意味 | 例文 (999件) |
source-regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4512件
The n+-type semiconductor region constituting a source through the above plurality of contact holes 11a-11c is shunted by the conductive film BL1 in the same layer as a bit line, and the n+-type semiconductor region constituting a drain through the above plurality of contact holes 11d-11f is shunted by the conductive film BL2 in the same layer as a bit line.例文帳に追加
ビット線と同一層の導電膜BL_1によって、上記複数のコンタクトホール11a〜11cを通してソースを構成するn^+型半導体領域がシャントされ、ビット線と同一層の導電膜BL_2によって、上記複数のコンタクトホール11d〜11fを通してドレインを構成するn^+型半導体領域がシャントされる。 - 特許庁
Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加
さらに、素子分離膜25、ゲート電極44、及びマスク膜をマスクとして半導体層20に第1導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域31に位置するコレクタ領域32を形成するとともに、MOSトランジスタのソース及びドレイン42a,45を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁
The control unit 2 transfers electrons 91 in the channel region 36 by adjusting the gate voltage applied to the gate electrode 43 as well as controls a light source 5 so as to illuminate the semiconductor layer 33 with light having energy greater than the bandgap when the electrons 91 are transferred in the channel region 36.例文帳に追加
制御装置2は、ゲート電極43へのゲート電圧を調節してチャネル領域36において電子91を移動させるとともに、チャネル領域36において電子91を移動させているときに、チャネル領域36のバンドギャップより大きいエネルギーの光を光源5が半導体層33に照射するように光源5を制御する。 - 特許庁
A current flows between the drain region and the source region by opening the channel, and energy accumulated in an inductive load is consumed.例文帳に追加
従来の構成ではドレイン電位が急峻に上昇してドレイン領域とゲート領域間でアバランシェ降伏が起こると、誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費するまで、ゲート駆動回路にアバランシェ降伏電流が流れていたが、本発明ではチャネルが開いてドレイン領域とソース領域間で電流が流れることで誘導負荷に蓄えられたエネルギーを消費する。 - 特許庁
In a photoetching process step for forming gate wiring having a first compensation pattern, data wiring to define a pixel region formed to intersect with the gate wiring and the source/drain electrode, the capacitor electrode having the second compensation pattern formed on the prescribed region of the gate wiring is inclusively constituted.例文帳に追加
本発明は、第1補償パターンを有するゲート配線と、前記ゲート配線と交差されるように形成されて画素領域を定義するデータ配線と、ソース/ドレイン電極形成のためのフォトエッチング工程時、絶縁膜を間に置き、前記ゲート配線の所定領域上に形成され第2補償パターンを有するキャパシタ電極を包含して構成される。 - 特許庁
The width X of the source region 5 adjacent to the memory gate electrode 3 is set wider than the width Y of the drain region 6 adjacent to the control gate electrode 4 in the direction in which the memory electrode 3 and the control gate electrode 4 are extended.例文帳に追加
メモリゲート電極3、コントロールゲート電極4、ソース領域5およびドレイン領域6を有する半導体装置において、メモリゲート電極3およびコントロールゲート電極4が延伸する方向の幅であって、メモリゲート電極3に隣接するソース領域5の幅Xをコントロールゲート電極4に隣接するドレイン領域6の幅Yに比べて長くする。 - 特許庁
The first electrode 16 of the capacitor 50 is electrically connected to the source region 23a (or the drain region 23b) of the transistor 23 through a first contact plug 13 formed in the semiconductor layer 11, while the first contact plug 13 is electrically insulated from the semiconductor layer 11 by the insulating film 12 formed on the side surface thereof.例文帳に追加
キャパシタ50の第1の電極16は、半導体層11内に形成された第1のコンタクトプラグ13を介して、トランジスタ23のソース領域23a(またはドレイン領域23b)に電気的に接続されており、第1のコンタクトプラグ13は、その側面に形成された絶縁膜12により、半導体層11と電気的に絶縁されている。 - 特許庁
To provide a UV polarization light source device having excellent polarization characteristics and stability, easily handled in a slim form and using a polarization film containing a substance having a dichroic property in a UV region, wherein polarization UV in a large surface area can be easily formed, light having wide wavelength region can be utilized and a wide range of substances for forming an alignment layer can be selected.例文帳に追加
偏光特性、安定性に優れ、大面積での偏光紫外線形成が容易で広い波長域の光を利用でき、従って配向膜形成物質の選択範囲が広く、スリムな形態で取扱いが容易な、紫外領域で二色性を示す物質を含有する偏光フィルムを用いた紫外線偏光光源装置を提供する。 - 特許庁
Moreover, the magnetic memory 1 further includes a semiconductor layer 6 including a drain region 32a and a source region 32c of a write transistor 32, a magnetic material layer 8 including a TMR element 4 and write wiring 31, and a wiring layer 7 interposed between the semiconductor layer 6 and the magnetic material layer 8 and including bit wiring 13a and 13b, and word wiring 14.例文帳に追加
また、磁気メモリ1は、書き込みトランジスタ32のドレイン領域32a及びソース領域32cを含む半導体層6と、TMR素子4及び書き込み配線31を含む磁性材料層8と、半導体層6及び磁性材料層8に挟まれており、ビット配線13a及び13b、並びにワード配線14を含む配線層7とを備える。 - 特許庁
A communication port 1001 includes functions 1002, 1003 that, when transmitting a data frame received by a transmission block 702, copy a transmission-source MAC address region in the received data frame to a destination MAC address region, randomly select a destination MAC address, or specify a fixed value set beforehand, as the destination MAC address.例文帳に追加
通信ポート1001において、送信ブロック702が受け取ったデータフレームを送信する際、受け取ったデータフレーム中の送信元MACアドレス領域を宛先MACアドレス領域へコピーするか、宛先MACアドレスをランダムに選択するか、あるいは事前に設定された固有の値を宛先MACアドレスとする機能1002、1003を備える。 - 特許庁
Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加
エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層18からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層18の上部と下部に形成されたn型拡散領域14、23からなるソース・ドレイン領域と、ワード線21からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタTr1、Tr2、Tr3が形成される。 - 特許庁
In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加
LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n−低濃度不純物領域106を形成する。 - 特許庁
The pellicle film includes, on the surface of a raw material pellicle film 21 at least in an exposure light source side, an ultraviolet light absorbing layer 22 that has an average transmittance of 90% or more to the ultraviolet light with the wavelength region of 350-450 mm, and an average transmittance of 50% or less to the ultraviolet light with the wavelength region of 200-300 nm.例文帳に追加
このペリクル膜の特徴は、原料ペリクル膜21の少なくとも露光光源側の表面に、350〜450nmの波長域の紫外線に対する平均透過率が90%以上であると共に、200〜300nmの波長域の紫外線に対する平均透過率が50%以下である紫外線吸収層22が付与されてなる点にある。 - 特許庁
To provide a curing (meth)acrylate-based composition for forming optical parts, transparent, hardly discolored, denatured and deteriorated by lights from a light source having an emission light wave length distribution ranging from a short wave region of visible light to an ultraviolet region and excellent in dimensional stability, moldability and water resistance of cured products.例文帳に追加
本発明の課題は、透明であり、可視光の短波長領域から紫外領域の発光波長分布を有する光源からの光に対しても着色、変質や劣化を起こし難く、また、寸法安定性、成形性や硬化物の耐水性に優れた光学部品形成用の硬化性(メタ)アクリル系組成物を提供することにある。 - 特許庁
When weak light is projected from a projector 3 into a part 1b outside the picture display region of the screen 1 and it is made unable to detect the light by means of a photodetector 2 which is disposed on the part 1b outside the picture display region of the screen 1, a power source circuit 32 for a lamp 31 is controlled so as to control the light quantity from projection lenses 35.例文帳に追加
スクリーン1の画像表示領域外1bの部分にプロジェクタ3から弱い光を投射させ、スクリーン1の画像表示領域外1bの部分に配設された受光素子2にて上記光を検出できなくなった場合に投射レンズ35からの光量を制御するべくランプ31用の電源回路32を制御する。 - 特許庁
A light-shielding member is provided to prevent the region that is to be a current supply region of the mesa from being exposed to light, which is submerged in an electrolyte 532 of a positive electrode oxidizing device 53; and with a white light L irradiated from an optical output device 51, a current is supplied from a current source 534, for positive electrode oxidization with the selective oxidizing layer.例文帳に追加
そして、メサにおける電流供給領域となる領域に光が当たらないように遮光部材を設けた後、陽極酸化装置53の電解液532中に浸漬し、光出力装置51から白色光Lを照射しつつ、電流源534から電流を供給し、被選択酸化層の陽極酸化を行う。 - 特許庁
To provide a microcomputer system capable of maintaining information, such as program execution states or process results, as much required under the power supply voltage supplied and maintained to the microcomputer system without saving information, such as program execution state or process results, at the time of power interruption in a non-volatile storage region or a storage region having a backup power source.例文帳に追加
電源遮断におけるプログラム実行状態や処理結果等の情報を不揮発性記憶領域やバックアップ電源を備えた記憶領域に退避することなく、マイクロコンピュータシステムに供給維持される電源電圧の下で、必要な限りのプログラム実行状態や処理結果等の情報を保持できるマイクロコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁
The in-phase indicator lamp drive circuit extracts timing signals in a region changing from a negative electrode to a positive electrode, using as the center the zero-point voltage crossing region of the highest inclination in the voltage change, with respect to the phase change in the alternating current sine waves of the power source inputs input, respectively from the first and second input ends, and compares these two timing signals.例文帳に追加
同相表示灯駆動回路は、第1および第2の入力端からそれぞれ入力する電源入力である交流正弦波に対し位相変化に対する電圧変化傾斜の最も大きいゼロボルトを中心とし、正極から負極に変化する領域のタイミング信号をそれぞれ抽出し、これら2つのタイミング信号を比較する。 - 特許庁
The exposure apparatus is equipped with: a fluorescent tube 2 as an exposure light source; a mount base 1 to mount the object 3 to be exposed having the objective exposure region to allow the objective exposure region opposing to the fluorescent tube 2; and a rotation axis 6 as a rotating means to relatively rotate one of the fluorescent tube 2 and the mount base 1 with respect to the other.例文帳に追加
露光装置は、露光用光源である蛍光管2と、被露光領域が蛍光管2に対向するように、被露光領域を有する被露光物3を載置するための載置台1と、蛍光管2および載置台1のうち一方を他方に対して相対的に回転させるための回転手段としての回転軸6とを備える。 - 特許庁
To provide a method of the subject non-contact measurement of high accuracy through such a procedure that a test sample of strand-shaped textile product is irradiated with laser beams within the measurement region for a beam source and the resulting beams are focused within the sensor region of a receiver where the dispatched signal is transformed to a measurement corresponding to the dimension of the test sample.例文帳に追加
ストランド形状の繊維製品の無接触測定方法であって、被検物4をビーム源1の測定領域内において照射し、センサセルを有している受信装置5のセンサ領域に結像し、個々のセンサセルによって発生された信号を被検物の寸法に対する測定値に変換する形式の方法を、精度が高められるようにする。 - 特許庁
To impart a function as a bandpass filter which transmits only light of a set wavelength region and cuts wavelength components other than the light of the wavelength region to a light receiving lens itself for converging a luminous flux from a light source upon a prescribed position and to make the configuration of the entire optical device small and compact by assembling the light receiving lens in the optical device.例文帳に追加
光源からの光束を所定の位置に集光させる受光レンズ自体に設定された波長域の光のみを透過させ、それ以外の波長成分をカットするバンドパスフィルタとしての機能を持たせることができ、この受光レンズを光学装置に組み込むことによって、光学装置全体の構成を小型化、コンパクト化する。 - 特許庁
This semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 containing first conductivity type impurities and having an element formation region 170; gate electrodes 125 formed on the element formation region 170 by interposing gate insulation films 132; and source/drain regions 150 formed on both sides of the gate electrodes 125 and containing second conductivity type impurities.例文帳に追加
半導体装置は、第1導電型の不純物を含み、素子形成領域170を有する半導体基板101と、素子形成領域170上にゲート絶縁膜132を挟んで形成されたゲート電極125と、ゲート電極125の両側方に形成され、第2導電型の不純物を含むソース/ドレイン領域150とを備える。 - 特許庁
In the heat exchange system 100, cooling water is circulated among a low temperature type fuel cell stack 20 operated in a low temperature region and having high power generation efficiency, a high temperature type fuel cell stack 30 operated in a high temperature region and having high heat recovery efficiency, and the heater unit 90 for heating equipped with a heat pump 94 as a heat source assist mechanism.例文帳に追加
熱交換システム100において、冷却水は、低温領域で作動する、発電効率の高い低温型燃料電池スタック20と、高温領域で作動する、熱回収効率の高い高温型燃料電池スタック30と、熱源アシスト機構としてのヒートポンプ94を備えた暖房用のヒータユニット90との間を循環する。 - 特許庁
The optical fiber illumination device comprises: the plurality of optical fibers 1 having an arbitrary design region D; an optical fiber fixing member 2 which fixes the optical fibers 1; and a light source 10 disposed on an end part of the optical fibers 1, wherein at least one part of colored layer X is disposed on the design region D.例文帳に追加
任意のデザイン領域Dを有する複数本の光ファイバ1と、前記光ファイバ1を固定する光ファイバ固定部材2と、前記光ファイバ1の端部に設けられた光源10とを備える光ファイバ照明装置であって、前記デザイン領域Dに少なくとも1箇所の着色層Xを有することを特徴とする光ファイバ照明装置。 - 特許庁
The method of generating the synthetic key frame includes the steps of receiving a video stream from a source and dividing it into meaningful sections, selecting key frame(s) or key region(s) representative of a divided section, and combining the selected key frame(s) or key region(s) to generate one synthetic key frame.例文帳に追加
ソースから出力されるビデオストリームの入力を受け、意味を有する区間に区分する段階と、区分された区間を代表するキーフレーム/キーフレーム、または、キー領域/キー領域を選択する段階と、選択されたキーフレーム/キーフレーム、または、キー領域/キー領域を組み合わせて1つのフレームに合成する段階とを順次行って合成キーフレームを生成する。 - 特許庁
A source impurity region 4 and a drain impurity region 5 are separately formed in a semiconductor layer 3 supported on a substrate 1 and a memory transistor constituted by laminating a gate insulating film 7, a floating gate FG, a inter-gate insulating film 8, and a control gate CG upon another, is provided on the semiconductor layer 3 between the impurity areas 4 and 5.例文帳に追加
基板1に支持された半導体層3内にソース不純物領域4およびドレイン不純物領域5が互いに離間して形成され、両不純物領域4,5に挟まれた半導体層部分の上に、ゲート絶縁膜7、浮遊ゲートFG、ゲート間絶縁膜8および制御ゲートCGが積層されたメモリトランジスタを有する。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a substrate 40, a first transistor formed on the substrate 40, a first storage node connected to a source region 42 of the first transistor, a second storage node connected to a drain region 44 of the first transistor, and a first plate line 62 commonly contacting the first storage node and the second storage node.例文帳に追加
基板40と、基板40に形成された第1トランジスタと、第1トランジスタのソース領域42に連結された第1ストレージノードと、第1トランジスタのドレイン領域44に連結された第2ストレージノードと、第1及び第2ストレージノードに同時に接触された第1プレートライン62と、を備えることを特徴とする半導体メモリ装置である。 - 特許庁
The fixed electrode 211 is connected to an active layer 213 via a reverse conductivity-type impurity region 212, having a polarity opposite to that of an impurity region corresponding to source and drain, and removes electric charges which have accumulated in an active layer to cause saturation characteristics deterioration, when the TFT 210 for the current programming is in operation.例文帳に追加
固定電極211は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域212を介して活性層213と接続されており、電流プログラム用TFT210の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。 - 特許庁
Further, the processing means 17 particularizes the image region of the tracking object person A in an image picked up by imaging means 14 to 16 on the basis of the position of the response sound source 6 and a pictorial characteristic region in the image, and separates the voice of the tracking object person A in the voices received by receivers 9 to 13.例文帳に追加
また、処理手段17は、応答音源6の位置と撮像手段14〜16が撮像した画像における画像的特徴領域とに基づいて画像中の画像中の追跡対象人物Aの画像領域を特定するとともに、受音器9〜13で受音した音声中の追跡対象人物Aの音声を応答音源6の位置を用いて分離する. - 特許庁
When the light emitted from a light-emiting region (bold line) A reaches the substrate 10a of the circuit wiring board 10, the light is diffused by the light diffusion material dispersed into the substrate 10a and an extremely wide region of the substrate 10a in the circuit wiring board 10 is brought into a state like a secondary emission source (bold line arrow).例文帳に追加
発光領域(太線)Aから発せられた光が、回路配線基板10の基板部10aに達すると、基板部10a内に分散された光拡散材料により、光が拡散し、回路配線基板10の基板部10aの極めて広い領域が二次的な発光源となったのと同じ状態になる(太線の矢印)。 - 特許庁
When introducing p-type impurities, a p-n junction diode is formed from this p+ impurity region 13 and n- impurity region 6, so that even if the p-n bonding diode is made conducting by reverse bias and even if a transistor is conducted by applying voltage to a gate electrode 5, no current will flow from a bit line 19 to the source line 17a.例文帳に追加
p型の不純物が導入される場合、このp+不純物領域13とn−不純物領域6とによってpn接合ダイオードが形成されるので、ゲート電極5に電圧を与えてトランジスタを導通させてもこのpn接合ダイオードが逆バイアスされて導通せず、ビット線19からソース線17aへ電流が流れない。 - 特許庁
As stated above, the surface of a part of the source region 12 and the drain region 13 is formed lower than the other regions, whereby a current flowing concentratedly on an upper face of the recess concerned of the gate electrode 10 flows uniformly in the entire trench 8, and an effective gate width of the recess formed so that its depth changes in the gate width direction is widened.例文帳に追加
このように、ソース領域12とドレイン領域13の一部の表面を他よりも低くすることにより、ゲート電極10の当該凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部8の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁
In a semiconductor chip in which an LDMOSFET element for power amplifying circuits for use in a power amplifier module is formed, a bump electrode BPS for source is arranged on an LDMOSFET forming region where a plurality of source regions for LDMOSFET elements, a plurality of drain regions and a plurality of gate electrodes 39 are formed.例文帳に追加
電力増幅モジュールに用いられる電力増幅回路用のLDMOSFET素子が形成された半導体チップにおいて、LDMOSFET素子用の複数のソース領域、複数のドレイン領域および複数のゲート電極39が形成されたLDMOSFET形成領域上に、ソース用バンプ電極BPSを配置する。 - 特許庁
To provide a highly efficient photocatalyst composition capable of widening the wavelength region of light capable of being utilized by a photocatalytic semiconductor, capable of converting the light energy from a light source to exciting energy to enhance energy efficiency and exciting the photocatalytic semiconductor even after the completion of irradiation with the light from the light source to realize energy saving.例文帳に追加
光触媒性半導体が利用できる光の波長域を広げるとともに、光源からの光エネルギーを励起エネルギーに変換する事でエネルギー効率を上げることが可能な組成物と、光源からの光照射が終了した後も光触媒性半導体を励起することで省エネルギーを実現した組成物を提供すること。 - 特許庁
The light source device includes a light source body having a discharge space; a plurality of space dividing members dividing the space into a plurality of discharge regions; and first electrodes generating plasma into the space by discharge voltages applied from inverters formed at both side parts of the body, as well as second electrodes disposed in response to each discharge region.例文帳に追加
面光源装置は、放電空間を有する光源本体、放電空間を複数の放電領域に分割する複数の空間分割部材、光源本体の両側部に形成されインバータから印加された放電電圧によって放電空間内にプラズマを発生させる第1電極及び各放電領域に対応して配置される第2電極を含む。 - 特許庁
The ice-making machine 1 includes: a microcomputer 14 controlling the operation of the ice-making machine 1; an error history recording region 160 recording history of information on errors which occurred in the ice-making machine 1; a power supply interruption sensing circuit 12 sensing interruption of the supply power source 5; and a voltage decline sensing circuit 13 sensing decline in voltage of the supply power source 5.例文帳に追加
製氷機1は、製氷機1の動作を制御するマイクロコンピュータ14と、製氷機1に発生したエラーの情報の履歴を記録するエラー履歴記録領域160と、供給電源5の停電を検知する停電検知回路12と、供給電源5の電圧低下を検知する電圧低下検知回路13とを備えている。 - 特許庁
In this surface light source device, a plurality of light guide plates 12 having an effective region that light emitted from a light source 11 is radiated forward are aligned in the two-dimensional direction, the effective regions of neighboring light guide plates 12 are overlapped, and duplicated regions are formed where the light is radiated by the effective regions of the plurality of the light guide plates 12.例文帳に追加
光源11から発せられた光を前方に照射する有効領域を有する複数の導光板12を2次元方向に配列するとともに、隣接する導光板12の有効領域が重ね合わせられ、複数の導光板12の有効領域によって光が放射される重複領域が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
This illumination optical system to illuminate a mask, by using the light flux of a light source has an effective light source forming means to form an effective light region in a shape of decentering which is predetermined from the axis of the light flux, and a shape change means to continuously change the shape of the predetermined shape.例文帳に追加
光源からの光束でマスクを照明する照明光学系において、前記光束から光軸に対して偏心した所定の形状の有効光源領域を形成する有効光源形成手段と、前記所定の形状を連続的に可変とする形状可変手段とを有することを特徴とする照明光学系を提供する。 - 特許庁
Either one of the planes parallel to a liquid crystal display panel of a light guide for guiding the light from a light source to the liquid crystal display panel is formed as a slope where the light guide becomes thinner, as it is separated from the light source, wherein many V-shaped grooves are provided over the predetermined region in the slope direction of the slope.例文帳に追加
光源からの光を前記液晶ディスプレイパネルに導く導光体の前記液晶ディスプレイパネルと平行な面のいずれか一方の面を、前記光源から離れるにしたがって前記導光体が薄くなるような斜面として形成し、前記斜面の傾斜方向に所定の領域に渡って複数のV字状の溝を設けた。 - 特許庁
Reflection of the external light can be reduced without damaging the light reutilizing effect by selective reflection of the light from a light source and color change of the oblique-incident light can be eliminated by incorporating the peaks except for wavelength of the transmitted light among the peak wavelengths of three primary colors of the light source of a backlight 24 into a reflection wavelength region of a cholesteric color filter layer 40.例文帳に追加
コレステリックカラーフィルタ層40の反射波長域が、バックライト24の光源の3原色のピーク波長の内、透過する波長以外のピークを含むようにすることにより、光源側からの光の選択反射による光再利用の効果を損なわずに外光の反射を軽減し、さらに斜め光の色変化をなくすことができる。 - 特許庁
The defect inspection apparatus includes a light source 2 for irradiating light toward a substrate 1, a detection means 3 for detecting light reflected from the substrate 1, and a reflecting means 6 for shielding a region not to be measured 5 within the field of view of the detection means 3 and reflecting light irradiated from the light source 2 toward the detection means 3.例文帳に追加
欠陥検査装置は、基材1へ向けて光を照射する光源2、基材1からの反射光を検出する検出手段3、並びに前記検出手段3の視野内で非測定領域5を遮蔽すると共に光源2から照射された光を検出手段3へ向けて反射する反射手段6を備える。 - 特許庁
For that reason, since spectra of respective light source light L, W, Y and the mixed light LWY have continuous wavelength components of visible light region, and by controlling luminous flux ratio of respective light source light L, W, Y, it is enabled to set the mixed light LWY so as to be positioned at a desired color temperature on the black body radiation locus.例文帳に追加
そのため、各光源光L、W、Yおよび混色光LWYのスペクトルが可視光領域の連続する波長成分を有すると共に、各光源光L、W、Yの光束比率を制御することにより混色光LWYが黒体放射軌跡上の所望の色温度の位置となるように設定することが可能となった。 - 特許庁
A vehicle headlight device is provided with: a light source for forming a high-beam light distribution pattern including a region above a cut-off line of a low-beam light distribution pattern; and a headlight device control ECU for increasing or decreasing the illuminance of the high-beam light distribution pattern by controlling the light source based on information obtained from a vehicle detection device.例文帳に追加
車両用前照灯装置は、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含むハイビーム用配光パターンを形成可能な光源と、車両検知装置から得られた情報に基づいて、光源を制御してハイビーム用配光パターンの照度を増減せしめる前照灯装置制御ECUと、を備える。 - 特許庁
The diffuse reflector allows a variable diffuse reflection film to be designed for a light source and a display, allows the diffuse reflection efficiency to be created so as to customize the reflection in accordance with the place on which the light source is located for the film, thereby, provides the diffuse reflection efficiency and transmissivity which is adjusted for a display region and optimizes the brightness of the display.例文帳に追加
可変拡散反射フィルムを光源およびディスプレイ用に設計できるようにした上で、拡散反射効率を、光源がフィルムに対して配置されている場所に基づいて反射をカスタマイズするように創出し、これにより、ディスプレイ領域のために調整された拡散反射効率および透過率を提供してディスプレイの輝度を最大にする。 - 特許庁
Since the light source (a white LED) 17 emitting visible light with a wavelength region (672 nm) which is equivalent to the fluorescence of the affected area A and has emission intensity relatively lower than the other regions or a light source emitting visible light with a wavelength cut by a filter is used, the peripheral area B of the fluorescent affected area A is observed in a bright field.例文帳に追加
患部Aの蛍光に相当する波長領域(672nm)が、他の領域よりも相対的に低い発光強度を有する可視光を発する光源(白色LED)17、又はその波長領域がフィルターによりカットされた可視光を発する光源を用いるため、蛍光状態の患部Aの周辺部Bも明視野で観察することができる。 - 特許庁
The external form of the scanning optical apparatus is composed of an optical box 1, in which a light source 2 which emits respective laser bemas LY through LB, a light deflector 3 which deflects the respective laser beams from the light source into a main scanning region, and an optical system which guides the respective laser beams from the light deflector onto respective photoreceptors 10Y through 10B are mounted.例文帳に追加
走査光学装置は外形が光学箱1で構成され、この光学箱内には、各レーザー光LY〜LBを発する光源器2と、この光源器からの各レーザー光を主走査方向に偏向する光偏向器3と、この光偏向器からの各レーザー光を各感光体10Y〜10B上に導く光学系とが取り付けられる。 - 特許庁
In the semiconductor nonvolatile memory device comprising a memory insulation film for accumulating charges, gate electrodes formed on the memory insulation film, and source/drain regions formed on both sides of each gate electrode in a semiconductor substrate, resistors are formed so as to connect to each source region.例文帳に追加
電荷を蓄積するメモリ絶縁膜と、該メモリ絶縁膜上に設けるゲート電極と、該ゲート電極の両側の半導体基板に設けるソース領域およびドレイン領域を有する半導体不揮発性記憶装置であって、前記ソース領域と接続する抵抗を設けることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の構造を提供する。 - 特許庁
The image display device 100 includes: first to third light sources 20, 21 and 22 respectively emitting first to third color light beams of three primary colors; and a fourth light source 23 emitting a light beam having the same color as that of one of the first to third light sources 20, 21 and 22 and different in a wavelength region from that of the specified light source.例文帳に追加
本発明の係る映像表示装置100は、3原色の第一乃至第三の色の光を夫々発光する第一乃至第三の光源20,21,22と、第一乃至第三の光源20,21,22のうちの一の特定光源と同じ色で、かつ異なる波長域の光を発光する第四の光源23とを備えている。 - 特許庁
An agent part 2a is provided with a folder access agent 5 for performing access to a folder which stores a document or the like stored in a project shared file folder in which the result product of a project is stored for acquiring it and a source management access agent 6 for performing access to the program code(source), and mediates to copy the folder decided by setting to a local copy region part 2c.例文帳に追加
エージェント部2aは、プロジェクトの成果物が格納されたプロジェクト共有ファイルフォルダ内に格納されているドキュメントなどを格納したフォルダにアクセスし、取得するフォルダアクセスエージェント5と、同じくプログラムコード(ソース)にアクセスするソース管理アクセスエージェント6と、を有し、設定によって定められたフォルダをローカルコピー領域部2cへコピーする仲介を行う。 - 特許庁
The power transmission for a vehicle transmits a driving force from a driving source to the right and left axles, and comprises a housing, a planetary reduction mechanism linked to the driving source, a differential gear coaxially placed with the planetary reduction mechanism and linked to the right and left axles, and an oil-reservoir demarcated in the lower region of the housing.例文帳に追加
駆動源からの駆動力を左右の車軸に伝達する車両の動力伝達装置であって、ハウジングと、駆動源に連結された遊星歯車式減速機構と、この遊星歯車式減速機構と同軸に配置され、左右の車軸に連結された差動装置と、ハウジングの下部領域に画成されたオイル貯留部とを含んでいる。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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