「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

A unit HBT and a unit FET are arranged to be adjacent to each other through an isolation region, and a base electrode of the unit HBT is connected to a source electrode of the unit FET to form a unit element; and a plurality of unit elements 100 are connected to form an active element.例文帳に追加

単位ＨＢＴと単位ＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、単位ＨＢＴのベース電極に単位ＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続して能動素子を構成する。 - 特許庁

An insulating layer 2 and an SOI(semiconductor-on-insulator) layer 3 are formed on a silicon substrate 1 for the formation of an SOI substrate, where a channel region 19, LDD(lightly-doped drain) regions 15a, and source/drain junction regions 17 and 18 are formed on the SOI layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁層２,ＳＯＩ層３が形成されたＳＯＩ基板において、ＳＯＩ層３にチャネル領域１９,ＬＤＤ領域１５aおよびソース／ドレイン接合領域１７,１８とを形成する。 - 特許庁

In the Schottky barrier penetration single electronic transistor, a silicide formation is carried out concerning at least one part of an insulating layer 110 and source/drain regions 120a/120b formed on a substrate 100, and consequently a Schottky junction is carried out with a channel region 120c.例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタは、基板１００上に形成された絶縁層１１０と、ソース／ドレイン領域１２０ａ／１２０ｂの少なくとも一部分はシリサイド化されてチャネル領域１２０ｂとショットキー接合される。 - 特許庁

A movable interception plate P interposed between the UV light source 61 and the recording medium 2 is moved through a drive section (not shown) in synchronism with the head carriage 52 and intercepts UV-rays when the head carriage 52 is in a recording region.例文帳に追加

紫外線光源６１と記録媒体２の間に設けられた可動式の遮断板Ｐは、ヘッドキャリッジ５２に同期して図示しない駆動部によって移動して、ヘッドキャリッジ５２が記録領域にあるときには紫外線を遮断する。 - 特許庁

In an interlayer insulating film 22, a contact plug 24b is formed so as to serve as the shared contact which connects to a silicide layer 20b on an n-type source/drain region 19b, and to the silicide layer 20d on the gate electrode wiring 14b.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜２２には、Ｎ型ソース・ドレイン領域１９ｂ上のシリサイド層２０ｂ及びゲート電極配線１４ｂ上のシリサイド層２０ｄに接続するシェアードコンタクトとなるコンタクトプラグ２４ｂが形成されている。 - 特許庁

A reference mark for placing a reading object is provided on the placing surface of a platen glass 2 or its back surface with light transmissive coloring material through which the light of nearly the same wavelength region as light from a light source mounted on a reader can pass.例文帳に追加

前記プラテンガラス２の載置面、又はその裏面に、前記読取装置に搭載された光源からの光と略同波長領域の光が通過可能な透光性色材で、読取対象を載置するときの目安を設ける。 - 特許庁

To provide a spectrophotometer which can measure spectroscopy in THr(tera Hertz) region with good S/N by combining a variable wavelength tera Hertz wave light source having high spectral strength with a Type Fourier interferometer.例文帳に追加

強いスペクトル強度をもつ波長可変テラヘルツ波光源と、二光束干渉を用いたマーチン−パプレット型フーリエ干渉計を組み合わせることにより、ＴＨｚ領域での分光を、Ｓ／Ｎ良く測定できる分光光度計を提供する。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

A reflector 14 selects and reflects only the light beam of a wavelength region including the ultraviolet light beam in the light beam emitted by the light source lamp 16 and the selected light beams are supplied to photomask 12 and 13.例文帳に追加

光源用ランプ１６にて発光する光線を、金属酸化物２０，２１からなる多層膜２２を有する反射鏡１４で、紫外線を含む波長領域の光線だけを選択して反射させ、フォトマスク１２，１３に供給する。 - 特許庁

Drain, source, and gate electrodes 3a, 4a, and 5 of an arbitrary semiconductor device formed on a semiconductor substrate 2 are formed, and an active region 2a wherein the carrier distribution is controlled is formed between these electrodes 3a, 4a, and 5.例文帳に追加

半導体基板２上に設けられた任意の半導体デバイスの、ドレイン、ソース、ゲートの各電極３ａ、４ａ、５と、各電極３ａ、４ａ、５間に形成されたキャリアの分布状態が制御されるアクティブ領域２ａとを設ける。 - 特許庁

Each source for MISFETs is adjoined while being insulated on the surface of a semiconductor substrate 1 between the two MISFETs of the MISFET in a region AR1 configuring one memory cell and the MISFET adjacent to the MISFET.例文帳に追加

１メモリセルを構成する領域ＡＲ１のＭＩＳＦＥＴとそれに隣接したＭＩＳＦＥＴとの２つのＭＩＳＦＥＴの間で、ＭＩＳＦＥＴの各ソースは、半導体基板１の表面において、絶縁しつつ隣接する。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁

P^+ impurity diffusion embedded layers 15 are formed in the semiconductor substrate under the lower parts of drain electrodes 12 and each of the layers 15 turns into one part of the breaking current paths to reach from the electrodes 12 to a source electrode 10 via the region 6.例文帳に追加

ドレイン電極１２の下方における半導体基板にｐ^+不純物拡散埋込層１５が形成され、ドレイン電極１２からｐ^+ボディ領域６を介してソース電極１０に至るブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

Prior to activating a source-drain region in the structure, at least an alloying element is added to a metal capable of forming a metal silicide, by annealing and alloyed to obtain a metal alloy silicide contact without agglomeration.例文帳に追加

構造中でソース・ドレイン領域を活性化する前に、アニールで金属シリサイドをつくることが出来る金属に、少なくとも１つの合金化元素を加え合金化することによって、アグロメレーションのない金属合金シリサイド・コンタクトが得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of distancing a silicide film formed on an epitaxial semiconductor layer from the junction formed between a source/drain region and a semiconductor substrate.例文帳に追加

エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース／ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The UV polarization light source device is formed by combining the polarization film containing the substance having a dichroic property in a UV region, an optical filter for cutting UV having short wavelength (preferably ≤290 nm wavelength) and a UV irradiation device.例文帳に追加

紫外領域において二色性を示す物質を含有する偏光フィルムと、短波長の紫外線（好ましくは波長２９０ｎｍ以下）をカットする光学フィルターと、紫外線照射装置とを組合せた紫外線偏光光源装置。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for preventing the interference of a crossbar which surely enable forcible evacuation of the crossbar to a noninterferential region of the slide even when abnormalities occur in the control system and control source system of an electric driving means.例文帳に追加

電気的駆動手段の制御系統、制御電源系統に異常が発生しても、確実にクロスバーをスライドとの不干渉領域まで強制的に退避させるクロスバー干渉防止方法および干渉防止装置を提供する。 - 特許庁

Alternately, the high voltage power source 202 is turned on/off in accordance with the length in the sub-scanning direction in an image forming region, and the ink receiving particle layer 16A may be formed by charging the intermediate transferring body 12 only in the image range L2.例文帳に追加

或いは、画像が形成される領域の副走査方向の長さに対応して、高電圧電源２０２をオン・オフし、画像範囲Ｌ２のみ中間転写体１２を帯電してインク受容性粒子層１６Ａを形成しても良い。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of optimally controlling an illumination optical system in accordance with changes in an exposure region, reducing a running cost caused by the lifetime of a lamp which is to be a light source, and saving energy, and to provide a method for manufacturing a substrate.例文帳に追加

露光領域の変化に応じて照明光学系を最適に制御し、光源となるランプの寿命に起因するランニングコストを低減することができ、且つ省エネルギーな露光装置及び基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate device is also provided with source region 216 which are heavily doped to first conductivity-type by selective implantation and formed adjacent to the trench gate 213 and more heavily doped main body regions 217 in the upper parts of the second conductivity-type well layers 215.例文帳に追加

又、選択的な注入によりトレンチゲート２１３に隣接して第１導電型に重くドープしたソース領域２１６と第２導電型ウエル層２１５上部により重くドープした本体領域２１７を設ける。 - 特許庁

The system also includes a controller (34) configured to control the collimator to adjust the focus on a region of interest (ROI) and to control a beam intensity for the x-ray beam generated by the x-ray source during a scan.例文帳に追加

本システムはまた、関心領域（ＲＯＩ）上の集束を調整するようコリメータを制御し、更に走査中にＸ線源によって生成されるＸ線ビームのビーム強度を制御するよう構成されたコントローラ（３４）を含む。 - 特許庁

Laser light emitting from a light source is made to irradiate a DMD (digital mirror device) 50 as laser light having increased luminance in a peripheral portion by generating a distribution in angles of the principal beam so as to increase the density of light in the peripheral portion compared to the center region around the optical axis.例文帳に追加

光源から出射されたレーザ光を、主光線の角度に分布を持たせることで光軸中心に比べて周辺部の光密度を高め、周辺部の光輝度を高めたレーザ光としてＤＭＤ５０に照射する。 - 特許庁

By such a structure, even if deviation arises in dimensions of the high-resistance regions 113 and 114, it is possible to suppress the appearance of the influence thereof when the polarity of signal voltage applied to the source region is inverted.例文帳に追加

このような構成とすることにより、高抵抗領域１１３と１１４の寸法にズレが生じても、その影響がソース領域に加えられる信号電圧の極性が反転した場合に現れることを抑制することができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type diffusion region 17 which functions as a cathode of the photodiode PD and the source of a MOS transistor MT, and is constituted from two diffusion layers of a relatively deep first diffusion layer 15 and a relatively second shallow diffusion layer 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤのカソード、および、ＭＯＳトランジスタＭＴのソースとして機能するＮ型拡散領域１７を、比較的深い第１拡散層１５および比較的浅い第２拡散層１６の２つの拡散層で構成する。 - 特許庁

Recognizing agglomerations as the source of Japan’s economic dynamism and the possibility of also achieving regional economic development through the stimulation of agglomerations, the Kanto Bureau became increasingly interested in the wider Tama region (TAMA16).例文帳に追加

その中で、関東通産局は集積が我が国経済の活力の源泉であり、地域経済の発展も集積の活性化によって実現が可能であるとの認識に達し、広域多摩と呼ばれる地域（ＴＡＭＡ16）への関心を深めた。 - 経済産業省

By inserting and fixing a light source bulb 22 to a reflector 24 from the side direction at a position far downward from the light axis Ax, a light axis side direction region in that reflection face 24a can be effectively utilized for light distribution control.例文帳に追加

光源バルブ２２を、光軸Ａｘから下方に離れた位置において側方からリフレクタ２４に挿入固定することにより、その反射面２４ａにおける光軸側方領域を配光制御用として有効利用可能とする。 - 特許庁

The illuminator includes a light source, a color separation means to separate incident light according to a prescribed wavelength region, a 1st focusing lens to focus the light separated by the color separation means and a scroll means to form a color band in a different region by changing the course of each light separated according to the prescribed wavelength region and also make the incident light scroll so as to cyclically scroll on the color band.例文帳に追加

光源と、入射光を所定波長領域により分離する色分離手段と、色分離手段により分離された光を集束させる第１集束レンズと、所定波長領域により分離された光それぞれの進路を変えて相異なる領域に対してカラー帯をなすと共にカラー帯を周期的にスクロールさせるべく入射光をスクロールするスクロール手段とを含むことを特徴とするカラー照明装置である。 - 特許庁

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes a photodiode, and a plurality of transistors for transferring charges accumulated at the photodiode to one column line, wherein at least one transistor among the plurality of transistors has a source region wider than a drain region, for increasing a driving current.例文帳に追加

本発明は、フォトダイオードと、該フォトダイオードに蓄積された電荷を１つのカラムラインに転送する複数のトランジスタを備えるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、駆動電流を増大させるため、前記複数のトランジスタの少なくともいずれか１つのトランジスタのソース領域がドレイン領域よりも大きい幅を有するように形成されたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

Since the color region of the specified color is extracted by using the image signal with which the second white balance adjustment is performed, the color region of the specified color can correctly and easily be extracted irrespective of the color temperature of the light source even if thresholds of a luminance signal and a color signal when the prescribed color is detected at every color temperature are not previously prepared.例文帳に追加

第２のホワイトバランス調整が行われた画像信号を用いて特定色の色領域の抽出を行うことから、色温度毎に所定色を検出する際の輝度信号及び色信号の閾値を予め用意しなくとも、光源の色温度にかかわらず特定色の色領域を正しく容易に抽出できる。 - 特許庁

A linear or rectangular laser irradiating an area where a gate driver circuit and an active matrix circuit are formed has a sufficient dimension to irradiate the entire region, where the source driver circuit is formed, and the region where the gate driver circuit and the active matrix circuit are formed is subjected to irradiation, while the substrate and the laser light being moved.例文帳に追加

一方ゲートドライバー回路及びアクティブマトリクス回路が形成される領域を照射する線状もしくは長方形状レーザー光は、ソースドライバー回路が形成される領域の全体を照射するに足りる大きさのレーザー光であり、かつゲートドライバー回路及びアクティブマトリクス回路を形成する領域は、基板及びレーザー光を移動させつつ照射される。 - 特許庁

The wavelength at the maximum spectral intensity of light of the light source 114 departs from a wavelength region in which the spectral absorptance of the colloidal solution reaches a half of the maximum spectral absorptance or above and the maximum spectral absorptance or below, wherein the wavelength region contains the wavelength of the maximum spectral absorptance due to the plasmon absorption of the colloidal solution.例文帳に追加

光源１１４の光の最大分光強度における波長が、前記コロイド溶液のプラズモン吸収に起因した最大分光吸収度における波長を含む波長帯域であって前記コロイド溶液の分光吸収度が最大分光吸収度の１／２以上最大分光吸収度以下となる波長帯域から外れている。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

The thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulating film formed over the gate electrode, a first semiconductor layer formed of a microcrystalline semiconductor formed on the gate insulating film, a second semiconductor layer provided on the first semiconductor layer and having an amorphous semiconductor, and a source region and a drain region which are formed on the second semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ微結晶半導体でなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に設けられ非晶質半導体を有する第２の半導体層と、第２の半導体層上に設けられたソース領域およびドレイン領域とを薄膜トランジスタに設ける。 - 特許庁

A switch gate electrode SG and a memory gate electrode FG are disposed separately, sidewalls 14 are formed on one side surface of a drain region Drm in the switch gate electrode SG and on one side surface of a source region Srm in the memory gate electrode FG, and an area between the switch gate electrode SG and the memory gate electrode FG is embedded with an insulation film 14a.例文帳に追加

スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとを離間して配置し、スイッチゲート電極ＳＧのドレイン領域Ｄｒｍ側の片側面およびメモリゲート電極ＦＧのソース領域Ｓｒｍ側の片側面にそれぞれサイドウォール１４を形成し、スイッチゲート電極ＳＧとメモリゲート電極ＦＧとの間は絶縁膜１４ａにより埋め込む。 - 特許庁

To provide titanium oxide particles responsive to a wide wavelength range from the ultraviolet region to the visible light region and exhibiting high catalytic activity even with a light source in an ordinary living space such as solar light, an incandescent lamp and fluorescent lamp, a photocatalyst comprising the titanium oxide particle, and a method for producing the titanium oxide particles.例文帳に追加

紫外線域から可視光線域までの広い波長範囲に応答性を有し、太陽光や白熱灯、蛍光灯等の通常の生活空間における光源でも高い触媒活性を発揮することができる酸化チタン粒子と、この酸化チタン粒子からなる光触媒、及び該酸化チタン粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is provided for finely tuning the impedance of the semiconductor components or devices, by modifying a dopant profile of a region with a low dopant concentration (i.e., increasing the dopant concentration) such that dopants from an adjacent region with a higher dopant concentration are diffused by a melting action of the focused heating source (for example, a laser).例文帳に追加

この方法は、集束加熱源（例えば、レーザ）の溶融作用によって、より高ドーパント濃度の隣接領域からドーパントを拡散させることによって、低ドーパント濃度の領域のドーパント・プロファイルを変更する（すなわち、ドーパント濃度を増加させる）ことによって、半導体素子すなわち半導体デバイスのインピーダンスを微調整するために利用されてよい。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

A source region 2 and drain region 3 are formed apart from each other in a surface layer section of a substrate 1 of a memory cell transistor in a memory cell and a floating gate electrode 7 is arranged through a tunnel insulating film 6 on the substrate 1 and a control gate electrode 9 is arranged through an inter-gate layer insulating film 8 on this electrode 7.例文帳に追加

メモリセルでのメモリセルトランジスタにおいて基板１の表層部にソース領域２およびドレイン領域３が離間して形成され、基板１の上にトンネル絶縁膜６を介してフローティングゲート電極７が配置されるとともに、フローティングゲート電極７の上にゲート層間絶縁膜８を介してコントロールゲート電極９が配置されている。 - 特許庁

To provide a transistor which has a structure having a high flexibility in a design regarding a gate wiring even when an element region where a source diffused layer and a drain diffused layer are alternately formed is increased in an area, and can preferably suppress the reduction of a surge resistance caused by a charge variation (unbalance) of each gate in the same region.例文帳に追加

ソース拡散層とドレイン拡散層とが交互に形成される素子領域を大面積化する場合であれ、ゲート配線にかかる設計に関して自由度の高い構造を有し、同領域内の各ゲートの充電ばらつき（アンバランス）に起因するサージ耐量の低下についてもこれを好適に抑制することのできるトランジスタを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a P-type silicon substrate 10 possessed of a memory region 4000, an N-type first well 11 located in the memory region 4000, and a P-type second well 12 located in the first well 11, where the source 16 and drain 14 of a nonvolatile memory transistor possessed of a split gate structure are located in the second well 12.例文帳に追加

半導体装置は、メモリ領域４０００を有するＰ型のシリコン基板１０と、メモリ領域４０００中に位置するＮ型の第１ウェル１１と、第１ウェル１１中に位置するＰ型の第２ウェル１２と、を備え、スプリットゲート構造を有する不揮発性メモリトランジスタのソース１６およびドレイン１４は、第２ウェル１２中に位置している。 - 特許庁

An amorphous monocrystal silicon film having crystallinity which is formed in crystal growth in a 105 direction is provided on an underlayer film 102 on a substrate 101, and a source/drain region and the region 111/113 are provided in a direction in which a direction of crystal growth substantially coincides with a direction of moving carriers, thereby attaining a semiconductor device having high mobility.例文帳に追加

基板１０１上の下地膜１０２上に１０５の方向に結晶成長した結晶性を有する非単結晶珪素膜を設け、この結晶成長した方向とキャリアが移動する方向と概略一致する方向に、ソース／ドレイン領域、１１１／１１３を設けることにより、高移動度を有する半導体装置を得る。 - 特許庁

In a thin film transistor 10 which has a crystallized silicon film 2 with a source-drain region 2a and a channel region 2b formed on a substrate 1, a gate insulation film 3 formed on this crystallized silicon film 2 and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3, an amorphous layer 5 and a crystalline layer 6 are formed in the gate electrode 4.例文帳に追加

基板１上に形成されたソース・ドレイン領域２ａ及びチャネル領域２ｂを有する結晶化シリコン膜２と、この結晶化シリコン膜２上に形成されたゲート絶縁膜３と、このゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４とを備える薄膜トランジスタ１０にて、ゲート電極４に非晶質層５及び結晶質層６を設けること。 - 特許庁