「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

In the shielding member against the radioactive substances, two or more kinds of radiation shielding materials whose shielding capabilities are different are used and a shield 51 made of a shielding material whose radiation shielding capability is highest is located in a region 5b which is closest to a radiation source.例文帳に追加

放射性物質用遮蔽部材は、遮蔽能力の異なる２種以上の放射線遮蔽材を使用し、最も放射線遮蔽能力の高い遮蔽材からなる遮蔽体５１を放射線源に最も近い領域５ｂに配置した。 - 特許庁

To provide a reflecting plate for a radiative heater devised to uniformly irradiate an intended object to be heated region with infrared ray radiated from a heat source and to uniformly distribute intensity of radiation on a surface to be heated, and manufacturing method therefor.例文帳に追加

熱源から放射された赤外線が、意図された被加熱対象物領域に均一に照射され、被加熱面に放射強度が均一に分布するように工夫した放射暖房機用反射板とその製作方法を提供する。 - 特許庁

While an effective region is scanned by a beam B1 with an upper stage polygon mirror 7a, the other beam divided by a luminous flux division means is reflected on a lower stage polygon mirror 7b and returned to the light source (beam B2' shown by hatching).例文帳に追加

上段のポリゴンミラー７ａにより、有効範囲内をビームＢ１で走査する間に、光束分割手段により分割されたもう一方のビームが下段のポリゴンミラー７ｂにより反射されて光源に戻っている（ハッチングで表示したビームＢ２’）。 - 特許庁

Then the semiconductor device has a source-drain region having an SiGe layer 8 which is buried in a recessed portion formed on a surface of the silicon substrate 1 with the gate electrode 4 interposed therebetween to induce strain in the channel formed on the surface of the silicon substrate 1 below the gate electrode 4.例文帳に追加

そして、ゲート電極４を挟むシリコン基板１表面に形成された凹部に埋め込まれ、ゲート電極４下のシリコン基板１の表面に形成されるチャネルに歪みを誘起するＳｉＧｅ層８を備えたソース・ドレイン領域を備える。 - 特許庁

In a second region including the detection center ALa of an alignment system ALG, a measurement light beam Ly2_2 is made incident on the grating from a light source 16Ya_2, and an optical detector 16Yb_2 receives a diffracted light beam Ly2_2 to measure position information.例文帳に追加

アライメント系ＡＬＧの検出中心ＡＬａを含む第２領域では、光源１６Ｙａ_２から計測光Ｌｙ２_２をグレーティングに入射させ、回折光Ｌｙ２_２を光検出器１６Ｙｂ_２を用いて受光して位置情報を計測する。 - 特許庁

To provide a light source device capable of stably supplying a target substance to a laser beam irradiation region by preventing a nozzle form clogged by a substance solidified as the target substance is cooled and by stabilizing the injecting direction of the target substance.例文帳に追加

ターゲット物質の冷却に伴って固化する物質によるノズルの目詰まりを防止し、ターゲット物質の噴射方向を安定させて、ターゲット物質をレーザビーム照射領域に安定的に供給することが可能な光源装置を提供する。 - 特許庁

A light beam at a return path that is emitted from a light source 101 and is reflected from an optical disk 106 is separated by a half mirror 102 and is split into a light beam through a specific region and that through the other regions by a hologram 109 for deflection.例文帳に追加

光源１０１から射出され、光ディスク１０６で反射された復路の光ビームをハーフミラー１０２で分離し、ホログラム１０９で特定領域を通過する光ビームとそれ以外の領域を通過する光ビームとに分割して偏向させる。 - 特許庁

A trench 41 extending to a field stopping layer 47 or a substrate 31 is formed in a semiconductor substrate where the field stopping layer 47, a drift layer 32, a current spreading layer 48, a body region 33, and a source contact layer are sequentially laminated on the substrate 31.例文帳に追加

基板３１の上にフィールドストッピング層４７、ドリフト層３２、電流広がり層４８、ボディー領域３３およびソースコンタクト層が順次積層された半導体基体に、フィールドストッピング層４７または基板３１に達するトレンチ４１を形成する。 - 特許庁

An X-ray source 110 positioned at a predetermined distance from an object 130 to continuously move along a linear path 200 relatively to the object transmits X-ray radiation through the region of the object at a plurality of predetermined locations.例文帳に追加

対象１３０から所定の距離に配置されており、対象に対して相対的な線形経路２００に沿って連続移動するＸ線源１１０は、複数の所定の位置において対象の領域にＸ線放射線を透過させる。 - 特許庁

To produce hot water about 90°C in utilizing condensation heat of an ice thermal storage type refrigerating device as a heat source of a heat pump for hot water supply, and to stably supply hot water throughout the year regardless of season, cold region and the like.例文帳に追加

氷蓄熱式冷凍装置の凝縮熱を給湯用ヒートポンプの熱源として利用する場合に、９０℃前後の温水を製造可能とし、かつ季節、寒冷地等に関係なく、年間を通して安定した給湯を可能とする。 - 特許庁

This microscope has a light source 1, a condenser lens 5, an opening 6a arranged in the front side focal position of the condenser lens 5, an objective lens 7 and a modulator 14 which is arranged in a position approximately conjugate with the opening 6a and has a region of transmittance T(%).例文帳に追加

光源１と、コンデンサレンズ５と、コンデンサレンズ５の前側焦点位置に配置された開口６aと、対物レンズ７と、開口６aと略共役な位置に配置されていて透過率Ｔ（％）の領域を持つ変調器１４とを備えている。 - 特許庁

The first transistor T1 has a source connected with the cathode of the photodiode PD, a drain connected with a row select line through which a drive signal is fed, and a gate connected with a first high potential power supply and operates in a sub-threshold region.例文帳に追加

第１トランジスタＴ１は、ソースがフォト・ダイオードＰＤのカソードに接続され、ドレインが行選択線に接続され該行選択線を介して駆動信号が供給され、ゲートが第１高電位電源に接続され、サブ・スレッショルド領域で動作する。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

A capacitive element 19 comprising a lower electrode 16, a capacitive dielectric film 17, and an upper electrode 18 is provided to be above a conductive plug 13 provided on a source diffusion region 30a of a MOS transistor 30.例文帳に追加

下部電極１６、容量絶縁膜１７及び上部電極１８からなる容量素子１９は、ＭＯＳトランジスタ３０のソース拡散領域３０ａ上に設けられた導電性プラグ１３のさらに上方に位置するように設けられている。 - 特許庁

To provide a double gate MOS transistor and a double gate CMOS transistor which reduce the whole transistor area, and a manufacturing method, while securing the contact area of the electrode sections of a source region and a drain area.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の電極部の接触面積を確保しながらトランジスタ全体の面積を小さくするようにした二重ゲートＭＯＳトランジスタおよび二重ゲートＣＭＯＳトランジスタ、その製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Following the relative positions detected by these sensors, the display image control 104 controls the light source array 101a to change the display content, constituting the image limited in the visually recognizable region by the light control element 101b.例文帳に追加

これらセンサにより検知された位置関係に応じて、表示映像制御装置１０４は、光線制御素子１０１ｂにより視認領域が制限された画像を構成する光の表示内容を変更するよう光源アレイ１０１ａを制御する。 - 特許庁

An integrator 94 comprising a plurality of lens elements is provided at an optical path M between a light source lamp 90 and the wafer W, and an attenuation filter 101 which intercepts a predetermined wavelength region K of the ultraviolet rays is provided just before the integrator 94.例文帳に追加

光源ランプ９０からウェハＷまでの間の光路Ｍには，複数のレンズ素子からなるインテグレータ９４が設けられ，インテグレータ９４の直前に，紫外線の所定の波長領域Ｋを遮断する減衰フィルタ１０１が設けられる。 - 特許庁

To make characteristics of a multi-electron source uniform, equalize an electron emission volume from an element by aligning element characteristics having non-linear characteristics against voltage at any given voltage region, and make the multi-electron characteristics almost uniform in a simple process.例文帳に追加

マルチ電子源の特性の均一化を図り、電圧に対する非線形の特性を有する素子特性を、任意の電圧領域で揃え、素子からの電子放出量を等化し、簡易な工程によりマルチ電子源の特性をほぼ同一にする。 - 特許庁

The layout design method for a semiconductor integrated circuit includes a dummy cell arrangement step (S2) of arranging a dummy cell (an inter-power-source capacity cell and a buffer cell) in a region where object wiring between a first logic cell and a second logic cell of layout data is arranged.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウト設計方法は、レイアウトデータにおける第１の論理セルと第２の論理セルの間の対象配線が配置される領域に、ダミーセル（電源間容量セル、バッファセル）を配置するダミーセル配置ステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

Indication of source shall mean the geographical name of a country, city, region or locality in its territory, which has become known as a center of extraction, production or manufacture of a given product or of provision of a given service. 例文帳に追加

出所表示とは，国，その領土内の都市，地方又は場所についての地理的名称であって，一定の製品の抽出，生産若しくは製造，又は一定のサービスの提供に係わる中心地として知られているものを意味する。 - 特許庁

To provide a surface light source device in which luminance unevenness in a region in the vicinity of the light incident end surface of a light guide body is hardly visually recognized and a specific light emission in the inclined direction in the vicinity of the light incident end surface is little, accompanying the thinning of the light guide body.例文帳に追加

導光体薄型化に伴う導光体光入射端面近傍の領域での輝度むらが視認されにくく、光入射端面近傍での斜め方向の特異的光出射が少ない面光源装置を提供する。 - 特許庁

A MOSFET 100 includes a semiconductor layer 103 of a p-type GaN layer formed on a substrate 101, and a gate electrode 108, a source electrode 106 and a drain electrode 107 formed on a channel region 103a with a gate oxide film 105 interposed therebetween.例文帳に追加

MOSFET１００は、基板１０１上に形成されたp型GaN層の半導体層１０３と、チャネル領域１０３ａ上にゲート酸化膜１０５を介して形成されたゲート電極１０８と、ソース電極１０６及びドレイン電極１０７とを備える。 - 特許庁

An organic layer 18 and a cathode electrode 19 are formed on the exposed electrode layer 15a, thereby forming an organic light emitting element 1a using the source/drain electrode layer 15 (electrode layer 15a) as an anode electrode in the region 10A.例文帳に追加

この露出した電極層１５ａ上に有機層１８およびカソード電極１９を形成することで、領域１０Ａに、ソース・ドレイン電極層１５（電極層１５ａ）をアノード電極として用いた有機発光素子１ａを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma light source and a plasma light generating method that emit EUV light in an effective wavelength region (nearby 13.5 nm) by heating plasma up to desired excitation level and greatly reducing heat input caused by Joule heating.例文帳に追加

プラズマを所望の励起準位まで加熱して有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発光させることができ、かつジュール加熱による入熱を大幅に低減することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。 - 特許庁

Then, the electrode layer 6 in a formation region of the insulating protection layer 5 (excluding the openings 5A, 5B) is irradiated with a laser beam L, and the electrode layer 6 is selectively removed by laser ablation to form a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

こののち、絶縁性保護層５の形成領域（開口部５Ａ，５Ｂを除く）における電極層６にレーザＬを照射し、その電極層６をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The emitting section of the light source 1 is disposed in an area other than a region where only zero order diffraction light and one order diffraction light interfere with each other or only the zero order diffraction light and minus one order diffraction light interfere with each other in a section where the zero order diffraction light exists.例文帳に追加

また、スケール２からの「０次回折光領域であって、０次回折光と１次回折光のみ、または０次回折光と−１次回折光のみが、干渉する領域以外の領域」に光源１の出射部を配置している。 - 特許庁

Further, the NMOS and the PMOS, whose gate electrodes 10n, 10p are constituted of the conductive type silicon film, same as the conductive type semiconductor region for the source drain, are formed in a second circumferential circuit unit which requires high-speed operation.例文帳に追加

また、高速動作が要求される第２の周辺回路部には、ゲート電極１０ｎ，１０ｐがソース・ドレイン用の半導体領域の導電型と同一の導電型のシリコン膜で構成されたＮＭＯＳ，ＰＭＯＳを形成するものである。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor, in which decrease in distinctness of an image in repeated use is small, even when a latent image is formed using a laser light in the wavelength region of 380-500 nm, in an image forming apparatus using a laser as a light source.例文帳に追加

レーザーを光源として用いる画像形成装置において３８０〜５００ｎｍの波長域のレーザー光を用いて潜像形成を行った場合でも、繰り返し使用時の画像の鮮明度の低下が小さい電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

Consequently, the leak current in the off state which is caused between the second source/drain region 102b and the signal wiring 202 during reverse driving with a high potential HIGH is equalized to that during reverse driving with a low potential LOW.例文帳に追加

これにより、反転駆動する際に第２のソース・ドレイン領域１０２ｂと信号配線２０２とにおいて生ずるオフ時のリーク電流を、高電位ＨＩＧＨでの駆動の場合と低電位ＬＯＷでの駆動の場合とのそれぞれにおいて等しくする。 - 特許庁

On a portion forming a PN junction with a source/drain region by the multi-doped layers, electrons are induced so as to be band-to-band tunneled and the tunneled electrons are accelerated in a prescribed reverse bias state to generate an avalanche phenomenon.例文帳に追加

前記複数層のドーピング層により、ソース／ドレイン領域とＰＮ接合を成す部分においては、電子がバンド間トンネリングとなるように誘導し、前記トンネルリングされた電子を所定の逆バイアス状態で加速させてアバランシュ現象が起こるようにする。 - 特許庁

For the p-type semiconductor layer 12, the impurity amount for each unit region is set higher than 3×1012/cm2 for avoiding entire depletion even if a reverse bias voltage is applied between the source electrode 13 and a drain electrode 14.例文帳に追加

このｐ型半導体層１２は、ソース電極１３とドレイン電極１４間に逆バイアスの電圧が与えられても、完全には空乏化しないようにその単位面積当たりの不純物量が３×１０^12／ｃｍ^2より多く設定されている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring the kinetic shape of an object of measurement precisely without causing uncertainty in relation to the wavelength of a light source even if the surface to be measured includes a discontinuous region.例文帳に追加

動的形状を測定するについて、被測定面が不連続領域を含む面であっても、光源波長に関連して不確定性を生じさせることなしに、被測定物の動的形状を高精度で測定できる方法を工夫すること。 - 特許庁

To prevent such inconvenience that an S/N of a signal processed by an analog circuit is deteriorated by power source noise put on a signal output from a digital circuit to the analog circuit and scattered in an analog circuit region.例文帳に追加

デジタル回路からアナログ回路に向けて出力される信号に電源ノイズが乗ってそのノイズがアナログ回路領域にばらまかれることによって、アナログ回路で処理される信号のＳ／Ｎが劣化してしまう不都合を抑止できるようにする。 - 特許庁

The series FET 1B has a gate electrode 41 on a gate region 45 formed on the bottom of a recess 40 inside the contact layer 17 and a source electrode 42 and a drain electrode 43 on both sides of the recess 40 on the contact layer 17.例文帳に追加

シリーズＦＥＴ１Ｂは、コンタクト層１７内のリセス４０の底部に形成されたゲート領域４５上にゲート電極４１を有し、コンタクト層１７上のリセス４０の両側にソース電極４２およびドレイン電極４３を有する。 - 特許庁

The lever B203 is extended into a space where a peripheral region in the width direction of the allowable maximum size sheet is projected in the sheet thickness direction, and connected to a lead-in solenoid 200 which is a drive source for moving the lead-in feeding means 152.例文帳に追加

このレバーＢ２０３は、許容最大サイズシートの幅方向の周辺域をシートの厚さ方向に投影した空間まで延出して、呼び込み給送手段１５２の移動用駆動源である呼び込みソレノイド２００に連結されている。 - 特許庁

In five memory cells corresponding to the ROM code '1' out of eight memory cells belonging to m-th row, a part 2m projecting in the Y direction from a trunk part 1 toward each drain region 3m is formed in a source line SLa.例文帳に追加

第ｍ行に属する８個のメモリセルのうちＲＯＭコード「１」に対応する５個のメモリセルにおいて、ソースラインＳＬａには、幹部１から各ドレイン領域３ｍに向かってＹ方向に突出する突出部２ｍがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a light source cooling device disposed in a small housing, capable of effectively cooling down a light-emitting element without using a fan in a severe use environment with the installation region limited in the vicinity of the portion immediately below the light-emitting element.例文帳に追加

設置領域が発光素子の真下部分近傍に限定された厳しい使用環境の下で、ファンを使用することなく、効果的に発光素子を冷却することができる、小型筐体内に配置される光源冷却装置を提供する。 - 特許庁

Similarly, in four memory cells corresponding to the ROM code '1' out of eight memory cells belonging to n-th row, a part 2n projecting in the Y direction from a trunk part 1 toward each drain region 3n is formed in the source line SLa.例文帳に追加

同様に、第ｎ行に属する８個のメモリセルのうちＲＯＭコード「１」に対応する４個のメモリセルにおいて、ソースラインＳＬａには、幹部１から各ドレイン領域３ｎに向かってＹ方向に突出する突出部２ｎがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

On a first principal plane 11 of a main semiconductor region 1 including an electron running layer 8 and n-type electron supply layer 9, a source electrode 3, a drain electrode 4, and a gate electrode 5 are prepared, and an n-type organic semiconductor film 6 is prepared as well.例文帳に追加

電子走行層８とｎ型電子供給層９とを含む主半導体領域１の第１の主面１１上にソース電極３とドレイン電極４とゲート電極５とを設けると共にｎ型の有機半導体膜６を設ける。 - 特許庁

A vapor deposition source is constituted of a heating means 13 such as refractory metal resistor, a heating-region-restricting means 12 provided for the heating means 13, and a vapor deposition material 14 disposed in a manner to be partly brought into contact with the heating means 13.例文帳に追加

高融点金属抵抗体等の加熱手段１３と、加熱手段１３に設けられた加熱領域制限手段１２と、一部が加熱手段１３に接して配置された蒸着材料１４とから蒸着源を構成する。 - 特許庁

To provide a scanner which can scan two-dimensionally even within the scanning region inclined obliquely with respect to a coordinate axis fixed to the apparatus with the light from a light source and can be made smaller in a memory capacity, and a confocal microscope having the same.例文帳に追加

装置に固定された座標軸に対して斜めに傾いた走査領域内であっても、光源からの光を２次元的に走査することができ、かつ、メモリ容量も小さくできるスキャナ装置、およびそれを備えたコンフォーカル顕微鏡を提供する。 - 特許庁

As described above, since the protective circuits 9 are formed between the power source wiring 7 and the ground wiring 8 which are arranged regions around the circuit forming region 2, the layout of bumps 4 can be decided irrespective of the arrangement of the protective circuits 9.例文帳に追加

このように、保護回路９が回路形成領域２の周囲の領域に配置された電源配線７とグランド配線８との間に形成されているので、保護回路９の配置と無関係に、バンプ４のレイアウトを決定することができる。 - 特許庁

Similarly, when a light source 7B is turned on while an actuator element 1B is bent, a second letter display "TUV" provided on the surface 21A of the operation key 21 is illuminated and displayed via a lighting region 21b.例文帳に追加

同様に、アクチュエータ素子１Ｂを曲げ変形させた状態で光源７Ｂを点灯すると、照光領域２１ｂを介して操作キー２１の表面２１Ａに設けられている第２の文字表示「ＴＵＶ」を照光表示させることができる。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, a distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where drop of current driving performance is to be suppressed so that drop of currentis is suppressed between a drain and a source.例文帳に追加

素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる電流駆動能力の低下を抑制すべき回路にはドレイン・ソース間電流の低下が抑制されるようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁