「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

When a power is supplied, any abnormal state when a power source is interrupted is released either before the data are written or after the data are written based on the table and the state of the auxiliary region.例文帳に追加

電源投入時には、そのテーブルと補助領域の状態に基づいてデータの書込み前、又はデータの書込み後のいずれかとして電源遮断時の異常状態を解消する。 - 特許庁

Source/drain extension layers 11 are formed under the second part 62 on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they put the channel region under the gate electrode 3 in between them, and extend to the bottom of the spacer 7.例文帳に追加

ソース／ドレインエクステンション層１１は、第２部分の下の半導体基板の表面でゲート電極下方のチャネル領域を挟むように形成され、スペーサの側壁の下まで延在する。 - 特許庁

MISFETs containing a gate electrode GE and a source/drain region in which a metal silicide layer 11b is formed on an upper part are formed by a plurality of numbers on a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥと上部に金属シリサイド層１１ｂが形成されたソース・ドレイン領域とを有するＭＩＳＦＥＴが半導体基板１の主面に複数形成されている。 - 特許庁

To reduce the scattering and the diffusion of a source in the lateral direction in a channel region, and to reduce the lowering of a drain induction barrier (DIBL) in a floating ate memory cell.例文帳に追加

ソースがチャネル領域の中に横方向に散在および拡散するのを低減させ、これはフローティングゲートメモリセルにおけるドレイン誘導障壁低下（ＤＩＢＬ）の低減をもたらす。 - 特許庁

To produce cement having only a small content of repelling components by effectively causing reduction volatilization and chlorination volatilization by a reductive substance and a chlorine source at the prescribed region in a cement kiln.例文帳に追加

セメントキルン内の所定の領域で、還元性物質及び塩素源による還元揮発及び塩化揮発を有効に生じさせ、忌避成分含有量の少ないセメントを製造する。 - 特許庁

The electron emission source containing an organic residue, a crack part formed at least on a portion of a region, and a needle-like nano-size substance exposed in the crack part, is disclosed.例文帳に追加

有機残留物と、少なくとも一部の領域に形成された亀裂部と、前記亀裂部内に露出しているナノサイズの針状物質と、を含む電子放出源が開示される。 - 特許庁

To solve the problem that a region capable of outputting a desirable progressive-wave power cannot be expanded in a conventional high-frequency power source 6, because a DC-voltage setting value Vset is not appropriate.例文帳に追加

従来の高周波電源装置６では、直流電圧設定値Ｖｓｅｔが適正でないために、所望の進行波電力を出力できる領域を広げることができない。 - 特許庁

To prevent a light source image from expanding to an adjacent lens and to prevent degradation in exposure accuracy on an irradiation plane even when an integrator lens with a narrow irradiation region is used.例文帳に追加

照射領域の狭いインテグレータレンズを用いても、光源像が隣のレンズにはみ出すことがなく光照射面における露光精度を悪化させることがないようにすること。 - 特許庁

To provide a rare earth oxynitride-based phosphor excited with an excitation light source in a short wavelength region from ultraviolet to visible light and emitting green light by wavelength conversion.例文帳に追加

紫外から可視光の短波長領域の励起光源により励起され、波長変換により緑色系に発光可能な希土類酸窒化物系蛍光体を提供する。 - 特許庁

A xenon lamp as an excitation light source 11 has a plurality of bright line spectra in a near-infrared wavelength region, and light storing the spectra comes into an inlet slit 44 of a fluorescence spectroscope 4.例文帳に追加

励起光源１１であるキセノンランプは近赤外波長領域に複数の輝線スペクトルを有し、そのスペクトルが保存された光が蛍光分光器４の入口スリット４４に入射する。 - 特許庁

The line type inkjet printer is equipped with a control means which carries out drive control of a drive voltage waveform outputted from a power source so as to drive the piezoelectric deformation region by the driving method.例文帳に追加

ライン型のインクジェットプリンタは、前記圧電変形領域を、前記駆動方法で駆動させるために、電源から出力される駆動電圧波形を駆動制御する制御手段を備える。 - 特許庁

A source-drain region 16 is formed on the semiconductor substrate 11 which is located under a side of a side wall insulating film 15 formed on a side view of the gate electrode 14.例文帳に追加

そして、ゲート電極１４の側面上に形成された側壁絶縁膜１５の側方下に位置する半導体基板１１には、ソース・ドレイン領域１６が形成されている。 - 特許庁

An illumination apparatus includes a specific light source for emitting light of a wavelength region for accurately observing the object to be observed, then, the object to be observed can be accurately observed.例文帳に追加

被観察物を精細に観察するための波長領域の光を照射する特定光源を備えてなる構成としたことにより、被観察物の精細な観察が可能となる。 - 特許庁

The wiring includes first and second contact wiring made of the same substance as the source/drain regions and connected to the gate electrode 150 and the body contact region 130.例文帳に追加

前記配線は、前記ソース／ドレーン電極と同一の物質からなり、前記ゲート電極１５０とボディーコンタクト領域１３０に連結した第１及び第２コンタクト配線とを備える。 - 特許庁

The photoresist 13 is exposed by UV-rays or X-rays using a mask 3 for forming a complete circuit applied tightly with a shielding material 4a in a specified region thereof on the light source side.例文帳に追加

そして、完全回路形成用マスク３の所定領域の光源側に遮蔽材４ａを密着させたものをマスクとして紫外線又はＸ線によりフォトレジスト１３を露光する。 - 特許庁

The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5.例文帳に追加

シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域５に開口するまでＳＣ１１を延長する。 - 特許庁

The organic semiconductor solution is also applied so that the center of an application region is located just above the position where the source electrode 5 is disposed, or the position where the drain electrode 6 is disposed.例文帳に追加

また、ソース電極５が配置されている位置、又はドレイン電極６が配置されている真上に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布する。 - 特許庁

A source electrode wiring 240 is insulated from the gate electrode wiring and is separated from the drain electrode while overlapping at the outer region of a body part 241, and tow hand parts 242, 244.例文帳に追加

ソース電極配線２４０は、ゲート電極配線と絶縁されていて、ボディ部２４１、２つのハンド部２４２、２４４の外側領域で重なりながらドレイン電極と離隔される。 - 特許庁

Further, the semiconductor memory device has a source/drain region 23 provided to the semiconductor layer 3 to overlap with the gate electrode 22 and made of a compound of a semiconductor and a metal such as nickel silicide.例文帳に追加

更に半導体層３にゲーート電極２２とオーバーラップするように設けられたニッケルシリサイド等の半導体と金属の化合物からなるソース・ドレイン領域２３を有する。 - 特許庁

The optical deflector 142 includes a mirror and a piezoelectric actuator rotationally driving the mirror so as to be able to scan the whole of the coordinate region C by the laser beam from the light source 31.例文帳に追加

光偏向器１４２は、ミラーと、座標領域Ｃの全領域に対して光源３１からのレーザ光で走査可能にミラーを回転駆動する圧電アクチュエータとで構成される。 - 特許庁

The exposure system has a small-sized light source (8) which is mounted at a positioning element (9) and is collimated, by which the scanning of the specific region of the plate (1) is made possible.例文帳に追加

露光システムは位置決め要素（９）に取り付けられるとともにコリメートされた小型の光源（８）を有し、これによりプレート（１）の特定の領域を走査することが可能である。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a silicon layer; and a first field effect transistor including a transistor gate provided on the silicon layer, a pair of source/drain regions, and a channel region in the silicon layer.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン層と、シリコン層上に設けられたトランジスタ・ゲートと、１対のソース／ドレイン領域と、シリコン層内のチャネル領域と、を含む第１電界効果型トランジスタと、を具備する。 - 特許庁

To make a source region low in ON-state resistance restraining impurities from diffusing out on its surface in a semiconductor device having a trench MIS gate structure.例文帳に追加

トレンチＭＩＳゲート構造を有する半導体装置において、ソース領域の表面部での不純物のアウトディフュージョンを抑制しながらソース領域の低オン抵抗化を可能にする。 - 特許庁

The spacer layer 40 is formed in a region at the lower side of the source/drain electrodes 70 and is provided with a second spacer layer 42 that is smaller in the band gap than the first spacer layer 41.例文帳に追加

そして、スペーサ層４０は、ソース／ドレイン電極７０の下側の領域に形成され、第１のスペーサ層４１よりもバンドギャップが小さい第２のスペーサ層４２を備える。 - 特許庁

In one embodiment, the semiconductor device includes a first field-effect transistor having a first layer of a semiconductor material and a first source/drain region formed in the first layer.例文帳に追加

一実施例において、半導体デバイスは半導体材料の第１の層と、第１の層中に形成された第１のソース／ドレイン領域を有する第１の電界効果トランジスタを含む。 - 特許庁

A first spacer layer 28 is on at least part of the active region surface between a gate electrode 24 and a drain electrode 22 and between the gate electrode 24 and a source electrode 20.例文帳に追加

第１のスペーサ層２８が、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。 - 特許庁

The select gate electrode SL may be formed on the semiconductor substrate between the floating gate 204a and the common source region CSL while the control gate electrode WL is formed.例文帳に追加

選択ゲート電極ＳＬは制御ゲート電極ＷＬを形成する間、浮遊ゲート２０４ａ及び共通ソース領域ＣＳＬの間の半導体基板上に形成することができる。 - 特許庁

To attain miniaturization of a common contact hole for commonly taking a source potential and a substrate potential in a semiconductor device including a channel formation region in stripe structure.例文帳に追加

ストライプ構造のチャネル形成領域を有する半導体装置において、ソース電位と基板電位を共通でとるための共通のコンタクトホールの小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

On the semiconductor layer, a gate electrode is provided via a gate insulation film, and a pair of source/drain regions is formed in the semiconductor layer so that a body region under the gate electrode is sandwiched.例文帳に追加

半導体層上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設され、ゲート電極の下のボディ領域を挟むように半導体層内に１対のソース／ドレイン領域が形成される。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an off-leak current hardly increases, even if a silicide region of nickel or nickel alloy is formed on a source and drain of an n-channel MISFET.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインにニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域を形成する場合であっても、オフリーク電流が増加しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

A HEMT according to this invention has a substrate 1 comprising a silicon, a semiconductor region 2 comprising a nitride semiconductor, a source electrode 3, a drain electrode 4, and a gate electrode 5.例文帳に追加

本発明に従うＨＥＭＴは、シリコンから成る基板１と窒化物半導体から成る半導体領域２とソース電極３とドレイン電極４とゲート電極５とを有する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor with little gate induced drain leakage current and an integrated circuit which includes a thin insulator structure between a gate electrode and a source/drain region.例文帳に追加

ゲート誘起ドレインリーク電流が少ない電界効果トランジスタ、および、ゲート電極とソース／ドレイン領域との間に薄い絶縁体構造物を含む集積回路を提供する。 - 特許庁

Then the contact plug 17 is formed across an internal surface of the contact trench 11 and the surface 31 of the epitaxial layer 3, and brought into contact with the source region 9 on respective surfaces.例文帳に追加

そして、コンタクトトレンチ１１の内面とエピタキシャル層３の表面３１とに跨るように、コンタクトプラグ１７を形成し、上記各面におけるソース領域９にコンタクトさせる。 - 特許庁

The source of Asia's economic growth, to date, has been its advanced production network, which was formed broadly in the region by internal and external direct investments and by the sale of exports from this network.例文帳に追加

これまでのアジアの経済成長の源泉は、域内外からの直接投資によって広く域内で形成された、高度な生産ネットワークであり、そこからの輸出であった。 - 経済産業省

A conductive pad 10 is provided inside a silicon oxide film 7, so as to enable its one edge face to be electrically connected to the source/ drain region and other edge face to be exposed on the surface of the silicon oxide film 7.例文帳に追加

一端面がソースドレイン領域６に導通し、他端面がシリコン酸化膜７の表面に露出するように、シリコン酸化膜７の内部に導電性のパッド１０を設ける。 - 特許庁

To provide an arc evaporation source which can generate a line of magnetic force elongating from the surface of a target to a direction of a base material in a wide region on the surface of the target.例文帳に追加

ターゲット表面から基材方向に伸びる直進性の高い磁力線を、ターゲット表面の広い領域において発生させることができるアーク式蒸発源を提供する。 - 特許庁

The information of target image data selected from target image data is acquired, and the information of source image data selected from an external image display region is acquired.例文帳に追加

置換先画像データから選択された置換先画像データの情報を取得し、さらにアルバム外画像表示領域から選択された置換元画像データの情報を取得する。 - 特許庁

A sub-reflecting surface 11 forms a downward-inclined surface having no step in an entire region from a semiconductor light source 6 to a second focal point F2 of a main reflecting surface 4 or the vicinity thereof.例文帳に追加

サブ反射面１１が半導体型光源６からメイン反射面４の第２焦点Ｆ２もしくはその近傍にかけて全体に亘って段差の無い下り勾配の傾斜面をなす。 - 特許庁

An n+ type source region 5 is surrounded by a field oxide film 3, and is adjacent to a channel stopper layer 11 at a position corresponding to the end of the film 3.例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域５は、フィールド酸化膜３に取り囲まれており、ｎ＋型ソース領域５とチャネルストッパー層１１とは、フィールド酸化膜３の端の位置において接している。 - 特許庁

To provide a simpler separate means in place of a conventional means by providing the region of an implantation substance between the source electrode of a field-effect transistor and a functional organic semiconductor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタのソース電極と機能性有機半導体層との間に注入物質の領域を設けることによって、従来に代わるより単純な別の手段を提供する。 - 特許庁

The sound signal processing part 2 selects a sound collection beam whose signal strength is the strongest from those sound collection beams Xc1 to Xc4, and detects a partial region where a sound source is present.例文帳に追加

音声信号処理部２は、これら集音ビームＸｃ１〜Ｘｃ４から最も信号強度の強い集音ビームを選択して、音源が存在する部分領域を検出する。 - 特許庁

The far-infrared sensor has a sensor MOS type field effect transistor operating in a sub-threshold region by applying voltage that is equal to or smaller than a threshold between the gate/source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのゲート・ソース間にしきい値以下の電圧を印加してサブスレッショルド領域で動作するセンサＭＯＳ形電界効果トランジスタを備えたことを特徴とするものである。 - 特許庁

A light, emitted from a laser beam source 110 is made into parallel rays of light and is made to be a light, which is removed of the central part of cross section of luminous flux by a mirror 130 and has only an obicula zone region.例文帳に追加

レーザ光源１１０から出射した光は平行光となり、ミラー１３０によって光束断面の中央部が除かれた輪帯領域のみを有する光となる。 - 特許庁

44. Small and medium enterprises (SMEs) are a significant source of prosperity and employment, and a major contributor to innovation, and thus are a growth engine of the Asia-Pacific region.例文帳に追加

４４． 中小企業は，繁栄と雇用の重要な源泉であるとともに，イノベーションの中心的な担い手であり，それゆえ，アジア太平洋地域における成長の原動力である。 - 経済産業省

Triangular Trade Structure is not a closed structure limited to the region; it is becoming a source of dynamism which stimulates growth in the world economy by deepening trade relationships between East Asia and the United States and Europe.例文帳に追加

三角貿易構造は域内だけの閉鎖的なものではなく、欧米との貿易関係の緊密化を通じて世界経済の成長をけん引するダイナミズムの源となっている。 - 経済産業省