「separation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial layers 7, 8 are divided into a plurality of element formation regions by separation regions 3, 4, 5, and an npn transistor 1 is formed at one element formation region.例文帳に追加

エピタキシャル層７、８は、分離領域３、４、５により複数の素子形成領域に区分され、素子形成領域の１つには、ＮＰＮトランジスタ１が形成されている。 - 特許庁

To reliably prevent problems such as displacement of a placing position or separation from a placing portion from occurring to a guiding sheet disposed in a document reading region.例文帳に追加

原稿読み取り領域に設けられる案内シートに取付位置ずれや、或いは取付部位から外れてしまうといった問題が生じることを確実に防止する - 特許庁

A separation layer is inserted or arranged in the lateral tuned-in part of the inserted opposite end region, and the ends are subsequently connected mutually by the lateral fusing seam.例文帳に追加

挟み込まれた反対端領域の側方折り込み部内へ分離層を挿入あるいは設置し、次いで、端部を側方溶着シームによって相互に連結する。 - 特許庁

To prevent inter-wiring short circuit caused by separation of a conductive film remaining in a groove of an accessory pattern, with respect to the accessory pattern to be formed on a scribing line region.例文帳に追加

スクライブ線領域上に形成されるアクセサリパターンに関し、アクセサリパターンの溝内に残された導電膜が剥がれることによって生ずる配線間の短絡を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a void, while preventing damage on the surface of a semiconductor substrate when an element separation region is finely formed.例文帳に追加

微細な素子分離領域の形成に際して、半導体基板の表面のダメージを防止しつつ、ボイドの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The separation layer 102 and a thin-film transistor layer 103 with a semiconductor film as an active region are successively formed on an insulation substrate 100, and a plurality of IDF chips 104 are formed.例文帳に追加

絶縁基板１００上に剥離層１０２、半導体膜を能動領域とする薄膜トランジスタ層１０３を順次形成し、ＩＤＦチップ１０４を複数形成する。 - 特許庁

Under a field separation film 14, a P type diffusion region 7 is discretely formed in the direction across the direction where a current flows in on-state.例文帳に追加

フィールド分離膜１４の下に、オン状態において電流が流れる方向と交差する方向に沿って離散的にＰ型拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The recording body P is self stripped from a second intermediate transfer belt 31, when the recording body P is transported to a first separation region A by the second intermediate transfer belt 31.例文帳に追加

第２中間転写ベルト３１によって、第１分離領域Ａに記録体Ｐが搬送されると、記録体Ｐが第２中間転写ベルト３１から曲率分離する。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbon nanotube-containing material which contains dispersed single wall carbon nanotubes and emits fluorescence in a near-infrared region without performing centrifugal separation.例文帳に追加

遠心分離を行うことなく、分散した単層カーボンナノチューブを含み近赤外域に蛍光を発するカーボンナノチューブ含有物質の作成方法を提供する。 - 特許庁

The separation insulators 2a-2c are formed inside the grooves by a thermal oxidation method, and isolate an element-forming region on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

分離絶縁体２ａ〜２ｃは、熱酸化法を用いて溝の内部に形成され、半導体基板１の主表面において素子形成領域を分離するものである。 - 特許庁

An element separation region 17, a gate insulating film 12, a gate electrode 13, a gate electrode insulating film, and a side wall spacer 14 are sequentially formed on the surface of a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に、素子分離領域１７,ゲート絶縁膜１２,ゲート電極１３,ゲート電極上絶縁膜およびサイドウォールスペーサ１４を順次形成する。 - 特許庁

Then, the semiconductor layer 4 and the rear electrode layer 5 are removed along with the front electrode layer 3 and the separation compound 14 to form a translucent partial region.例文帳に追加

次に、半導体層４および後部電極層５が、前部電極層３から剥離化合物１４と共に、除去され、透光性部分領域を形成する。 - 特許庁

Two diodes constituting a bridge rectification circuit are formed in each of two regions, and each diode is separated from surroundings by a p-type separation diffusion region.例文帳に追加

２つの領域には、ブリッジ整流回路を構成するダイオードが２つずつ形成されており、各ダイオードは、Ｐ型の分離拡散領域によって、周囲から分離されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 50, a trench formed in a p-well 70 on the main surface of the semiconductor substrate 50, a separation region 40 which is formed in the trench and comprises a defective embedding point 41, and an assist gate electrode 12 whose one part is formed on the separation region 40 and comprises an end on the defective embedding point 41.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板５０と、半導体基板５０の主表面上のｐウエル７０に形成されたトレンチと、トレンチ内に形成され、埋込み不良箇所４１を有する分離領域４０と、その一部が分離領域４０上に形成され、埋込み不良箇所４１上に終端部を有するアシストゲート電極１２とを備える。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

The step absorption layers are positively formed on each internal electrode, and the separation regions are provided at places opposite to the step absorption layers from the first, thus achieving absorption in the separation region even if the step absorption layer deviates to some extent at formation.例文帳に追加

各内部電極上に積極的に段差吸収層を形成し、その段差吸収層に対向する箇所に離間領域を当初から設けているため、段差吸収層が多少ずれて形成されたとしても、離間領域で吸収することができる。 - 特許庁

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。 - 特許庁

The second light shielding part 313B is formed so that the center of the second light shielding part 313B is shifted more to the peripheral side of a pixel region PA than the center of the pixel separation part 301, on the periphery of the center of the pixel region PA.例文帳に追加

ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

A template holder 130 is provided that is capable of holding the template 12 by surface-contacting a region of a sidewall of the template 12 and a region of the entire backside of the template 12 without deforming the template during the process of imprint and separation.例文帳に追加

インプリントおよび分離のプロセス中に、テンプレートを変形させることなく、テンプレート１２の側壁の領域およびテンプレート１２の裏面全ての領域と面接触して、テンプレート１２の保持を可能にすることができるテンプレートホルダ（支持）１３０を設けた。 - 特許庁

A field-effect transitor 40 is formed on one semiconductor island- shaped region 32a of a dielectric separation substrate 30 and an ion responsive film 6 is formed on the main surface of the other semiconductor island-shaped region 32b thereof through an insulating film 25.例文帳に追加

誘電体分離基板３０の一方の半導体島状領域３２ａに電界効果型トランジスタ４０が形成され、他方の半導体島状領域３２ｂの主表面上に絶縁膜２５を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁

A plurality of columns (blood A type region 10, blood B type region 20, or the like, and tag 11 for wrist, tag 13 for bedside, or the like) are arranged to include personal information of a patient (blood type, name, and the like) and each provided with a half cut to allow the separation thereof apart.例文帳に追加

患者個人情報（血液型，氏名等）を記載する欄を複数設け（Ａ型領域１０，Ｂ型領域２０等、および手首用タグ１１，ベッドサイド用タグ１３等）、各欄は切り離し可能にするために予めハーフカットを施しておく。 - 特許庁

Related to the region 31 where the conductor is embedded in the element separation region, a plurality of element formation regions 11 (11a-11d) compromising a single crystal silicon and the like are enclosed with integral conductor 38 through an insulating film 37, to be a block.例文帳に追加

素子分離領域の中に導電体が埋め込まれた領域３１は、単結晶シリコンなどからなる複数の素子形成領域１１（１１ａ〜１１ｄ）が絶縁膜３７を介して一体の導電体３８に囲まれて、ブロック化されている。 - 特許庁

A position Ps of the three-dimensional distortion sensor block 1 installed in the structure K is set in a duplicate region ZZ such as an external force separation region ZFz obtained by using a stress function as the function of a position and an angle obtained from stress distribution by angle conversion.例文帳に追加

構造体Ｋへの３次元歪センサブロック１の設置位置Ｐｓを、応力分布から角度変換で得られる位置と角度の関数である応力関数を用いて得られる外力分離領域ＺＦｚなどの重複領域ＺＺとする。 - 特許庁

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。 - 特許庁

Thus, each of channel stop parts 140 is connected to the ground region 170 through the register separation regions 150A and 150B and the upper part wiring 180, so that an electric potential of the channel stop part 140 is fixed by an electric potential of the ground region 170.例文帳に追加

これにより、各チャネルストップ部１４０がレジスタ分離領域１５０Ａ、１５０Ｂ及び上部配線１８０を介してグランド領域１７０に接続され、チャネルストップ部１４０の電位がグランド領域１７０の電位によって固定される。 - 特許庁

A dummy region 13 in a shape extended slenderly in a direction in parallel with a line L1 is provided at a position extremely close to the outer line L5 of each element region 10A inclined to the line L1 between the element regions 10A that are adjacent in a column closest to the line L1 of the part of a region separation oxide film 12 on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の領域分離酸化膜１２の部分の、ラインＬ１に最も近い行で隣り合う各素子領域１０Ａ間で、ラインＬ１に対して傾斜している各素子領域１０Ａの外形ラインＬ５の直近の位置に、ラインＬ１と平行な方向に細長く延びた形状のダミー領域１３を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench structure for element separation, an N-type region having sides and bottom surrounded by a P-type region contacting a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection, and receiving a signal from an external connection terminal, is formed.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域に接したＰ型の領域に側面および底面を囲まれた前記外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された埋込み絶縁膜２と、埋込み絶縁膜２上に形成された活性領域３０と、活性領域３０の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜４と、活性領域３０に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁

A region separation processing section 106 conducts white background detection processing by using the sub band image data on the low-frequency band out of a plurality of sub band image data band-divided by the band division processing section 105 and conducts processing separating a region into letters, dots, and a continuous gradient region by using the sub band image data on the high-frequency band.例文帳に追加

領域分離処理部１０６では、帯域分割処理部１０５にて帯域分割された複数のサブバンド画像データのうち、低周波帯域のサブバンド画像データを用いて白地検知処理を行い、高周波帯域のサブバンド画像データを用いて、文字・網点・連続階調領域に分離する処理を行う。 - 特許庁

To provide an organic transistor in which a channel region between a source electrode and a drain electrode in a conductor layer has a crystalline phase and which realizes electrical separation between semiconductor elements compared with one in which a second region other than the channel region in the semiconductor layer has a non-crystalline phase.例文帳に追加

導体層におけるソース電極とドレイン電極との電極間のチャネル領域が結晶相であり、且つ該半導体層における該チャネル領域以外の第２の領域が非結晶相である構成ではない場合に比べて、半導体素子間の電気的な分離が実現された有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

The film-forming device has a rotary table 2 for placing a plurality of substrates W along a rotary direction, and a separation region D is provided between processing regions P1, P2 to separate the atmosphere of the first processing region P1 from that of the second processing region P2 to which each reaction gas is supplied.例文帳に追加

成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。 - 特許庁

Microbubbles 13 are supplied to the pH neutral solution region 1 in a water treatment system 100 containing the electrolyte to adsorb hydrophobic bacteria 2a in the pH neutral solution region 1 on the surfaces of the microbubbles 13 and the hydrophobic bacteria 2a are separated from the pH neutral solution region 1 by float separation to suppress the propagation of bacteria 2 in the neutral solution region 1.例文帳に追加

電解物質を含む水処理系１００でのｐＨ中性液域１にマイクロバブル１３を供給して、前記中性液域１中の疎水性の細菌２ａを供給したマイクロバブル１３の表面に吸着し、中性液域１から浮遊分離することにより、中性液域１での細菌２の繁殖を抑制することにより、上記の課題を達成する。 - 特許庁

The illuminator includes a light source, a color separation means to separate incident light according to a prescribed wavelength region, a 1st focusing lens to focus the light separated by the color separation means and a scroll means to form a color band in a different region by changing the course of each light separated according to the prescribed wavelength region and also make the incident light scroll so as to cyclically scroll on the color band.例文帳に追加

光源と、入射光を所定波長領域により分離する色分離手段と、色分離手段により分離された光を集束させる第１集束レンズと、所定波長領域により分離された光それぞれの進路を変えて相異なる領域に対してカラー帯をなすと共にカラー帯を周期的にスクロールさせるべく入射光をスクロールするスクロール手段とを含むことを特徴とするカラー照明装置である。 - 特許庁

The separation processing is applied to a signal outputted from a position sensitive detector (PSD) sensor, including the specified length (slit length) of a slit and the light receiving region length of the PSD sensor.例文帳に追加

ＰＳＤセンサの受光領域長だけでなく、スリットの所定の長さ（スリット長）をも含めて、前記ＰＳＤセンサから出力される信号の「分離処理」が行われるようにする。 - 特許庁

Dummy patterns 3d formed of a metal foil are provided in the edge of a region where the mask film 4 is disposed, enabling easy separation of the mask film 4 by a gap generated between the mask film 4 and the base material 2.例文帳に追加

マスクフィルム４が配された領域の縁に金属箔からなるダミーパターン３ｄを設け、マスクフィルム４と基材２との間に生じた隙間により、マスクフィルム４を剥離し易くする。 - 特許庁

In short, even if the interval is narrowed among the light receiving regions 3A, 3B, and 3C, the avalanche breakdown is hard to occur with the separation region 2B, resulting in raising breakdown strength among them.例文帳に追加

すなわち、受光領域３Ａ，３Ｂ，３Ｃの間隔を狭くしても、分離領域２Ｂとの間にアバランシェ降伏が生じにくくなり、これらの間の耐圧が上昇する。 - 特許庁

To increase an operation region of a centrifugal compressor 1 to a low flow rate side by sufficiently suppressing airflow separation in the vicinity of a front edge of a blade 13 which is a cause of surging.例文帳に追加

サージングの原因になるブレード１３の前縁付近における空気の流れの剥離を十分に抑制して、遠心圧縮機１の作動域を低流量側に拡大すること。 - 特許庁

The projection parts (9, 17) of the flank part pieces at extension parts in a separation region (7) of the frame (2) are each separated into an upper projection part (9) and a lower projection part (17) of an upper frame member (6).例文帳に追加

フレーム（２）の分離領域（７）の延長部における側面部片の突出部（９，１７）が上部フレーム部材（６）の上部突出部（９）と下部突出部（１７）に分離している。 - 特許庁

An aeration device 210 that supplies air for aeration/foam separation is installed in the lower part of the defined region 204 in the tubular member 202.例文帳に追加

また、管状部材２０２の区画領域２０４内であって当該の区画領域２０４下方側には、ばっ気・泡沫分離用エアを供給する散気装置２１０が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

In the center region of the semiconductor substrate, a through separation portion 34 is formed from the first main surface to a second main surface 20b being a major surface on the opposite side from the first main surface.例文帳に追加

半導体基板の中央領域に、第１主面から、第１主面の反対側の主表面である第２主面２０ｂに渡って貫通分離部３４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing an element forming region and raising driving ability, while raising electric separation between semiconductor elements, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体素子間の電気的な分離を向上しつつ、素子形成領域の縮小及び駆動能力の向上が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 1000 comprises an element separation region 14 formed on an SOI substrate 10, an n-type field effect transistor 100, and an npn-type bipolar transistor 200.例文帳に追加

半導体装置１０００は、ＳＯＩ基板１０の上に形成された、素子分離領域１４と、ｎ型の電界効果型トランジスタ１００と、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ２００とを有する。 - 特許庁

A method of manufacturing an integrate circuit is provided, including a preparation of a hollow separation groove in a substrate and generation of an active component in and on an active region of the substrate located between grooves.例文帳に追加

基板内における中空分離溝の作成および該溝間に位置し、基板の能動領域の中および上での能動部品の生成を含む集積回路製作方法を提供する。 - 特許庁