「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

A polysilicon plug 12 passing through a silicon oxide layer 14 on a silicon chip and connected in correspondence with a source/drain region of an FET is formed and a platinum layer is etched with a dielectric layer 16 as stopper to form a conductor 20.例文帳に追加

シリコンチップ上の酸化シリコン層１４を貫通してＦＥＴのソース／ドレイン領域に対応接続したポリシリコンプラグ１２を形成し誘電層１６をストッパーに白金層をエッチングして導電体２０を形成する。 - 特許庁

Moreover, in this case, the high resistance impurity area 22a are not present on the side of the source region 22c, therefore, an ON-state resistance of the whole transistor including its parasitic resistance is reduced, and thereby large driving power is also obtained.例文帳に追加

しかも、この場合、ソース領域２２ｃ側には高抵抗の不純物領域２２ａがないので、寄生抵抗を含めたトランジスタ全体のオン抵抗が低下し、大きな駆動力を確保することも可能となる。 - 特許庁

Besides, because the bottom surface of the trench 6 and surfaces of the outside (an n^+-type source region 4 and a p^+type contact layer 5) of the trench 6 are the Si planes, a gate oxide film 7 becomes a high-reliability film that can suppress degradation.例文帳に追加

また、トレンチ６の底部やトレンチ６の外部（ｎ^+型ソース領域４およびｐ^+型コンタクト層５）の表面がＳｉ面となるため、ゲート酸化膜７は、劣化を抑制できる信頼性の高い膜となる。 - 特許庁

As a result, the gate length of the load transistors Q5, Q6 can be increased, and a source-contact conductive part 73a can be arranged, in a region between a gate-to-gate electrode layer 21a and a gate-to-gate electrode layer 21b.例文帳に追加

このため、負荷トランジスタＱ_5、Ｑ_6のゲート長を大きくすることができ、また、ソースコンタクト導電部７３ａをゲート-ゲート電極層２１ａとゲート-ゲート電極層２１ｂとの間の領域に配置することができる。 - 特許庁

In the tested object 1, an incident and reflecting region KA where light from the light source 5 enters and is reflected is set in the center PC of rotation of the tested object holding part 3, or near the center PC of rotation.例文帳に追加

被検査物１のうち光源５からの光を入射させると共に反射させる入射反射部位ＫＡは、被検査物保持部３の回動中心ＰＣまたは回動中心ＰＣ付近に設定されている。 - 特許庁

Thus, even when the paper with width which is shorter than the heat source is passed, the heat of the paper non passing region on the surface of the pressurizing roller 21 is removed by the heat removal roller 31 and abnormal rise in temperature can be prevented.例文帳に追加

これにより、上記熱源より幅が短い用紙を通紙した場合でも、加圧ローラ２１表面の非通紙域の熱を除熱ローラ３１によって除去し、異常な温度上昇を防止することができる。 - 特許庁

In a mask used to expose the active layer in such a manner, a translucent section consisting of a folded line thin slit pattern is formed in a recessed region between a source shielding section and a drain shielding section.例文帳に追加

活性層をそのように露出させるために用いられるマスクでは、ソース遮光部とドレイン遮光部との間の凹形状の領域に、折線形状の細いスリットパターンから成る半透過部が形成されている。 - 特許庁

A region of a silicon substrate (11) where an impurity ion is implanted to cause disturbance of crystallinity is diagonally irradiated with a measurement light which is, coming from an Xe light source (20), linearly polarized with a polarizer (21).例文帳に追加

シリコン基板（１１）中の不純物イオンが注入されて結晶性が乱れた領域に、Ｘｅ光源（２０）から偏光子（２１）によって直線偏光された測定光を斜め方向から入射する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell for enhancing program efficiency by maximizing the coupling rate, without involving source region junction depth or floating gate thickness, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域の接合の深さ及び浮遊ゲートの厚さに関係なしにカップリング比率を極大化させてプログラム効率を向上させることができる不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

The reflecting plate 3 is so arranged that light irradiated in one of the regions R1 divided by a plane including a light axis A2 of the light source 21 is incident, and is further reflected toward the other region R2.例文帳に追加

反射板３は、光源２１の光軸Ａ２を含む面で分割される一方の領域Ｒ１に向けて出射される光が入射され、その光を他方の領域Ｒ２に向けて反射するように配置される。 - 特許庁

A Hall current generated at electrostatic discharge is passed into the vertical transistor Q1 by forming the vertical transistor Q1 in a source side, thereby current concentration in a base side edge of the N+drain region can be reduced.例文帳に追加

ソース側に縦型トランジスタＱ１を形成して、静電放電時に発生したホール電流を縦型トランジスタＱ１に流すようにしたため、Ｎ+ドレイン領域のベース側端部での電流集中を緩和できる。 - 特許庁

The second air supply part is operated to supply air (compressed air) from a positive pressure gas supply source into each suction port 18 in a coating region via a first air supply line and a second manifold 64.例文帳に追加

第２給気部が作動することによって、正圧気体供給源からのエア（圧縮空気）が第１給気ラインおよび第２マニホールド６４を経由して塗布領域内の各吸引口１８に送り込まれる。 - 特許庁

The share image A11 is invisible under a usual light source, however, emits light with excitation light in a UV region and, when being combined with a share image B16 as the other side cipher image, provides a decoding image 45.例文帳に追加

シェア画像Ａ１１は、通常の光源下では不可視でありながら、紫外領域の励起光で発光し、もう一方の暗号画像であるシェア画像Ｂ１６と合わされた時に復号画像４５が得られる。 - 特許庁

The method further includes a process of doping a channel region 124 disposed under the bottom surface of each of the concave portions 118, a process of depositing an electrode material 126 on each of the concave portions 118, and a process of forming source/drain regions.例文帳に追加

さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A region IA on the hologram recording medium that is illuminated with the coherent light at an arbitrary instance has an area larger than a cross section of the coherent light immediately after emitted from the light source of the illumination device.例文帳に追加

任意の瞬間にコヒーレント光を照射されているホログラム記録媒体上での領域ＩＡは、照射装置の光源から出射した直後におけるコヒーレント光の断面積よりも広い面積を有する。 - 特許庁

After a silicon oxide film 7 for protection is formed on a silicon substrate 1 after the source/drain region 6 is formed, the silicon oxide film 7 is removed from above a part forming a titanium film 8 to form a protection film 72.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域６形成後のシリコン基板１に保護膜用の酸化シリコン膜７を形成した後、チタン膜８を形成する部分の上から酸化シリコン膜７を除去して保護膜７２を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a gate electrode 15 is formed on the p-type well 7 of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 8 and an n^+-type semiconductor region 35 as a source/drain is formed on the p-type well 7.例文帳に追加

半導体基板１のｐ型ウエル７上にゲート絶縁膜８を介してゲート電極１５が形成され、ｐ型ウエル７にはソース・ドレインとしてのｎ^＋型半導体領域３５が形成されている。 - 特許庁

A navigation manager 11 of the source apparatus 1 stores system parameters required for decoding of PS in the sync-apparatus 51 in a unused region of NV_PACK sent from a PS multiplex separating part 13, and sends it to a PS multiplexing part 15.例文帳に追加

ソース装置１のナビゲーションマネージャ１１は、シンク装置５１においてPSのデコードに必要となるシステムパラメータを、ＰＳ多重分離部１３から送られたNV_PACKの未使用領域に格納し、ＰＳ多重化部１５に送る。 - 特許庁

To simultaneously realize a higher breakdown voltage between the gate and the drain, a higher current density in the channel region, and a lower contact resistance of the source/drain electrode, as to a hetero-junction transistor using a nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層を用いたヘテロ接合トランジスタについて、ゲート・ドレイン間の高耐圧化、チャネル領域での高電流密度化、及びソース／ドレイン電極の低コンタクト抵抗化を同時に実現すること。 - 特許庁

To provide a raditherapeutic system or the like capable of improving accuracy of obtained scattering radiation source distribution by introducing a condition for a region irradiated with scattering radiation to reconfiguration in reconfiguration processing.例文帳に追加

再構成処理において、散乱線が照射された領域についての条件を再構成に導入し、得られる散乱源分布の精度を向上することができる放射線治療システム等を提供すること。 - 特許庁

The first pixel portion is formed in a portion, sectioned by a data wiring line, of a region defined by adjacent 1st and 2nd gate wiring lines and adjacent 1st and 2nd source voltage wiring lines.例文帳に追加

第１画素部は、隣接する第１及び第２ゲート配線と隣接する第１及び第２電源電圧配線によって定義される領域のうち、データ配線によって区画される一部領域に形成される。 - 特許庁

The light flux of the wavelength μ1 emitted from a light source section 111 is passed through the common region of the objective lens 14 and is converged to a DVD 21 which is the optical information recording medium of the protective substrate thickness t1.例文帳に追加

光源部１１１から出射された波長λ１の光束を、対物レンズ１４の共用領域部を通過させて、保護基板厚ｔ１の光情報記録媒体であるＤＶＤ２１に集光させる。 - 特許庁

On the other hand, a high-concentration source/drain area 14a and an extension area 14b are formed in areas located by the sides of a polysilicon gate electrode 18 in a P well 11 in the transistor region Tr.例文帳に追加

一方、トランジスタ領域ＴｒにおけるＰウェル１１のうちポリシリコンゲート電極１８の両側方に位置する領域には、高濃度ソース・ドレイン領域１４ａとエクステンション領域１４ｂとが形成されている。 - 特許庁

The coated optical fiber 1 in the atmosphere of the oxygen-free and cooled state is irradiated with the ultraviolet light on the long wavelength side even in an ultraviolet light- transmitting region of about 266 nm from a laser source 6, thereby forming the grating.例文帳に追加

無酸素かつ冷却状態の雰囲気下においた光ファイバ心線に対しレーザ源６から２６６ｎｍと紫外光透過域でも長波長側の紫外光を照射してグレーティングを形成する。 - 特許庁

By employing such a structure, the source layer 004 and drain layer 005 are formed deeper than the trench 008 and electrons flow over the entire channel region, so that the effective L length can be shortened, resulting in on resistance reduction.例文帳に追加

このような構成にすることでソース層004およびドレイン層005がトレンチ008より深く形成され、電子がチャネル全域に広がって流れ、実効的なL長も短くなることで更なるオン抵抗の低減化が実現できる。 - 特許庁

The semiconductor IC is formed in a source/drain region of MISFET on the main surface of the semiconductor substrate, by embedding into a through hole in an insulating film 17 as plug 21 and a ruthenium silicide film 22 comprising an electrically connected silicon.例文帳に追加

半導体基板の主面上のＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域に電気的に接続されるシリコンからなるプラグ２１およびルテニウムシリサイド膜２２を絶縁膜１７のスルーホールに埋め込んで形成する。 - 特許庁

An opening with a side wall having an insulating film 16 formed thereon for exposing the first semiconductor layer 14 is formed in a region sandwiched by the source and drain electrodes 17 and 18 of the second semiconductor layer 15.例文帳に追加

第２の半導体層１５のソース電極１７及びドレイン電極１８に挟まれた領域には、側壁に絶縁膜１６が形成され、第１の半導体層１４を露出する開口部が形成されている。 - 特許庁

Two cooling drums 4a, 4b are provided in a decompressed tank 2, and the two cooling drums 4a, 4b are disposed in a thin film forming region 10 corresponding to a raw material supply source 11.例文帳に追加

減圧槽２内には２つの冷却ドラム４ａ、４ｂが設けられ、且つ、原料供給源１１に対応する薄膜形成領域１０内には、２つの冷却ドラム４ａ、４ｂが配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

Consequently, the wavelength can continuously be varied over a wavelength range which is more than twice as large as that of a system which varies only the current in the phase adjustment region to provide a wavelength stabilized light source which has high stability.例文帳に追加

この結果、位相調整領域の電流のみを変化させる方式と比較すれば２倍以上の波長範囲を連続的に変化でき、安定性の高い波長安定化光源を提供することが可能となる。 - 特許庁

To provide a medical image processing method for easily specifying a required region in volume data prepared from a large amount of source images photographed by photographing modality and suppressing the capacity of holding data further.例文帳に追加

撮影モダリティによって撮影された大量の原画像から作成されたボリュームデータにおいて必要な領域を容易に指定し、更に、保持するデータの容量を抑える医用画像処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, with a resist pattern as a mask, the insulation region and the nitride blanket 60 are etched to form a cavity above the drain and source regions, and the cavity is filled with a conductive material to form conductive studs 92 and 94.例文帳に追加

次いでレジストパターンをマスクに絶縁領域と窒化物ブランケット６０をエッチングしてドレイン領域とソース領域の上に空洞を形成し、導電材料で空洞を満たし導電スタッド９２，９４を形成する。 - 特許庁

Since the vertical type transistor Q1 is formed in the source side so that the Hall current generated at the time of the static discharge is passed to the vertical transistor Q1, the current concentration can be alleviated in the base side end of the n^+ drain region.例文帳に追加

ソース側に縦型トランジスタＱ１を形成して、静電放電時に発生したホール電流を縦型トランジスタＱ１に流すようにしたため、Ｎ+ドレイン領域のベース側端部での電流集中を緩和できる。 - 特許庁

An active matrix substrate 1 consists of TFTs (Thin-Film Transistors) which respectively have low-concentration source and drain region (LDD (Lightly Doped Drain)) structures and optimize their areas in order to reduce the electric field intensity at a drain end.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１では、ドレイン端における電界強度を緩和するために、各ＴＦＴが低濃度ソース・ドレイン領域（ＬＤＤ）構造を有しているとともに、その面積を最適化することを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, the first nitride semiconductor of the channel layer may be made Al_xGa_1-xN (0.16≤x<1) and a high concentration n type impurity region 6 with impurity concentration of 1×10^18cm^-3 or more may be made just under each source/drain electrode 7.例文帳に追加

或いは、チャネル層の第１窒化物半導体をAl_xGa_1-xN(0.16≦x<1)とし、且つ、各ソース/ドレイン電極７の直下に不純物濃度が1×10^18cm^-3以上の高濃度n型不純物領域６を形成することとしても良い。 - 特許庁

Doping of an extension region of a source and a drain is carried out by cluster ion implantation, and annealing to promote activation of implanted impurities is carried out at a temperature which is not lower than 1,200°C, and in a time which is not shorter than 0.01 seconds.例文帳に追加

ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。 - 特許庁

That is, at the application time of a power source, data to be stored in the registers 21, 23 are read out from an initial setting data region in a memory cell array 11, and are stored successively in each register 21, 23 via an I/O bus 15.例文帳に追加

すなわち、電源投入時に、メモリセルアレイ１１内の初期設定データ領域からレジスタ２１、２３に格納すべきデータが読み出され、１／Ｏバス１５を介して各レジスタ２１、２３に順次格納される。 - 特許庁

A cutoff line CL1, CL2 is formed by reflecting light from a light source 18a toward a part close to an elbow point E of a low beam light distribution pattern P by means of a region 20a1 close to a lower-end edge of a reflecting surface 20a.例文帳に追加

反射面２０ａの下端縁近傍領域２０ａ１により、光源１８ａからの光をロービーム配光パターンＰのエルボ点Ｅ近傍部分へ向けて反射させてカットオフラインＣＬ１、ＣＬ２を形成する。 - 特許庁

N digital images, where N is equal to or greater than 2, the image content in the overlapped region of contiguous images is the same, and the end edge of a screen nearest to an X-ray source is present in both contiguous images, are provided.例文帳に追加

連続した画像の重複領域部分の画像内容は同一であってＸ線源に最も近いスクリーンの端縁が両隣の連続した画像内に存在するN(N≧２)のデジタル画像を供給する。 - 特許庁

To prevent occurrence of uneven luminance in a surface light source device comprising a plurality of light emitting elements, by irradiating a desired anisotropic irradiation region with light from the light emitting elements such that a smooth illuminance distribution is attained.例文帳に追加

非等方的な所望の照射範囲を発光素子からの出射光によって滑らかな照度分布となるように照射し、複数の発光素子を備えた面光源装置において輝度ムラの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a laser oscillator wherein a guide light of visible light can be generated on the same optical axis together with a laser beam in an invisible region without using a light source which is exclusively used for the guide light, and a laser beam outputting device.例文帳に追加

ガイド光専用の光源を用いることなく、非可視域のレーザ光と共に可視光のガイド光を同一光軸上に発生することのできるレーザ発振器およびレーザ光出力装置を提供する。 - 特許庁

Also, the tunnel magnetoresistive elements TMR0T-MR3 are coupled electrically to a source/drain region 320 of an access transistor ATR through a metal film formed at a strap ST and a contact hole 340.例文帳に追加

また、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ０〜ＴＭＲ３はストラップＳＴおよびコンタクトホール３４０に形成された金属膜を介してアクセストランジスタＡＴＲのソース／ドレイン領域３２０と電気的に結合される。 - 特許庁

To provide a continuously cast bloom of medium carbon steel, a cast bloom free from vertical cracks by adjustably adding a carbon source in a casting mold so that a peritectic transformation region is avoided by carbon contents of a solidified shell, and also to provide a manufacturing method of the cast bloom.例文帳に追加

凝固シェルの炭素含有量が包晶変態域を回避するように鋳型内で炭素源を添加調整し、縦割れのない中炭素鋼の連続鋳造鋳片とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The exiting face of the scattered light of a light-scattering light guide body 1 has a rugged region 2 to control the intensity-angle characteristics of the exiting scattered light, and a rod-like light source element (fluorescent lamp) 5 is disposed in the side of the body.例文帳に追加

光散乱導光体１の散乱出射光取出面が散乱出射光強度角度特性調整凹凸領域２を形成しており、側方に棒状光源要素（蛍光灯）５が置かれている。 - 特許庁

On the other hand, when the combustion device 1 is in a combustion resting condition, the control device controls the temperature of the induction heat source portion 10 to adjust the temperature of the vaporizing part 8 to be lower than the boiling point region of the liquid fuel.例文帳に追加

一方、燃焼装置１が燃焼休止状態にあるとき、制御装置は、誘導熱源部１０の温度制御を行い、気化部８の温度を液体燃料の沸点領域未満となるように調整する。 - 特許庁