「separation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to use the light emitting device which has the resonator structure as a light source, a separation structure for utilizing only the light of the specific angular region with respect to the emission axis direction is provided.例文帳に追加

共振器構造を有する発光デバイスを光源として使用するために、出射軸方向に対して特定の角度域の光のみを利用するための分別構造を設ける。 - 特許庁

The organic insulating film 12 is provided with a separation groove (a) formed by removing the organic insulating film 12, in a state wherein the display region 2a is enclosed, as a bottom portion of the inorganic insulating film.例文帳に追加

有機絶縁膜１２には、表示領域２ａを囲む状態で有機絶縁膜１２を除去してなる分離溝ａが無機絶縁膜１１を底部として設けられている。 - 特許庁

To provide a printer in which a manual cutter member can coexist with a separation mechanism of a cutter and a sheet feed roller pair in a limited branch region.例文帳に追加

狭小化された分岐領域内において、手動式のカッタ部材をカッタ装置及び紙送りローラ対についての分離機構と併存させることが可能なプリンタを提供する。 - 特許庁

The air supply pipe 2 is deviated to a region where the waste (a) falls much in the rotary drum 6 to effectively supply air to the falling waste (a) to perform smooth separation.例文帳に追加

各空気供給管２は、回転ドラム６内で廃棄物ａが多く落下する側に偏せられて、落下廃棄物ａに有効に空気が当たって、円滑な分離が行われる。 - 特許庁

Also, a reflection section 27 for reflecting ultrasonic waves is provided at the outside of the diaphragm 15, and has a reflecting plate 27a, a support section 27b, and a region separation plate 27c.例文帳に追加

また、振動板１５の外側に、超音波を反射させる反射部２７が設けられており、この反射部２７は、反射板２７ａと支持部２７ｂと領域分離板２７ｃとを備えている。 - 特許庁

Precision of the pixel separation is increased by disposing a magnetic thin film 16 of which the direction of magnetization is made to be an in-plane direction due to form anisotropy, on a part of the gap region of each pixel or on the entire area thereof.例文帳に追加

各ピクセルの間隙領域の一部もしくは全部に、形状異方性により磁化方向が面内方向となる磁性薄膜１６を設けてピクセル分離の精度を高める。 - 特許庁

A plasma light spectrum L2g obtained by spectral separation of the plasma light L2 impinges to a plasma-light photo-acceptance region of the photoelectric conversion component 240 through a second optical path 228.例文帳に追加

プラズマ光Ｌ２の分光分離によって得られるプラズマ光スペクトルＬ２ｇは、第２の光路２２８を通過して光電変換コンポーネント２４０のプラズマ光光受容領域に突き当たる。 - 特許庁

To improve luminance and to obtain a seamless image (less in clearance gap), by making reflection light rays from a light-shielding layer existing directly below a pixel separation region contribute to the improvement of reflectance.例文帳に追加

画素分離領域の直下に存在する遮光層からの反射光を反射率向上に寄与させることで、輝度の向上や、シームレス(隙間の少ない)画像が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of miniaturizing an element by eliminating a jutting of a floating gate electrode over the element separation region, and concurrently obtaining the predetermined coupling ratio.例文帳に追加

素子分離領域上へのフローティングゲート電極の張り出しを無くすことで素子の微細化を図ると共に、所望のカップリング比を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The element separation region 9 comprises a trench formed under the main surface and an insulating layer which comprises a part embedded in the trench and a part protruding above the main surface.例文帳に追加

素子分離領域９は、主表面内に形成されたトレンチと、トレンチ内に埋め込まれた部分及び主表面から上側に突出する部分を有する絶縁層と、を含む。 - 特許庁

To provide an image forming method for making a printed matter which prevents separation of a clear toner layer formed in a toner image region and has a uniform glossiness due to the uniform clear toner layer.例文帳に追加

トナー画像領域に形成したクリアトナー層が剥離せず、均一なクリアトナー層によりムラのない均一な光沢度を有するプリント物を作製する画像形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet separation device and a paper feeder capable of equally setting a pressure in a nip region of a sheet in a width direction, suppressing the number of elements, and downsizing.例文帳に追加

シートのニップ領域における圧力を幅方向で均一に設定でき、構成部材数を抑制し、小型化が実現できる、シート分離装置および給紙装置を提供する。 - 特許庁

Eight sheet pieces 13 are formed by setting seven mutually parallel half cuts (folding part) 11 so as to divide the separation region 7 of the base substance sheet 3 into eight equal parts in the lateral direction.例文帳に追加

基材シート３の分離領域７を横方向に８等分するように、互いに平行な７本のハーフカット（折り目）１１が入れられて８つのシート片１３を形成している。 - 特許庁

The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.例文帳に追加

第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁

The purpose of this is to bring the source-handle assembly 9 into a state of being at a separation temperature higher than room temperature in step (d), to essentially keep the same the degree of embrittlement of the dividing region at this separation temperature, and perform the mechanical division at this temperature.例文帳に追加

この目的は、ソース‐ハンドル複合体９をステップｄ）で室温よりも高い分離温度の状態にし、この分離温度において所定の分割領域の脆弱化の程度を本質的に同一にとどめ、この温度で機械的分割を実施することで達成される。 - 特許庁

Cam faces 65, 66 which individually press down both follower pins 60, 61 are formed in the region corresponding to the final stage of the separation movement out of the cam groove 32 of a lever 30 provided on a movable side connector 20, and the amount of separation of the cover 42 is established smaller than that of the female housing 41.例文帳に追加

可動側コネクタ２０に設けられたレバー３０のカム溝３２のうち、離脱動作の終盤と対応する領域に、両フォロワピン６０，６１を個別に押圧するカム面６５，６６が形成され、カバー４２の離脱量の方が雌ハウジング４１よりも小さく設定される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of high luminance without deterioration, in which electrodes are oppositely installed, separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, and a light emitting region is not damaged, and also to provide a manufacturing method of the light emitting element.例文帳に追加

電極が対向して設けられるとともに、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on the image data at Lab color space, a TI separation section 24b performs separation into character and image regions, a filtering processing section 24c performs correction to each separated region, and at the same time filters with different characteristics are applied to each component of L*, a* and b* in the correction.例文帳に追加

Ｌａｂ色空間の画像データに基づいて、ＴＩ分離部２４ｂが文字領域とイメージ領域の分離を行い、フィルタ処理部２４ｃが分離した各領域毎に異なる補正を行うとともに、当該補正においてＬ＊、ａ＊、ｂ＊の各成分毎に異なる特性のフィルタを適用する。 - 特許庁

This semiconductor device 202 is provided with concave portions 118 formed in a first region 104, a second region 106 and separation regions 108 respectively; and a dielectric layer 120 for backing the concave portions 118 so as to have a uniform thickness, on a substrate 102.例文帳に追加

本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming the separation regions 108 between the first region 104 and the second region 106 in the substrate 102; a process of forming the concave portions 118 on the substrate surface; and a process of uniformly covering the concave portions 118 with an oxide 120.例文帳に追加

この製造方法は、基板１０２における第１領域１０４と第２領域１０６との間に分離領域１０８を形成する工程と、基板表面に凹部１１８を形成する工程と、酸化物１２０で凹部１１８を均一に覆う工程とを含む。 - 特許庁

To suppress electric field concentration generated at the edge part of an STI region (groove type element separation region) even when the MOS transistor of multiple power sources is formed in a peripheral circuit and to eliminate the kink characteristics of the MOS transistor in a semiconductor device loaded with an MONOS type nonvolatile memory.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリ搭載半導体装置で、周辺回路に多電源のＭＯＳトランジスタを形成してもＳＴＩ領域（溝型素子分離領域）のエッジ部に生じる電界集中を抑制し、ＭＯＳトランジスタのキンク特性をなくす。 - 特許庁

In the method of forming an SOI structure on a silicon substrate 1 using an SBSI (separation by bonding silicon island) method, a supporter film is formed on the silicon substrate 1 so as to fill a hole h1 formed on an element forming region and a hole h2 formed on a wiring forming region.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法を用いてシリコン基板１にＳＯＩ構造を形成する方法であって、素子形成領域に形成された穴ｈ１と配線形成領域に形成された穴ｈ２とを埋め込むようにシリコン基板１上に支持体膜を形成する。 - 特許庁

The light-emitting device manufacturing method comprises the steps of: irradiating laser beam to a separation region for separating a light-emitting device formed on a substrate (10), physically separating the substrate (10) in the separation region, and removing a surface layer of at least one side of the substrate that is exposed by the step of separating the substrate (10).例文帳に追加

本発明は、基板（１０）上に形成された発光素子を分離するための分離領域にレーザ光を照射する工程と、基板（１０）を分離領域で物理的に分離する工程と、基板（１０）を分離する工程により露出された基板の少なくとも１つの側面の表面層を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; an embedded insulating film formed on the semiconductor substrate; a semiconductor film formed on the embedded insulating film; trench separation formed so that the partial region of the semiconductor film is surrounded; and a substrate potential contact that is formed in a region surrounded by trench separation and is connected to the semiconductor substrate through the semiconductor film and the embedded insulating film.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された埋め込み絶縁膜と、埋め込み絶縁膜上に形成された半導体膜と、半導体膜の一部の領域を囲うように形成されたトレンチ分離と、トレンチ分離で囲まれた領域内に形成され、半導体膜及び埋め込み絶縁膜を貫通して半導体基板に接続された基板電位コンタクトとを有する。 - 特許庁

The imaging apparatus wherein a color separation filter is formed to some of pixels each provided with a photoelectric conversion region for converting an optical signal from an object into an electric signal, forms an image on the basis of an electric signal from the pixel forming the color separation filter and detects the focus on the basis of the electric signal from the pixels to which no color separation filter is formed.例文帳に追加

被写体からの光信号を電気信号に変換する光電変換領域を備えた画素のいくつかに、色分解フィルタを形成した撮像装置であって、前記色分解フィルタを形成した画素からの電気信号に基づいて画像を形成し、前記色分解フィルタを形成していない画素からの電気信号に基づいて焦点検出を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The line drawing processor 100 detects the pixels bending in the direction to extend the drawing region DR (inflection point P) based on the comparison with a predetermined reference value and separates a projecting region ER projected from the drawing line DL from the drawing region DR by connecting the inflection points P in a predetermined positional relation by a separation line L.例文帳に追加

そして、線画処理装置１００は、所定の基準値との比較に基づき、描画領域ＤＲを拡張させる方向に曲がる画素（変曲点Ｐ）を検出し、さらに、所定の位置関係にある変曲点Ｐ間を分離線Ｌで結ぶことによって、描画線ＤＬから突出する突出領域ＥＲを描画領域ＤＲから分離する。 - 特許庁

There are provided a trench 3 formed in an element separation region which is so formed as to enclose an element formation region on a semiconductor substrate 1, and insulating films 4 and 5 which, formed with the same width as a trench width on the trench 3, form a void 50 in the trench 3.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域を囲むように形成される素子分離領域に形成されたトレンチ３と、トレンチ３上にトレンチ幅と略同一幅にて形成され、トレンチ３内に空隙５０を形成する絶縁膜４、５とを備えたものである。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The roller magnetic pole part 25M has a support magnetic pole region, in which different polarities are formed alternately and a separation magnetic pole region in which the same polarities are formed adjacent, and the magnetic sealing member 29 is set opposed close to the magnet roller 25 in the axial Z direction, and has different polarities arranged alternately.例文帳に追加

ローラ磁極部２５Ｍは、異なる極性が交互に形成される担持磁極領域と同極性が隣接して形成される分離磁極領域とを備え、磁気シール部材２９は、磁気ローラ２５に軸線Ｚ方向で接近して対向し、異なる極性が交互に配列される。 - 特許庁

If each small region that the frame to be processed has is classified to judge which one of two regions each pixel belongs to by using the extracted feature amount, the small region is classified so that a likelihood indicating an extent of separation in the classification indicates a highest value.例文帳に追加

続いて、処理対象のフレームの持つ小領域ごとに、抽出した特徴量を用いて各画素が２つの領域のどちらに属するのかをクラス分けする場合に、そのクラス分けの分離度を示す尤度が最も高くなる値を示すことになるクラス分けを行う。 - 特許庁

To provide an organic EL display panel, which has a long life-time while having superior light emission characteristics since a light emission region is wide, a film thickness of an organic functional layer in the light emission region is held uniform, and the organic functional layer has no level separation, and a method of manufacturing the same, and an organic EL display.例文帳に追加

発光領域が広く、且つ、発光領域内での有機機能層の膜厚が均一に維持され、且つ、有機機能層の段切れのないことから、優れた発光特性を有しながら、長寿命な有機ＥＬ表示パネルとその製造方法、および有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

Then, a plurality of supports are extended in the axial direction of a cylindrical region 5 and arrayed along the circumferential direction of the cylindrical region 5, respectively, and are immersed in the reaction liquid 4; the reaction liquid 4 is heated by the respective heating means, and the separation membrane is formed at the respective supports.例文帳に追加

そして、複数個の支持体を、それぞれ円筒状領域５の軸心方向に延在および当該円筒状領域５の周方向に沿って配列して反応液４中に浸漬し、前記の各加熱手段により反応液４を加熱して各支持体に分離膜を形成する。 - 特許庁

The connection line region 16 connects the photoelectric conversion elements 20 in series, and the separation line region 18 electrically separates the adjoining photoelectric conversion elements 20 while separating (dividing) the photoelectric conversion element 20 in a specified area.例文帳に追加

接続ライン領域１６は、光電変換素子２０を直列に接続するための領域であり、分離ライン領域１８は、隣接する光電変換素子２０を電気的に分離するとともに光電変換素子２０を所定の面積に分離（分割）するための領域である。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can restrain stress applied to a semiconductor substrate in the upper part of a trench groove sidewall without forming a recess in the end of a trench embedding insulation film in forming a trench groove separation region separating an active region.例文帳に追加

活性領域を分離するトレンチ溝分離領域の形成にあたり、トレンチ埋め込み絶縁膜の端部にくぼみを発生させること無く、トレンチ溝側壁上部の半導体基板にかかる応力を抑えることが出来る半導体装置及びその製造方法を実現する。 - 特許庁

The separation device comprises a feed channel including a shear region, permeate passage(s) 22 extending perpendicular to the direction of the feed flow and the porous medium positioned between the shear region of the feed channel and the permeate passage(s).例文帳に追加

分離装置は、せん断領域を含んだ給水チャネルと、供給流体の方向に直交して伸長した透過水通路２２（複数の通路）と、前記給水チャネルの前記せん断領域と、前記透過水通路（複数の通路）との間に位置決めされた多孔質媒体とを備える。 - 特許庁

Then, dicing is performed for separation into individual semiconductor chips 10, thereby obtaining the semiconductor device wherein the cathode region 32 passes through the chip from its surface to rear at its side face, with an anode region 31 integrating an FWD portion 12, with an edge 14 being interposed therebetween, into an IGBT portion 11.例文帳に追加

そして、ダイシングによって個々の半導体チップ１０に切り離すことによって、カソード領域３２がチップ側面に表裏に貫通し、かつアノード領域３１がエッジ部１４を挟んで設けられたＦＷＤ部１２を、ＩＧＢＴ部１１と一体化させた構成の半導体装置が得られる。 - 特許庁

The SiCMOS structure is formed by the steps which include a step where a relaxing SiGe layer is formed on a substrate surface, a step where a separation region and a well implanting region are formed in the relaxing SiGe layer, and a step where a strain Si layer is formed on the relaxing SiGe layer.例文帳に追加

基板表面上に緩和ＳｉＧｅ層を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、前記緩和ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を形成するステップとを含むステップで、歪みＳｉＣＭＯＳ構造が形成される。 - 特許庁

When separating the first to fourth packets from the TS, a packet separation controller separates the third packets so as to record the third packet in the metadata management region of the recording medium and separates the first, second, and fourth packets in the stream management region of the recording medium.例文帳に追加

パケット分離制御器は、前記第１乃至第４のパケットを前記ＴＳから分離する場合、前記第３のパケットを前記記録媒体のメタデータ管理領域へ記録するように分離し、前記第１、第２、第４のパケットを前記記録媒体のストリーム管理領域へ記録するように分離する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a thermal oxide film on a substrate having a trench separation region, and characterized by covering a trench isolation region 2 with an anti-oxidation film 17 at the time of forming the thermal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ分離領域を有する基板上に熱酸化膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法であって、熱酸化膜の形成時に、トレンチ分離領域２を酸化防止膜１７で覆うことを特徴とする。 - 特許庁

To realize image region separation to a certain extent by temporarily spooling plot information and analyzing it, and to perform high speed print while holding high quality to a certain extent by deciding an object type by divided plotting region units, and performing color conversion even when an RGB renderer is used.例文帳に追加

一旦、描画情報をスプールし、これを解析することで、ある程度の像域分離を可能にしＲＧＢレンダラーを用いた場合であっても、分割された描画領域単位でオブジェクトタイプを決定し、色変換を行うことで、ある程度高品位を保ったまま高速な印刷を行える。 - 特許庁

In a case where there is a line including a region recognized as the flesh color, a control section 14 causes the YC separation circuit 13 to output a result of line correlation processing and to output a result of the frame correlation processing regarding the line which does not include the region recognized as the flesh color.例文帳に追加

肌色と認識される領域のあるラインがあった場合、制御部１４は、ＹＣ分離回路１３に対して、ライン相関処理を行わせた結果を出力させ、肌色と認識される領域の無かったラインについては、フレーム相関処理を行わせた結果を出力させる。 - 特許庁

In the CCD solid-state imaging device, a read section 4 and an element separation section 7 in the unit pixel cell 2 are arranged while the position relationship is inverted between the left and right sides of an effective pixel region 9, and the read section 4 faces the peripheral side of the effective pixel region 9.例文帳に追加

本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、単位画素セル２における読み出し部４と素子分離部７が、有効画素領域９の左側と右側で位置関係を逆にして配置され、前記読み出し部４が有効画素領域９の周辺側を向いていることを特徴とする。 - 特許庁

After this, even if impurities are easily discharged from the channel region CH to the element separation region 10 side heated by an anneal process and the like, a threshold voltage of a cell transistor Tr can be kept stable by suppressing the impurities discharged from the side near especially the surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

この後、アニール工程等により加熱されチャネル領域ＣＨから不純物が素子分離領域１０側に放出されやすくなっても特にシリコン基板２の表面に近い側からの不純物放出を抑制でき、セルトランジスタＴｒの閾値電圧を安定的に保つことができる。 - 特許庁