例文 (648件) |
separation regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 648件
To provide a sheet feeding device capable of separating the sheets and feeding certainly by suppressing the vibration of the sheet intruding into the region of a separation pad.例文帳に追加
分離パッド領域内に進入するシート材の振動を抑制して、シート材の分離・給送を確実に行うことのできる給紙装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has large contact area on a source/drain region regardless of fining in a transistor, and at the same time excellent element separation characteristics.例文帳に追加
トランジスタの微細化に関わらずソース/ドレイン領域上のコンタクト面積が大きく、かつ、素子分離特性の良好な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a trench element separation region capable of easily and precisely removing a nitride silicon film liner at the upper part of a trench side wall.例文帳に追加
簡易かつ精度よく、トレンチ側壁上部の窒化シリコン膜ライナーの除去を行うことができる、トレンチ素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁
After that, an element separation structure for dividing an active region on the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate by using the photoresist 100 after pattering.例文帳に追加
その後、パターンニング後のフォトレジスト100を利用して、半導体基板に活性領域を区画する素子分離構造を当該半導体基板に形成する。 - 特許庁
A number of chip LEDs can be mounted on a surface of the substrate 1, and a mounting region of each chip LED is arranged with a given separation dimension.例文帳に追加
基板1の表面には、多数のチップLEDを表面実装することができ、各チップLEDの実装領域が所要の離隔寸法で配置されている。 - 特許庁
The drain-gate separation portion 9 separates the drain region and gate insulating film 14, in a non-contact state where a gap is provided therebetween.例文帳に追加
このドレイン−ゲート分離部9によって、ドレイン領域とゲート絶縁膜14とは、それらの間に間隔を空けた非接触な状態に分離されている。 - 特許庁
Conversely, a gate insulating film 14b and a gate electrode 15b are formed on the semiconductor substrate 11 surrounded by the groove type element separation region 13 at a second p-type MIS transistor formation region Tp2.例文帳に追加
一方、第2のP型MISトランジスタ形成領域Tp2には、溝型素子分離領域13に囲まれた半導体基板11上にゲート絶縁膜14b及びゲート電極15bが形成されている。 - 特許庁
In the semiconductor device, a gate insulating film 14a and a gate electrode 15a are formed on a semiconductor substrate 11 surrounded by a groove-type element separation region 13 at a first p-type MIS transistor formation region Tp1.例文帳に追加
第1のP型MISトランジスタ形成領域Tp1には、溝型素子分離領域13に囲まれた半導体基板11上にゲート絶縁膜14a及びゲート電極15aが形成されている。 - 特許庁
An Si layer of an SOI substrate forms a trench on a region separating an element, and forms an element separation region by burying SiN larger than a thermal expansion coefficient of Si as an insulation material in the trench.例文帳に追加
SOI基板のSi層において、素子分離する領域にトレンチを形成し、このトレンチ内に絶縁材料としてSiより熱膨張係数の大きいSiNを埋め込んで素子分離領域を形成する。 - 特許庁
The separation region 3 has a discharge port 32 to discharge the settled and concentrated catalyst, and the lower end in another division is provided with a circulation port 33 connected to the reaction region 2.例文帳に追加
この分離領域3の下部には、沈降濃縮された浮遊触媒を排出するための排出口32が設けられ、別に区画された下端部には、反応領域2に連通した循環口33が設けられている。 - 特許庁
The separation claw 48 makes the region coming into contact with the recording sheet V_T, so that the carrier is prevented from adhering in the neighborhood of the position of the separation claw 48 coming into contact with the photoreceptor, and durability of the photoreceptor can be improved.例文帳に追加
そこで、剥離爪48が記録シートに接する領域をV_Tにすることで、剥離爪48が感光体に接する位置の近傍に、キャリアが付着することを防止し、感光体の耐久性を向上することができる。 - 特許庁
Then, a suction hole 24B at a second region 29B at a relatively peripheral side of the installation section 21 is connected and switched to the fluid supply source 66 for separation, and the fluid for separation starts to be supplied to the suction hole 24B at the peripheral side.例文帳に追加
その後、設置部21の相対的に周辺側の第2領域29Bの吸着孔24Bを剥離用流体供給源66に接続切替し、周辺側の吸着孔24Bに剥離用流体の供給を開始する。 - 特許庁
A color separation section 903 carries out processing for converting the RGB data into color separation data (ink data) corresponding to a combination of ink for reproducing the colors indicated by the RGB data based on the RGB data to which color region mapping is performed.例文帳に追加
色分解903は、上記色域マッピングがなされたRGBデータに基づき、このRGBデータが表す色を再現するインクの組み合わせに対応した色分解データ(インクデータ)に、RGBデータを変換する処理を行う。 - 特許庁
A plurality of grooves 105 for element separation are formed in the region between mutually adjacent bit lines 103, and the plurality of grooves 105 for element separation separate drain diffusion regions 106 of at least mutually adjacent memory cells.例文帳に追加
互いに隣接するビット線103間の領域に複数の素子分離用溝105を夫々形成し、その複数の素子分離用溝105により少なくとも互いに隣接するメモリセルのドレイン拡散領域106間を分離する。 - 特許庁
Image data read and generated by an image transmitting device 1a of the sending end is analyzed, region information of texts and images is generated as T/I separation information, and the T/I separation information is sent with the image data.例文帳に追加
送信側の画像伝送装置1aが、読取って生成した画像データを分析してテキスト部分とイメージ部分との領域情報をT/I分離情報として生成し、画像データとともに当該T/I分離情報を送信する。 - 特許庁
The cell transistors 18 are arranged in matrix shape where the adjacent cell transistors 18 are arranged in a first direction X so as to share the drain region 16 and the source region 17, and the adjacent cell transistors 18 sandwiching element separation region 27 are arranged in a second direction Y so that the drain region 16 and the source region 17 face each other.例文帳に追加
セルトランジスタ18がマトリックス状に配置され、第1の方向Xには、隣接するセルトランジスタ18同士でドレイン領域16およびソース領域17を共用するように配列され、第2の方向Yには、素子分離領域27を挟んで隣り合うセルトランジスタ18がドレイン領域16とソース領域17とが互いに対向するように配列されている。 - 特許庁
The traveling control device includes a vehicle traveling position control means for controlling a vehicle traveling position so as to substantially house a vehicle 10 in an estimated separation region estimated based on a parameter for determining the range of the separation region W of an air flow behind the other vehicle 20.例文帳に追加
本発明の走行制御装置は、他車20の後方空気流の剥離域Wの範囲を決定するパラメータに基づいて推定される推定剥離域内に自車10が実質的に収容されるよう自車の走行位置を制御する自車走行位置制御手段を含むことを特徴とする。 - 特許庁
Based on a result of the determination, a control unit 190A judges whether an area in which a vehicle is traveling, is a non-mountainous region or a mountainous region, and controls a stereo separation rate in accordance with the traveling area based on a detection result SL_M of the DET 140_M and a stereo separation control table 171.例文帳に追加
この判定結果に基づいて、制御ユニット190Aが、車両が走行している地域が、非山岳地帯、山岳地帯のいずれであるかを判断し、DET140_Mによる検出結果SL_M及びステレオ分離制御テーブル171に基づいて、走行地域に応じたステレオ分離率の制御を行う。 - 特許庁
An LCD driver IC 14 comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 and the like electrically; a diffusion region 43 formed adjacent to the STI separation layer 32; an insulation film 41 formed on the diffusion region 43; and a resistive element 34 formed on the insulation film 41.例文帳に追加
LCDドライバIC14は、トランジスタ素子31と、トランジスタ素子31などを電気的に分離するためのSTI分離層32と、STI分離層32に隣接して形成された拡散領域43と、拡散領域43上に形成された絶縁膜41と、絶縁膜41上に形成された抵抗素子34とを有する。 - 特許庁
A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加
支持基板10aと絶縁層10bと半導体層10cとが順に形成された基板10に、絶縁層に到達する第1素子分離領域110aおよび第3素子分離領域110bを形成することで第1半導体層、第2半導体層および第3半導体層を形成する。 - 特許庁
The method for producing 1-butanol comprises performing a 1-butanol fermentation production process using bacteria in an optimal proliferation temperature region for the fermentation strain and further performing the separation recovery of the 1-butanol by a pervaporation separation membrane method using a PV membrane having a specific membrane thickness in the temperature region.例文帳に追加
本発明は、細菌を用いた1−ブタノール発酵生成工程を発酵菌株の至適増殖温度域で行い、さらにその温度域において特定の膜厚を有するPV膜を用いたパーベーパレーション分離膜法により1−ブタノールの分離回収を行う1−ブタノールの製造方法に関する。 - 特許庁
A separation region 95 separated from a region of the FPC 6 opposite to the actuator unit 21, a projection section 89c fixed to the top face 9a and a projection section 93 projected from the region opposite to a drawing section 6b of the FPC 6 are formed on the plate 14.例文帳に追加
プレート14には、FPC6のアクチュエータユニット21と対向する領域と離隔した離隔領域95と、上面9aに固定された突出部89cと、FPC6の引出部分6bと対向する領域から突出した突出部93とが形成されている。 - 特許庁
At such a time, the read and input image information on the one side is region-separated and further color-determined to extract a first specific region including a color component that is affected by a show-through component on the other side from a region separation result and a color determination result (S100-S104).例文帳に追加
このとき、読取入力された一方の面の画像情報を領域分離し、さらにカラー判定し、領域分離結果及びカラー判定結果から他方の面の裏写り成分の影響を受け得るカラー成分を有する第1の特定の領域を抽出する(S100〜S104)。 - 特許庁
When the sheet is sent back, a separating region 12, which is separated from a region having an address information 11 written down on the sheet 10 of the sheet 10 after the separation of the sheet 10 from the sheet 20, is pasted through the self-adhesives 40a and 40b on the information giving region 21 provided on the sheet 20.例文帳に追加
シート10,20を剥離した後、シート10の分離領域12をシート10の宛先情報11が記載された領域から分離し、シート20に設けられた情報付与領域21上に粘着剤40a,40bによって分離領域12を貼着する。 - 特許庁
In parallel with this, the read and input image information on the other side is region-separated and further color-determined to extract a second specific region including a color component that becomes the show-through component onto the one side, from a region separation result and a color determination result (S106-S110).例文帳に追加
これと並行して、読取入力された他方の面の画像情報を領域分離し、さらにカラー判定し、領域分離結果及びカラー判定結果から一方の面への裏写りとなり得るカラー成分を有する第2の特定の領域を抽出する(S106〜S110)。 - 特許庁
An ion implantation regulation step portion 14 with a predetermined thickness is formed at a film thickness variation portion 13 formed in a border region of the element separation oxide film 5 to an element formation region 6, thereby, whole region of the film thickness variation portion 13 is configured with the predetermined thickness regulating ion implantation.例文帳に追加
素子分離酸化膜5の、素子形成領域6との境界領域に形成される膜厚変化部位13に所定の厚さのイオン注入規制段部14を形成することにより、膜厚変化部位13が全域に亘りイオン注入を規制する所定の厚みで構成されるようにする。 - 特許庁
In a gate electrode 5 of a pair of transistors consisting of an n-channel-type MISFETQn and a p-channel MISFETQp, gate length in a boundary from an active region B to an element separation region A is relatively increased as compared with that in the active region B.例文帳に追加
nチャネル型MISFETQnおよびpチャネル型MISFETQpからなるペアトランンジスタのゲート電極5において、活性領域Bから素子分離領域Aにかけての境界部分におけるゲート長を、活性領域Bにおけるゲート長よりも相対的に長くする。 - 特許庁
When a reverse bias is applied; depletion layers DP4, DP3A, DP3B, and DP3C extending from a guard ring 4 and a light receiving region 3 overlap each other (pinch off state), and a separation region 2B interposed between the guard ring 4 and the light receiving region 3 is isolated from a semiconductor substrate 1 to which a bias potential is applied.例文帳に追加
逆バイアスの印加時には、ガードリング4及び受光領域3から延びた空乏層DP4,DP3A,DP3B,DP3Cが重なり(ピンチオフ状態)、ガードリング4と受光領域3との間に介在する分離領域2Bが、バイアス電位の与えられる半導体基板1から隔離される。 - 特許庁
An image of an original read by a compound machine is separated into image regions by an image region separation circuit 28, position/shape information 102 and an image region class 104 are determined for each image region, and a spatial frequency and other image feature information are determined for images in each of the image regions.例文帳に追加
複合機が読み取った原稿の画像は、像域分離回路28にて像域分離され、各像域の位置・形状情報102及び像域種別104が求められ、各像域の画像の空間周波数その他の画像特徴情報106が求められる。 - 特許庁
An end of the pixel separation layer 117 on a side of the photoelectric conversion part is farther apart from the photoelectric conversion part than an end of the holding part lower separation layer 111 on a side of the photoelectric conversion part, and an N-type semiconductor region constituting a part of the photoelectric conversion part is arranged below at least a part of the holding part lower separation layer 111.例文帳に追加
画素分離層117の光電変換部側の端部が、保持部下分離層111の光電変換部側の端部に比べて、光電変換部から離れた位置にあり、保持部下分離層111の少なくとも一部の下部に前記光電変換部の一部を構成するN型の半導体領域が配されている。 - 特許庁
By arranging the separation membrane 5 of the dissolved gas concentration measuring sensor device 1A within an angle range from an angle inclined by about 30° from a horizontal direction to verticality to pass the gas bubble 12 present in a measuring region through the outside of the separation membrane 5 to float the same, the adhesion of the gas bubble 12 to the separation membrane 5 is prevented.例文帳に追加
溶存ガス濃度計測センサ1Aの分離膜5を、水平方向より約30度傾斜した角度から垂直までの角度範囲に配置させることで、計測領域に存在するガス気泡12が分離膜5の外側を通過して浮上するようにして、分離膜5へのガス気泡12の付着を防止させる。 - 特許庁
Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion.例文帳に追加
このように素子分離と半導体基板1との境界に窒素イオンを含有する半導体領域8を設けたので、ウエルを構成する不純物(特に、p型ウエルを構成するホウ素)の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。 - 特許庁
An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.例文帳に追加
分離領域13に囲まれたN型の島状領域14の中に、エピ層ELの上面から第2の埋め込み層12まで延びるコレクタ領域16と、第2の埋め込み層12とコレクタ領域16に囲まれて島状を呈するベース領域15、17と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域16とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域18と、を形成する。 - 特許庁
When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加
素子分離領域13により画素部間が分離された固体撮像装置10、10Aまたは10Bを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク19として半導体基板11上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域13とする。 - 特許庁
A protective film 14 has a film thickness so that the reflectivity of the medium varies depending on the film 13 records information or not in the recording region, in which information is recorded, and the reflectively is practically made equal regardless of the film 13 records information or not in the separation region which separates a recording region and an adjacent recording region.例文帳に追加
保護膜14は、情報記録媒体の反射率が、情報を記録する記録領域では、記録膜13が情報を記録しているか否かによって異なり、記録領域と隣接する記録領域とを分離する分離領域では、記録膜13が情報を記録しているか否かに関わらず実質的に等しくなるような膜厚を有する。 - 特許庁
A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の主表面SにLOCOSからなる素子分離層として、活性領域を区画する第1の絶縁分離膜5aと、この第1の絶縁分離膜5aよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第1の活性領域6と第2の活性領域7とに分離する第2の絶縁分離膜5bを形成する。 - 特許庁
In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, an N-type region for receiving signals from an external connection terminal via a P-type region in contact with the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is formed near the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタにおいて、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域の近傍に、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域と接したP型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるN型の領域を形成した。 - 特許庁
An image display system includes a substrate layer having a first region and a second region, a thin-film transistor for switching containing a first polysilicon layer formed in the first region of the substrate layer, a thin-film transistor for driving containing a second polysilicon layer formed in the second region of the substrate layer, a heat sink layer, and a separation layer which is present between the above layers.例文帳に追加
表示装置において、第1領域と第2領域を有する基板層と、基板層の第1領域に形成された第1多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第2領域に形成された第2多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。 - 特許庁
For a boundary value between the required region and the other region, fuzzy learning vector quantization (FLVQ) is used for the discrimination, separation precision is ensured, the required region is extracted by labeling, and conversion into a 3D image is performed by superimposing image data of the extracted region, thereby displaying a stereoscopic shape.例文帳に追加
必要領域と他領域との境界値にあるものについては、判別にファジィ学習ベクトル量子化法(以下、FLVQと記載)を用いることで分解精度を確保し、ラベリングにより必要領域の抽出と、抽出された領域の画像データを積重ねることで、3次元画像へ変換し立体的形状を表示させることを特徴とする。 - 特許庁
The conductor 38 is connected to a ground wiring through a contact hole 21, and connected to the element separation region 11 through a contact part 40 (40a and 40b) at a prescribed position of the element formation region 11.例文帳に追加
導電体38は、コンタクトホール21を介して接地配線に接続してあるとともに、素子形成領域11の予め定めた位置において、コンタクト部40(40a、40b)を介して素子形成領域11に接続してある。 - 特許庁
By forming a dielectric separation film 120 in a closed loop shape in a silicon layer 112, an n-type semiconductor layer region 130 in the silicon layer 112 is insulated and separated, and a diffusion resistor 131 is formed inside the region 130.例文帳に追加
シリコン層112中に誘電体分離膜120を閉ループ状に形成することによりシリコン層112中のn−型半導体層領域130を絶縁分離し、その内側に拡散抵抗131を形成する。 - 特許庁
The hydrogen supplying plate 25 is extended over the lamination region of the hydrogen separation membrane 24 and the reformation reaction layer 23, and unified with the power generation part 10 so that the power generation part faces the lead-out path 26 in the extended region.例文帳に追加
水素供給板25は、水素分離膜24および改質反応層23の積層領域よりも長く延長されており、その延長領域において発電部10が導出路26に臨むよう一体化されている。 - 特許庁
Sidewalls 28 are formed on side faces of active regions 16 each having a Fin shape, and thereafter a substrate region 40 surrounded by element separation grooves 29, and large in widths in a channel longitudinal direction and a channel width direction relative to the active region 16 is formed.例文帳に追加
Fin形状の活性領域16の側面に側壁28を形成した後、素子分離溝29に囲まれ、活性領域16よりチャネル長方向およびチャネル幅方向の幅が広い基板領域40を形成する。 - 特許庁
It has been observed that electric field pulses occurs over a wide frequency band in a seismic center region due to flow potential following diastrophism for indicating the premonitory symptoms of an earthquake in the seismic center region, charge separation, or the like following minute cracks before a large earthquake.例文帳に追加
大地震の前には、震源域の地震前兆の地殻変動に伴う流動電位・微小亀裂に伴う電荷分離などで、震源域において、広い周波数帯域に亙り、電界パルスが発生することが観測されている。 - 特許庁
To prevent the accumulation of dimensional errors in the laminating direction even in the case many fuel cells and separators are piled in lamination and to improve the gas separation between the fuel gas region and the oxidizer gas region inside the fuel cell.例文帳に追加
電池セル及びセパレータを多数積層した場合でも積層方向に寸法誤差が累積し難くすると共に、燃料電池内部において燃料ガス領域と酸化剤ガス領域との間のガス隔絶性を向上させる。 - 特許庁
To halve a maintenance region by arranging, at both sides of a separation boundary, hot-supports that are separated at an attachment part for a wiring work component, can be removed in a perpendicular direction to an axis, and have an attachment part and moveable part due to the separation.例文帳に追加
配線作業具への装着部にて分割して、軸直角方向に着脱でき、この分割によって装着部や可動部を有したホット支持部を分割境界両側に振り分けメンテナンス対象域を半減させられるようにする。 - 特許庁
The fixing device forms a fixation nip between a pressure applying member and a separation roller and maximizes pressure at a recording material separation position without forming a pressure drop region in a pressure distribution of the fixation nip in a recording material conveying direction.例文帳に追加
圧力付与部材と分離ローラ間にて定着ニップを形成すると共にこの定着ニップの記録材搬送方向に沿う圧力分布に圧力低下域を生じさせることなく記録材分離位置にて圧力が最大となるよう構成したこと。 - 特許庁
When stress affected by the element separation region is considered, a distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where drop of current driving performance is to be suppressed so that drop of currentis is suppressed between a drain and a source.例文帳に追加
素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる電流駆動能力の低下を抑制すべき回路にはドレイン・ソース間電流の低下が抑制されるようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁
例文 (648件) |
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