「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

The bone disease evaluation system comprises: a detector for detecting a phase contrast image of the transmitting radiation irradiating a bone from a radiation source; a concerned region setting part for setting a concerned region from the phase contrast image detected by the detector; and a direction determining part for determining the direction of profiling the bone from the concerned region.例文帳に追加

この骨疾患評価システムには、放射線源から骨に対して照射され、透過した放射線の位相コントラスト画像を検出する検出器と、検出器により検出された位相コントラスト画像から関心領域を設定する関心領域設定部と、関心領域から骨のプロファイル方向を判断する方向判断部とが備えられている。 - 特許庁

In addition, a layer that does not contain an impurity element giving the one conductivity-type or a layer of considerably lower concentration of an impurity element that gives the one conductivity-type than others is provided between a pair of semiconductor films functioning as a source region or a drain region and a layer containing an impurity element functioning as the channel formation region.例文帳に追加

また、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物元素を含む一対の半導体膜と、チャネル形成領域として機能する不純物元素を含む層との間に、一導電型を付与する不純物元素を含まない、もしくは他の層に比べて一導電型を付与する不純物元素の濃度が著しく低い層を設ける。 - 特許庁

The illuminator is provided with a first wavelength selecting section which makes narrower the wavelength region of the light emitted from a light source section having an infrared-ray cutting function, an optical system which guides the light from the first wavelength region selecting section, and a second wavelength selecting section which makes narrower the wavelength region of the light guided by the optical system.例文帳に追加

赤外線カット機能を有する光源部から出射された光の波長帯域を狭くする第１の波長選択部と、前記第１の波長選択部からの前記光を導光する光学系と、前記光学系によって導光された前記光の波長帯域を狭くする第２の波長選択部とを有する照明装置を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a drain region and a source region by implanting impurity ions corresponding to a channel of a transistor to be formed, resist is formed at least on a peripheral part of the gate oxide film beforehand so as not to implant the impurity ions to the lower layer region of the peripheral part of the gate oxide film of the high breakdown voltage MOS transistor.例文帳に追加

形成するトランジスタのチャネルに応じて不純物イオンを注入することにより、ドレイン領域およびソース領域を形成する際に、あらかじめ、高耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の周辺部の下層領域に、不純物イオンが注入まれないように、少なくともゲート酸化膜の周辺部上にレジストを形成する。 - 特許庁

The gate interconnection 14 and the source interconnection 13 are each connected to a different N^+-type region 10, the planar shapes of two P-type regions 11 adjacent to the N^+-type region 10 differ between the N^+-type regions 10, and the planar shapes of the two N^+-type regions 10 adjacent to the P-type region 11 differ.例文帳に追加

ゲート配線１４およびソース配線１３は、それぞれ異なるＮ^＋型領域１０に接続されており、それらのＮ^＋型領域１０の間において、Ｎ^＋型領域１０に接する２つのＰ型領域１１の平面形状が異なり、Ｐ型領域１１に隣接する２つのＮ^＋型領域１０の平面形状が異なっている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer 18 formed on an insulating layer 16, a gate electrode 22 formed on the semiconductor layer via a gate insulating film 20, a source/drain region 24 formed at the semiconductor layers of both sides of the gate electrode, and a semiconductor region 14 embedded in the layer 16 of the lower region of the gate electrode.例文帳に追加

絶縁層１６上に形成された半導体層１８と、半導体層上にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側の半導体層に形成されたソース／ドレイン領域２４と、ゲート電極の下方領域の絶縁層１６に埋め込まれた半導体領域１４とを有している。 - 特許庁

The transistor 100 is provided with a gate insulating layer 102 placed above the layer 10, a gate electrode 106 placed above the layer 102, and includes in the layer 10 a first dopant region 120 of first conductive type that is to be a source region or a drain region.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ１００は、前記半導体層１０の上方に設けられたゲート絶縁層１０２と、前記ゲート絶縁層１０２の上方に設けられたゲート電極１０６と、前記半導体層１０に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる第１の導電型の第１不純物領域１２０とを含む。 - 特許庁

The laser device 1 has a beam source 10 outputting laser beams and an elastic-wave generator 20 generating progressive elastic waves Bragg-diffracting laser beams in a medium in a specified region, in which laser beams output from the beam source 10 are projected.例文帳に追加

レーザ装置１は、レーザ光を出力する光源部１０と、光源部１０から出力されるレーザ光が入射する所定領域の媒質において該レーザ光をブラッグ回折させる進行弾性波を発生させる弾性波発生部２０と、を備える。 - 特許庁

A cross-sectional area deducting part 12 obtains the cross-sectional area of the target region for a point source 4 disposed outside a subject M based on the information on the form (absorption correction data) obtained by gamma rays which are emitted from the point source 4 and which transmit the subject M.例文帳に追加

被検体Ｍの外部にある点線源４について、その点線源４から照射されて被検体Ｍを透過したγ線により求められた形態情報（吸収補正データ）に基づいて、断面積導出部１２は対象部位の断面積を求める。 - 特許庁

The detection region 121, the slab type spectroscopic part 108, the light detection part 111, and the control circuit 114 are formed in one and the same manufacturing process by a heretofore known silicon processing technology, a light source 105 and the power source part are easily integrated by mounting.例文帳に追加

検出領域１２１，スラブ型分光部１０８，光検出部１１１、制御回路１１４は、公知のシリコン加工技術により同一の製造課程で形成可能であり、光源１０５や電源部は、装着することで一体化することが容易である。 - 特許庁

To integrally mount a camera and a light source without deteriorating a lighting function by making it difficult for lights of the light source to be incident on the camera and evenly emitting bright lights to an almost entire region of a translucent cover, in a lighting fixture for a vehicle mounted to a side face of a vehicle body.例文帳に追加

車体側面に装着される車両用灯具において、光源の光をカメラに入射しにくくし、透光カバーのほぼ全域を均一に明るく発光させ、照明機能を低下させることなく、カメラを光源と一緒に搭載する。 - 特許庁

The electrostatic induction transistor 32 is of a vertical MOS structure equipped with a trench gate, the electrostatic capacitor 30 is formed on the surface of the electrostatic induction transistor 32, and a capacitance insulating film is formed on a source region and connected between a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

静電誘導トランジスタ３２は、トレンチゲートを備えた縦型のＭＯＳ構造であり、静電容量３０は静電誘導トランジスタ３２の面上に形成され、ソース領域上に容量絶縁膜を形成し、ソース電極、ドレイン電極間に接続される。 - 特許庁

To provide a color filter having a high-brightness blue region, being favorably used by being combined with a light source having low-brightness green and red regions and, when being used as a display device, having the brightness similar or more compared with a case having a CCFL light source.例文帳に追加

青色領域の輝度が高く、緑色と赤色の領域の輝度が低い光源と好適に組み合わせて用いられ、表示装置とした際にＣＣＦＬ光源を備えた場合に比べて輝度を同等以上とすることができるカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

The imaging device also includes: a distance sensor 117 which detects the distance to the object; a sensor driving source 118 which changes the direction of the distance sensor 117; and a microcomputer 114 which controls the sensor driving source 118 according to the object region obtained by the face detection part 116.例文帳に追加

また、被写体までの距離を検出する距離センサ１１７と、距離センサ１１７の方向を変更させるセンサ駆動源１１８と、顔検出部１１６から得られた被写体領域に応じて、センサ駆動源１１８を制御するマイコン１１４とを備える。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

Alternatively, there may be arranged a protruding region where the oxide semiconductor layer 23 is exposed from an edge of the source electrode 25S or the drain electrode 25D along a side facing a side lapped with a channel protective layer 24 of the source electrode 25S or the drain electrode 25D.例文帳に追加

あるいは、ソース電極２５Ｓまたはドレイン電極２５Ｄのチャネル保護層２４に重なる辺に対向する辺に沿って、酸化物半導体層２３がソース電極２５Ｓまたはドレイン電極２５Ｄの端から露出しているはみ出し領域を設けてもよい。 - 特許庁

A plurality of second conductance type highly doped source drains are disposed adjacent the tops of the trenches in the upper layer and each source region extends from the upper surface down to a depth in the upper layer so as to overlap with the conductive material in the trench.例文帳に追加

複数の第２のコンダクタンス型の高度にドープされたソース領域が各トレンチの上部に隣接して上部層に配置され、各ソース領域はトレンチ内の導電性材料との間でオーバーラップするように上部層内の深さにまで上部表面から延びている。 - 特許庁

An ion source assembly main body 220 includes an ion source chamber 212 where ionization materials 116, 120 are supplied from solid materials 228, 232 in a region between a filament 204 and a reflection board 206 and arms of an RF antenna 128 and an ion plasma 214 is generated.例文帳に追加

イオン源アッセンブリ本体２２０は、フィラメント２０４と反射板２０６間の領域、及びＲＦアンテナ１２８のアーム間で、固体材料２２８、２３２からイオン化材料１１６及び１２０が供給され、イオン・プラズマ２１４を創り出すイオン源室２１２を備える。 - 特許庁

The gist includes: to form a low-resistance oxide semiconductor layer as a source or drain region after forming a drain or source electrode layer over a gate insulating layer; and then to form an oxide semiconductor film thereover as a semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層上に、ドレイン電極層またはソース電極層を形成した後、低抵抗な酸化物半導体層をソース領域またはドレイン領域として形成し、その上に半導体層として酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 - 特許庁

A first insulating layer 22 having the gate opening and source/ drain openings is formed on a substrate, an LDD resist mask is formed on the first insulation layer, and ions are implanted through the source/drain openings so as to form a lightly doped first drain region 34 on the substrate.例文帳に追加

基板上にゲート開口部とソース／ドレーン開口部を有する第一絶縁層２２を形成し、第一絶縁層上にＬＤＤレジストマスクを形成し、基板に軽くドープした第一ドレーン領域３４を形成すべくソース／ドレーン開口部を通じてイオンを打ち込む。 - 特許庁

The wide band gap semiconductor device includes a p+ type region 300 having an annular pattern in which a source Schottky trench 7b deeper than a gate trench 7a surrounds a surface pattern of the gate trench 7a on a surface, and the source Schotkky trench 7b is in contact with a bottom.例文帳に追加

ゲートトレンチ７ａの深さより深いソースショットキートレンチ７ｂが前記ゲートトレンチ７ａの表面パターンを表面で取り巻く環状パターンを有し、前記ソースショットキートレンチ７ｂが底部に接するｐ^+型領域３００を備えるワイドバンドギャップ半導体装置。 - 特許庁

The device includes a heat source 5 for heating the outer surface of the shaping roll 2 and a reflection means 6 which reflects radiation heat from this heat source 5 and permits the vicinity of the transfer beginning position 8a of the transfer region 8 on the outer surface of the shaping roll 2 to be irradiated and heated.例文帳に追加

賦型ロール２の外表面を加熱するための熱源５と、この熱源５からの放射熱を反射して賦型ロール２の外表面において転写領域８の転写開始位置８ａの近傍を照射させて加熱する反射手段６とを含む。 - 特許庁

Thereby, even if temperature of the light source when information is recorded in the information recording medium is different from the temperature of the light source when recording condition is set last time, a optimum recording condition can be set newly without consuming a test writing region.例文帳に追加

それにより、情報記録媒体に情報を記録する際の光源の温度が、前回記録条件を設定したときの光源の温度と異なっていても、試し書き領域を消費することなく、新たに最適な記録条件を設定することができる。 - 特許庁

A low voltage resistance transistor shown in Fig.2(a) includes: a gate insulating film 15 and a first gate electrode 16 which are formed on a first region of a substrate 11 between source and drain regions 13, 14; and silicide layers 13A, 14A formed on the source and drain regions 13, 14.例文帳に追加

（ａ）に示す低耐圧トランジスタは、ソース／ドレイン領域１３，１４間の基板１１の第１領域上に形成されたゲート絶縁膜１５及び第１ゲート電極１６と、ソース／ドレイン領域１３，１４上のシリサイド層１３Ａ，１４Ａとを備える。 - 特許庁

The voltage generation circuit is provided with, for example, a plurality of NMOS transistors MN1 and MN2 whose source/drain paths are serially connected and a constant current source IS1 for operating the MN1 and MN2 in a sub-threshold region between a power supply VCC and a ground power supply voltage GND.例文帳に追加

例えば、電源電圧ＶＣＣと接地電源電圧ＧＮＤの間に、ソース−ドレイン経路が直列接続される複数のＮＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２と、ＭＮ１，ＭＮ２をサブスレッショルド領域で動作させるための定電流源ＩＳ１を備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory integrated circuit device includes a semiconductor substrate, a source and a drain formed in the semiconductor substrate, a stepped recess channel formed between the source and the drain, a trap structure including a multitude of nano-crystals for storing electric charge laid out on a region of the stepped recess channel, and a gate on the trap structure.例文帳に追加

半導体基板、半導体基板内に形成されたソース／ドレーン、ソース／ドレーンの間に形成されたステップリセスチャネル、ステップリセスチャネル領域上の多数の電荷貯蔵ナノクリスタルを含むトラップ構造物及びトラップ構造物上のゲートを含む。 - 特許庁

A source region of each MOSFET is electrically connected to a common pad 200 for the source through a contact plug 102a, a first wiring layer 100a, a via 112a, a second wiring layer 110a, a via 122a, and a third wiring layer 120a.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴのソース領域は、コンタクトプラグ１０２ａ、第１の配線層１００ａ、ビア１１２ａ、第２の配線層１１０ａ、ビア１２２ａおよび第３の配線層１２０ａを経由して共通のソース用パッド２００に電気的に接続されている。 - 特許庁

Light emitted from the LED light source 160L2 and the LED light source 160R2 on the side of central region of a thinned array of light sources is reflected, respectively, on the left outer wall surface 171LS and the right outer wall surface 171RS toward the upper surface side of a table.例文帳に追加

光源配置を間引いた光源列の中央領域側のＬＥＤ光源１６０Ｌ２とＬＥＤ光源１６０Ｒ２光を左方外壁面１７１ＬＳと右方外壁面１７１ＲＳでそれぞれ反射させて、テーブル上面の側に向ける。 - 特許庁

The source electrode 11 and the drain electrode 12 are higher than the gate electrode 2 whereby the silicide of gate electrode 2 is effected completely, even when the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed so as to stay in the shallow region of the semiconductor substrate 1 through the diffusion of metal from the upper surfaces thereof.例文帳に追加

ゲート電極２よりソース及びドレイン電極１１、１２が高いから、ソース及びドレイン電極１１、１２を上面からの金属拡散により半導体基板１の浅い領域に留まるように形成しても、ゲート電極２は完全にシリサイド化される。 - 特許庁

To prevent an eye-like high-luminance region from being generated, at an edge of a flexible printed board or a shading member in the vicinity of a light source by light having leaked from the flexible printed board, covering a gap between a lightguide plate and the light source or a gap between the shading member and the lightguide plate.例文帳に追加

導光板と光源との間の隙間を覆うフレキシブルプリント基板や遮光部材と導光板との間の隙間から漏れた光により、光源の近傍でフレキシブルプリント基板や遮光部材の縁に目玉状の高輝度領域が生じるのを防止する。 - 特許庁

This configuration makes it possible to attract an electric field of a portion surrounded by the source electrode 21 of the second drain plug 33 by a source potential and to somewhat suppress an electric field from the surrounded portion to the "boundary between the portion below the gate electrode 11 and the drain region 5".例文帳に追加

このような構成であれば、第２ドレインプラグ３３のソース電極２１によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極１１下とドレイン領域５との境界部分」への電界がある程度抑えられる。 - 特許庁

Light source devices (310 and 311) are respectively provided to the respective inspection surfaces on the front and back sides of the disk (12) one by one and an optical fiber (312 or 313) is branched from one light source device (310 or 311) to symmetrically illuminate the inspection region of the disk (12) from two directions (left and right).例文帳に追加

ディスク（12）の表面側及び裏面側の各検査面に対して、それぞれ１台ずつ光源装置（310,311）を備え、１台の光源装置（310又は311)から光ファイバー（312又は313）を２分岐して、ディスク検査領域に対して２方向（左右）から対称的に照明する。 - 特許庁

An adhesive layer-cum-leak light preventing layer 102 having a reflective face in the light source 110 side is disposed between the liquid crystal display panel 101 and the surface light source 110 so as to shield the non-display region 101b of the liquid crystal display panel 101.例文帳に追加

液晶表示パネル１０１と面光源１１０との間には、液晶表示パネル１０１の非表示領域１０１ｂを遮蔽するように、面光源１１０側が光反射面に構成された接着層兼光漏防止層１０２が設けられている。 - 特許庁

A source region improved in conductivity is formed by irradiating a semiconductor layer formed of amorphous oxide containing In, Ga and Zn with an ultraviolet ray, and auxiliary capacitance lines are formed between pixel electrodes and the source electrode through an insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。 - 特許庁

In the driving substrate 50, a switching element Tr1 is formed which includes a drain D1 and a source S1 provided apart from each other on a surface of a semiconductor substrate, and a gate insulating film 4 and a gate G1 laminated in order in a region between the drain and the source.例文帳に追加

駆動基板５０には、半導体基板１の表面に互いに離間して設けられたドレインＤ１及びソースＳ１とこれらの間の領域に順次積層されたゲート絶縁膜４及びゲートＧ１とを有するスイッチング素子Ｔｒ１が形成されている。 - 特許庁

The backlight assembly 40 includes a light source 41 which emits light, and an incident face 101 of the light onto which the light emitted from the light source 41 is made incident, and which guides the light, and a diffusion region of the light is formed on the incident face 101 of the light.例文帳に追加

バックライトアセンブリー４０は、光を出射する光源４１、及び光源４１から出射された光が入射されて、当該光を案内する光の入射面１０１を含み、前記光の入射面１０１には光の拡散領域が形成される。 - 特許庁

Each of transistor elements comprises a drain 4 and a source 5 configured with a n-type diffusion layer, a gate 3 formed on a channel region between the drain 4 and the source 5, and the well contact 1 configured of a p-type diffusion layer at a position adjacent to the drain 4.例文帳に追加

各トランジスタ素子は、Ｎ型拡散層により構成されたドレイン４及びソース５と、ドレイン４とソース５との間のチャネル領域上に形成されたゲート３と、ドレイン４に隣接する位置にＰ型拡散層により構成されたウェルコンタクト１とを有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which does not waste electric power by suppressing supply of light of a light source to an image display region where image data are not displayed.例文帳に追加

画像データの表示が行われない画像表示領域に対する光源の光の供給を抑制し無駄に電力を消費することのない液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In the memory array region 11, bit lines BL0-BL5 which extend in the Y-direction, and word lines WL0-WL2 and source lines SL1-SL3 extend in the X-direction, orthogonal to the Y-direction.例文帳に追加

メモリアレイ領域１１において、ビット線ＢＬ0〜ＢＬ5はＹ方向に延びており、ワード線ＷＬ0〜ＷＬ2、ソース線ＳＬ1〜ＳＬ3はＹ方向と直交するＸ方向に延びている。 - 特許庁

To provide a fine light emitting element capable of effecting radiation light at high strength in a region, having a width shorter than the wavelength of the light source and a method for manufacturing the fine light emitting element.例文帳に追加

光源の波長より短い幅を有する領域において強い強度で光照射をすることができる微細発光素子及び微細発光素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

An XY table is controlled to be driven for moving a capacitor on a PCB into an imaging region of a high-speed camera and the PCB is irradiated with a RGB light from each light source.例文帳に追加

ＸＹテーブルを駆動制御して、高速カメラの撮像領域内にＰＣＢ上のコンデンサを移動させ、各光源からそれぞれＲＧＢの光をＰＣＢに対して照射する。 - 特許庁

In the apparatus, a light source 4 which is disposed in a detecting head 3 irradiates a surface of a steel sheet 1 with parallel light having wavelength values in the visible region at a large incident angle θ of approximate 90 degrees.例文帳に追加

検出ヘッド３中には、光源４が設けられ、鋼板１の表面に、可視域の波長の平行光を入射角θが９０度近くの大きな角度で照射している。 - 特許庁

Source/drain regions 17 separated by a channel region 12 include the n-type impurity regions (n^- regions) 171 of low concentration and the n-type impurity regions (n^+ regions) 172 of high concentration.例文帳に追加

チャネル領域１２を隔てたソース・ドレイン領域１７は、低濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^−領域）１７１及び高濃度のＮ型不純物領域（Ｎ^＋領域）１７２を含む。 - 特許庁

Furthermore, a processing object image as the object of processing is corrected with the obtained color information of the light source, so that it is possible to accurately detect the shading region of the processing object image.例文帳に追加

さらに、処理対象となる処理対象画像に対して、取得した光源の色情報で補正することで、前記処理対象画像の陰影領域を正確に検出し、除去する。 - 特許庁

To prevent short circuiting between a gate electrode and a source electrode, in a process of forming gate section and an active section of a trench lateral power MOSFET where an extended drain region is formed in a trench.例文帳に追加

拡張ドレイン領域をトレンチ内部に形成したトレンチラテラルパワーＭＯＳＦＥＴのゲート部と活性部を形成する工程において、ゲート電極とソース電極との短絡を防止する。 - 特許庁