「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma light source and a plasma light generating method that achieve higher output of EUV light by substantially shortening an emission cooling time of excitation level at which EUV light in an effective wavelength region (nearby 13.5 nm) is emitted.例文帳に追加

有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発する励起準位の輻射冷却時間を実質的に短縮し、ＥＵＶ光の高出力化を達成できるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sound absorbing material capable of absorbing a wide range of sounds in a frequency region of high sensitivity in human ears or efficiently absorbing sounds from a specific sound source, and a soundproof panel using the sound absorbing material.例文帳に追加

人間の耳において感度が高い周波数領域で、広い範囲の音を吸収し、あるいは特定の音源からの音を効率良く吸収できる吸音材を提供し、併せてその吸音材を用いた防音パネルを提供する。 - 特許庁

To suppress age deterioration on data stored in a semiconductor device in which a charge is held in a node electrically connected to one of a source and a drain of a transistor whose channel region includes an oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続されたノードにおいて電荷の保持を行う半導体装置に記憶された情報の経時変化を抑制すること。 - 特許庁

The memory cell transistor includes a first insulating film 102a on the semiconductor substrate, a charge storage layer 104, a second insulating film 106a made of aluminum oxide, a first control gate electrode 108a, and a first source/drain region.例文帳に追加

メモリセルトランジスタは、半導体基板上の第１の絶縁膜１０２ａと、電荷蓄積層１０４と、アルミニウム酸化物である第２の絶縁膜１０６ａと、第１の制御ゲート電極１０８ａと、第１のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

By selectively depositing in the region of a gate electrode that is respectively provided in a set of a semiconductor, an insulator and a conductor and a set of source/drain electrodes and formed in the post-process, an array of a thin film transistor is formed.例文帳に追加

そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 - 特許庁

Also, a diffused layer 115 of impurities of reverse conductive type, in which impurities contained in the semiconductor layer 114 are diffused through the side of the first groove 111 which functions as source/drain, is formed in an active region 102.例文帳に追加

また、活性領域１０２には第１の溝１１１の側部を通して半導体層１１４に含まれる不純物が拡散してソース・ドレインとして機能する逆導電型不純物の拡散層１１５が形成される。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having high sensitivity to an exposure light source of a short-wavelength region, a method for manufacturing this electrophotographic photoreceptor, and an electrophotographic apparatus using this electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

短波長領域の露光光源に対して高い感度を有する電子写真感光体、この電子写真感光体を製造する製造方法、およびこの電子写真感光体を用いた電子写真装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen.例文帳に追加

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

First and second low concentration channel injection regions 44, 46 having the substantially same impurity concentration as the substrate 36 are formed between the high concentration channel injection region 42 and the first and second source drain regions 48, 50, respectively.例文帳に追加

高濃度チャネル注入領域４２と第１および第２ソースドレイン領域４８，５０との間に、それぞれ、基板３６とほぼ同じ不純物濃度を有する第１および第２低濃度チャネル注入領域４４，４６を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 19 which is electrically insulated from the embedded electrode 17 is formed in the region from the source layer 14 to the drift layer 12 by way of the well layer 13, in the trench 15, through a second insulating film 18.例文帳に追加

、また、トレンチ溝１５内のソース層１４からウエル層１３を通りドリフト層１２に至る領域に、第２の絶縁膜１８を介して埋め込み電極１７と電気的に絶縁されてゲート電極１９が形成されている。 - 特許庁

The horizontal cutoff line is formed by selectively using light reflected by a reflection region Za located in the almost front direction of the light emitting chip 22, out of light from the first light source 16 reflected by the first reflector 18.例文帳に追加

そして、第１リフレクタ１８で反射した第１光源１６からの光のうち、発光チップ２２の略正面方向に位置する反射領域Ｚａで反射した光を選択的に利用して水平カットオフラインを形成する。 - 特許庁

For forming openings in the comparatively thick insulation film on the drain-source forming region of the high withstand voltage transistor, etching is performed without reducing the width of the sidewall formed on the side of the gate of the lower withstand voltage transistor.例文帳に追加

高耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の比較的厚い絶縁膜に開口部が設けられる際には、低耐圧トランジスタのゲートの側方に形成されたサイドウォールの幅が小さくならないようにエッチングが実行される。 - 特許庁

A wavelength selection layer 1 to absorb light with a wavelength region of 550 nm to 620 nm and penetrate visible light with other wavelength regions is arranged on an optical path from an LED light source 3 to a light-emitting surface of a light guide plate 4.例文帳に追加

５５０ｎｍ〜６２０ｎｍの波長領域の光を吸収し、それ以外の波長領域の可視光を透過する波長選択層１をＬＥＤ光源３から導光板４の出光面までの光路上に設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a gate electrode arranged separately to the sidewall of a trench, capable of widening an allowance in a photolithography step of a photoresist for forming an n-source region.例文帳に追加

トレンチの側壁に分離されて配置されるゲート電極を有する半導体装置において、ｎソース領域形成用のフォトレジストのフォトリソグラフィ工程での余裕度を広げることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An outer edge part of a gate electrode is spaced at least about 0.5 μm apart from a source-drain region or the like wherein phosphorus as a gettering element is implanted for preventing segregation of nickel in an area near an outer edge part of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の外縁部を、ゲッタリング元素としての燐が注入されたソース・ドレイン領域等から少なくとも約０．５μｍ離隔するようにして、ゲート電極の外縁部近傍に於けるニッケルの偏析を防止する。 - 特許庁

Thus, since the nitride film 113 is retained on the metal electrode layer even when the film 106 is removed in the source region forming step, the metal electrode layer 111 can be prevented from being oxidized in the later heat treating step.例文帳に追加

これにより、ソース領域形成工程で、ゲート酸化膜１０６が除去されても、金属電極層上の窒化膜１１３は残るため、後の熱処理工程で金属電極層１１１が酸化されるのを防止することができる。 - 特許庁

In a read control circuit 114, when the data read from the monitor bit region 101 does not agree with predetermined data, the output voltage of a voltage source 107 for reference is adjusted by controlling a trimming circuit 108.例文帳に追加

読み出し制御回路１１４は、モニタービット領域１０１から読み出されたデータが予め定められたデータと一致しない場合には、トリミング回路１０８を制御して、参照用電圧源１０７の出力電圧を調節する。 - 特許庁

Then the titanium film 8 is formed on the silicon substrate 1 across the protection film 72, and then heat-treated as specified to subject the silicon substrate 1 and titanium film 8 to reaction, thereby forming a silicide layer 9 on the source/drain region 6.例文帳に追加

次に、この保護膜７２を介して、シリコン基板１上にチタン膜８を形成した後、所定の熱処理を行って、シリコン基板１とチタン膜８を反応させて、ソース／ドレイン領域６上にシリサイド層９を形成する。 - 特許庁

Since this flavonoid reacts with ultraviolet rays to emit fluorescence, it is accurately judged whether the fresh defect is present on the skins of the agricultral products 14 by irradiating the agricultural products 14 with light of the ultraviolet region from the light source 20.例文帳に追加

このフラボノイドは紫外線に反応して蛍光発光するため、光源２０から紫外線領域の光を農産物１４に照射することにより、農産物１４の表皮に生傷があるか否かを正確に判定することができる。 - 特許庁

Since the two-dimensional gas removal region 31 exists, concentration of an electron flow from the end of the source electrode 11 toward the end of the drain electrode 12 due to dynamic electric field variation can be avoided at the time of switching.例文帳に追加

２次元電子ガス除去領域３１の存在によって、スイッチング時の動的な電界変動によってソース電極１１の端部からドレイン電極１２の端部へ向かって電子流が集中することを回避できる。 - 特許庁

The buffer layer is provided between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer forming the channel formation region, and is provided particularly for relaxing the electric field in the vicinity of a drain edge and improving the withstanding voltage of the transistor.例文帳に追加

バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 - 特許庁

In the ferroelectric capacitor, the capacitor electrode film 7 connected to the via 6 formed on the source/drain region 2, and a ferroelectric film 8, are alternately repetitively formed in parallel with a semiconductor substrate 1 above the memory cell section.例文帳に追加

強誘電体キャパシタでは、メモリセル部上に半導体基板１に対して並行に、ソース／ドレイン領域２上に形成されるビア６に接続されるキャパシタ電極膜７と強誘電体膜８が交互に繰り返し形成される。 - 特許庁

To provide a field emission electron source capable of executing an X-Y matrix drive by dividing a field emission region consisting of particulate of electron emitting material into pixels.例文帳に追加

電子放出材料の微粒子からなる電界放出領域を画素に分割し、ＸＹマトリクス駆動を可能にした電界放出電子源、及びこの様な電界放出電子源を用いた薄型画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The distance (t) is decided so that light (L) from the gap of the reflection electrodes 11 does not reach a channel region 7a while generating multiple reflections between the source electrode 12 having high reflectance and the back surface of the reflection electrode 11.例文帳に追加

距離ｔは、反射電極１１の間隙からの光Ｌが、高反射率を有するソース配線１２と反射電極１１の裏面との間で多重反射をおこしてチャネル領域７ａに到達しないように決定される。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

The alloy layer 19 of a semiconductor and a metal is formed on the semiconductor connection layer 15A and a semiconductor around the same, and the source-drain region 11 and the storage node electrode 5 are electrically connected with the aid of the alloy layer 19.例文帳に追加

半導体接続層１５Ａおよび周囲の半導体部に半導体と金属の合金層１９を形成し、当該合金層１９によりソース・ドレイン領域１１とストレージノード電極５とを電気的に接続する。 - 特許庁

Ion 116 are implanted dense with the gate 106 and sidewalls 112 and 114 as the mask, and a dense doped region 118 as a source/drain is formed in the substrate 100 at both sides of the second sidewall 114.例文帳に追加

次にゲート１０６と第１及び第２のサイドウォール１１２，１１４をマスクとして濃イオン注入１１６を施し、第２のサイドウォール１１４両側の基板１００内にソース／ドレインとする濃ドーピング領域１１８を形成する。 - 特許庁

An indication of source is the name of a country, or of a region or locality in that country, that serves to designate goods originating therein whose quality, reputation or other characteristics can be attributed to that geographical origin. 例文帳に追加

出所表示とは，ある国又はその国の地域若しくは場所の名称であって，そこを原産とし，その品質，名声その他の特徴を当該地理的出所に帰属させることができる商品を指定するのに役立つものをいう。 - 特許庁

The area of an opening in the opening part 45a arranged so as to oppose a luminance peak region where the luminance of the light from the light source 23 becomes the highest on the emission face of the light guiding body 25 is set to be the smallest area.例文帳に追加

そして、導光体２５の出射面において光源２３からの光の輝度が最も高くなる輝度ピーク領域に対向して配された開口部４５ａについて、その開口面積を最も小さく形成する。 - 特許庁

The photodeposition gold plating method comprises setting a substrate 2 to be plated in an aqueous solution containing metal ions and a reducing agent and irradiating the substrate 2 with light in the ultraviolet region from a light source 6 to form a gold plating on the surface of the substrate 2 by a photodeposition reaction.例文帳に追加

金イオンと、還元剤を含む水溶液中にメッキを施す基板２を配置し、基板２に対して光源６から紫外線領域の光を照射して、光化学反応により、基板２表面に金メッキ膜を形成する。 - 特許庁

The voltage boosting method reduces the silicon region of an address/decoder, the degree of complexity of a decoder circuit is reduced, an address/decode/set-up time is reduced and no need is required to provide an excess voltage supply source for the address/decoder.例文帳に追加

この電圧昇圧方法は、アドレス・デコーダのシリコン領域を節減し、デコーダ回路の複雑度を低減し、アドレス・デコード・セットアップ時間を縮小し、アドレス・デコーダのために余分の電圧供給源を設けることを不必要にする。 - 特許庁

To provide a polarized-light irradiating device that can keep maximum incident angle of light incident on a polarizing element to be small, and that shows little changes in illuminance distribution within an irradiation region, even if the light source is tilted and irradiated.例文帳に追加

偏光素子に入射する光の最大入射角を小さく保つことができ、光源を傾けて照射しても光照射領域内の照度分布が大きく変化しない偏光光照射装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a reference current source circuit that outputs a constant reference current, even if surrounding environments such as temperature and power supply voltage change, in a power supply circuit operated in a minute current region in an order of nanoamperes.例文帳に追加

ナノアンペアオーダーの微小電流領域で動作する電源回路において、温度や電源電圧などの周囲環境が変化しても一定の基準電流を出力することができる基準電流源回路を提供する。 - 特許庁

A floating diffusion layer between the transfer gate and the reset gate, a light receiving element at a side of the transfer gate away from and opposite to the floating diffusion layer, and a source/drain region at a side of the reset gate away from and opposite to the floating diffusion layer, are formed.例文帳に追加

トランスファーゲート及びリセットゲートの間の浮遊拡散層、浮遊拡散層に対向したトランスファーゲートの一側の受光素子、及び浮遊拡散層に対向したリセットゲートの一側のソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured by a simple manufacturing method, capable of preventing a contact plug from becoming a high resistance, and causing no diffusion of constituting materials of the contact plug into a source-drain region.例文帳に追加

本発明は、コンタクトプラグの高抵抗化を抑制することができ、また当該コンタクトプラグの構成材料のソース・ドレイン領域への拡散が起こらず、かつ簡略な製造プロセスにより作製可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the optical head device in which light emitted from a light source is reflected by an information recording layer of an optical disk and guided to a photodetector, a hologram element in which a region is divided is provided in an optical path from the optical disk to the photodetector.例文帳に追加

光源から出射する光を光ディスクの情報記録層で反射し光検出器に導く光ヘッド装置において、光ディスクから光検出器までの光路中に、領域分割されたホログラム素子を設ける。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

To provide an indicating instrument capable of producing new illumination in which both a pointer and a background region of the pointer on a display panel are shown in different colors and suppressing load exerted on a drive source for moving the pointer.例文帳に追加

指針と、表示板上の指針の背景領域とを、異なる色で見せる斬新な照明演出を行うと共に、指針を移動させる駆動源にかかる負荷を抑制させることが可能な指示計器を提供すること。 - 特許庁

The transistors have source/drain diffusion regions 26, 27, 28, 29 on a silicon substrate, first channel regions 16 among the spread regions, and conductor layers 24 via first insulation layers 22 on the first channel region.例文帳に追加

駆動トランジスタは、シリコン基板上に、ソース／ドレイン拡散領域２６，２７，２８，２９と、それら拡散領域の間の第１チャネル領域１６とを有し、更に第１チャネル領域上に第１絶縁層２２を介して導電層２４を有する。 - 特許庁

A second voltage with a first polarity that is a positive voltage within a range of 5 to 9 V that has been set to a larger value than the first voltage in terms of an absolute value is supplied to a drain region 21 by the bias source and a switch block 30b.例文帳に追加

第一電圧は絶対値でおよそ２から３ボルトの範囲であり、第二電圧は絶対値でおよそ５から９ボルトの範囲、反対の極性を有する第三電圧は絶対値でおよそ３から８ボルトの範囲である。 - 特許庁

A source image I used for visual inspection is separated into images G_A, G_B, G_C, G_D in inspection regions A, B, C, D and a non-inspection region image H and the images G_A, G_B, G_C, G_D are made into individual image files and stored.例文帳に追加

外観検査に用いられた原画像Ｉを、各検査領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの画像Ｇ_Ａ，Ｇ_Ｂ，Ｇ_Ｃ，Ｇ_Ｄと非検査領域画像Ｈとに切り分け、画像Ｇ_Ａ，Ｇ_Ｂ，Ｇ_Ｃ，Ｇ_Ｄを個別の画像ファイルにして保存する。 - 特許庁

In this case, the luminance is controlled by a light source control part so as to reach a predetermined luminance value, later than a time point (time t1) of the completion of liquid crystal response and before the time (time t2) of switching of lighting of the linear light-emitting region.例文帳に追加

このとき、光源制御部は、液晶の応答が完了する時点（時間ｔ１）よりも遅く、かつ線状発光領域の点灯切替時（時間ｔ２）までの間に前記輝度が設定輝度に到達するように制御する。 - 特許庁

A connection layer 13 with low resistance which connects the position of the p type well region 4 connected to the source electrode 8 and the position right below the gate insulating film 5 below the gate insulating film 6 is provided at part of the insulating layer 11.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４におけるソース電極８に接続された部位とゲート電極６下のゲート絶縁膜５直下の部位とを接続する低抵抗の接続層１３が絶縁層１１の一部に設けられている。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 11, a gate insulating film 15 formed on the semiconductor substrate, a gate electrode constituted of a main constituent of silicon and formed on the gate insulating film, and a source/drain region formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたシリコンを主成分とするゲート電極と、半導体基板に形成されたソース・ドレイン領域とを有する。 - 特許庁