「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulating film is subjected to overetching, to make its surface lower than that of the semiconductor substrate, a gate spacer is formed on the side of the gate stack, then an epitaxial layer is selectively grown on the side and base of the semiconductor substrate which are exposed by overetching, and first source/drain region 112 and second source/drain regions 114 are formed.例文帳に追加

半導体基板表面以下にエッチングされるように絶縁膜をオーバーエッチングしながらゲートスタックの側面にゲートスペーサを形成した後、オーバーエッチングにより露出した半導体基板の側面及び底面で同時に選択的なエピタキシャル層を成長させ、第１及び第２ソース／ドレイン領域１１２、１１４を形成する。 - 特許庁

The optical receiver is provided with: a short cycle scanning means for scanning pixel units for short cycle in the a light source detection region including the plurality of imaging blocks in the vicinity of the pixel unit corresponding to the detected light source; and a signal detecting means for detecting a signal from the output to be read from the pixel units for short cycle.例文帳に追加

この光受信機は、検出された光源に対応する画素ユニット近辺の複数の撮像ブロックを含む光源検出領域において短周期用の画素ユニットを走査する短周期走査手段と、短周期用の画素ユニットから読み出される出力から信号を検出する信号検出手段とを備える。 - 特許庁

A source layer 6 and a drain layer 7 are formed on the surface layer of a semiconductor substrate 1 while spaced apart from each other, a high dielectric constant gate insulating film 3 containing a metal element is formed on the channel region 2 between the source layer 6 and the drain layer 7, and a gate electrode 4 is formed on the high dielectric constant gate insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１表層にソース層６及びドレイン層７を互いに離間形成し、このソース層６及びドレイン層７の間のチャネル領域２上に金属元素を含有する高誘電率ゲート絶縁膜３を形成し、高誘電率ゲート絶縁膜３上にゲート電極４を形成している。 - 特許庁

This field-effect semiconductor memory 10 is composed of a structure, wherein a semiconductor substrate 11, a source-drain region 12, ferroelectric 13 and dielectric 14 formed in a trench 17, a gate electrode 15 and a source-drain electrode 16 disposed there, and the film thickness of the dielectric 14 is thin at the bottom face of the trench 17 and thick at the side face.例文帳に追加

電界効果型半導体メモリ装置10は、半導体基板11，ソ−ス・ドレイン領域12，溝17に形成された強誘電体13および誘電体14，ゲ−ト電極15，ソ−ス・ドレイン電極16を配置した構造からなり、そして、誘電体14の膜厚が、溝17の底面で薄く、側面で厚くした構造からなる。 - 特許庁

The light emitting intensity of the light source 102 is varied at an arbitrary time in a predetermined intensity modulating pattern sequence by which the light source 102 is continuously turned on, and the position is detected in the intensity modulating pattern sequence of received light of the photosensor 105 in a predetermined region on the basis of the detected result of the scanning light received by the photosensor 105.例文帳に追加

任意時に、光源102を連続的に発光状態に置く所定の強度変調パターン列で光源102の発光強度を変化させ、その時に光センサ105が受光する走査光の検出結果に基づいて、光センサ105の所定領域での受光光の強度変調パターン列中での位置を検出する。 - 特許庁

The electron beam aligner comprises a mask plate 1 equipped with an electron source 10 for discharging an electron beam from a region, depending on the desired transfer pattern, and an electron lens 2 interposed between the mask plate 1 and a substrate 3 to be transferred coated with an electron beam resist layer 4 and focusing the electrons discharged from the electron source 10.例文帳に追加

電子線を放出する電子源１０を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレート１と、マスクプレート１と電子線レジスト層４が塗布された被転写基板３との間に配置され電子源１０から放出された電子を集束する電子レンズ２とを備える。 - 特許庁

A photo-catalyst 26 and a second light source 24 are provided in the photo-catalytic reaction vessel 14 and the photo-catalyst 26 is irradiated with an ultraviolet light containing no vacuum ultraviolet region from the second light source 24, and this photo-catalyst 26 is brought into contact with the above exhaust gas to accelerate decomposition of the hazardous organic substances.例文帳に追加

光触媒反応容器１４には光触媒２６と第２光源２４が設けられ、この第２光源２４から真空紫外領域を含まない紫外光が光触媒２６に照射され、この光触媒２６が前記排ガスに接触して、有害有機物の分解を促進する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first transistor which includes a first channel formation region including a first semiconductor material, and a first gate electrode; and a second transistor which includes one of a second source electrode and a second drain electrode combined with the first gate electrode, and a second channel forming region, including a second semiconductor material and electrically connected to the second source electrode and the second drain electrode.例文帳に追加

第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 - 特許庁

This semiconductor device comprises: lower concentration source/drain regions 106 and higher concentration source/drain regions 108 formed in a semiconductor substrate 101; a gate insulating film 102 formed on a region of the semiconductor substrate 101 between the lower concentration source/drain regions 106; and the gate electrode 103 formed on the gate insulating film 102 as seen in the plan view, and composed of metal silicide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１内に形成された低濃度ソース・ドレイン領域１０６および高濃度ソース・ドレイン領域１０８と、半導体基板１０１のうち平面的に見て低濃度ソース・ドレイン領域１０６の間に位置する領域の上に形成されたゲート絶縁膜１０２と、ゲート絶縁膜１０２上に形成され、金属シリサイドからなるゲート電極１０３とを備えている。 - 特許庁

An exposure apparatus includes a light source to emit light, a photomask in a path of the light between the light source and the semiconductor substrate and having patterns to be transcribed onto the semiconductor substrate, and a spatial light modulator (SLM) arranged in one of an image correction region of the photomask between the light source and the photomask and adapted to adjust a distribution of intensity of the light.例文帳に追加

光を放射する光源と、前記光源から半導体基板へとつながる前記光の経路に配置され、前記半導体基板に転写するパターンを有するフォトマスクと、前記光源と前記フォトマスクとの間で前記フォトマスクのイメージ補正領域のうちの一つに配置され、前記光の強度分布を調節するための空間光学モジュレータ（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ：ＳＬＭ）とを備える。 - 特許庁

The ultrasonic therapy apparatus 1 comprises an ultrasonic irradiation source 15 for irradiating a treatment region 10 of a subject 11 with ultrasonic waves X3, a monitoring device 2 for obtaining image information on the subject 11, and a signal forming means 27 for forming both ultrasonic irradiation source driving signal X4 for driving the ultrasonic irradiation source 15 and monitoring device driving signal X4 for driving the monitoring device 2.例文帳に追加

超音波治療装置１は、被検体１１の治療部位１０に超音波Ｘ３を照射する超音波照射源１５と、被検体１１の画像情報を得るモニタリング装置２と、超音波照射源１５を駆動させるための超音波照射源駆動信号Ｘ４およびモニタリング装置２を駆動させるためのモニタリング装置駆動信号Ｘ４の双方を形成させる信号形成手段２７とを備えた。 - 特許庁

Further, 1st subordinate power lines Lr1, Lg1, and Lb1 and 2nd subordinate power lines Lr2, Lg2, and Lb2 are provided in the pixel region A, and those subordinate power lines are connected through a subordinate power source connection point P.例文帳に追加

また、画素領域Ａの内部には第１副電源線Ｌｒ１、Ｌｇ１、及びＬｂ１と、第２副電源線Ｌｒ２、Ｌｇ２、及びＬｂ２が設けられており、これらの副電源線は副電源接続点Ｐを介して接続されている。 - 特許庁

In addition, by adjusting the line direction, in which a source/drain of a thin film transistor is connected, to the line direction of the linear laser beam, carriers move in a region of uniform annealing effect and thus the semiconductor device having high characteristics can be obtained.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタのソース／ドレインを結ぶ線方向を線状のレーザー光の線方向と合わせることによって、キャリアの移動がアニール効果の均一な領域で行われることになるので、特性の高いものとすることができる。 - 特許庁

The laser light source is provided with a discharge chamber for oscillating a laser light LB, having a prescribed wavelength region and a narrow band part 52 which is provided with a spectral element 62 and changes the laser light LB oscillated by the discharge chamber into narrow-bad light.例文帳に追加

レーザ光源には、所定の波長域のレーザ光ＬＢを発振させる放電チャンバ部と、分光素子６２を有しかつ放電チャンバ部で発振されたレーザ光ＬＢの狭帯域化を行う狭帯域化部５２とを備える。 - 特許庁

When a light source 7A is turned on while an actuator element 1 is bent, a first letter display "8" provided on the surface 21A of an operation key 21 is illuminated and displayed via a lighting region 21a.例文帳に追加

アクチュエータ素子１を曲げ変形させた状態で光源７Ａを点灯すると、照光領域２１ａを介して操作キー２１の表面２１Ａに設けられている第１の文字表示「８」を照光表示させることができる。 - 特許庁

A second voltage lower than the first voltage is applied to the source of the selected cell and the sources of memory cells that share a bit line with the selected cell, and electrons are injected into the charge storage region of the selected cell to program.例文帳に追加

前記選択セルのソース及び前記選択セルとビットラインを共有するメモリセルのソースに前記第１電圧よりも低い第２電圧を印加して、前記選択セルの前記電荷貯蔵領域に電子を注入させてプログラムする。 - 特許庁

A window part 11 of the case 8 is provided with an optical lens 13 for generating, so called, roughly parallel rays of light by making the irradiation range of the rays of light to be emitted from the light source 9 converge to the detection region P side of the conveyance path 3.例文帳に追加

ケース８の窓部１１には、光源９から照射される光の照射範囲を搬送路３の検出領域Ｐ側に対して集光させる、いわゆる略平行光を生成する光学レンズ１３が設けられている。 - 特許庁

An undesired pn junction formed between the body extended part and the source region of the driver transistor is electrically coupled by forming a silicide or overetching a VSS contact to form a conductive contact plug.例文帳に追加

ボディー延長部とドライバトランジスタのソース領域との間に形成された所望しないＰＮ接合はシリサイドを形成するか、またはＶ_SSコンタクトを過度エッチングして導電性コンタクトプラグを形成することによって、電気的に連結させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which avoids decrease in an operation speed and increase in power consumption due to increase in pn junction capacitance composed of a source/drain region in a MOS transistor of a constant-voltage logic circuit unit.例文帳に追加

定電圧ロジック回路部のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域が構成するｐｎ接合容量の増大に伴う動作速度の低下および消費電力の増大を回避する不揮発性半導体装記憶置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device contributing to low power consumption performance in a salicide process and having the extension region of source/drain for suppressing the fluctuation of resistance or the increase of resistance, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイドプロセスにおいて、低消費電力性能に寄与すると共に抵抗変動や高抵抗化を抑制するソース／ドレインのエクステンション領域を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining stable output even if source-drain current varies in a saturation operation region of a thin-film transistor due to kink effect.例文帳に追加

キンク効果に起因して薄膜トランジスタの飽和動作領域にソース・ドレイン電流の変動がある場合でも、安定した出力を得ることができる半導体装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置を提供することにある。 - 特許庁

A foamed metal can be manufactured by mixing a powder of a carbon-reducible metal oxide with a metal powder and a powder of a carbon source such as graphite and then heating the resultant powder mixture by rapid heating up to a temperature not lower than the solid-liquid coexisting temperature region.例文帳に追加

炭素で還元しうる金属酸化物粉末を金属粉末及び黒鉛等の炭素源粉末と混合し、急速加熱により固液共存領域以上に加熱することにより発泡金属が製造できた。 - 特許庁

An X-ray source 10 forms an approximately elliptic X-ray irradiation region in first and second reference planes P1 and P2 by extensively inclining the center axis C of X-rays to the first and second parallel reference planes.例文帳に追加

Ｘ線源１０は、広がりをもってＸ線の中心軸Ｃを、平行をなす第１，第２基準平面Ｐ１，Ｐ２に対して傾斜させることにより、第１，第２基準平面上にほぼ楕円のＸ線照射領域を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is superior in resolution, mask linearity, and has little scum, or film thinning and SEM shrinkage, by coping with the exposure to a far-ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a game device, a magnetism detecting system and a magnetism-resident region specifying program capable of highly accurately detecting a position where a magnetism generating matter resides by taking characteristics of a magnetic detection means into consideration to facilitate identification of a magnetism generating source.例文帳に追加

磁気検出手段の特性を考慮して、磁気発生体の存在位置を高精度に検出できる遊技用装置、磁気検出システム及び磁気存在領域特定プログラムを提供し、磁気の発生源の特定を容易にする。 - 特許庁

To provide a surface light source device and an image display device wherein the boundary between a region irradiated by light and the other regions can be clarified in a light emitting face in the case one part out of a plurality of light sources is lighted.例文帳に追加

複数の光源のうち一部を点灯させる場合に、発光面において、光が照射される領域と、それ以外の領域との境界を明瞭にすることができる面光源装置および画像表示装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.例文帳に追加

一方、周辺回路領域（凹部）においては、ＭＯＳトランジスタがロコス６で素子分離され、ゲート電極１７及びソース及びドレイン１８に対して、層間絶縁層２１上に引き出し配線４１，４０が設けられている。 - 特許庁

A GaN based semiconductor laser 1, generating a laser light L1 whose wavelength is at most 450 nm, is used as a light source for optical pumping, and phosphor 2 is so combined that fluorescence L2 in a visible region is generated by excitation of the laser light L1.例文帳に追加

波長４５０ｎｍ以下のレーザ光Ｌ１を発するＧａＮ系半導体レーザ１を励起光源として用い、レーザ光Ｌ１で励起されて可視域の蛍光Ｌ２を発するよう、蛍光体２を前記レーザ１と組み合わせる。 - 特許庁

An STI 50a which is in contact with the n-type well in a direction directing a source 22 to a drain 24 of the p-type channel MOSFET 20 is made of an insulating material exerting a compression stress on an n-type well region 26.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０のソース２２からドレイン２４に向かう方向においてｎ型ウェルに接するＳＴＩ５０ａは、ｎ型ウェル領域２６に圧縮応力を作用させる絶縁材料により形成される。 - 特許庁

In a region except for the incident port 19, the translucent cover 16 is formed to spread from a front end to a rear end of the lighting fixture housing 12, so as to brightly illuminate the front, side and rear parts of the vehicle with the lights of the light source 13.例文帳に追加

入射口１９を除く領域で、透光カバー１６を灯具ハウジング１２の前端から後端まで広がるように形成し、光源１３の光で車両前方、側方および後方を明るく照明する。 - 特許庁

The gray tone mask is exposed by an exposure device having a light source including a g-line, an h-line and an i-line, and the semi-translucent film is set so that a change of transmittance is 1.5% or less in an exposure wavelength region from the i-line to the g-line.例文帳に追加

該グレートーンマスクはｇ線、ｈ線、ｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光されるもので、半透光膜はｉ線からｇ線までの露光波長領域において透過率変化が1.5％以下である。 - 特許庁

In this case, radiations, such as ultraviolet rays, X-rays, etc., emitted from the plasma of an etching source can be prevented by the second channel protective film 6 of shading metal, so that a channel region of the semiconductor film 4 can be protected against radiation damage.例文帳に追加

この時、エッチング源のプラズマからの紫外線やＸ線等の放射は、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６によって防ぐことができ、半導体膜４のチャネル領域が放射ダメージを受けることはない。 - 特許庁

The cooled gas is made to flow between the first light source 22a and one of the faces of the first heat insulating material 21a, and the dried gas is made to flow into the first electrode conveyance region on the other face of the first heat insulating material 21a.例文帳に追加

第１の光源２２ａと第１の遮熱材２１ａの一方の面との間に冷却ガスが流入され、第１の遮熱材２１ａの他方の面上の第１の電極搬送領域に乾燥ガスが流入される。 - 特許庁

To suppress the temperature rise of a Faraday rotator and to secure deterioration prevention of the optical characteristic and reliability of an optical isolator by reducing light absorption of the Faraday rotator of the optical isolator to be used for the light source of a comparatively short wavelength region.例文帳に追加

比較的短波長域の光源に用いられる光アイソレータのファラデー回転子の光吸収を低減することで、ファラデー回転子の温度上昇を抑え、光アイソレータの光学特性の劣化防止や信頼性を確保する。 - 特許庁

If a user issues a deletion instruction to original data, a control unit 11 refers to an associated demand method storage region of the original data to be deleted and acquires the identifier of the stored reference source play list.例文帳に追加

オリジナルデータに対してユーザーより削除命令が発効された場合に、制御部１１は削除対象のオリジナルデータの関連需要法記憶領域を参照し、記憶されている参照元プレイリストの識別子を取得する。 - 特許庁

After forming a common source region on the substrate between the first and second gate structures, first and second drain regions are formed respectively in first and second parts of the substrate adjacent to the first and second gate structures, respectively.例文帳に追加

第１及び第２ゲート構造物間の基板に共通ソース領域を形成した後、第１及び第２ゲート構造物にそれぞれ隣接する基板の第１及び第２部分にそれぞれ第１及び第２ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To enable a silicide layer with uniform film thickness and film quality to be formed on a source-drain region, restrain junction leak in a MOS structure low and ensure good electrical connection between the silicide layer and metallic wiring.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域上に膜厚及び膜質の均一なシリサイド層を形成することができ、ＭＯＳ構造における接合リークを低く抑えることができ、且つシリサイド層と金属配線との良好な電気的接続を確保する。 - 特許庁

A laser light is given to the semiconductor thin film 5 via the wirings 8D, 8S and 8Z, and temperature gradient produced between the channel region and the source and drain regions on both sides thereof is used to improve the crystallinity of the polycrystalline silicon.例文帳に追加

配線８Ｄ，８Ｓ，８Ｚを介して半導体薄膜５にレーザ光を照射しチャネル領域と両側のソース領域及びドレイン領域との間で生じる温度勾配を利用して多結晶シリコンの結晶性を改質する。 - 特許庁

As an illumination cover 4 for covering the luminaire with a surface substantially vertical to a radiation direction of light from a light emission source, a material that transmits light according to its wavelength and has transmissivity not less than 10% in an infrared region is used.例文帳に追加

発光源からの光の放射方向に概略垂直な面で覆った照明カバーとして、（光の波長に対して透過するとともに、）赤外領域における透過率が１０パーセント以上ある材料を用いた。 - 特許庁

This reduces the size of an image of the light source 18a formed by reflected light from the region 20a1 close to the lower-end edge, thus a sufficient amount of light is secured for a part close to the cutoff line in the low-beam light distribution pattern P.例文帳に追加

これにより下端縁近傍領域２０ａ１からの反射光により形成される光源１８ａの像のサイズを小さなものとし、ロービーム配光パターンＰにおけるカットオフライン近傍部分の光量を十分に確保する。 - 特許庁

Then the document read section 13 can read image information of another document by allowing the light source 31 to emit the other document in a horizontal direction region S while the CIS 65 carries out the reading.例文帳に追加

そして、原稿読取部１３は、ＣＩＳ６５による読み取りが行われている間に、水平方向領域Ｓにおいて光源３１に他の原稿を照射させることにより他の原稿の画像情報を読み取り可能である。 - 特許庁

The agricultral products inspection device 10 consists of a light source 20 for irradiating agricultral products 14 with light of an ultraviolet region, an image pickup device 18 for picking up the image of the agricultral products 14 and a control unit 22 for judging the presence of the fresh defects.例文帳に追加

農産物検査装置１０は、農産物１４に紫外線領域の光を照射する光源２０と、農産物１４の画像を撮像する撮像装置１８と、生傷の有無を判定する制御装置２２と、からなる。 - 特許庁

It is possible thereby to easily and intendedly destroy check data in the inspection region of the RAM 33 and when the power source is turned on again and a reset signal inputted into a CPU 31 is inputted, the whole RAM is made clear.例文帳に追加

これによりＲＡＭ３３の検査領域のチェックデータを意図的に容易に破壊することができ、、電源再投入時にＣＰＵ３１に入力されるリセット信号が入力されると、ＲＡＭ３３全体がクリアされる。 - 特許庁

To provide an ink set which produces excellent quality of a character and has excellent strike-through resistance when printed on a regular paper sheet, exhibits less curl and cocklings especially in an achromatic color region, and has less light source dependence, and to provide an image forming method using the same.例文帳に追加

普通紙に印刷した際の文字画質及び裏抜け耐性に優れ、特に無彩色領域でのカール、コックリングが少なく、かつ光源依存性の少ないインクセット、及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for light source having a low thermal resistance and exhibiting high heat dissipation effect without using a heat sink in which a light emitting element can be used in a large current region while dealing with high output, and to provide an illuminator employing it.例文帳に追加

熱抵抗が小さくヒートシンクなどを使用しなくても放熱効果が高く、発光素子を大電流領域で使用可能で高出力化にも対応可能な光源用基板及びこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁