「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

A second high-dose ion implantation is made by implanting arsenic As+ with a high concentration to the silicon substrate from a direction perpendicular to the silicon substrate to the source region 20a and the drain region 22a each having a shallow junction and both formed on both sides of the gate electrode (Fig.1 (c)).例文帳に追加

ゲート電極の両側に形成された浅い結合のソース領域２０ａ及びドレイン領域２２ａとに、シリコン基板１０に対して垂直の方向からヒ素Ａｓ^+を高濃度でイオン注入して、２回目の高濃度イオン注入を行う（図１（Ｃ））。 - 特許庁

In the MOS transistor, a source region 2 and a drain region 3 formed in a semiconductor substrate 1 adjoin each other holding a gate 4 therebetween which is formed into a lattice type, and the transistor includes metal wires 5, 6, 7 of three layers which are formed in order on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１に形成されたソース領域２およびドレイン領域３が格子状に形成されたゲート４を挟んで互いに隣接するＭＯＳトランジスタにおいて、半導体基板１上に順次形成された３層のメタル配線５、６、７とを有する。 - 特許庁

The control circuit 122 controls to decrease the peak value of emission intensity in the wavelength region corresponding to blue in the emission intensities of the backlight light source 120 in a low grayscale level compared to the peak in a high grayscale level so that displayed colors are prevented from shifting toward a blue region.例文帳に追加

制御回路１２２は、低階調時には、バックライト光源１２０の発光強度のうちの青色に対応する波長領域の発光強度のピーク値を、高階調時に比して低下させることにより、表示色が青色方向へシフトすることを防止する。 - 特許庁

The standstill exciter (10), in its selected region, receives cooling from the refrigerator, which can even be operated with respect to the synchronous machine, or from a cooling agent supply source, and the cooling causes the operating temperature of the selected region of the standstill exciter (10) to decrease selectively.例文帳に追加

静止励磁器（１０）は静止励磁器（１０）の選択された領域に、同期機に対して働くこともできる冷凍機または冷凍剤供給源からの冷却を受け、冷却が静止励磁器（１０）の選択された領域の動作温度を選択的に低下させる。 - 特許庁

Thus, the oxidized film 12 is acceleratedly oxidized on the surface of an area where n-type impurities are injected and the oxidized film 12 becomes thicker than other regions on the surface of an n+-type source region 9, the gate electrode 11 and the n+-type region 16.例文帳に追加

これにより、ｎ型不純物が注入された領域の表面において酸化膜１２が増速酸化され、ｎ^+型ソース領域９、ゲート電極１１、及びｎ^+型領域１６ｂの表面において酸化膜１２の膜厚が他の領域よりも厚くなる。 - 特許庁

The musical sound synthesizer can generate a musical sound from the physical model sound source by displaying a current action value CR by a performance operator on the display device of the sound generation region and operating the performance operator so that the current action value CR is positioned in the sound generation region.例文帳に追加

演奏操作子による現行動作値ＣＲを発音領域の表示上に表示させて、現行動作値ＣＲが発音領域内に位置するように演奏操作子を操作することにより、物理モデル音源から楽音を発生することができるようになる。 - 特許庁

Drain wiring of the metal wire 7 of the third layer is arranged so that it may cover an entire region of the semiconductor substrate 1, and source wiring of the metal wires 5, 6 of the first layer and the second layer are arranged so that these may cover an entire region of the metal wires of the first layer and the second layer.例文帳に追加

第３層メタル配線７のドレイン配線は、半導体基板１の全領域を覆うように配置され、第１層及び第２層メタル配線５、６のソース配線は第１層及び第２層メタル配線の全領域を覆うように配置される。 - 特許庁

The impurity concentration of a source region 17 and a drain region 18 of a TFT 10 is set between 2×10^18 cm^-3 and 2×10^19 cm^-3, whereby off-leak current of the TFT 10 can be sufficiently reduced even in a single gate structure.例文帳に追加

ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device wherein the trade-off relation between channel resistance and JFET resistance, which is an obstacle to device miniaturization, is improved and the same mask is used to form a source region and a base region by ion implantation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子の微細化で問題となるチャネル抵抗とＪＦＥＴ抵抗のトレードオフの関係を改善し、ソース領域とベース領域をイオン注入で作製するときに同一のマスクを用いて作製する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a pair of dopant regions functioning as a source region or a drain region of a semiconductor film formed on an insulating substrate, and the first interlayer dielectric and a second interlayer dielectric are formed on the gate electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体膜の、ソース領域またはドレイン領域として機能する一対の不純物領域上に、第１の層間絶縁膜を形成し、ゲート電極上に第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Each source region or each drain region includes each of low-concentration impurity regions 5a-5f which adjoins to each of the channel regions, and includes each of high-concentration impurity regions 3a-3e and each of high-concentration impurity regions 4a-4f which are opposed to each of the channel regions with each of the low-concentration impurity regions in between.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域は、チャネル領域に隣接する低濃度不純物領域５ａ〜５ｆと、低濃度不純物領域から見てチャネル領域とは反対側に位置する高濃度不純物領域３ａ〜３ｅ、４ａ〜４ｆとを含む。 - 特許庁

A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁

An STI 50c which is in contact with the n-type well region 26 in a direction orthogonal to the direction directing from the source 22 to the drain 24 of the p-type channel MOSFET 20 is made of an insulating material exerting a tensile stress on the n-type well region 26.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０のソース２２からドレイン２４に向かう方向と直交する方向においてｎ型ウェル領域２６に接するＳＴＩ５０ｃは、ｎ型ウェル領域２６に引張応力を作用させる絶縁材料により形成される。 - 特許庁

A base pattern 10 having predetermined thickness is formed at a position corresponding to the contact hole 7, and a connection part (source region 3a and drain region 3b) to the second wiring 8 of the multi-crystal semiconductor layer 3 is formed on the base pattern 10.例文帳に追加

コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 - 特許庁

A field-effect transistor has: a fin-like channel region 102 comprising a graphene formed on a substrate 101; a gate electrode 104; and a source electrode 105 and drain electrode 106 connected to the channel region 102 so as to be provided on both sides of the gate electrode 104.例文帳に追加

基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。 - 特許庁

By thus forming a deep source region and a deep drain region, current flow that would otherwise concentrate on a shallow part in the gate electrode becomes uniform throughout the trench portion to widen an effective gate width because of the concave and convex portions formed in the well.例文帳に追加

このように、ソース領域とドレイン領域を深く形成することで、ゲート電極部位で浅い部分に集中して流れていた電流がトレンチ部の全体に一様に流れるようになり、ウェルに形成された凹凸によって実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

A light shielding layer 106 provided with a function to absorb the blue light or the light in the ultraviolet rays region contained in light from a light source is formed on a peripheral picture frame region 102c of a glass substrate 101 so as to overlap with a part of the black color filter 107 in plane therewith.例文帳に追加

ガラス基板１０１上の周辺額縁領域１０２ｃに、光源光に含まれる青色乃至紫外線領域の光を吸収する機能を備えた遮光層１０６を、黒色カラーフィルタ１０７の一部と平面的に重なり合うように形成した。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film transistor substrate comprises the steps of forming a gate electrode 2a of a TFT in the region including a concave part 1a formed on an insulating substrate 1, forming an insulating film layer 5 on it, and arranging a source electrode 3b in the region over the concave part 1a.例文帳に追加

ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。 - 特許庁

Moreover, a TFT (which is hereinafter referred to as a TFT for discharge) such as to be turned ON conversely when the TFT for drive is turned OFF is provided in each pixel and one side of the source region and the drain region of the TFT for discharge is connected to a pixel electrode and the other side is connected to the discharge wiring.例文帳に追加

そして、駆動用ＴＦＴがオフのときに逆にオンになるようなＴＦＴ（以下、放電用ＴＦＴと呼ぶ）を各画素に設け、該放電用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域を、一方は画素電極に、もう一方は該放電線に接続した。 - 特許庁

An apparatus for inspecting the hermetically sealed surface region 36 of a container finish part has a light source 44, arranged so as to apply linear laser beam made parallel 46 (that is, a laser beam where the longitudinal size becomes several times that of lateral size) with respect to the hermetically sealed surface region of the container.例文帳に追加

容器仕上げ部の密封面領域（36）を検査する装置は、平行にされた線状の光ビーム（46）（即ち、長さ方向寸法が幅方向寸法の何倍にもなる光ビーム）を容器の密封面領域に当てるよう配置された光源（44）を有する。 - 特許庁

The ZnO sintered compact that is suited for using as a source material for an ion-plating comprises a first ZnO region and a second ZnO region which have a different average degree of oxidation and a different average particle size from each other.例文帳に追加

イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。 - 特許庁

In a semiconductor device which makes a crystallized crystalline silicon film using a metal element promoting crystallinity of a silicon to be an active layer, phosphor is doped to regions 114 and 116 where a source region or drain region is formed and heat treatment is performed.例文帳に追加

珪素の結晶性を助長する金属元素を用いて結晶化させた結晶性珪素膜を活性層とする半導体装置において、ソース領域またはドレイン領域が形成される領域１１４、１１６に燐をドーピングし、加熱処理を施す。 - 特許庁

One pixel includes a pixel electrode having both the region where light entering through a liquid crystal layer is reflected and the transmission region, and an image is displayed both in the reflection mode in which external light is taken as an illuminating light source, and in a transmission mode using a backlight.例文帳に追加

１つの画素において、液晶層を介して入射する光を反射する領域と、透過領域とを両方有する画素電極を設け、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とする。 - 特許庁

A memory n-type MIS transistor QM1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has a memory source-drain region SD1 including a memory extension regions LD1 formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成されたメモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成されたメモリ用エクステンション領域ＬＤ１を含むメモリ用ソース・ドレイン領域ＳＤ１を有している。 - 特許庁

This minimizes the parasite capacitance between the gate and drain, and disposes the drain and source electrodes in the region covered by the gate electrode region, thus making it possible to minimize the coupling capacitance between the drain and gate, and to reduce the space where the transistor is disposed.例文帳に追加

これによって、ゲート−ドレインの間の寄生容量を最小化し、ゲート電極領域がカバーする領域内にドレイン及びソース電極を配置することで、ドレイン−ゲートの間のカップリング容量を最小化させかつトランジスタの配置空間を減らすことができる。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of Bi-CMOS semiconductor device in which ion implantation conditions can be set independently for the emitter region of a vertical PNP bipolar transistor and the source-drain region of a PMOS transistor without requiring additional photoresist processes.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、フォトレジスト工程を追加することなく、縦型ＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とのイオン注入条件をそれぞれ独立に設定することができるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a gate 24 (H-shaped gate 25A1), a gate insulating film 22 formed immediately under the gate 24, a body region 26 formed immediately under the insulating film 22, and source and drain regions 28 formed on both sides of the body region 26 in each of field regions 30-40.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート２４（Ｈ型ゲート２５Ａ１）と、ゲート２４の直下のゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２の直下のボディ領域２６と、ボディ領域２６を挟んだ両側に形成されるソース／ドレイン領域２８とを、フィールド領域３０〜４０に有する。 - 特許庁

When removing the silicon oxide films 15, 18 and the like on the first transistors 11 and the second transistor 12, a source region and a drain region of the second transistor 12 can be prevented from being chipped since the silicon oxide film on the second transistor 12 is thin.例文帳に追加

第一のトランジスタ１１及び第二のトランジスタ１２上のシリコン酸化膜１５，１８等を除去する際に第二のトランジスタ１２上のシリコン酸化膜が薄いため第二のトランジスタ１２のソース領域、ドレイン領域が削れてしまうことを防止できる。 - 特許庁

A thin film transistor having a floating island region and a base region between the source and drain regions of an active layer is disposed in a buffer circuit for requesting a high withstand voltage and a rapid operating speed of various type circuits for constituting peripheral drive circuits 101, 102.例文帳に追加

また、周辺駆動回路１０１、１０２を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース／ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。 - 特許庁

A pixel electrode PX composed of a transparent conductive film and electrically connected to the source electrode ST of the thin film transistor is formed on a second capacitor insulating film CIN2 formed so as to cover the reflective region RR and the transmissive region TR.例文帳に追加

前記反射領域ＲＲおよび前記透過領域ＴＲを被って形成した第２容量絶縁膜ＣＩＮ２上に、前記薄膜トランジスタのソース電極ＳＴと電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極ＰＸを形成する。 - 特許庁

In a region where a leak current from a pixel electrode when a power source is turned off becomes small in a pixel region because of characteristics of a manufacturing apparatus or step, a light shield film 311 is provided with an absent portion 312 nearly overlapping the outline of a channel portion of a thin-film transistor (TFT) 121.例文帳に追加

画素領域内にあって、製造装置または工程の特性上、電源を切った際の画素電極からのリーク電流が小さくなる領域にて、遮光膜311に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）121のチャネル部の輪郭とほぼ重なり合う抜き部312を設ける。 - 特許庁

For overall image data obtained by dividedly imaging an object 1 by a camera 3 under an imaging light source 2 to be synthesized, a characteristic color is determined based on a pixel distribution thereof, a divided region including the characteristic color is retrieved from the overall image data, and set as a reference region.例文帳に追加

被写体１を撮影光源２下でカメラ３で分割撮影し、合成した全体画像データについて、その画素分布に基づいて特徴色を決定し、該全体画像データから特徴色を含む分割領域を探索し、参照領域として設定する。 - 特許庁

The fine linear oxide films 8a are arranged at regular intervals vertical to a direction in which a channel is extended from the source region 3 to the drain region 4, and the fine linear oxide films 8b are arranged at regular intervals in parallel with the direction in which the channels extend.例文帳に追加

各細線状酸化膜８ａはソース領域３からドレイン領域４に延びるチャネル方向に対して垂直かつ一定間隔に配置され、各細線状酸化膜８ｂは当該チャネル方向に対して平行かつ一定間隔に配置される。 - 特許庁

To reduce the influence of a leakage magnetic field on adjacent transistors, enable shift adjustment, and restrain spin relaxation in a channel region, even when vertical magnetization films are used in the ferromagnetic material of a MTJ (Magnetic Tunnel Junction) in the source/drain region of a spin MOSFET.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制することを可能にする。 - 特許庁

The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4.例文帳に追加

プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus includes the N-channel MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) formed on a semiconductor substrate having a main surface of which plane orientation is (110) plane, having the silicide of nickel or nickel alloy at least in one upper portion of the source region and the drain region.例文帳に追加

半導体装置は、面方位が（１１０）面たる主表面を有する半導体基板上に形成され、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一方の上部にニッケルまたはニッケル合金のシリサイドを有するＮチャネルＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を備える。 - 特許庁

The device is equipped with at least one light source (S) which irradiates a light guide having a diffusion region which diffuses the light propagating inside toward the outside locally, or a reflecting region which reflects the light, or both regions at a part of the faces.例文帳に追加

内部を伝搬する光が外部に向かって局部的に拡散するような拡散領域、若しくは反射するような反射領域、又は両方の領域を面の一部に有している光ガイドを照射する少なくとも１つの光源（Ｓ）を備えている。 - 特許庁

At the operation of the liquid crystal panel 100, a non-conductive state is switched to a conductive state between the source region 31S and the drain region 31D of the TFT 31, and consequently, the data line 114A and the capacitive element 32 are electrically connected in a mutual manner.例文帳に追加

液晶パネル１００の動作時には、ＴＦＴ３１のソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間の非導通状態から導通状態に切り替えられているため、データ線１１４Ａ及び容量素子３２は相互に電気的に接続されている。 - 特許庁

When original data are referred to by a play list function and a partial region in the original data is registered on a play list, an identifier for uniquely identifying a reference source play list is stored in an associated information storage region held by the referenced original data.例文帳に追加

そしてオリジナルデータがプレイリスト機能により参照され、オリジナルデータの部分領域がプレイリストに登録された際に、参照されたオリジナルデータが保持する関連情報記憶領域に、参照元プレイリストを一意に識別するための識別子を記憶する。 - 特許庁

The first p-type semiconductor layer 1005 is separated from a drain electrode 1008 via a first groove 1101 with the first region adopted as a bottom surface, and separated from a source electrode 1007 via a second groove 1102 with the second region adopted as a bottom surface.例文帳に追加

第１のｐ型半導体層１００５は、第１の領域を底面とする第１の溝１１０１を介してドレイン電極１００８と分離されており、第２の領域を底面とする第２の溝１１０２を介してソース電極１００７と分離されている。 - 特許庁

For the TFT substrate, a gate electrode 2a of a TFT is formed in a region including a recessed part 1a formed on an insulating substrate 1, an insulating film layer 5 is formed on it, and a source electrode 3b is arranged in the region over the recessed part 1a.例文帳に追加

ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。 - 特許庁

In a semiconductor device, having a thin-film transistor 1 wherein an active layer is formed in a silicon film, a source region 12S and a drain region 12D of the thin-film transistor 1 formed in a first silicon film 12 are formed thicker than the thickness of a second silicon film 13 constructing a channel region CH formed between them.例文帳に追加

シリコン薄膜に活性層が形成される薄膜トランジスタ１を有する半導体装置において、第１のシリコン薄膜１２に形成される薄膜トランジスタ１のソース領域１２Ｓおよびドレイン領域１２Ｄは、その間に形成されるチャネル領域ＣＨを構成する第２のシリコン薄膜１３よりも厚く形成されているものである。 - 特許庁

In the transient absorption measuring instrument for measuring the transient absorption of a substance, steady light is used as a probe light source and an avalanche diode is used as a light detection means to measure the transient absorption over the wide region from the ultraviolet region to the near infrared region with high measuring precision and high time resolving power.例文帳に追加

物質の過渡吸収を測定する過渡吸収測定装置において、プローブ光源として定常光を、光検出手段としてアバランシェフォトダイオードを使用することにより、紫外領域から近赤外領域まで幅広い領域において高い測定精度かつ高い時間分解能で過渡吸収測定が可能である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

The SONOS EEPROM is adapted such that, although an electric charge trapping layer 140a is formed at both ends of a gate, i.e., in a junction region of a source 190 and a drain 195, an electron charged region and a hole charged region are brought into coincidence with each other to improve cell efficiency by forming locally thick adjacent portion of the joint.例文帳に追加

メモリ場所である電荷トラッピング層１４０ａをセルのゲート両端、すなわちソース１９０及びドレーン１９５接合領域に形成させるが、接合隣接部位を局部的に厚く形成することによって電子充電領域及びホール充電領域を一致させてセル効率を向上させたＳＯＮＯＳ ＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁