「separation region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for reducing the occurrence of crystal defects, or the like occurring from an element separation region.例文帳に追加

素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減するための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a surface of an element separation region, a first oxide film 4, a nitride film 6 and a second oxide film 8 are formed, and a trench is formed.例文帳に追加

素子分離領域の表面に第１酸化膜４と窒化膜６と第２酸化膜８を順に形成し、トレンチを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The MOSFET device has a semiconductor substrate 11; an SiGe layer 12 placed on the substrate 11; an Si layer 13 placed on the layer 12; and an element separation region 16 for separating the Si layer 13 into a core region 14 and an I/O region 15.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴデバイスは、半導体基板１１と、この上に備えられたＳｉＧｅ層１２と、この上に備えられたＳｉ層１３と、このＳｉ層１３をコア領域１４とＩ／Ｏ領域１５とに分離する素子分離領域１６とを有する。 - 特許庁

The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

When viewed from a lamination direction, respective green sheets 40A, 40B are aligned such that the precursors of the step absorption layer 22 for grounding and the step absorption layer 32 for grounding are positioned in a separation region 13, and the precursor of the step absorption layer 24 for grounding is positioned in a separation region 35.例文帳に追加

そして、積層方向からみて、接地用段差吸収層２２及び接地用段差吸収層３２の前駆体が離間領域１３に、接地用段差吸収層２４の前駆体が離間領域３５にそれぞれ位置するように各グリーンシート４０Ａ，４０Ｂを位置合わせする。 - 特許庁

By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加

本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁

If regions A, B sharing a boundary with a great color difference do not use the same separation color, densities of color information of the regions A, B are adjusted (S6) so that a trap region and a region enlarged by trapping processing use the same separation color and have densities equal with or higher than a predetermined value.例文帳に追加

境界を共有する、色差が大きい領域A、Bが同じ分版色を使わない場合、トラップ領域とトラッピング処理によって拡大した領域が同じ分版色を使用し、かつ、その濃度が所定値以上になるように、領域A、Bの色情報の濃度を調整する(S6)。 - 特許庁

Lead-out wires 241a and 242a are formed extending in the Y direction on an insulating film 91 and arrayed in an X direction in plane view so that a separation region R1 partitioning off the shield-films may not overlap the separation region R2.例文帳に追加

引き出し配線２４１ａ及び２４２ａは、絶縁膜９１上においてＹ方向に沿って延在するように夫々形成されており、且つ互いを隔てる分離領域Ｒ１が分離領域Ｒ２に重ならないように平面的に見てＸ方向に沿って配列された配列されている。 - 特許庁

Impurity concentration in an n-type region 121 located just under a separation region IMS1 held between a first end E1 of the first base region 112 and a second end E2 of the second base region 113 is made higher than that in an n-type layer 111 located just under the same region 121, in a first principal surface MS1 of one chip.例文帳に追加

１チップの第１主表面ＭＳ１の内で、第１ベース領域１１２の第１端部Ｅ１と第２ベース領域１１３の第２端部Ｅ２とで挟まれた分離領域ＩＭＳ１直下に位置するＮ型領域１２１の不純物濃度は、同領域１２１直下のＮ型層１１１のそれよりも高く設定されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device stably having high reliability by restraining contamination from a protective insulating film into which ions are implanted, without exerting a bad influence upon a boundary form between an active region and an element separation region.例文帳に追加

活性領域と素子分離領域の境界形状に悪影響を与えることなく、イオン注入された保護絶縁膜からの汚染を抑え、安定して高い信頼性を有する。 - 特許庁

In the endoscope operational part 10, a separation part 18 is provided at a part slightly closer to a distal end side beyond a branching part 15 to separate the inside of an endoscope into two regions of a front end side air-tight region and a rear end side air-tight region.例文帳に追加

内視鏡操作部１０において、分岐部１５から少し先端側に分離部１８を設け、内視鏡内を先端側気密領域と後端側気密領域の２つに分離する。 - 特許庁

A DRAM cell is formed in an active region 7 specified by a separation trench 40 formed at an upper part of a silicon substrate 1 and capacitors C1, C2 are formed at an end part of the relevant active region 7.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルは、シリコン基板１の上部に形成された分離トレンチ４０により規定される活性領域７に形成され、当該活性領域７の端部にキャパシタＣ１，Ｃ２が形成される。 - 特許庁

A lamination separation region 11 for separating the contact region 8 and the lamination 7 (a junction intermediate layer 6) is formed by removing the second electrode 9 and the lamination 7 in a discontinuous line shape.例文帳に追加

第２電極９および積層体７を不連続なライン状に除去してコンタクト領域８と積層体７（接合中間層６）とを分離する積層体分離領域１１を形成する。 - 特許庁

Separation of the probe 37 region from the wire bond 38 region prevents the final metal layer pad 16 from being damaged by the probe testing, thereby achieving more reliable wire bonds.例文帳に追加

プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 - 特許庁

Insulation layers 13 made of oxidized silicon films are formed in a stripe manner such that they cover surfaces of the polycrystalline silicon layer 3, an insulation separation region 9, and a conductive region 8 respectively.例文帳に追加

多結晶シリコン層３および絶縁分離領域９および導電性領域８それぞれの表面を覆うようにシリコン酸化膜よりなる絶縁層１３がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high junction breakdown voltage by preventing reduction in the junction breakdown voltage in a boundary between an element region and an element separation region; and its manufacturing method.例文帳に追加

素子領域と素子分離領域との境界部における接合耐圧の低下を防止することにより高い接合耐圧を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flash memory element, an element separation film 304 is formed so as to have a protruding portion higher than the surface of an active region 302, supplying a groove on the active region 302.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法は、素子分離膜３０４は活性領域３０２の表面よりも高い突出部を有するように形成されて活性領域３０２上にグルーブを供給する。 - 特許庁

As a result, the movable section of separation film 5 is deformed to be in a plasticity region by growing of the bubble 17 so that the movable separation film becomes in a condition that the surface area thereof is enlarged as a normal condition (c).例文帳に追加

こうすることで、分離膜５の可動部５ａは気泡１７の成長により歪んで塑性域に達し、定常状態は図（ｃ）に示すように可動分離膜の表面積が増大した状態になる。 - 特許庁

The porphyran extract is obtained from solid-liquid separation after porphyran is extracted at a low temperature region by using an aqueous solution having an added organic acid as an extraction solution to residues obtained from solid-liquid separation after performing water treatment to the laver to remove impurities.例文帳に追加

海苔を水処理して不純物を取り除き、固液分離した残渣に、有機酸を添加した水溶液を抽出液として、低温度域でポルフィランを抽出し、固液分離してポルフィラン抽出液を得る。 - 特許庁

By extending an element separation region 4 along the gate electrode 2, occurrence of failure is prevented at a gate insulating film by the gettering effect.例文帳に追加

また、ゲート電極２に沿って素子分離領域４を延在させることで、ゲッタリング効果によりゲート絶縁膜における欠陥の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses horizontal diffusion in a p-type diffusion layer for composing a separation region, and reduces the size of the device.例文帳に追加

分離領域を構成するＰ型の拡散層の横方向への拡散を抑制し、デバイスサイズを縮小した半導体装置の提供。 - 特許庁

In the semiconductor device, separation regions 13A and 13B are installed to surround an active region 19 where a transistor is formed.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタ等が形成される活性領域１９を囲むように、分離領域１３Ａ、１３Ｂを設けている。 - 特許庁

A gate electrode 85 is provided during formation of a transistor, which is performed after an element separation trench 2 and an corresponding active region are formed.例文帳に追加

素子分離用トレンチ２と、対応する能動領域とを構成した後に行われるトランジスタの形成中に、ゲート電極８５を備える。 - 特許庁

Since many people return to their hometown during the Bon festival period, it provides a chance for people from each region to meet after a long separation. 例文帳に追加

盆の時期に帰郷するひとも多くいることから、それぞれの場所の出身者が久しぶりに顔をあわせる機会としても機能している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This fuel rail assembly 130 includes: a fuel rail housing 132 forming an internal space having at least a first region 133 and a second region 135; and a fuel separation membrane element 134 that is disposed within the fuel rail housing 132 and separates the first region 133 from the second region 135.例文帳に追加

燃料レール組立体１３０は、少なくとも第一領域１３３及び第二領域１３５を有する内部空間を形成する燃料レール筐体１３２と、燃料レール筐体１３２内に配置され、第一領域１３３を第二領域１３５から分離する燃料分離膜エレメント１３４とを含む。 - 特許庁

Each pixel includes a second conductive electric charge storage region (photoelectric conversion section); an amplifier including a second conduction type electric charge detection region to which electric charges are transferred from the electric charge storage region, and providing an output of a pixel signal in response to the transferred electric charge amount; and a first conduction type inter-element separation region.例文帳に追加

各画素は、第２導電型の電荷蓄積領域（光電変換部）と、電荷蓄積領域から電荷が転送される第２導電型の電荷検出領域を含むと共に転送された電荷量に応じた画素信号を出力する増幅部と、第１導電型の素子間分離領域とを有する。 - 特許庁

The delivering unit acts substantially on the second region of the element without influencing the first region of the element so that, after the separation of the plasma, the separated plasma is discharged from the second region of the element and is delivered from an outlet of the apparatus.例文帳に追加

排出ユニットは血漿分離後、分離された血漿が分離要素の第２領域から放出されて、器具の排出口から排出されるように、分離要素の第１領域に影響を及ぼすことなく分離要素の第２領域に本質的に作用する。 - 特許庁

An edge amount calculating section 3 calculates the extent of edge of an input image as an edge amount and delivers a corresponding edge amount to an image type subjected to image region separation.例文帳に追加

エッジ量算出部３では、入力画像のエッジ度合いをエッジ量として算出し、像域分離された画像種に対応したエッジ量を出力する。 - 特許庁

In an element forming region 8 of the semiconductor device, a plurality of trench separation regions 7 extended in the form of bands are so disposed in the form of islands as to interpose each space between the respective adjacent regions 7.例文帳に追加

素子形成領域８内に帯状に延在する複数のトレンチ分離領域７がそれぞれ間隔を隔てて島状に配設されている。 - 特許庁

To provide a separation apparatus subjected to long-time continuous operation and capable of ensuring sealability even in a high temperature region at the time of operation.例文帳に追加

長時間の連続運転が可能で、かつ運転に際しては高温域でもシール性を確保することができる分離装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To solve a problem of optical loss without giving large influence on propagation of optical mode and also provide a stable electrical separation region structure with excellent controlability.例文帳に追加

光モードの伝搬に大きな影響を与えることがなく、光ロスの問題を解決し、また、制御性よく安定に電気分離領域構造を有すること。 - 特許庁

To suppress the peeling off of a label region formed with a cutting line in a sheet to be printed which is separably laminated on a separation sheet.例文帳に追加

剥離シートと剥離可能に重ね合わされた被印刷シート内に切断ラインによって形成されたラベル領域がめくれにくくなるようにする。 - 特許庁

Then after a conductive film is buried in the trench by forming an insulating separation film, a transistor comprising a gate, a drain, and a source is formed in the predetermined region.例文帳に追加

次に、前記トレンチに絶縁分離膜を形成して導電膜を埋め込んだ後、所定の領域にゲート、ドレイン、ソースからなるトランジスタを形成する。 - 特許庁

A gate-feed wiring on the element separation region connects gate fingers to one another at ends on the opposite side from the side where the drain connection portion is disposed.例文帳に追加

素子分離領域上のゲート給電配線が、ゲートフィンガ同士を、ドレイ連結部が配置された側とは反対側の端部において接続する。 - 特許庁

The second semiconductor layer region 143 is surrounded by a second dielectric separation film 142 in the form of a closed loop, and is provided with electric potential of a wiring 151.例文帳に追加

この第二の半導体層領域１４３は、第二の誘電体分離膜１４２により閉ループ状に囲まれて、配線１５１の電位を与えられている。 - 特許庁

Each of n lines of signal lines SL is separated into a first signal line SL1 and a second signal line SL2 in a separation region R10.例文帳に追加

ｎ本の信号線ＳＬの各々は、分離領域Ｒ１０内において第１信号線ＳＬ１および第２信号線ＳＬ２に分離されている。 - 特許庁

MOS transistors T1, T2 are formed in the element forming region 8 sandwiched between the adjacent trench separation regions 7 extended in the form of bands.例文帳に追加

隣り合う帯状に延在するトレンチ分離領域７によって挟まれた素子形成領域８に、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２が形成されている。 - 特許庁

The depth of a trench 16A for element separation in a low voltage element region is set to a value A4 required for preventing an inter-element leak or higher.例文帳に追加

低電圧素子領域内の素子分離のためのトレンチ１６Ａの深さは、素子間リークを防ぐために必要な値Ａ４又はそれ以上に設定される。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR T-TYPE ELEMENT SEPARATION FILM AND FOR ELEVATED SALICIDE SOURCE/DRAIN REGION USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPRISING THE SAME例文帳に追加

Ｔ型素子分離膜の形成方法、これを用いたエレベイテッドサリサイドソース／ドレイン領域の形成方法及びＴ型素子分離膜を有する半導体素子 - 特許庁

STI 60 is formed on a semiconductor substrate 10 first to enclose element formation regions D1 to D4 respectively (element separation region forming process).例文帳に追加

まず、素子形成領域Ｄ１〜Ｄ４のそれぞれを包囲するように、ＳＴＩ６０を半導体基板１０に形成する（素子分離領域形成工程）。 - 特許庁

An image data background separation apparatus 31 removes the background region from image data, such as, biopsy image of stomach input from an image data input device 2.例文帳に追加

画像データ背景分離装置３１は、画像データ入力装置２から入力された胃の生検画像などの画像データから背景領域を除去する。 - 特許庁

In the wiring forming region, a separation distance between a wiring layer to be formed afterward and the silicon substrate 1 can be widened by the deepened hole h2.例文帳に追加

配線形成領域において、後に形成される配線層とシリコン基板１との離隔距離を、深く掘られた穴ｈ２によって広げることができる。 - 特許庁