「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an RF impedance measuring device capable of accurately measuring RF impedance (S parameter) especially of a power source/GND system line of a package substrate to a high frequency region.例文帳に追加

パッケージ基板の特に電源／ＧＮＤ系線路のＲＦインピーダンス（Ｓパラメータ）を高周波領域まで精度良く測定することのできるＲＦインピーダンス測定装置を提供することである。 - 特許庁

A transistor array at a farther distance from the pad 200 for the source is shorter in gate-width-directional length of a region of the second wiring layer 110a where the via 112a is not provided.例文帳に追加

ソース用パッド２００からの距離が遠いトランジスタ列ほど、第２の配線層１１０ａにおいてビア１１２ａが設けられていない領域のゲート幅方向の長さが短くなっている。 - 特許庁

The excitation light from an excitation light source laser device 19 is projected into a detection region by a beam expander 21, a beam scanning element 23, a dichroic mirror 25, and an objective lens 27.例文帳に追加

励起光源レーザ装置１９からの励起光をビームエキスパンダ２１、ビームスキャニング素子２３、ダイクロイックミラー２５及び対物レンズ２７により励起光を検出領域に照射する。 - 特許庁

To provide a lamp fitting for a vehicle capable of achieving uniform light emission up to a tip-end region with a constant plate thickness and improving reduction of cost and utilization efficiency of light source light.例文帳に追加

板厚一定で先端領域まで均一発光させることができるとともに、コスト低減と光源光の利用効率を向上させることができる車両用灯具を提供する。 - 特許庁

A clock circuit 70, during the overcharge prevention operation for the secondary source, outputs by lowering the voltage of the motor driving pulse below the return error region of the motor for hand driving.例文帳に追加

そして、前記時計回路７０は、前記２次電源の過充電防止動作中は、前記モータ駆動パルスの電圧を運針用モータの戻り誤差領域以下に低下させて出力する。 - 特許庁

The P-type impurity concentration of a channel region which controls the second transistor A2 in a threshold potential is so set as to be higher in a source-side part than in a drain-side part.例文帳に追加

第２のトランジスタＡ２におけるチャネル領域のしきい値電位制御用のｐ型不純物濃度は、ドレイン側部分よりもソース側部分が大きくなるように設定されている。 - 特許庁

Control is made so as to change the position of an electronic cassette 32 having a built-in radiation detector and disperse the irradiation region irradiated by radiation from a radiation source through the electronic cassette 32.例文帳に追加

放射線検出器が内蔵された電子カセッテ３２の位置を変えて放射線源からの放射線が電子カセッテ３２に照射される照射領域が分散するように制御する。 - 特許庁

The voice signal processing section 2 selects a sound-collecting beam whose signal strength is the greatest from those sound collection beams Xc1 to Xc4, and detects the partial region where the sound source is present.例文帳に追加

音声信号処理部２は、これら集音ビームＸｃ１〜Ｘｃ４から最も信号強度の強い集音ビームを選択して、音源が存在する部分領域を検出する。 - 特許庁

To provide a light source with a long life by restraining temperature rise of a temperature-increasing region including an irradiation zone at a light-emitting section irradiated with exciting light and its neighboring zone.例文帳に追加

励起光が照射される発光部における照射領域とその近傍の領域とを含む昇温領域の温度上昇を抑制することで、長寿命な光源を実現する。 - 特許庁

A first source drain region 114A is formed outside a first insulating side-wall spacer 111A when viewed from a first gate electrode 106A of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００における第１のゲート電極１０６Ａから見て第１の絶縁性サイドウォールスペーサ１１１Ａの外側に第１のソースドレイン領域１１４Ａを形成する。 - 特許庁

Asymmetric sidewall spacers are located on the sidewalls of the gate conductor and asymmetric source and drain regions are located, within the substrate, adjacent to the semiconductor channel region.例文帳に追加

非対称的な側壁スペーサがゲート導電体の側壁に配置され、そして非対称的なソース及びドレイン領域が半導体チャネル領域に隣接して基板内に配置される。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which a semiconductor/metal interface of proper quality without residues can be obtained in any region which forms a source electrode, a drain electrode and a gate electrode.例文帳に追加

化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。 - 特許庁

To prevent the deterioration of a short channel effect caused by secondary channelling form a source-drain region deeply, and to reduce junction leakage, in an MISFET having a thin side wall spacer.例文帳に追加

薄いサイドウォールスペーサを有するＭＩＳＦＥＴにおいて、２次チャネリングによる短チャネル効果の劣化を防止しつつ、ソース・ドレイン領域を深く形成し、接合リーク低減をはかる。 - 特許庁

A TFT (Thin Film Transistor) 10B includes two source/drain electrodes 18, 19 respectively contacting semiconductor regions located with a channel forming region in between in the planar view of a semiconductor film 15.例文帳に追加

ＴＦＴ部１０Ｂは、２つのソース・ドレイン電極１８,１９が、半導体膜１５の平面視でチャネル形成領域を挟んで位置する一方と他方の半導体領域に接する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing epitaxial crystal in a source-drain region and suppressing occurrence of a junction leak due to metal silicide on the epitaxial crystal, and to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域にエピタキシャル結晶を含み、エピタキシャル結晶上の金属シリサイドに起因する接合リークの発生を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A constant current source 38 injects a current to the gain region via a p-side electrode 26 and an n-side shared electrode 32 to form an inverse distribution required for laser stimulation.例文帳に追加

利得領域には、p側電極26とn側共通電極32とを介して、定電流源38によって電流が注入されて、レーザ発振に必要な反転分布が形成される。 - 特許庁

A vertical-type field effect transistor includes a semiconductor layer 2 having multiple trenches 10 with a stripe geometry, a gate electrode 50 partially embedded in the multiple trenches 10, base regions 20 and 21, and a source region 25.例文帳に追加

ストライプ状の複数のトレンチ１０を有する半導体層２と、複数のトレンチ１０に部分的に埋め込まれたゲート電極５０と、ベース領域２０，２１と、ソース領域２５とを備える。 - 特許庁

A tomosynthesis system (50) for scanning a region (54) in an object (18) comprises a radiation source (12) configured to transverse in a plurality of positions (70) yielding a plurality of scanning directions (72).例文帳に追加

対象物（１８）の領域（５４）を走査するトモシンセシス・システム（５０）は、複数の位置（７０）を横断して複数の走査方向（７２）をもたらすように構成された放射線源（１２）を備える。 - 特許庁

The rear surface of a transparent substrate is irradiated with a laser after forming a source/drain region, and impurity ions in a semiconductor layer are diffused to lower direction of the gate electrode to form the GOLD structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域形成後に透明基板裏面からレーザを照射して半導体層中の不純物イオンをゲート電極下方向へ拡散させてGOLD構造を形成する。 - 特許庁

A shield pattern SLA1 is formed in a region between drain contacts CDP, CDN of a feedback P type transistor TFP and a feedback N type transistor TFN and source contacts CSP and CSN.例文帳に追加

帰還用Ｐ型トランジスタＴＦＰ、帰還用Ｎ型トランジスタＴＦＮのドレインコンタクトＣＤＰ、ＣＤＮとソースコンタクトＣＳＰ、ＣＳＮとの間の領域に、シールドパターンＳＬＡ１が形成される。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

The weather information collecting/intermediate processing server 11 investigates a region from a source IP address when sensor information is received from collected sensor information (S302).例文帳に追加

センサ情報を受信した気象情報収集・中間処理サーバ１１は、収集したセンサ情報からセンサ情報を受信した際のソースＩＰアドレスから地域を調査する（Ｓ３０２）。 - 特許庁

To provide a control power source for a quadrupole electrode capable of operating a quadrupole mass spectrometer even in a region having a small mass number to be analyzed without using a diode vacuum tube.例文帳に追加

２極真空管を用いないで分析質量数が小さい領域でも四極子質量分析計が動作可能である四極子電極用制御電源を提供する。 - 特許庁

The contact plug 14 to be connected with a source/drain region 7 of a silicon substrate 1 is structured of a tungsten layer used as a lower layer plug 15 and a copper layer used as an upper layer plug 16.例文帳に追加

シリコン基板１のソース／ドレイン領域７に接続するコンタクトプラグ１４を、下層プラグ１５としてタングステン層を用い、上層プラグ１６として銅層を用いる構成である。 - 特許庁

The temperature distribution control means 171 is a means for heating a region where the member 160 on the substrate 71 having the electron source is brought into contact.例文帳に追加

前記温度分布制御手段１７１が、前記電子源を有する基板７１上の前記部材１６０が接触している領域を加熱する手段であることを特徴とする電子源。 - 特許庁

An emitter current for which the base current is amplified flows as a photoelectric current and a logarithmically transformed voltage appears at the source of a MOS transistor T1 for performing an operation in a sub threshold region.例文帳に追加

このベース電流が増幅されたエミッタ電流が光電流として流れ、サブスレッショルド領域で動作を行うＭＯＳトランジスタＴ１のソースに対数変換された電圧が現れる。 - 特許庁

To provide a reflection type reading optical system capable of obtaining high contrast even when a light source has a wide wavelength region, and excellently compensating aberration even when a reflection surface is eccentrically arranged.例文帳に追加

光源が幅広い波長域を持つ場合でも高いコントラストが得られ、反射面が偏心配置されていても収差補正が良好な反射型の読み取り光学系を提供する。 - 特許庁

A salicide structure semiconductor device comprises metal silicide layers formed on a high-concentration source/drain region and on a gate electrode surface, each formed of a plurality of islands of metal silicide.例文帳に追加

サリサイド構造の半導体装置の高濃度ソース・ドレイン領域とゲート電極表面に形成される金属シリサイドを複数のアイランド状金属シリサイドからなる構成とする。 - 特許庁

A back gate is formed in or by the doped layer, and a recessed channel array transistor is formed in the first region, and source and drain regions are formed in or by the doped layer.例文帳に追加

ドープ層内またはこの近傍にバックゲートを形成し、第１の領域にリセスチャネルアレイトランジスタを形成し、ドープ層内またはその近傍にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide an ultrashort pulse light source for realizing a passage mode synchronizing action to generate directly from a femtosecond pulse from an integrated semiconductor laser without using saturable absorption region at all.例文帳に追加

可飽和吸収領域を全く用いないで、集積型半導体レーザからの直接フェムト秒パルスを発生する受動モード同期動作を実現する超短パルス光源を提供する。 - 特許庁

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation.例文帳に追加

本発明は、素子間分離にＳＴＩ構造を採用する不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域をより確実に接続できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

After sidewalls are formed on the gate electrodes 142a-142c, another p-type impurity region is formed by implanting ions in the source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

そして、それらゲート電極にサイドウォールを形成した後、当該ゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

A region of the contact layer 5 having neither the source electrode layer 6 nor the drain electrode layer 7 formed thereon and the high resistance layer 2 are coated with passivation layers 9a, 9b.例文帳に追加

コンタクト層５のうちソース電極層６およびドレイン電極層７が形成されていない領域の上と高抵抗層２の上とは、パッシベーション層９ａ，９ｂにより覆われている。 - 特許庁

The dummy gate 20 is formed to cover a part of the active region 2 in regions 8 where N-type dopant injection for forming N+ source drain regions 9 are performed.例文帳に追加

このとき、ダミーゲート電極２０は、Ｎ＋ソースドレイン領域９を形成するためのＮ型ドーパンドの注入が行われる領域８内の活性領域２の一部を覆うように形成される。 - 特許庁

To provide a technology capable of improving the operating speed of a semiconductor device by reducing the resistance in an extension region on the source side of an FET formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＦＥＴのソース側のエクステンション領域の抵抗値を低減し、半導体装置の動作速度を向上することができる技術を提供する。 - 特許庁

A printing system replaces an advertising object in a content page acquired from a content page source by a replacement image region using less color materials, and prints the new content page.例文帳に追加

印刷システムは、コンテンツページソースから取得したコンテンツページ内の広告オブジェクトを、より色材使用量の少ない差替画像領域に差し替えて、差し替え後のコンテンツページを印刷する。 - 特許庁

Since the silicon nitride film 12 is not directly contacted on the surface of the source/drain region 1d of the high breakdown voltage transistor, the ingress of a hot carrier or the like is prevented, thus improving reliability.例文帳に追加

高耐圧トランジスタのソース／ドレイン領域１ｄの表面にシリコン窒化膜１２を直接接触させないので、ホットキャリアなどの進入を防止し、信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a structure of a light guide plate in which illuminance is made uniform by increasing light irradiation to the outside of the irradiation region of a point light source and design and manufacturing of the waveguide.例文帳に追加

点光源の照射領域外への光の照射を増加させて照度を均一化し、迅速に設計、製造することを可能にした導光板の構造を提供することにある。 - 特許庁

In order to use the light emitting device which has the resonator structure as a light source, a separation structure for utilizing only the light of the specific angular region with respect to the emission axis direction is provided.例文帳に追加

共振器構造を有する発光デバイスを光源として使用するために、出射軸方向に対して特定の角度域の光のみを利用するための分別構造を設ける。 - 特許庁

A planar light-emitting device 1 comprises: a sheet substrate 2; a core layer 3 formed in a partial region of a surface 2a of the sheet substrate 2; and a light source 4 for introducing light into the core layer 3.例文帳に追加

シート基材２と、シート基材２の表面２ａの一部領域に形成されたコア層３と、コア層３に光を導入する光源４とを備えた面状発光装置１。 - 特許庁

To provide a fluorescent lamp type LED lamp which gives no granular feeling of light source and can make continuous emission of light such as a fluorescent tube and can increase the amount of light distribution to a side region of the lamp.例文帳に追加

光源のツブツブ感をなくし、蛍光管のような連続発光が得られ、灯具側方域への配光量を増加できる蛍光灯型ＬＥＤ灯具を提供する。 - 特許庁

At the time of applying a power source or the like, test-write is performed for the prescribed region on a magneto-optical disk 6, next, optimum memory length is detected by reading out data and measuring an error rate.例文帳に追加

電源投入時等において、光磁気ディスク６上の所定の領域にテストライトを行い、次にデータを読出して、エラーレートを測定することによって、最適なメモリ長が分かる。 - 特許庁

The temperature sensing adjusting tool 9 and the water flow direction valve 8 are connected to automatically change the water pouring direction of the heat source water in accordance with the water temperature of the hot-water supply region.例文帳に追加

温感調整具９と水流方向弁８とを連結し、給湯領域の水温に対応して熱源水の注水方向が自動的に変更されるように構成する。 - 特許庁

A movable light source 31 for varying the lighting angle and a reflector 32 are mounted inside the body 22, so that the light as suspended by the arms 23 and 24 illuminates a region downward in the vertical direction.例文帳に追加

ボディ２２の内部には照明角度を可変とする可動光源３１とリフレクタ３２とが設けられており、アーム２３，２４に吊られた状態では垂直下方を照明する。 - 特許庁

On the outer peripheral side of the P-type active guard region 16, breakdown voltage is made lower than other parts of an element and breakdown is generated in this part when a high voltage is applied across a source and a drain.例文帳に追加

ｐ型アクティブガード領域１６の外周側は、素子の他の部分より降伏電圧が低くされ、ソース−ドレイン間に高い電圧がかかった際にここで降伏が起こる。 - 特許庁