「separation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

By this invention, separation of the electrical element from the substrate is prevented when the bending force, etc. is applied to the display region by providing the rigid member that prevents transmission of distortion force and the bending force to be applied to the display region to the electrical element such as a horizontal drive circuit part adhered on one surface of the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、ディスプレイ領域に加えられるたわみ力や曲げ力が、基板の一面上に付着した水平駆動回路部のような電気要素までの伝達を防止する剛性部材を具備することで、ディスプレイ領域に曲げ力などが加えられる場合に電気要素が基板から分離されることを防止しうる。 - 特許庁

To remove a part of a face which is in the shadow region of a reflux sprayed and inhibited in polymerization of the internal structure included in a separating column suitable for a thermal separation method from the shadow region by using a method as simple as possible without a high cost, and also without a spraying nozzle to be used.例文帳に追加

本発明の課題は、熱分離方法に適した分離塔中に含有される内部構造体の、吹き付けた重合阻害された還流の陰の領域にある一部の面を、可能な限り単純な方法で、かつ高い費用なしで、殊に、更に使用すべきスプレーノズルなしで陰の領域でなくすることである。 - 特許庁

Further, since the cracks can be sequentially advanced from the modified region K1 to be formed near the rear surface 21b as a starting point of crack advance to the modified region K8 to be formed near the substrate surface 21a, fault separation of the semiconductor substrate 21 due to deflection of cracks may not occur.例文帳に追加

更に、クラック進展の起点となる裏面２１ｂ近傍に形成される改質領域Ｋ１から基板面２１ａ近傍に形成される改質領域Ｋ８に向かって順番にクラックを進展させて分割することができるので、クラックの偏向などによる半導体基板２１の分割不良が生じるおそれがない。 - 特許庁

The recess 8 in a movable separation film 5 provided on a bubble generating region 7 is deformed easily by a pressure produced through generation of a bubble 6 in the bubble generating region 7 to the first liquid channel 3 side with a thin film part as a starting point and the recess 8 is reset upon extinction of the bubble 6.例文帳に追加

気泡発生領域７における気泡６の発生によって生じた圧力より、気泡発生領域７上に設けられた可動分離膜５の凹部８がその膜厚の薄い部分を起点に第１の液流路３側に容易に変形し、気泡６の消泡により復帰する構成とする。 - 特許庁

Sub-cooling air discharged from a sub-duct 150 prevents or suppresses the separation of main cooling air from the straightening plate 120, therefore when compared with the configuration where the sub-duct 150 is not provided, the generation of a region (dead water region) that is not subject to or not sufficiently subject to the cooling air in a radiator 60, is prevented or reduced.例文帳に追加

サブダクト１５０から排出される副冷却風によって、主冷却風が整流板１２０から剥離することが防止又は抑制されるので、サブダクト１５０を有しない構成と比較し、ラジエータ６０に冷却風が当らない、又は十分に当らない領域（死水領域）の発生が防止又は低減される。 - 特許庁

To provide a sample manufacturing method for analyzing of a micro region, observing or measuring by separating or preparing for separation of a minute sample containing a desired specific region from a sample of an electronic components or the like such as a semiconductor wafer or a device without inclining a sample stage, as well as a sample manufacturing device thereof.例文帳に追加

試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。 - 特許庁

When the sealing ring 13 starts separation of both connector housings 10, 30 from a state of being adhered to a regulation protrusion 21, since at the beginning of breakaway, a corresponding region to a bending space 24 in the sealing ring 13 is displaced by following a second connection housing 30, friction resistance with a second connector housing 30 in a following region is reduced.例文帳に追加

シールリング１３が規制突起２１に当接する状態から両コネクタハウジング１０，３０の離脱を開始すると、離脱初期に、シールリング１３における撓み空間２４との対応領域が第２コネクタハウジング３０に追従変位するので、追従領域における第２コネクタハウジング３０との摩擦抵抗が低減される。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

In this case, even when the separation layer 52 in a region not below the pixel electrode 2 decreases, a base insulating film 1 is formed thereupon, and the temporary substrate 51 and separation layer 52 are removed to bury the flat plate type pixel electrode 2 in a recessed state below the reverse surface of the base insulating film 1, so that the pixel electrode 2 is hardly broken.例文帳に追加

この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 - 特許庁

Especially, in order to separate mutually photodiodes having sensitivity in light of long wavelength, since the pixel separation domain (20) needs to possess sufficient thickness for a depthwise direction, it is intentionally formed by ion implantation from the direction where channeling tends to occur, and an impurity region for separation between pixels which has a desired concentration profile with low implanting energy is formed efficiently.例文帳に追加

特に、長波長の光に感度をもつフォトダイオード間を分離するためには、画素分離領域（２０）は深さ方向に十分な厚みをもつ必要があるため、意図的に、チャネリングが生じ易い方向からのイオン注入により形成し、低い打ち込みエネルギーで所望の濃度プロファイルをもつ画素間分離用の不純物領域を効率的に形成する。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

The separation between the region 46 and the region 48 are conducted by the part under the gate electrode 45 of an n-well 43 and the region 47.例文帳に追加

ゲート電極４５と、ｎ^＋型のソース領域４６及びドレイン領域４８と、ソース近傍ｐ型領域４７とからなる増幅用ＭＯＳＦＥＴは、ソース近傍ｐ型領域４７がゲート電極４５の下方の基板位置においてドレイン領域４８と接触しておらず、また、ソース領域４６とドレイン領域４８との分離は、ｎウェル４３のゲート電極４５の下方の部分と、ソース近傍ｐ型領域４７とにより行われている。 - 特許庁

Each of photosensible cells is formed with, inside one active region 100 surrounded with a device separation area, a photo-diode 101, a transfer gate 102, a floating spreading layer unit 103, an amplifying transistor 104 and a reset transistor 105.例文帳に追加

各感光セルでは、フォトダイオード１０１と、転送ゲート１０２と、フローティング拡散層部１０３と、増幅トランジスタ１０４と、リセットトランジスタ１０５とが、素子分離領域に囲まれた一つの活性領域１００内に形成される。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

The height of the upper surface of an element separation insulating film 24 between an adjacent data transfer line contacts is higher than that of the main surface of a semiconductor substrate 23 in an element region between the first selection gate transistor and data transfer line contact.例文帳に追加

隣接するデータ転送線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第１の選択ゲートトランジスタとデータ転送線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

The n pieces of light emission pixels arrayed in the same row in the separation region R10 include both of light emission pixels corresponding to the first signal line SL1 and light emission pixels corresponding to the second signal line SL2.例文帳に追加

分離領域Ｒ１０内において同一行に配列されたｎ個の発光画素には、第１信号線ＳＬ１に対応づけられる発光画素と、第２信号線ＳＬ２に対応づけられる発光画素との双方が含まれる。 - 特許庁

A modulation frequency component according to the zigzag of the magnetic domain separation region is detected from a reproduction signal RF, and the amplitude level of the modulation frequency component is detected from a band-pass filter 211 by a detection circuit 212.例文帳に追加

バンドパスフィルタ２１１により、再生信号ＲＦから磁区分離領域の蛇行に応じた変調周波数成分を検出し、検波回路２１２によりバンドパスフィルタ２１１からの変調周波数成分の振幅レベルを検出する。 - 特許庁

To provide an optical device capable of performing wavelength separation in a visible light region highly accurately while materializing a lower cost, to provide a manufacturing method of the optical device, and to provide a wavelength variable filter, a wavelength variable filter module and an optical spectrum analyzer.例文帳に追加

低コスト化を図りつつ、可視光領域での波長分離を高精度に行うことができる光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザを提供すること。 - 特許庁

When there exists other blank band at one side of the blank zone as the object of judgement with the character string interposed, and there exists a clear separation element or blank separator at the other side, the blank band as the object of judgement is not defined as an inter-character region separator.例文帳に追加

ただし、判定対象の空白帯に文字行を挟んで一方に他の空白帯が存在し、他方に明確な区切り要素か空白セパレータがある場合は、判定対象の空白帯を文字領域間のセパレータとしない。 - 特許庁

On an n-type or p-type epitaxial layer for which an element region side face is separated by a dielectric by a trench type dielectric separation layer, a semiconductor element such as a horizontal type MOSFET or a vertical type bipolar transistor or a vertical type diode is formed.例文帳に追加

トレンチ型誘電体分離層により素子領域側面が誘電体で分離されたｎ型又はｐ型のエピタキシャル層に、横型のＭＯＳＦＥＴあるいは縦型バイポーラトランジスタ、縦型のダイオード等の半導体素子を形成する。 - 特許庁

To provide an input image correction device for properly executing region separation processing to input image data, and for operating image formation so that features originally owned by an original can be prevented from being damaged.例文帳に追加

入力画像データに対する領域分離処理を適切に行わせることができ、この結果、原稿が元来有している特徴が損なわれないように画像形成を行うことのできる入力画像補正装置を提供する。 - 特許庁

Diagonal line parts in each region of inter-element separation groove wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d are electrically connected to wiring layers 22a, 22b, 22c, 22d and ridge electrodes on ridge parts of each laser light emitting parts LD1 to LD4.例文帳に追加

素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。 - 特許庁

At the upper portion of the p-type pixel separation region 306, a connection electrode 308 to which a positive charge is applied at driving and a connection electrode 309 to which no positive charges are applied at driving are formed via a gate insulation film 307.例文帳に追加

Ｐ型画素分離領域３０６の上方には、駆動時に正電荷が印加される接続電極３０８と、駆動時に正電荷が印加されない接続電極３０９がゲート絶縁膜３０７を介して形成される。 - 特許庁

Alternatively, the height of the upper surface of the element separation insulating film 24 between the adjacent source line contacts is higher than that of the main surface of the semiconductor substrate 23 in an element region between the second selection gate transistor and source line contact.例文帳に追加

或いは隣接するソース線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第２の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

Thus, stray capacitance in a high frequency region can be reduced, because of enabling to form a larger size and shape of the resistor by means of arranging the thick film resistors to compose the πtype resistance attenuating circuit on the both surfaces of the insulating substrate in separation.例文帳に追加

π型抵抗減衰回路を構成する厚膜抵抗体を絶縁基板の両面に分けて設けることで抵抗体の寸法、形状を大きく形成できるので、高周波領域での浮遊容量を低減できる。 - 特許庁

To provide a mass separation electromagnet which has simple structure, can achieve the reduction in size and weight of the magnet, can generate uniform magnet field on large region, and can handle ion beam which has large dimension in the direction of beam thickness.例文帳に追加

構造が簡単であり、磁石の小型・軽量化を図ることができ、広い範囲に均一磁場領域を発生させることができ、ビーム厚さ方向寸法の大きいイオンビームにも対応できる質量分離電磁石を提供する。 - 特許庁

The 90° hybrid for polarizing multiplex light coherent communication is miniaturized by inserting a photonic crystal polarizer having polarizing separation action capable of selecting the transmission axis direction for each region, and a photonic crystal wavelength plate having polarizing rotation action capable of selecting the slow phase axis direction for each region into a waveguide of a quartz-based optical waveguide chip.例文帳に追加

領域ごとに透過軸方向の選択可能な偏光分離作用のあるフォトニック結晶偏光子や、領域ごとに遅相軸方向の選択可能な偏光回転作用のあるフォトニック結晶波長板を、石英系光導波路チップの導波路上に挿入することで、偏光多重光コヒーレント通信用９０°ハイブリッドを小型にする。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device having a plurality of element formation regions divided by isolation separation trenches on a semiconductor substrate, pairs of electrodes are arranged on the front and rear surfaces of the semiconductor substrate to be separated from each other, and a pn column region is provided on the semiconductor substrate as a region for forming dual-face electrode elements through which currents flow between the electrodes.例文帳に追加

絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、対をなす電極が半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、電極間に電流が流れる両面電極素子の形成領域として、半導体基板にｐｎコラム領域を設けた。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

A channel 10x for constituting an anchor section 20x preventing the separation of the wiring layer 20 is formed inside the wiring arrangement region of a ground insulating layer 10, and then the wiring layer 20, having the anchor section 20x embedded in the groove 10x and projecting from the upper surface of the ground insulating layer 10, is formed in the wiring arranging region of the ground insulating layer 10.例文帳に追加

下地絶縁層１０の配線配置領域の内側に、配線層２０の剥がれを防止するアンカー部２０ｘを構成するための溝１０ｘを形成した後に、下地絶縁層１０の配線配置領域に、溝１０ｘに埋め込まれたアンカー部２０ｘを備えて、下地絶縁層１０の上面から突出する配線層２０を形成する。 - 特許庁

The carrier separation screen is provided with a submerged mixer 13 urging downflow water stream flowing along the screen 3, a water level gage 15 detecting the level difference of an upstream region 4 and a downstream region 5 across the screen 3, and a control device 16 controlling the submerged mixer 13 using the level difference h detected by the water level gage 15 to adjust the water force.例文帳に追加

スクリーン３に沿って流れる下向流の水流を加勢する水中ミキサー１３と、スクリーン３で隔てた上流側領域４と下流側領域５との水位差を検出する水位計１５と、水位計１５で検出する水位差ｈを指標として水中ミキサー１３を制御して下向流の水勢を調整する制御装置１６を備える。 - 特許庁

After the releasable wafer 12 is obtained by separating the wafer 13 from the thin film 17 on the whole surface of the ion-implanted region 13b so that no step may be formed in the periphery of the wafer 12, a regenerated wafer 32 is obtained by polishing the separation surface 12a of the wafer 12.例文帳に追加

周囲に段差が生じないようにイオン注入領域１３ｂの全面で半導体ウェーハ１３を薄膜１７から分離して剥離ウェーハ１２を得て、剥離ウェーハ１２の分離面１２ａを研磨して再生ウェーハ３２を得る。 - 特許庁

Separation walls(diffusion layers 14a and 14b), electrically separating a predetermined region that is a magnetic detector HP in a semiconductor substrate, are formed in configurations such that the magnetic detector HP can be made successively narrower from a substrate surface in a direction toward the inside.例文帳に追加

半導体基板内の磁気検出部ＨＰとなる所定領域を電気的に区画する分離壁（拡散層１４ａおよび１４ｂ）についてこれを、基板表面から内部へ向けて磁気検出部ＨＰを順次狭める態様で形成する。 - 特許庁

To provide a micro fluid chip capable of applying a reaction reagent to the entire region of a channel without greatly disturbing the separation state of an analysis target especially even at the starting point of application of the reaction reagent, and to provide an analysis method using the chip.例文帳に追加

流路全域にわたって、特に反応試薬の塗布開始点においても、分析対象の分離状態を大きく乱さずに反応試薬を塗布することができるマイクロ流体チップ及び該チップを用いた分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that reduces a noise caused by a dark current generated in an element separation region for separating a reset transistor or an amplifying transistor from a photoelectric conversion part, and that is advantageous to miniaturization of pixels.例文帳に追加

本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an image processor, image forming apparatus, and image processing method achieving enhancement of processing efficiency in image quality improvement processing and region separation processing; and to provide an image processing program and image processing program-recorded recording medium.例文帳に追加

画質改善処理および領域分離処理における処理効率の向上を実現する画像処理装置および画像形成装置ならびに画像処理方法、画像処理プログラムおよび画像処理プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

Since this semiconductor device has the recess 15 formed on the element separation film 2, more well regions with low resistance only in a region in the recess 15 can be secured than in the case that no recess 15 is formed on the film 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、素子分離膜２に凹部１５が形成されているので、素子分離膜２に凹部１５が形成されていない場合に比べて、凹部１５内の領域だけ低抵抗なウエル領域を多く確保することができる。 - 特許庁

To provide a paper feeding device capable of absorbing a thickness of an overlapped and bonded part of an envelope and bringing a paper feeding roller and a friction separation pad into linear pressure-contact in the whole region of a paper feeding roller width in the same way as ordinary paper to prevent the occurrence of improper conveyance.例文帳に追加

封筒の重ね貼り部分の厚みを吸収し、給紙コロと摩擦分離パッドを普通紙同様に給紙コロ幅全域での直線的な圧接にすることで、搬送不良を引き起こしにくくすることが可能な給紙装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering cyclic polyarylene sulfide and polyarylene sulfide whose metal content is low, and whose physical properties such as electrical property is improved by removing contained alkali metal such as sodium chloride by performing solid-liquid separation in a low-temperature region.例文帳に追加

低温領域での固液分離による塩化ナトリウム等のアルカリ金属含有量の除去を行い、電気特性等の物性を改良した金属含有量の少ない環式ポリアリーレンスルフィドおよびポリアリーレンスルフィドを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-luminance nitride semiconductor light-emitting element without any deterioration without damaging a light emitting region, when forming a separation groove for separating chips and that for laser lift-off.例文帳に追加

チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

The separation processing server 11 obtains the specified image data from a storage server 18 and outputs them to a movement detection server 12 to perform movement detection processing, and then outputs the image data, a moving vector, and position information to a region specification server 13.例文帳に追加

分離処理サーバ１１は、蓄積サーバ１８より指定された画像データを取得し、動き検出サーバ１２に出力して、動き検出処理させた後、画像データ、動きベクトル、および、位置情報を領域特定サーバ１３に出力する。 - 特許庁

Gates FG1 to FG4 in a square or circular annular shape in plan view are formed so that the center section of the diffusion layers L1 and L2 surrounded by the element separation region is exposed, and at the same time the edge sections at both sides of the diffusion layers L1 and L2 are covered.例文帳に追加

平面視で角形又は円形の環状を呈するゲートＦＧ１〜ＦＧ４を、素子分離領域によって囲まれた拡散層Ｌ１，Ｌ２の中央部を露出させ、かつこの拡散層Ｌ１，Ｌ２の両側のエッジ部を覆うように形成する。 - 特許庁

A region separation part 5 separates the decoded image data 13 into edge area image data 23 and non-edge area image data 17 based on an edge information signal 15, and the former is output to a switching part 9 and the latter is output to a noise reducing part 7 respectively.例文帳に追加

領域分離部５ではエッジ情報信号１５に基づき、復号画像データ１３がエッジ領域画像データ２３と、非エッジ領域画像データ１７とに分離され、前者は切り替え部９に、後者は雑音低減部７に、夫々出力される。 - 特許庁