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separation regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 648



例文

Therefore, when a liquid crystal device 1 is manufactured or in operation, a crack generated in the separation area 30 is less propagated to the separation region R1 through the insulating film 91.例文帳に追加

したがって、液晶装置1の製造時又は動作時に分離領域30に生じたクラックが絶縁膜91を介して分離領域R1に伝播することを低減できる。 - 特許庁

The charge injection layer is formed throughout a display region including the lower electrode and the element separation film, and a high resistance region of the charge injection layer is formed at a tapered portion of the element separation film.例文帳に追加

前記電荷注入層は前記下部電極及び前記素子分離膜を含む表示領域全面に形成されており、前記素子分離膜のテーパー部に、前記電荷注入層の高抵抗領域が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Contrarily, a separation region 36 is provided between the electrode pattern 43 for grounding and a precursor of the step absorption layer 34, and a separation region 26 is provided between the electrode pattern 43 for grounding and a precursor of a step absorption layer 24.例文帳に追加

その一方、接地用電極パターン43と段差吸収層34の前駆体との間に離間領域36を設けると共に、接地用電極パターン43と段差吸収層24の前駆体との間に離間領域26を設けている。 - 特許庁

The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region.例文帳に追加

そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がpnコラム領域を構成するp導電型半導体領域とn導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がp導電型半導体領域又はn導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device manufactured by an SBSI (separation by bonding silicon island) method, an element isolation layer 13 is formed into a planar shape of "surrounding an element forming region 10, segmenting an SOI forming region 1a from an SOI forming region 1c within the surrounded region and segmenting an SOI forming region 1b from an SOI forming region 1d therewithin".例文帳に追加

SBSI法よって製造される半導体装置であって、素子分離層13を「素子形成領域10を囲み、囲んだ範囲内でSOI形成領域1aとSOI形成領域1cとの間を仕切ると共に、SOI形成領域1bとSOI形成領域1dとの間を仕切る」平面形状に形成している。 - 特許庁


例文

A color material quantity curve of the color separation information before and after adjustment in each color region is then acquired (S303, S307), the color separation information after adjustment is corrected on the basis of the color material quantity curve, and the color separation information corresponding to the printing conditions is created (S308).例文帳に追加

そして、各色領域における、調整前後の色分解情報の色材量カーブを取得し(S303、S307)、色材量カーブに基づき、調整後の色分解情報を修正して、印刷条件に対応する色分解情報を生成する(S308)。 - 特許庁

A power supply voltage VCC is applied to the dummy island 18 and a ground potential GND is applied to a P+separation region 23.例文帳に追加

ダミーアイランド18には電源電位VCCが印加され、P+分離領域23には接地電位GNDが印加される。 - 特許庁

A first pixel separation film BM1 forms a first opening for defining a luminescent region when the organic film 34b emits light.例文帳に追加

第1の画素分離膜BM1は、有機膜34bが発光する際の発光領域を規定する第1の開口部を形成する。 - 特許庁

To prevent punch-through effect between elements, the p+ type punch-through preventing region 6 is also formed directly under an insulation separation layer 10.例文帳に追加

また、p^+ 型パンチスルー防止領域6は、素子間のパンチスルー防止のため、絶縁分離層10の直下にも形成される。 - 特許庁

例文

To eliminate dispersion in magnetic separation capability caused by the region of a disc substrate surface where magnet pieces are arranged.例文帳に追加

磁石片を配列するディスク基板面の領域部分による磁気分離能力のバラツキの問題を解消することができる。 - 特許庁

例文

A second semiconductor layer region 143 is formed at the outside of the closed loops of the first dielectric separation films 122 and 132.例文帳に追加

第一の誘電体分離膜122、132の閉ループの外側には第二の半導体層領域143が形成されている。 - 特許庁

The pixel separation region 121 is in contact with an end face of an insulator layer 117 adjacent to a lower face of the pixel electrode 119.例文帳に追加

画素分離領域121は、画素電極119の下面に隣接する絶縁体層117の端面と接している。 - 特許庁

To provide a sound signal reproduction apparatus which attains excellent audible range separation by avoiding effect degradation of a low pitched sound region.例文帳に追加

低音域での効果劣化を解消し良好な可聴領域分離を実現する音響信号再生装置の提供。 - 特許庁

So, with a prescribed design rule applied, an element separation region 36 is allowed to be away from the reading transistor 31.例文帳に追加

したがって、所定のデザインルールを適用した場合に、素子分離領域36と読み出しトランジスタ31との間を広くできる。 - 特許庁

To provide a polarization control optical circuit capable of configuring a polarization separation element in a short refractive index control region.例文帳に追加

短い屈折率制御領域で偏波分離素子を構成することができる偏波制御光回路を提供すること。 - 特許庁

An element separation insulating film 1 and a P-type active region 2 regulated by the film are formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板10上に素子分離絶縁膜1および、それによって規定されるP型の活性領域2を形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which has a crystal layer formed of a nitride semiconductor and also has a high-resistance separation element region.例文帳に追加

窒化物半導体からなる結晶層を有し、高抵抗の分離素子領域を具備する半導体装置を再現性良く得る。 - 特許庁

This blood vessel separation method for liver makes it possible to perform local treatment of a patient whose region causing metastasis to the liver cannot be surgically removed.例文帳に追加

肝臓の血管分離法は、肝臓への転移が切除不可能な患者の局所的な治療を可能にするものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes a supporting board 3, and an element separation insulating film 4 for separating an element region arranged within the supporting board.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板3と、支持基板内に配設された、素子領域を分離する素子分離絶縁膜4と、を含む。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth.例文帳に追加

n型エピタキシャル層3と素子分離領域4の上にSi層とSiGe層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

The round shape can be formed by connecting bird's beak parts over the active region when a separation oxide film 5 is formed.例文帳に追加

当該ラウンド形状は、分離酸化膜5の形成時にバーズビーク部を活性領域上で接続することで形成できる。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus capable of excellently extracting edge pixels of characters / line drawings without an exclusive circuit for applying region separation to a dot image part.例文帳に追加

網点画像部分を領域分離するための専用回路を用いずに、文字/線画エッジ画素を良好に抽出する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region (103) formed on semiconductor substrates, a trench-shaped element isolation region (104) formed on the semiconductor substrates (101, 102), and a fluorine diffusing region (116) formed on the semiconductor substrates to surround the element isolation region keeping separation from the active region.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板に形成された活性領域(103)と、前記半導体基板(101、102)に形成されたトレンチ型の素子分離領域(104)と、前記素子分離領域を囲み、且つ、前記活性領域に接触しないように前記半導体基板に形成されたフッ素拡散領域(116)とを有する。 - 特許庁

Unlike conventional techniques wherein ion injection is performed using a resist mask provided at a predetermined distance d from an element separation region end, the resist mask is not misaligned and the distance d from the end of the element separation region 13 is made stable to stably form a p-type impurity region 133.例文帳に追加

素子分離領域端から所定の距離dだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域13の端からの距離dを安定化させて、p型不純物領域133を安定化して形成することができる。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is arranged separately from the shallow trench separation region in a region adjacent to at least the gate electrode of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域は少なくとも前記ESD保護用のN型MOSトランジスタのゲート電極に近接する領域において、シャロートレンチ分離領域から離れて配置した。 - 特許庁

To easily form a correction pattern effective for preventing the deformation of a gate size occurring in the level difference portion consisting of a boundary between the diffusion region and element separation region of a transistor(TR).例文帳に追加

トランジスタの拡散領域と素子分離領域との境界からなる段差部分に起因したゲート寸法の変形を防止する有効な補正パターンを簡便に生成できるようにする。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、NPNトランジスタ1のベース領域として用いられるP型の拡散層10とP型の分離領域3との間にはN型の拡散層12が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、NPNトランジスタ1のベース領域として用いられるP型の拡散層12とP型の分離領域3との間にはN型の拡散層14が形成されている。 - 特許庁

In a MOS type semiconductor device which makes an element separation by a trench element isolation region, in a pMOS, the length of the source/drain region in the channel direction is set to 1 μm or less.例文帳に追加

トレンチ型の素子分離領域によって素子分離がなされたMOS型半導体装置において、pMOSにおいては、チャネル方向のソース・ドレイン領域の長さを1μm以下とする。 - 特許庁

A separation determining means determines the moment when the specific amount of feed is separated from a second region separated from the first region of the tubular chute of the grooved chute.例文帳に追加

離脱判定手段は、前記一定量の前記飼料が前記管状シュート又は溝状シュートの、前記第1の領域から離れた第2の領域から離脱する瞬間を判定する。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

n−型半導体層領域130の四隅部には誘電体分離膜120に少なくともその一部が接するようにp型不純物拡散領域170が形成される。 - 特許庁

A tunnel oxide film 13 is formed on a semiconductor substrate of an element region defined by an element separation region, and a floating gate 14 is formed on the tunnel oxide film.例文帳に追加

素子分離領域12により区画された素子領域の半導体基板11上にトンネル酸化膜13が形成され、トンネル酸化膜13上に浮遊ゲート14が形成される。 - 特許庁

To provide the creation method of mask data, a mask, and a computer-readable record medium that are used when a dummy projection region is formed in a specific pattern within a trench element separation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域を所定のパターンで形成する際に使用する、マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that many processes are required since element separation films of different shapes are formed in separate processes in a functional region requiring high integration and in a peripheral region with high voltage applied.例文帳に追加

高集積化が求められる機能領域と高電圧が印加される周辺領域とに、異なる形状の素子分離膜を別工程で形成するため、工程数が多い。 - 特許庁

An n-type well region 3 and a p-type well region 4 are formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, and an element separation insulation film 2 separates between the well regions 3 and 4.例文帳に追加

p型シリコン基板1の表面にn型ウェル領域3,p型ウェル領域4を形成し、このウェル領域3,4間を素子分離絶縁膜2によって分離している。 - 特許庁

A plurality of photoelectric conversion elements 20 separated by a connection line region 16 and separation line region 18 are arranged on a glass substrate 2 which is right triangle in the profile.例文帳に追加

外形形状が直角三角形のガラス基板2の上には、接続ライン領域16と分離ライン領域18によって区切られた複数の光電変換素子20が配設されている。 - 特許庁

To provide the creation method of mask data, a mask, and a computer-readable record medium that are used when a dummy projection part region is formed in a specific pattern within a trench element separation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域内に、ダミー凸部領域を所定のパターンで形成する際に使用する、マスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

A buried dielectric stressor element 102 having a horizontally extending upper surface is arranged below one part of an active semiconductor region 104 separated by a trench separation region 106.例文帳に追加

トレンチ分離領域106により分離された活性半導体領域104の一部分の下に、水平に延びる上面を有する埋め込み誘電体ストレッサ要素102が配置される。 - 特許庁

A first conductivity diffusion region 14 constituting the well contact is formed within the same active region as the diffusion regions 8, 10 and 12, and separated from the second conductivity diffusion region 12 by a separation gate 13.例文帳に追加

ウェルコンタクトを構成する第1導電型の拡散領域14は、拡散領域8、10、12と同一活性領域内に形成され、且つ、第2導電型の拡散領域12に対して、分離ゲート13により分離されている。 - 特許庁

For solving the problem, a CCD image sensor is composed, where the sensor includes one photodiode region segmented by an element separation region (4) and a CCD register (3) connected one photodiode region through a transfer gate (2).例文帳に追加

上記の課題を解決するために、素子分離領域(4)で区画された1つのフォトダイオード領域と、転送ゲート(2)を介して1つのフォトダイオード領域に接続するCCDレジスタ(3)とを具備するCCDイメージセンサを構成する。 - 特許庁

Moreover, the low-concentration drain region is formed by simultaneously doping the separating area of each transistor and the low-concentration drain region with an impurity element for separation and, at the same time, doping the low-concentration drain region with an opposite impurity element.例文帳に追加

さらに、各々のトランジスタの分離領域と低濃度ドレイン領域とに同時に分離用不純物元素をドーピングするとともに、低濃度ドレイン領域に逆の不純物元素をドーピングして低濃度ドレイン領域を形成した。 - 特許庁

The multistage separator for separating a liquid from air includes a front stage separator 10 for isolating an air region before the separation of oil from an air region after front stage separation, a main separator 14 including a flocculation type element for increasing the size of liquid droplets and a rear stage separator 15.例文帳に追加

オイル分離前の気体領域を前段オイル分離後の気体領域から隔離する前段分離器10と、液滴を大きくする凝集式エレメントを含む主分離器14と、後段分離器15とを含む、気体から液体を分離する装置。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域110のレーザ領域(発光領域)107の側における上部クラッド層106には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層106の実効的な導電率を下げた(実効的な抵抗率を上げた)高抵抗領域111を備える。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。 - 特許庁

A first gate oxide film 106, which is relatively the thickest, is formed on an input/output MOSFET active region, a first internal MOSFET active region and a second internal MOSFET active region which are mutually separated by a trench separation region 105.例文帳に追加

トレンチ分離領域105によって互いに分離されている入出力MOSFET活性領域、第1の内部MOSFET活性領域及び第2の内部MOSFET活性領域のそれぞれの上に、相対的に最も厚い第1のゲート酸化膜106を形成する。 - 特許庁

The incident-side substrate 2 has the functions of a polarization separation processing region as a unit processing region for selectively passing light, and the outgoing side substrate 3 has a function of a polarization rotation processing region as a unit processing region for selectively changing the polarization of light.例文帳に追加

入射側の基板2は、光を選択的に通過させる単位処理領域としての偏光分離処理領域の機能を有し、出射側の基板3は、光の偏光状態を選択的に変化させる単位処理領域としての偏光回転処理領域の機能を有している。 - 特許庁

Separation part regions Scp1, Scp2 are respectively formed between an impurity diffusion region 11 of a transistor Tp1 and an impurity diffusion region 12 of a transistor Tp2, and between an impurity diffusion region 13 of the transistor Tp2 and an impurity diffusion region 14 of a transistor Tp3.例文帳に追加

トランジスタTp1の不純物拡散領域11とトランジスタTp2の不純物拡散領域12との間、および、トランジスタTp2の不純物拡散領域13とトランジスタTp3の不純物拡散領域14との間に、分離部分領域Scp1,Scp2がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a method and a system to reduce the number of repetitions required to learn separating coefficients in a signal separating system that conducts a separation process in a frequency region and to prevent occurrence of signal replacement after the separation.例文帳に追加

周波数領域で分離処理を行う信号分離システムにおいて、分離係数の学習に必要な繰り返し回数を削減し、また分離後の信号の入替わりを防ぐ方法、システムの提供。 - 特許庁

The upper block members 46A, 46B are disposed such that space S through which the separation gasses can be circulated is formed on the upper stream side of a rotation direction of the rotation table 2 in the separation region.例文帳に追加

上ブロック部材46A,46Bは、前記分離領域における回転テーブル2の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Sが形成されるように配置される。 - 特許庁

例文

The polarization separation film is such that the transmissivity of an ultraviolet ray of a specified wavelength region, which enters the film surface of the polarization separation film at an incident angle of about 0° is about 40% or more.例文帳に追加

偏光分離膜は、偏光分離膜の膜面に対して入射角約0度で入射する特定波長領域の紫外光の透過率が約40%以上であることを特徴とする。 - 特許庁




  
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