「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The resistance of the antiferromagnetic ferroelectric film 15 is larger than the on resistance when the first and second source/drain regions 11a-1 and 11a-2 communicate with each other via a channel region 11c.例文帳に追加

反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 - 特許庁

The contoured-tub is preferably deeper under the source and/or drain regions than under the channel region.例文帳に追加

この輪郭付けされたタブ（あるいは深さを変化させたタブ(coutoured tub)は、チャネル領域の下よりもソース領域と（または）ドレイン領域の下でのほうがより深くなっていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the number of manufacturing processes by restraining re-diffusion of impurities from a source/drain region, and simplifying a process.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域からの不純物の再拡散を抑制し、かつ、プロセスを簡略化して製造工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a table lamp in which burden of eyes can be reduced by making small the difference of illuminance between a region directly illuminated by a light source and its surroundings.例文帳に追加

光源により直接照明される領域とその周囲の照度差を小さくして、目の負担を低減させることができる電気スタンドを提供すること。 - 特許庁

A ferroelectric thin film 102 is arranged between a channel region held between a pair of source and drain of the electric field effect type transistor and a gate electrode for control.例文帳に追加

その電界効果型トランジスタの１対のソース・ドレインに挟まれたチャネル領域と制御用ゲート電極との間には、強誘電体薄膜１０２が配置されている。 - 特許庁

An IGBT 11, which uses a signal-crystal silicon substrate as an active region has a gate electrode connected to a control signal source PG via a gate driver 13.例文帳に追加

単結晶シリコン基板を活性領域として用いるＩＧＢＴ１１は、ゲートドライバ１３を介して制御信号源ＰＧに接続されたゲート電極を有する。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a main surface of the substrate 1 and comprises source and drain regions 3a, 3b, 4a, 4b which are adjacent to each other via a channel region 6a.例文帳に追加

半導体層は、基板１の主表面上に形成され、チャネル領域６ａを介して隣接するソースおよびドレイン領域３ａ、３ｂ、４ａ、４ｂを含む。 - 特許庁

The local interconnect structure 60 is configured by a SiGe layer 61 formed over the top surface of the first source/drain region 29A and the gate wiring 42.例文帳に追加

局所配線構造６０は、第１のソースドレイン領域２９Ａ及びゲート配線４２の上面に跨って形成されたＳｉＧｅ層６１によって構成されている。 - 特許庁

An active region 210 is formed on a substrate, and a transistor is formed between adjacent active regions 210, thereby the active regions 210 form a source and a drain of the transistor.例文帳に追加

アクティブ領域210を基板に形成し、隣接するアクティブ領域210の間にトランジスタを形成することで、アクティブ領域210がトランジスタのソースとドレインを形成する。 - 特許庁

A channel region 5, a pair of source and drain regions, and a separation insulating film 2 having a trench separation structure are selectively formed on the main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面に、チャネル領域５、一対のソース・ドレイン領域、およびトレンチ分離構造をなす分離絶縁膜２が選択的に形成されている。 - 特許庁

The fin-type transistor is provided with the fin 10 of a semiconductor erected on a substrate and a source/drain extension region 12 formed on the side of the fin 10.例文帳に追加

フィン型トランジスタは、基板上に立設された半導体のフィン１０と、当該フィン１０の側面に形成されたソース／ドレイン・エクステンション領域１２とを備える。 - 特許庁

A gate contact hole 13 and a source contact hole 15 used to contact with the gate electrode 8 and the body contact region 10 are simultaneously formed by etching, respectively.例文帳に追加

そして、エッチングにより、ゲート電極８およびボディコンタクト領域１０それぞれとのコンタクトのための、ゲートコンタクトホール１３およびソースコンタクトホール１５を同時に形成する。 - 特許庁

To enable reduction of a layout area in a CMOS circuit having a source diffusion layer and a well region having the same potential as the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、ソース拡散層がウェル領域の電位と同電位になるＣＭＯＳ回路において、レイアウト面積を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, after a high concentration source/drain region 7 is formed sideward and beneath the side wall 6, nitrogen introduced layers 8a, 8b which are made amorphous by introducing nitrogen are formed.例文帳に追加

その後、サイドウォール６の側方下に高濃度ソース・ドレイン領域７を形成した後、窒素を導入してアモルファス化された窒素導入層８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based semiconductor element preventing the semiconductor layer interface of a gate region from deteriorating even if performing annealing treatment to source and drain electrodes.例文帳に追加

ソース電極やドレイン電極のアニール処理を行っても、ゲート領域の半導体層界面が劣化しないＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high luminance and a wide chromaticity region on a subject when the subject is illuminated by a lighting fixture using a light source having two peaks on spectrum.例文帳に追加

スペクトル上で２つのピークを持つ光源を用いた照明装置によって被照明体を照明したときに、その被照明体において高い輝度及び広い色度域を得る。 - 特許庁

To form a source/drain region without n^+ spikes nor p^+ spikes due to a facet resulting from selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンを選択的にエピタキシャル成長させるために生じるファセットに起因するｎ^＋スパイクおよびｐ^＋スパイクを生じないようにソース／ドレイン領域を形成すること。 - 特許庁

The control system includes a first actuator valve 102 for selectively connecting a first cylinder chamber 114 for range to a pneumatic source 104 when a driver of an automobile performs gear change in a high speed region.例文帳に追加

自動車の運転手が高速域での変速操作をする際に、レンジ用第１シリンダチャンバ114を気圧源104まで選択的に連結する第１アクチュエータ弁102を含む。 - 特許庁

Each of the first and second source/drain regions includes a crystal material, having a lattice constant and a gap different from that in the channel region.例文帳に追加

第１および第２のソース／ドレイン領域の各々は、チャネル領域における格子定数または間隙とは異なる格子定数または間隙を有する結晶材料を含む。 - 特許庁

A common source contact is positioned on a dopant region of the earth selecting transistor, and a first low voltage contact is positioned on a dopant of the low voltage transistor.例文帳に追加

接地選択トランジスターの不純物領域の上に共通ソースコンタクトが位置し、低電圧トランジスターの不純物領域の上に第１低電圧コンタクトが位置する。 - 特許庁

To suppress the short channel effect in forming pocket regions on a semiconductor substrate without increasing the junction capacitance between a source-drain diffusion region and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にポケット領域を形成する場合に、ソース・ドレイン用拡散領域と半導体基板間の接合容量を増大させることなく、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

A source electrode 9 and a drain electrode 10 have a horizontally T-shaped part 91 or 101 in a region, where these electrodes 9 and 10 are overlapped horizontally with a semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１０はそれぞれ、半導体層７と平面的に重なる領域に平面がＴ字形状を成す部分９１，１０１を備えている。 - 特許庁

Thereafter, a second impurity of the first conductivity type is ion implanted into the silicon substrate 101 and flash lamp annealing is performed thereon, so that an n-type source-drain region 109 is formed.例文帳に追加

その後、第一導電型の第二不純物をシリコン基板１０１にイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｎ型ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

A difference processing part 14 generates bronchial emphasis volume data for which the bronchial region is emphasized by differentiating the generated replaced volume data and the source volume data.例文帳に追加

差分処理部１４は、発生された置換ボリュームデータと原ボリュームデータとを差分することにより、気管支の領域が強調された気管支強調ボリュームデータを発生する。 - 特許庁

In this electron gun, an electron source for emitting electrons is formed in a closed region with an electron beam extraction hole formed.例文帳に追加

さらに、電子量の多い電子ビームを発生させても発散し広がってしまうと電子エネルギーを有効に利用できない問題点を解決する手段が望まれていた。 - 特許庁

Because it is not necessary to selectively form only transistors to operate as a switch, it is not necessary to form a region for ion implant for forming the source/drain for each transistor.例文帳に追加

スイッチとして動作させるトランジスタのみを選択的に形成する必要がないため、ソース・ドレイン形成用のイオン打ち込み領域をトランジスタ個別に形成する必要はない。 - 特許庁

The opening 3a of the shielding plate 3 is opened only at a region on which cluster ions emitted from a cluster ion source 1 are made incident to the lens 4 at an incidence angle of ≤30°.例文帳に追加

遮蔽板３の開口３ａは、クラスターイオン源１から照射されるクラスターイオンが３０度以下の入射角でレンズ４に入射する領域にのみ開口する。 - 特許庁

The source electrode 24 and the drain electrode 25 are connected onto the main surface of the semiconductor film 4 via ohmic contact films 5 arranged to hold a channel region 28.例文帳に追加

そして、半導体膜４の主面上に、チャネル領域２８を挟むように配置されたオーミックコンタクト膜５を介してソース電極２４及びドレイン電極２５を接合する。 - 特許庁

Each of the semiconductor memory 32 and the semiconductor switching element 31 has a gate electrode 3, a pair of source/drain regions 13 and 13, and a channel forming region 19.例文帳に追加

半導体スイッチング素子３１，半導体記憶素子３２はそれぞれ、ゲート電極３と、一対のソース／ドレイン領域１３，１３とチャネル形成領域１９を有する。 - 特許庁

This electron emission source 102 comprises a flat emission region 114 for generating electron emission and focusing structures 118, 120 for converging the electron emissions into an electron beam.例文帳に追加

電子源（１０２）は、電子放射を生成するための平坦な放射領域（１１４）と、電子放射を電子ビームに集束させるための集束構造（１１８、１２０）を備える。 - 特許庁

To inhibit etching of an island-like semiconductor film which is an active layer, in etching a raised region, in a semiconductor device having a raised source and drain structure.例文帳に追加

せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。 - 特許庁

In RESURF region 24, a drain electrode 12 of a field-effect transistor T is formed along the inner periphery, and a source electrode 10 is formed along the outer periphery.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ領域２４では、電界効果トランジスタＴのドレイン電極１２が内周に沿って形成され、ソース電極１０が外周に沿って形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a transistor having a buffer layer provided between a source electrode layer and a drain electrode layer, and a semiconductor layer forming a channel formation region.例文帳に追加

チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられたトランジスタを有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a new diazonium salt used as an analytical reagent or a heat-sensitive recording material and having excellent photodegradability for a light source in a 350-500 nm wavelength region.例文帳に追加

分析試薬や感熱記録材料に用いられ、３５０〜５００ｎｍの波長域の光源に対して優れた光分解性を有する新規なジアゾニウム塩を提供する。 - 特許庁

The light 2 emitted from an optical illumination system 1 having a prescribed light source which emits light rays having wavelengths other than the EUV wavelength region illuminates a mask 4 placed on a mask stage 3.例文帳に追加

ＥＵＶ波長域以外の所定の光源を有する照明光学系１から射出された照明光２は、マスクステージ３上に載置されたマスク４を照明する。 - 特許庁

When a multi-mode VCSEL is used for a light source, the highly accurate and reliable blood flow rate measuring apparatus is easily obtained without enlarging the area of a region to be measured.例文帳に追加

光源にマルチモードＶＣＳＥＬを使用することで、被測定部の面積を広げることなく、精度、信頼性とも高い血流速度測定装置を容易に得ることができる。 - 特許庁

Thereby a breakdown current flows to a source electrode connected with the outer peripheral side of the P-type active guard region 16 when breakdown is generated, and the breakdown current does not flow to the inner peripheral side.例文帳に追加

これにより、降伏が起きた際には、ｐ型アクティブガード領域１６の外周側に接続されたソース電極に降伏電流が流れ、内周側には流れない。 - 特許庁

To provide an EUV light source device keeping the density of gas of a plasma material in a discharge region in an adequate condition, and to provide an EUV light generation method.例文帳に追加

放電領域におけるプラズマ原料のガスの密度を適切な状態にすることが可能なＥＵＶ光源装置、並びに、ＥＵＶ発生方法を提供すること。 - 特許庁

A condition that the scattering radiation source distribution is a value close to 0 at the position of a subject corresponding to the region where the scattering radiation image indicates the value close to 0 especially is added.例文帳に追加

特に散乱線画像が０に近い値を示す領域に対応する被検体の位置において、散乱源分布が０に近い値であるという条件を付加する。 - 特許庁

When a main power source is turned on, boot is started, and when the SW is turned off, the most significant address signal A21 of the ROM 2 is not inverted, and boot is started from the high order bit region.例文帳に追加

主電源ＯＮによりブートが開始され、ＳＷオフではＲＯＭ２の最上位アドレス信号Ａ２１は非反転で、上位ビット領域よりブートが開始される。 - 特許庁

According to the structure, the area can be reduced significantly as compared with a connection structure of the n+ type source region 5 and the p+ type silicon substrate 1 employing a deep diffusion layer.例文帳に追加

この構成により深い拡散層によるｎ＋型ソース領域５とｐ＋型シリコン基板１の接続構造に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

The light guide plate of the surface light source unit at the lowermost layer is equipped with a light-emitting region for making light incident from the side face emitted from the surface of the light guide plate.例文帳に追加

最下層の面光源ユニットの導光板は、前記側面から入射した光を導光板の表面から射出させる光射出領域を有する。 - 特許庁

A rotational oxidizer off-gas conveyance driving source 5 is installed at the supply passage on the more down stream side of the joining region of the supply passage 2 and the off-gas returning passage 4.例文帳に追加

供給通路２とオフガスリターン通路４との合流域より下流側の供給通路に回転式の酸化剤オフガス搬送駆動源５が設けられている。 - 特許庁

In other words, overseas business activities of Japanese companies in the Asian region have become an important source of profit over the past few years (Fig.2.2.5).例文帳に追加

つまり、日本企業の過去約10年間の海外事業活動においては、アジア地域における活動が重要な収益源となっているという特徴が見てとれる（第2-2-5図）。 - 経済産業省

Subsequently, a passivation layer 18 is formed and a contact hole is formed on the passivation layer 18 by etching, then, the contact hole is filled with transparent conductive material A whereby the connection of the source region 16, the drain region 17 and the data line 15 is finished.例文帳に追加

そしてパッシベーション層１８を形成し、エッチングによりパッシベーション層１８にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールに透明導電性材料Ａを充填することにより、ソース領域１６とドレーン領域１７とデータライン１５との接続を完成する。 - 特許庁