「separation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The high voltage element includes drift regions formed inside a substrate, an element separation film formed inside the substrate to be deeper than the drift region, a gate electrode formed over the substrate and source and drain regions formed inside the drift regions on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

本発明の高電圧素子は、基板内に形成されたドリフト領域と、前記基板内に前記ドリフト領域よりも深く形成された素子分離膜と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記ドリフト領域内に形成されたソース領域及びドレイン領域とを備える。 - 特許庁

Then, a second insulating film 17A made of silicon nitride is etched by a heated phosphor aqueous solution with the third exposed insulating film 18A as the mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 containing the buried element separation film 15B in the second insulating film 17A.例文帳に追加

次に、露出した第３の絶縁膜１８Ａをマスクとして、窒化シリコンからなる第２の絶縁膜１７Ａに対して、熱リン酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第２の絶縁膜１７Ａにおける埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented laminated film having a practically sufficient reflecting capacity in a visible region, stably formed even if fine particles are added in a high concentration, having excellent ply separation force and suitable as a base material for a reflecting panel for use in a liquid crystal display or an internal illumination type decorative illumination signboard.例文帳に追加

実用上十分な可視光領域の反射性能を備え、高濃度に微粒子を添加しても安定して製膜でき、また積層フィルムの層間剥離力に優れた液晶ディスプレイや内照式電飾看板用の反射板用基材として好適なフィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent breakage of a semiconductor chip 10 by preventing stress generated in pressing a support electrode body 30 in a heat radiation plate 40, tensile stress on a sealing resin 70 and a lead electrode body 50, and separation/coming-off of the sealing resin 70 from the support electrode body 30 due to repeated use in a high-temperature region.例文帳に追加

支持電極体３０を放熱板４０に圧入する際に発生する応力、封止樹脂７０やリード電極体５０への引張応力、高温領域での繰り返し使用による封止樹脂７０の支持電極体３０からの剥離／脱落を防止し、半導体チップ１０の破壊を防ぐ。 - 特許庁

To provide an in vivo indwelling stent having flexibility between respective annular members in the indwelling form of the stent in vivo, preventing the large movement of the stent caused by the separation of the respective annular members adjacent to each other in the axial direction of the stent and capable of well and succeedingly improving the constricted part of a target region in which the stent is arranged.例文帳に追加

ステントの生体内への留置形態において、各環状体間における柔軟性を有するとともに、軸方向に隣り合う各環状体間の離脱による大きな移動を防止し、配置した目的部位の狭窄部を良好に継続的に改善できる生体内留置用ステントを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device including a selection gate S1 provided for a memory cell A1 has a Tri-gate structure, wherein the upper surface of a gate insulation film 9 formed on a channel of the selection gate S1 is higher than a part or the whole of the upper surface of an element separation region 10 of the selection gate S1.例文帳に追加

本発明の一態様において、メモリセルＡ１に対して設けられる選択ゲートＳ１を含む半導体装置は、選択ゲートＳ１のチャネル上に形成されているゲート絶縁膜９の上面が、選択ゲートＳ１の素子分離領域１０の上面の一部又は全部よりも高く、Tri-gate構造を持つ。 - 特許庁

To provide an ultrasonic treatment apparatus which efficiently carries out washing treatment and resist separation treatment by radiating ultrasonic waves evenly to the wide entire surface area using ultrasonic oscillators each of a smaller size than the ultrasonic wave radiation region with a prescribed width and to provide a manufacture method of electron parts using the treatment apparatus.例文帳に追加

所定幅の超音波照射領域よりも小さいサイズの超音波発振素子を用いて、広い領域全面に均一な超音波を照射して、洗浄処理やレジスト剥離処理などを効率的に実施可能とする超音波処理装置と、これを用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nozzle structure capable of easily controlling an attitude of a missile, though the missile performing injection to a side part, often largely changes its aerodynamic characteristic as a separation region of a boundary layer is generated in a wide range of a body surface from a front part to a side part of the nozzle in performing injection.例文帳に追加

側方への噴射を行う飛しょう体では、噴射を行う際に、ノズルの前方から側方にかけて胴体表面の広い範囲に境界層の剥離領域が発生するため、飛しょう体の空力特性が大きく変化しやすいが、飛しょう体の姿勢制御を容易にするノズル構造を得る。 - 特許庁

The value of an irradiation fluence, which is related to a femto-second laser beam in a low fluence region causing non-thermal ionization discharge on the surface of the solid by being irradiated thereon, is set within a low fluence range according to a required separation depth separated from the surface of the solid and the property of the surface of the solid.例文帳に追加

固体表面から剥離すべき所望の剥離深さ及び固体表面の材質に応じて、固体表面に照射されることで固体表面に非熱的なイオン化放出を引き起こす低フルーエンス領域内のフェムト秒レーザに係る照射フルーエンスの値を、低フルーエンス領域内で設定する。 - 特許庁

The method for generating the exposure data has a process of generating irradiation position data on the block mask of the first transmission beams so that the edges in the Y or the X direction of the first transmission beams are positioned at a common separation region in the X or Y direction of the plurality of discrete patterns of the block mask.例文帳に追加

この露光データの生成方法では、ブロックマスクの複数の離散パターンのＸ方向またはＹ方向の共通離間領域に前記第１の透過ビームのＹ方向またはＸ方向のエッジが位置するように、前記第１の透過ビームの前記ブロックマスク上での照射位置データを生成する工程を有する。 - 特許庁

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a separating device, a fixing device, and an image forming apparatus such that wear of and damage to an opposed member and a separating member and occurrence of abnormal image are suppressed and separation property for a recording medium is excellent even when a maximum image region is set large or deformation of the opposed member is caused.例文帳に追加

対向部材及び分離部材の磨耗・損傷や異常画像の発生が抑止されるとともに、最大画像領域が大きく設定されていたり対向部材の変形が生じたりした場合であっても記録媒体に対する分離性が良好な、分離装置、定着装置、及び、画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Phase separation of the polymerized resin 9 and the liquid crystals 1 is progressed in the resin 2 by the irradiation with the UV rays 7 and the resin structure 10 is formed in this region; but since the spreading angle of the spread light 8 is small, and thus the dispersion of resin fibers 11 near the resin structure 10 is suppressed and increase in the drive voltage is suppressed.例文帳に追加

紫外線７の照射により、樹脂２は重合樹脂９となり液晶１との相分離が進み、この領域に樹脂構造物１０が形成されるが、拡がり光８の拡がり角が小さいため、樹脂構造物１０近傍での樹脂繊維１１の分散が抑制され、駆動電圧増加が抑制される。 - 特許庁

Internal stress generated between an oxidized region provided near the active layer and the interlayer insulating film can be reduced by using a separation groove 30 formed on a surface protection film 32 covering the interlayer insulating film, so that the increase of dislocations is suppressed, so that the VCSEL array device of high reliability is available.例文帳に追加

活性層近傍に設けられた酸化領域と層間絶縁膜との間に生ずる内部応力を、層間絶縁膜を覆う表面保護膜３２に形成された分離溝３０を利用して緩和できるようにしたから、転位の増殖を抑え、高信頼性の半導体レーザアレイ素子を得ることができる。 - 特許庁

The method for measuring the element distribution in a depth direction has a process for adding an alkali metal to the surface of the sample, a process for irradiating the measuring region of the surface of the sample with primary ions comprising alkali metal ions and a process for performing the mass separation of secondary ions discharged from the measuring region by irradiation with primary ions and measuring the discharged quantity of specific secondary ions to analyze the element distribution.例文帳に追加

試料の表面にアルカリ金属を含有させる工程と、前記アルカリ金属のイオンよりなる一次イオンを前記試料の表面の測定領域に照射する工程と、前記一次イオンの照射により前記測定領域から放出された二次イオンを質量分離し、特定の二次イオンの放出量を測定して元素分布を分析する工程とを有する深さ方向元素分布測定方法によって解決する。 - 特許庁

The digital color image forming method from the color photographic sensitive materials containing a compound forming dyestuffs having the maximum absorption wavelength by development processing in a non-visible wavelength region and having silve halide emulsion layer is characterized in that the image components of the dyestuffs included in the visible color separation images are subjected to subtraction processing by using the reading images in the non-visible wavelength region of the dyestuffs.例文帳に追加

現像処理により最大吸収波長が非可視波長領域にある色素を形成する化合物を含有する、ハロゲン化銀乳剤層を有するカラー写真感光材料からのデジタルカラー画像形成方法において、可視色分解画像中に含まれる該色素の画像成分を、該色素の非可視波長領域における読み取り画像を用いて減算処理することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料のデジタルカラー画像形成方法である。 - 特許庁

In the method for purification of antimony-containing wastewater, the antimony-containing wastewater is mixed with an inorganic coagulant and neutralized, and then is subjected to settling separation by coagulating sedimentation, and the supernatant water is passed through a column packed with a ferric hydroxide adsorbent bonded with a hydrophilic polymer material insoluble in a strongly acidic region, thereby separating ions containing antimony.例文帳に追加

含有排水の浄化方法は、アンチモンを含む排水に、無機凝集剤を混合し、中和し、次いで凝集沈殿によって沈降分離し、上澄水を、親水性で、かつ強酸性領域で溶解しない高分子物質で結合した水酸化第２鉄吸着剤を充填したカラムに通水して、アンチモンを含むイオンを分離することを特徴とする。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

At the lower part of a silicon nitride film 3 that becomes a mask when a substrate 1 of an element separation region is etched for forming a groove 5a, an amorphous silicon film (buffer film) 16 is provided.例文帳に追加

素子分離領域の基板１をエッチングして溝５ａを形成する際のマスクとなる窒化シリコン膜３の下部にアモルファスシリコン膜（バッファ膜）１６を設け、素子分離溝の形成後に窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６を除去した際、素子分離溝に埋め込まれた酸化シリコン膜７の表面を窒化シリコン膜３およびアモルファスシリコン膜１６の膜厚に相当する分だけ高くする。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

In the auxiliary space, a separation region B which generates downward swirl flows from the spherical valve holding part 506 to the conduit when the spherical valve holding part 506 and the conduit 503 are separated and the spherical valve 505 is in open state while the sewage in the auxiliary space is not discharged by the check valve 509.例文帳に追加

補助空間には、球体弁保持部５０６から流路５０３までを離間させ、逆止弁５０９により補助空間内の汚水が排出されない状態で球体弁５０５が開状態である場合に球体弁保持部５０６から流路までに下降旋回流を生じさせるための離間領域Ｂが設けられている。 - 特許庁

The apparatus has a pushing-up structure 20 enabling the molded boiled rice P to be taken out by being pushed out so as to synchronize with the movement of an operation lever 2 by moving the operation lever 2 more from the most terminal region of the movement for separating a molding upper mold 3 from a molding lower mold 4 to the more separation movement direction by the operation lever 2.例文帳に追加

【解決手段】 操作レバー２により成形上型３と成形下型４とを離間させる動作の最端域から更に両型の離間動作方向へ操作レバー２を移動することにより当該操作レバー２に連動して成形下型４内から成形米飯Ｐを押し上げて取り出し可能とする突き上げ機構２０を備える。 - 特許庁

The optical material having a phase separation region is obtained by arranging a photomask 21 having an aperture of a width 1 to 50 μm on a polymeric film 20 which contains at least the two polymeric compounds having molecule compatibility and at least one of which has a photosensitive area and by subjecting the film to photoirradiation 22.例文帳に追加

分子相溶性を有する少なくとも２種類の高分子化合物を含み、このうち、少なくとも１種類は光感応性部位を有している高分子フィルム２０に対して、１μｍ以上５０μｍ以下の幅の開口部を有するフォトマスク２１を配置して、光照射２２を行って相分離領域を有する光学材料を得る。 - 特許庁

Each of the spacer sheet 18a and the seal sheets 16a, 20a has an opening 22 at a position corresponding to a gas diffusion circulation region 4, and has a fuel gas manifold hole 10 and an oxidation gas manifold hole 12 at positions corresponding to a fuel gas manifold hole 10 and an oxidation gas manifold hole 12 of the gas separation plate 2, respectively.例文帳に追加

スペーサシート１８ａおよび両シールシート１６ａ、２０ａは、ガス分離板２のガス拡散流通領域４に対応する部分に開口部２２をそれぞれ有すると共に、ガス分離板２の燃料ガスマニホールド孔１０および酸化ガスマニホールド孔１２に対応する部分に燃料ガスマニホールド孔１０および酸化ガスマニホールド孔１２をそれぞれ有している。 - 特許庁

There are formed a first high withstand voltage transistor 100P in the first semiconductor layer, a second high withstand voltage transistor 100N in the second semiconductor layer, and a first low withstand voltage transistor 200P in the third semiconductor layer and further a second low withstand voltage transistor 200N adjoining the first low withstand voltage transistor via the second element separation region.例文帳に追加

第１半導体層内に第１高耐圧トランジスタ１００Ｐを、第２半導体層内に第２高耐圧トランジスタ１００Ｎを、第３半導体層内には第１低耐圧トランジスタ２００Ｐと、第３半導体層内において、第１低耐圧トランジスタと前記第２素子分離領域を介して隣り合う第２低耐圧トランジスタ２００Ｎを形成する。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

A first top face 44a of the first protruding portion 44 and a second top face 48a of the second protruding portion 48 constitute a separation portion 50 by separating each other to form a cooling medium passage 54, and a continuous contact portion 52 by contacting each other along a predetermined length to form a seal region to prevent the cooling medium from flowing.例文帳に追加

第１凸状部４４の第１頂面４４ａと、第２凸状部４８の第２頂面４８ａとは、互いに離間して冷却媒体流路５４を設けるための離間部５０と、所定の長さにわたって互いに接触し、前記冷却媒体の流通を阻止する封止領域を形成するための連続接触部５２とを構成する。 - 特許庁

(a) On a semiconductor substrate 2, a polysilicon film 10a for a floating gate 10 is formed via a LOCOS oxide film 20 and a gate oxide film 8 on which a silicon nitride film 38 is formed as an antioxidation film, and the silicon nitride film 38 and the polysilicon film 10a in a floating gate separation region 26, are removed to form a band-like groove pattern 28.例文帳に追加

（ａ）半導体基板２上に、ＬＯＣＯＳ酸化膜２０、ゲート酸化膜８を介して、フローティングゲート１０用のポリシリコン膜を１０ａ形成し、さらにその上に耐酸化性膜としてシリコン窒化膜３８を形成し、フローティングゲート分離領域２６におけるポリシリコン膜１０ａ及びシリコン窒化膜３８を除去して、帯状の溝パターン２８形成する。 - 特許庁

The diffraction grating 13 has a diffraction region 21 formed only on the light emission surface side where a main beam 27 and ±1st order sub-beams 29a, 29b or a main beam 27' and ±1st order sub-beams 29a', 29b' are generated by performing diffraction separation of a first laser beam 25 or second laser beam 25' emitted from a two-wavelength semiconductor laser.例文帳に追加

回折格子１３は、２波長半導体レーザから射出した第１のレーザ光２５又は第２のレーザ光２５’を回折分離して主ビーム２７及び±１次の副ビーム２９ａ、２９ｂ又は主ビーム２７’及び±１次の副ビーム２９ａ’、２９ｂ’を生成する、光射出面側のみに形成された回折領域２１を有している。 - 特許庁

To support this separation, the separating device is provided with switchable voltage control means for controlling local voltages in a region of the branch point to provide potential differences of opposing polarity along the respective subsidiary channels 110 and 115 such that a component to be separated 125 can be caused to migrate from the feed channel into a different subsidiary channel 115 from one or more other components.例文帳に追加

この分離をサポートするために、送りチャンネルから異なる補助チャンネル１１５へ、分離されるべきコンポーネント１２５を１つまたは複数のコンポーネントの中から移行させることができるように、分岐点の領域に局所的な電圧を制御してそれぞれ補助チャンネル１１０、１１５に沿って逆の極性の電位差を提供するための切り換え可能な電圧制御手段を備える。 - 特許庁

An image forming apparatus is provided, including a heating means for heating a recording medium, the separating means for separating the recording medium on the heating means from the heating means, an operating means located in an operation region capable of being operated by the operator, and a transmitting means for performing separation by the separating means by transmitting an operating force from the operating means to the separating means.例文帳に追加

記録媒体を加熱する加熱手段と、前記加熱手段上の前記記録媒体を該加熱手段から離間させる離間手段と、操作者による操作が可能な操作領域に位置する操作手段と、前記操作手段からの操作力を前記離間手段へ伝達することで、前記離間手段による離間が行われる伝達手段と、を有する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The PDP is provided with a first and a second ring seals 47, 48 arranged in separation in a sealing region 18 of a first substrate 10, and a buffer space 90, located between the first ring seal 47 and the second ring seal 48; and the buffer space 90 is set so as its pressure to be lower than that of a space above a light-emitting area 19 surrounded by the first ring seal 47.例文帳に追加

ＰＤＰは、第一の基板１０の封止領域１８に第一、第二のリングシール４７、４８は離間して配置され、第一のリングシール４７と第二のリングシール４８の間にはバッファー空間９０が設けられており、そのバッファー空間９０は、第一のリングシール４７で取り囲む発光領域１９上の空間よりも圧力が低くなるようにされている。 - 特許庁

To obtain a neutron flux measuring device aiming at reducing the complication in design and operation and improving the operability by reducing the necessary number of detectors and operation devices by shared use of detectors and arithmetic unit, improving the economy without lowering monitoring property and constituting the reactor protection system separation division and the bypass group in the same constitution in a start-up region monitor.例文帳に追加

検出器の共用化及び演算装置の共用化により必要台数の削減を図り、監視性を低下させることなく経済性を向上させ、また、起動領域モニタにおいて、原子炉保護系分離区分とバイパスグループとを同一構成として、設計及び運転時等における煩雑さを低減させ、運用性の向上を図った中性子束計測装置を得る。 - 特許庁

The oligomer probe array includes a substrate, a large number of probe cell actives, formed on the substrate or in the substrate and having three-dimensional surfaces, coupled with oligomer probes of mutually different orders by the probe cell active, and a probe cell separation region which separates a large number of the probe cell actives and has a surface that does not contain a functional group coupled with the oligomer probes.例文帳に追加

基板と、基板上または基板内に形成され、３次元表面を有する多数のプローブセルアクティブであって、各プローブセルアクティブ別に互いに異なる序列のオリゴマープローブがカップリングされた多数のプローブセルアクティブと、多数のプローブセルアクティブを分離するプローブセル分離領域であって、表面がオリゴマープローブとカップリングされる作用基を含まないプローブセル分離領域とを含むオリゴマープローブアレイ。 - 特許庁

The method includes a process of forming a resin layer (2) containing copolymers on a substrate (1), a process of irradiating a specified region of the resin layer with IR rays, visible rays, UV rays or ionization radiation (3), and a process of subjecting the resin layer after irradiation to thermal annealing treatment to develop a micro phase separation structure in the part (6) not irradiated in the resin layer.例文帳に追加

基板（１）上に、共重合ポリマーを含む樹脂層（２）を形成する工程と、前記樹脂層の所定の領域に赤外線、可視光線、紫外線または電離放射線（３）を照射する工程と、前記照射後の樹脂層に熱アニール処理を施して、前記樹脂層の未照射部（６）にミクロ相分離構造を発現させる工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

An image processing apparatus and method is characterized in including: an image area separation means for discriminating and separating input image data into a highlight region wherein the density of the original pixels is low and regions of medium density or over wherein the density of the original pixels is high; and a resolution conversion means for converting recording resolutions of the separated regions in main and sub scanning directions.例文帳に追加

入力画像データから原画素の濃度値が低いハイライト領域と、原画素の濃度値が高い中濃度領域以上とに分離判定する像域分離手段と、分離された領域の対して主走査方向及び副走査方向の記録解像度とを変換する解像度変換手段とを備えることを特徴とする画像処理装置および方法。 - 特許庁

The northern part of the region, and seemingly the center (including Tanba-gun and Tanba-go), was not included in Tanba Province but was instead separated to form Tango Province when the former was first established as one of the provinces administered by the Ryo-sei; this could be explained by the assumption that the central area of Tanba Province had been incorporated into the southern part of Tanba Province (a part of Tanba Province after the separation of Tango Province) from Tanba-gun in the north. 例文帳に追加

丹波国が令制国として成立した当初には、丹波郡・丹波郷を有して丹波国の中心であったとみられる北部の地域が丹波国として残されず、逆に丹後国として分離されてしまったのは、丹波国の中心が北部の丹波郡から、より都に近い丹波国南部（丹後分国後の丹波国の地域）へと移動していたためと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a region separation processing part 15 of the image processor 1, an overlapping determining part 157 determines the presence of overlapping of accumulation object sections in an accumulation histogram up to a prior stage following a processing sequence and in a sectional histogram of a processing object stage, and an accumulating part 154 accumulates the accumulation object sections determined to have overlapping, to generate the accumulation histogram up to the processing object stage.例文帳に追加

画像処理装置１の領域分離処理部１５において、重複判定部１５７は、処理順序に従った前段までの累積ヒストグラムと処理対象段の区分ヒストグラムとにおける累積対象区間の重複の有無を判定し、累積部１５４は、上記重複有りと判定された上記累積対象区間を累積して処理対象段までの累積ヒストグラムを生成する。 - 特許庁

The method for recovering the cyclic polyarylene sulfide comprises contact-reacting at least a dihalogenated aromatic compound with a sulfidization agent in an organic polar solvent to obtain a reaction mixture, subjecting the reaction mixture to solid-liquid separation at a temperature region below the boiling point of the organic polar solvent to obtain a filtrate, and removing the organic polar solvent from the filtrate to obtain the high purity cyclic polyarylene sulfide.例文帳に追加

有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させて得られる反応混合物を、有機極性溶媒の沸点以下の温度領域で固液分離することにより得られた濾液から、有機極性溶媒を除去するだけで、純度の高い環式ポリアリーレンスルフィドが得られることを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。 - 特許庁

This manufacturing method of thin-film semiconductor devices include a process for preparing a member that has a semiconductor film 110 with a semiconductor device and/or a semiconductor integrated circuit 140 on a separation layer 100, a process for foaming a cutting groove 150 from the side of the semiconductor film of the member, and a process for separating the desired region of the semiconductor device and/or semiconductor integrated circuit 140 from the member.例文帳に追加

半導体素子及び／又は半導体集積回路140を備えた半導体膜110を分離層100上に有する部材を用意する工程、該部材の該半導体膜側から切り込み溝150を形成する溝形成工程、及び該溝形成工程後、該半導体素子及び／又は半導体集積回路140の所望の領域を該部材から分離する分離工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The methods includes: providing a first flow having a plurality of blood components and a second flow; contacting the first flow with the second flow to provide a first separation region; and differentially sedimenting a first blood cellular component of the plurality of blood components into the second flow while concurrently maintaining a second blood cellular component of the plurality of blood components in the first flow.例文帳に追加

複数の血液成分を有する第１の流れと第２の流れを提供し、第１の流れを第２の流れと接触させ、それにより第１の分離領域を提供し、接触させ、及び、複数の血液成分の第１の血液細胞成分を第２の流れ中に差別沈降させ、一方で同時に、複数の血液成分の第２の血液細胞成分を第１の流れ中に留め、差別沈降させることを含む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method.例文帳に追加

ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

One of the exemplary methods includes: providing a first flow having a plurality of blood components; providing a second flow; contacting the first flow with the second flow to provide a first separation region; and differentially sedimenting a first blood cellular component of the plurality of blood components into the second flow while concurrently maintaining a second blood cellular component of the plurality of blood components in the first flow.例文帳に追加

１つの例示的な方法は、複数の血液成分を有する第１の流れを提供すること、第２の流れを提供すること、第１の流れを第２の流れと接触させることであって、それにより第１の分離領域を提供する、接触させること、及び、複数の血液成分の第１の血液細胞成分を第２の流れ中に差別沈降させ、一方で同時に、複数の血液成分の第２の血液細胞成分を第１の流れ中に留める、差別沈降させることを含む。 - 特許庁