂを有して形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel is provided with the TFT substrate 11, the panel wiring 20 formed on the TFT substrate 11 and equipped with a disconnection, the source TCP 18 arranged in the frame region of the panel wiring 20, and a wiring 6 connected to the panel wiring 20 in the frame region and formed on the wide surface of the TFT substrate 11 for the source TCP 18.例文帳に追加

液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１上に形成され、断線部分を有するパネル配線２０と、パネル配線２０の額縁領域に配置されたソースＴＣＰ１８と、額縁領域におけるパネル配線２０と接続され、ソースＴＣＰ１８のＴＦＴ基板１１側面に形成された配線６とを有する。 - 特許庁

In one embodiment, the method comprises receiving a request for a region of a page of a document, the request being originated from a client, determining one or more objects in a source file that intersect the region of the page, the source file having two or more codestreams and sending back a response having a subset of the information in the file.例文帳に追加

一実施例による方法は、書類中のページの或る領域を求めるクライアントから発せられるリクエストを受信するステップと、ページ中の領域を横切る、２つ又はそれより多くのコードストリームを有するソースファイル中の１つ又はそれより多くのオブジェクトを確認するステップと、ファイル中の情報の一部分を含む応答を返すステップとを有する。 - 特許庁

A metal silicide layer 13b, which includes nickel platinum silicide, is formed by a salicide process, on a source-drain n^+-type semiconductor region 7b of an n-channel type MISFETQn formed on the semiconductor substrate 1 and a gate electrode GE1, and on a source-drain p^+-type semiconductor region 8b of a p-channel type MISFETQp and a gate electrode GE2.例文帳に追加

半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has gate electrodes 13 formed on an n-type active region including a semiconductor substrate 10 with gate insulating films 12 interposed, p-type source-drain regions 20 formed in regions of both sides of the gate electrodes 13 in the active region, and n-type pocket regions 18 formed from side faces of the respective p-type source-drain regions 20 in the active region toward below the gate electrodes 13 respectively.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０からなるｎ型の活性領域の上に、ゲート絶縁膜１２を介在させて形成されたゲート電極１３と、活性領域におけるゲート電極１３の両側方の領域に形成されたｐ型ソースドレイン領域２０と、活性領域における各ｐ型ソースドレイン領域２０の側面からそれぞれゲート電極１３の下側に向かって形成されたｎ型ポケット領域１８とを有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a channel region formed on the surface of the semiconductor substrate, source and drain regions respectively formed on both sides of the channel region of the semiconductor region, a gate insulating film so formed as to cover the channel region, and a gate electrode formed on the insulating film, wherein the gate insulating film is formed by a super-lattice single-crystal insulator film.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板の表面に形成されたチャネル領域と、このチャネル領域の両側の前記半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が超格子単結晶絶縁体膜で形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element comprises: a first process for forming a first conductive type source region 4 in a second conductive type body region 3 formed on a first conductive type substrate 1 through ion pouring employing a pouring mask; and a second process for forming a doped region 13 doped by pouring acceptor impurities into the second conductive type body region 3 employing the pouring mask.例文帳に追加

第１導電型の基板１上に形成された第２導電型のボディ領域３内に注入マスクを用いたイオン注入により第１導電型のソース領域４を形成する第１の工程と、前記注入マスクを用いて第２導電型のボディ領域３内にアクセプタ不純物を注入することによりドーピングされた領域１３を形成する第２の工程とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device is the PMOS transistor formed on an active region 104 of a semiconductor substrate 101 isolated by an element isolation region 102, and the PMOS transistor has a gate insulating film 105b formed on the active region 104, a gate electrode 106b formed on the gate insulating film, a sidewall 108b, and a source/drain diffused layer region 107b.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１における素子分離領域１０２によって分離された活性領域１０４上に形成されたＰＭＯＳトランジスタであって、このＰＭＯＳトランジスタは、活性領域１０４上に形成されたゲート絶縁膜１０５ｂと、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１０６ｂと、サイドウォール１０８ｂと、ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂとを備える。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the display device having a reverse stagger thin-film transistor of channel stop type, the reverse stagger thin-film transistor of the channel stop type has a microcrystalline semiconductor film including a channel formation region, and the channel formation region of the microcrystalline semiconductor film has an impurity region containing an impurity element for selectively providing a conductivity type for a region not overlapping a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which a channel region of a high-quality oxide semiconductor and a low-resistance region applicable to a source/drain region with a lower resistivity than that of the channel region are formed and excellent electric characteristics of high ON current, carrier movability and reliability and low hysteresis property can be achieved without increasing the number of steps.例文帳に追加

本発明は、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソース・ドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a first conductive type region provided in an upper layer part of the semiconductor substrate; a second conductive type source region and a second conductive type drain region that are disposed apart from each other in an upper layer part of the first conductive region; a gate insulating film provided on the semiconductor substrate; and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に設けられた第１導電形領域と、前記第１導電形領域の上層部分に相互に離隔して配置された第２導電形のソース領域及びドレイン領域と、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁