「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

A body layer includes a first body layer 3 deeply formed by including a channel region CH between an n+-type source layer and an n-type first drain layer 4, and a second body layer 6 overhanging from the first body layer 3 to a region under the layer 4 and shallowly formed.例文帳に追加

ボディ層は、Ｎ＋型ソース層とＮ型の第１ドレイン層４との間のチャネル領域ＣＨを含んで深く形成された第１のボディ層３と、この第１のボディ層３からＮ型の第１ドレイン層４の下の領域に張り出して浅く形成された第２のボディ層６とから構成されるようにした。 - 特許庁

A non-monocrystal semiconductor layer made of polycrystalline or micronized crystal silicon having a channel-forming layer, a source region and a drain region on an organic film is constituted.例文帳に追加

有機フィルム上にチャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を有する多結晶シリコンまたは微結晶シリコンからなる非単結晶半導体層を形成し、当該非単結晶半導体層のチャネル形成領域を除いた領域を紫外光によって結晶化を助長したソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In order to solve the problem, the MOS semiconductor device is provided with a gate insulating film formed on the surface of a semiconductor region on an insulating supporting substrate, a gate electrode arranged so as to be contacted with the semiconductor region through the gate insulating film, a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、絶縁性支持基板上の半導体領域の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体領域に接するように配置されたゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極を有するＭＯＳ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

On the substrate of a semiconductor memory device, there are formed in succession extendedly from its drain region to its source region a first polysilicon layer 61 containing crystal grains having a smallest average size, a second polysilicon layer 62 containing crystal grains having a large average size, and a third polysilicon layer 63 containing crystal grains having still larger average size.例文帳に追加

基板上に、ドレイン領域からソース領域に向かって、平均的なサイズが最も小さい結晶粒を含む第１ポリシリコン層６１と、平均的に大きな結晶粒を含む第２ポリシリコン層６２と、さらに平均的に大きな結晶粒を含む第３ポリシリコン層６３とを順に形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device 50 is provided with polysilicon regions 17 and 18 which are so selectively buried and formed as not to contact with a gate insulating film 6 or an element separating insulating film 11, at portions where a drain region 8 and a source region 9 within a major surface of a SOI layer and which has a function as gettering.例文帳に追加

半導体装置５０は、ドレイン領域８及びソース領域９が形成されている部分のＳＯＩ層４の主面内において、ゲート絶縁膜６及び素子分離絶縁膜１１に接触しないように選択的に埋め込み形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコン領域１７，１８を備えている。 - 特許庁

The control section supplies a first voltage and a second voltage that differs from the first one between the source/drain regions while the semiconductor device is off and on, and the second voltage is set so that potential in a body region in an off state becomes substantially the same as that in the body region in an on state.例文帳に追加

制御部は、半導体装置のオフ状態及びオン状態に、ソース／ドレイン領域間に第１電圧及び第１電圧と異なる第２電圧をそれぞれ供給し、第２電圧は、オフ状態のボディ領域の電位がオン状態のボディ領域の電位と実質的に同一となるように設定される。 - 特許庁

In this thin-film transistor, an insulating film 4 having openings in a source region 10S/a drain region 10D is formed between a lower semiconductor layer 11 and an upper semiconductor layer 12; and the lower semiconductor layer 11 and the upper semiconductor layer 12 are connected to each other through the openings H1, H2.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。 - 特許庁

Thus, since the ferromagnetic material diffused (migrated) from the TMR element 4 hardly reaches the semiconductor layer 6 by interposing the wiring layer 7 between the magnetic material layer 8 and the semiconductor layer 6, the diffusion of the ferromagnetic material to the drain region 32a and the source region 32c can be reduced.例文帳に追加

このように、磁性材料層８と半導体層６との間に配線層７を挟むことにより、ＴＭＲ素子４から拡散（マイグレーション）した強磁性材料が半導体層６へ達しにくくなるので、ドレイン領域３２ａ及びソース領域３２ｃへの強磁性材料の拡散を低減できる。 - 特許庁

The scanning probe microscope includes a light source 35 for irradiating the photoreactive substance on the substrate 1, a sensor 27 for detecting the photoreaction produced in the photoreactive substance by inspection light, an arranging mechanism 145 for arranging a probe 40 to a photoreactive region where the photoreaction on the substrate 1 is detected and a scanning mechanism 45 for allowing the probe 40 to scan the photoreactive region.例文帳に追加

基板1上の光反応物質に検査光を照射する光源35、検査光により光反応物質で生じた光反応を検出するセンサー27、基板1上の光反応が検出される光反応部位に探針40を配置する配置機構145、及び探針40に光反応部位を走査させる走査機構45を備える。 - 特許庁

The illumination source includes an LED assembly for outputting light, and an MR 16 type heat sink that is connected to the LED assembly and including a relatively flat inner core region having a first diameter and an outer core region having a second diameter.例文帳に追加

本発明に係る照明光源は、光を出力するためのＬＥＤアセンブリと、前記ＬＥＤアセンブリに接続されたＭＲ１６型ヒートシンクであって、第１の直径を有し且つ比較的平坦な内側コア領域と第２の直径を有した外側コア領域とを含んだＭＲ１６型ヒートシンクとを具備している。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device having a main circuit comprising MOSFET and a substrate bias circuit for supplying positive bias voltage to a semiconductor region in which the MOSFET is formed, is provided with a current limiting circuit for limiting current being supplied to the semiconductor region in response to a substrate current flowing between the semiconductor region where the MOSFET is formed and the source.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで構成される主回路と、上記ＭＯＳＦＥＴが形成される半導体領域に対して正のバイアス電圧を供給する基板バイアス回路とを有する半導体集積回路装置において、上記ＭＯＳＦＥＴが形成される半導体領域とソースとの間に流れる基板電流に応答して上記半導体領域に供給される電流を制限する電流制限回路を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The thin film transistor manufacturing method comprises irradiating an amorphous semiconductor film on an insulating surface with a laser beam scanned over the irradiated region to crystalline the amorphous semiconductor film and forming an active layer including a source region, a drain electric and a channel forming region, using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加

絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device by one mode is provided with a transistor comprising a source, a drain and a channel region which are arranged in a semiconductor substrate, and a gate electrode disposed on a surface of the semiconductor substrate in the channel region through a gate insulating film; a capacitor connected to the channel region; first wiring which is electrically connected to the gate electrode; and second wiring which is electrically connected to the drain.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体装置は、半導体基板中に設けられたソース、ドレイン及びチャネル領域と、該チャネル領域の半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含むトランジスタと、前記チャネル領域に接続されたキャパシタと、前記ゲート電極に電気的に接続された第１の配線と、前記ドレインに電気的に接続された第２の配線とを具備する。 - 特許庁

The gain variable low noise amplifier is characterized in that the amplifier employs a bias circuit A0 so as to maintain the grounded source TR M1 to be biased in the current saturation region under the bias condition and can control the gain at a voltage Vc at a gain control terminal.例文帳に追加

バイアス回路Ａ０を用いて、ソース接地トランジスタＭ１のバイアス条件を電流飽和領域を維持しながら、かつ一つの利得制御端子電圧Ｖｃで利得が制御できることを特徴としている。 - 特許庁

A mask for forming a high concentration source and drain region (7a, 7b) and then shadows of a gate electrode (4) and side wall (5) are utilized to control an implantation angle, so that high concentration well regions (10a, 10b) are formed by an ion implantation.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン領域（７ａ，７ｂ）形成用マスクと、ゲート電極（４）とサイドウォール（５）の影を利用し、注入角を制御することで、高濃度ウェル領域（１０ａ，１０ｂ）をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

A contact area can be increased by forming a silicide layer 9 divided into stripes in order to reduce an interface resistance between a source/ drain resistance, particularly between the silicide layer 9 and impurity diffusing region 8.例文帳に追加

ソース／ドレイン抵抗とくにシリサイド層９と不純物拡散領域８部分との界面抵抗を低減させるためにシリサイド層９をストライプ状に分割して形成することにより接触面積を増大させる。 - 特許庁

A gate electrode 7 and a drain electrode 6 to which the high voltage of an element is applied are arranged in a region with few crystal defects, and a source electrode 5 to which a voltage is not applied is arranged at the level difference portion susceptible to cracking.例文帳に追加

結晶欠陥が少ない領域に素子の高電圧が印加されるゲート電極７、ドレイン電極６を配置し、クラックが発生しやすい段差部分に電圧の印加されないソース電極５を配置する - 特許庁

The dummy pattern 12 is formed in a region which is non-facing the main pattern 11, on the surface of the transparent substrate 10 and which does not resolve to the transfer object, when irradiated with the light from the light source.例文帳に追加

ダミーパターン１２は、透明基材１０の表面のうちメインパターン１１との非対向領域に形成されており、光源の光が照射されたときに被転写対象に解像しないようになっている。 - 特許庁

The scanner 70 comprises a light source for illuminating an image forming region by a light including an invisible energy component and a camera 72 for forming an image of the invisible identification image by sensing an invisible light from the printing medium.例文帳に追加

スキャナ装置は、作像領域に不可視エネルギ成分を有する光で照明するための光源及び印刷媒体からの不可視光を感知して不可視識別画像の像を形成するカメラを備えている。 - 特許庁

To provide a linear light source device and an image reading device capable of making a light guide body small, making an emission region of the longitudinal direction of an emitted light large, and making an illuminance distribution of the emitted light uniform.例文帳に追加

導光体を小さくでき、かつ、出射光の長手方向の出射領域を大きくできて、出射光の照度分布を均一化できる線状光源装置および画像読取装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution.例文帳に追加

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A region 11 superposed on a driving circuit substrate 5 is excluded from the metal heat radiation plate 1 and the edge of the metal heat radiation plate 1 is separated from the edge of the driving circuit substrate 5 on a side far from the tubular light source.例文帳に追加

この金属放熱板１は、駆動回路基板５と重なる領域１１が省かれており、管状光源から遠い側にて、金属放熱板１の縁は、駆動回路基板５の縁から離間される。 - 特許庁

Also, the sidewall of the polycrystalline silicon film 115 is formed on the gate electrode sidewall of an NMOS, and a collector take-out layer 121a of the NPN transistor and a source/drain region 121c of the NMOS are formed at the same time.例文帳に追加

また、ＮＭＯＳのゲート電極側壁に多結晶シリコン膜１１５のサイドウォールを形成し、ＮＰＮトランジスタのコレクタ取出し層１２１ａとＮＭＯＳのソース／ドレイン領域１２１ｃを同時に形成する。 - 特許庁

A compound machine prints an access source page onto a paper form together with an entry field for contents of a command to an access destination page and a code region for entering a code with which the access destination page corresponding to the entry field can be specified.例文帳に追加

複合機は、アクセス元ページを、アクセス先ページに対する指令内容の記入欄および記入欄に対応するアクセス先ページを特定可能なコードが記載されるコード領域と共に用紙へ印刷する。 - 特許庁

A region in front of the vehicle is scanned by the infrared ray Ir, and the visible light source 7 is turned on and the object is illuminated by the visible light Vr when the infrared ray sensor 4 detects a pedestrian or an obstruction.例文帳に追加

赤外光Ｉｒにより車両前方の領域をスキャンし、赤外線センサー４が歩行者や障害物を検知したときに、可視光源７を点灯させ、可視光Ｖｒによって対象物を照明する。 - 特許庁

The irradiation light emitted from a light source 5 is converted to parallel light by a condensing lens part 6 and this parallel light is reflected by a half mirror 13 to subject the region to be inspected of an inspection target 1 to vertical illumination by an object lens 2.例文帳に追加

光源５からの放出される照射光を集光レンズ部６により平行光とし、ハーフミラー１３により反射させて、対物レンズ２により被検査物１の被検査領域を落射照明する。 - 特許庁

A projecting part (501) is formed on the substrate, the interlayer insulation film (41, 42) between the source region of the TFT and a data line is removed in the area opposite to this projecting part to allow electric conduction between them.例文帳に追加

基板に凸部（５０１）が形成されており、ＴＦＴのソース領域及びデータ線間の層間絶縁膜（４１、４２）は、この凸部に対向する個所において除去されて、両者間の電気的な接続がとられている。 - 特許庁

As a result, even when the thickness of a sidewall 10 layer is made smaller, a depletion layer 18 of the extension region having an impurity concentration lower than that of the source and drain regions becomes predominant, thus making it difficult to degrade a short-channel characteristic.例文帳に追加

この結果、サイドウォール１０層厚を薄層化しても、ソース・ドレイン領域に比べて不純物濃度の低いエクステンション領域の空乏層１８が支配的になるため、短チャンネル特性の劣化が生じにくくなる。 - 特許庁

The fluid channel region 12a intermittently or directly coming into contact with the heat source 30 is provided with at least two heat exchange regions 13a, 13b partitioned in the circulation direction of a fluid.例文帳に追加

熱源３０に間欠的に又は直接的に接触された流体チャネル領域１２ａには、流体の流通方向に区画形成された少なくとも２つの熱交換領域１３ａ，１３ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a lighting fixture for vehicle capable of preventing glare resulting from illumination light from an LED light source that enters a lens body being reflected at a region around a reflection surface out of a joint surface.例文帳に追加

レンズ体内部に入射したＬＥＤ光源からの照射光がつなぎ面のうち反射面の周囲領域で反射することに起因するグレアを防止することが可能な車両用灯具を提供する。 - 特許庁

To provide a display device for a vehicle, allowing a user to visually confirm a display region with an allowance, while preventing the transmission of light of a light source into a liquid crystal display when display items are not displayed on a display part.例文帳に追加

表示項目を表示部に表示させない場合に光源の光が液晶表示器を透過するのを防止しつつ、利用者が余裕を持って表示領域を視認可能な車両用表示装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the Hall-element H is arranged in the generation region of a high magnetic flux density B so that the large Hall voltage VH can be generated, even for a source currents I of a power N-type MOSFET set to a several-A level.例文帳に追加

このように、高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧ＶＨを発生する。 - 特許庁

To provide a planar lighting system stably maintaining an adhesion state of a light-emitting region of a light source element and a light-incident surface of a light guide plate to efficiently use the light, and advantageous to miniaturize the system and to reduce the thickness thereof.例文帳に追加

光源素子の光射出領域と導光板の光入射面との密着状態を安定して維持でき、光を効率良く利用すると共に小型薄型化に有利な面状照明装置を提供する。 - 特許庁

A measurement correcting section 116 obtains a first color value of a recording medium under a first light source, which emits first light including light in an ultraviolet region, and at a first temperature from a measured data table or a color sensor 123.例文帳に追加

測定値補正部116は、紫外域の光を含む第一の光を照射する第一の光源の下、かつ、第一の温度における、記録媒体の第一の色値を測定データテーブル、または、カラーセンサ123から取得する。 - 特許庁

A correlation between a shift amount from each of design values of a gate length and an offset side wall length and a dosage of a source/drain extension region to set transistor characteristics as design values is determined in advance.例文帳に追加

ゲート長及びオフセットサイドウォール長のそれぞれの設計値からのズレ量と、トランジスタの特性を設計値に設定するためのソース／ドレイン・エクステンション領域のドーズ量との相関関係を予め求めておく。 - 特許庁

A ZnO film 8 being a solid-phase diffusion source is formed on an entire surface on a p-type GaN contact layer 7, and thereafter a SiO_2 film 20 being a diffusion suppression film is formed in a predetermined region on the ZnO film 8.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide an information collection/delivery system capable of collecting, processing and also delivering weather information as required for each region by mounting a weather sensor capable of measuring weather data on a portable terminal as an information source.例文帳に追加

携帯端末に気象データを測定出来る気象センサを搭載し、これらを情報源として各地の気象情報を収集、加工し、要望に応じて配信する情報収集・配信システムを提供する。 - 特許庁

A signal voltage V_sig is applied to a pixel circuit 14 such that at least a part in a usable range as values of gate-to-source voltage V_gs of the driving transistor Tr_1 comes into a sub-threshold region of the driving transistor Tr_1.例文帳に追加

駆動トランジスタＴｒ_1のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値として採りうる範囲の少なくとも一部が駆動トランジスタＴｒ_1のサブスレッショルド領域となるように、信号電圧Ｖ_sigが画素回路１４に印加される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining stable output even if source-drain current varies in a saturation operation region of a thin-film transistor due to kink effect.例文帳に追加

キンク効果に起因して薄膜トランジスタの飽和動作領域にソース・ドレイン電流の変動がある場合でも、安定した出力を得ることができる半導体装置および電気光学装置を提供することにある。 - 特許庁

A plug 7a is formed in the source and drain impurity region, a first interlayer insulation film is formed on the front of the substrate, and a plurality of bit lines 9 are formed at fixed intervals in a direction being vertical to the word line 4.例文帳に追加

ソース／ドレイン不純物領域にプラグ７ａを形成し、基板の前面に第１層間絶縁膜を形成し、ワードライン４とは垂直方向に一定の間隔で複数のビットライン９を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in resolution, mask linearity, scum, film thinning and SEM shrink by coping with exposure of a far ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁