例文 (499件) |
selection ratioの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 499件
To provide an improved polishing composition by solving the problems that the polishing selection ratio of copper to a tantalum compound is insufficient when a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound is polished, a wiring groove and the copper film of a hole are excessively scrapped when the selection ratio to the copper is increased, smoothness on the surface of the copper film is damaged, or the like.例文帳に追加
銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To obtain a polishing composition solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired.例文帳に追加
銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an abrasive composition which improves the problems wherein, when a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound is polished, the polish selection ratio of the cooper and the tantalum compound is not sufficient, the copper film of a wiring groove or a hole is polished excessively, if the selection ratio for the cooper is increased, and smoothness in the surface of the copper film is damaged.例文帳に追加
銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
A humidity control unit 10 makes a selection of the ratio of ON/OFF duty of stirring time and the ratio of ON/OFF duty of air blowing time in compliance with the range of the relative air humidity detected by a humidity censor 20 and controls ON/OFF of a stirring paddle 2 and a blast fan 4.例文帳に追加
湿度制御部10は、湿度センサ20により検出された、空気の相対湿度の湿度レンジに応じて、攪拌時間のON/OFFデューティ比、送気時間のON/OFFデューティ比を選択し、攪拌パドル2および送気ファン4のオン/オフを制御する。 - 特許庁
Then, in a comparison part 617, whether the ratio of the count value of a specified quadrant to the total number (inter-carrier total number) of sets of adjacent sub-carriers selected in the carrier selection part 615 is equal to or larger than a predetermined ratio, and thus the presence/absence of the carrier is determined.例文帳に追加
そして、比較部617にて、キャリア選択部615で選択された隣接するサブキャリアの組の総数(キャリア間総数)に対して特定象限のカウント値が所定割合以上であるかを判定することにより、キャリアの有無を判定する。 - 特許庁
The print control system also has a means automatically inputting a size of an aspect ratio automatically calculated on the custom paper sheet production dialog screen by aspect ratio selection setting on the custom paper sheet production dialog screen and the paper sheet width size set to the printer.例文帳に追加
また、プリンタにセットされている用紙幅サイズとカスタム用紙作成ダイアログ画面上の縦横比選択設定とにより、カスタム用紙作成ダイアログ画面上で自動的に縦横比を算出したサイズを自動的に入力する手段を有する。 - 特許庁
To provide an etching method applicable in a process of etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate, using etching gas which does not contain global warming gases and achieving a high selection ratio, a high aspect ratio, and a practical etching rate.例文帳に追加
シリコン基板上の酸化シリコン層または窒化シリコン層をエッチングする方法において、エッチングガスとして地球温暖化ガスを含まず、しかも高選択比、高アスペクト比、及び実用的なエッチング速度が得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
A filter order selection means 3 calculates the input/output signal power ratio of the filter means 2a-2N from the received signal and the output signals of the filter means 2a-2N to determine the order of the whole of the filters on the basis of a change in the power ratio.例文帳に追加
フィルタ次数選定手段3は、受信信号及びフィルタ手段2a〜2Nの出力信号から、フィルタ手段2a〜2Nの入出力信号電力比を計算して電力比変化に基づいてフィルタ全体の次数を決定する。 - 特許庁
A switch control circuit, which is not shown, controls each of the clock selection circuits 212, 214, 204, and thereby a desired phase can be obtained by the clock signal of a desired frequency division ratio.例文帳に追加
図示しないスイッチ制御回路が各クロック選択回路212、214、204を制御することで所望の分周比のクロック信号で位相の所望のものを得ることができる。 - 特許庁
Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9.例文帳に追加
次に、第2層間絶縁膜7とフォトレジスト8との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト8と第2層間絶縁膜7をドライエッチングし、スルーホール9を形成する。 - 特許庁
To provide a liquid processing method in which an etching rate is large, and an etching selection ratio of a silicon nitride is higher than that of a silicon oxide; a liquid processing apparatus; and a storage medium storing the method.例文帳に追加
エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。 - 特許庁
Then, total values are calculated for each music genre, a ratio of the level of the total value is set as selection probability of the genre to select the genre, and music to be played back is selected from the selected genre.例文帳に追加
ついで、楽曲ジャンル毎に値を合計し、合計値の大きさの比率をジャンルの選択確率としてジャンルを選択し、選択されたジャンルより再生する曲を選曲する。 - 特許庁
With this configuration, a sufficient etching selection ratio is obtained by using the insulating film of an underlayer as an etching stop layer, compared to a conventional method of stopping etching within the organic resin.例文帳に追加
この構造では、従来の有機樹脂内でエッチングを停止する方法と比べ、下地の絶縁膜をエッチング停止層として用いることで、十分なエッチング選択比が得られる。 - 特許庁
Only the residual part of the Si substrate is removed except the film 14 on the basis of a selection ratio for etching, and a semiconductor substrate 26 having the exposed film 14 is obtained to be a rear surface.例文帳に追加
エッチングの選択比により、SiO_2膜14を残してSi基板の残部のみが除去され、裏面側となるSiO_2膜14が露出した半導体基板26を得る。 - 特許庁
To provide semiconductor manufacturing equipment and and a method of manufacturing of a semiconductor device capable of improving a resist selection ratio in consecutive processing stability and etching dimensions in continuous stability, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
レジスト選択比の連続処理安定性、エッチング寸法の連続安定性を高める半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a polishing solution capable of obtaining a higher polishing speed to a silicon oxide film and obtaining a high selection ratio of a polishing speed of a silicon oxide film to a silicon nitride film.例文帳に追加
酸化ケイ素膜に対する高い研磨速度が得られるとともに、窒化ケイ素膜に対する酸化ケイ素膜の研磨速度の高い選択比が得られる研磨液を提供すること。 - 特許庁
To provide an etching method which offers a sufficient etching selection ratio of a silicon nitride film with regard to source/drain electrodes containing a high melting point metal material even when a large-sized glass board is processed.例文帳に追加
大型ガラス基板を処理する場合でも、高融点金属材料を含むソース・ドレイン電極に対して窒化ケイ素膜のエッチング選択比が十分に得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To accelerate an etching speed (etching rate) of a conductive material laminated on a dielectric material, and to improve a selection ratio with the dielectric material to be a base.例文帳に追加
誘電体材料に積層された導電性材料のエッチング速度(エッチングレート)の高速化を実現するとともに、下地となる誘電体材料との選択比を向上させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film.例文帳に追加
所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるH_3PO_4液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁
Then, in-layer lenses are formed by carrying out dry etching using the resist pattern 30d as a mask with a selection ratio of approximately 1, and by transferring the convex lens shape of the resist pattern 30d to a transparent film 29a.例文帳に追加
そして、このレジストパターン30dをマスクとして選択比が略1でのドライエッチングを行って、透明膜29aにレジストパターン30dの凸レンズ形状を転写して、屋内レンズを形成する。 - 特許庁
To secure the shape of the gate electrode at the time of etching the gate electrode of polymetal structure and to improve the etching selection ratio with respect to an etching stopper film constituted of silicon nitride.例文帳に追加
ポリメタル構造のゲート電極をエッチング加工する際、ゲート電極の形状を確保すると共に、窒化シリコンからなるエッチングストッパ膜に対するエッチング選択比を向上させる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an MIS semiconductor device in which an etching selection ratio between a high dielectric gate insulating film and a silicon layer of its base is taken greatly.例文帳に追加
高誘電体ゲート絶縁膜とその下地のシリコン層との間のエッチング選択比を大きく取ることを可能にしたMIS型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this image forming device, the area or ratio of an intermediate density part occupying in the output image is detected by a controller 8 based on density property selected by density output property selection switch 7.例文帳に追加
濃度出力特性選択スイッチ7で選択された濃度特性に基づいて、出力する画像の中に占める中間濃度部の広さ或は比率を制御装置8で検知する。 - 特許庁
The selection ratio of an SRO liner film is made large for an HDP silicon oxide film, and the SRO liner film is used as an etching stopper film when the HDP oxide silicon film is etched.例文帳に追加
HDP酸化シリコン膜に対してSROライナ膜の選択比を高め、HDP酸化シリコン膜をエッチングする時のエッチングストッパ膜としてSROライナ膜を使用する。 - 特許庁
To provide a plasma treatment apparatus and a plasma treatment method capable of facilitating the fine processing of a fine pattern for a sample having a large diameter, and capable of improving a selection ratio at the time of the fine processing.例文帳に追加
大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide computer color matching suitable for realizing a target color without requiring a professional knowledge of toning such as selection of a pigment combination or determination of a primary mixing ratio.例文帳に追加
顔料組み合わせの選定や初期調合率の決定のような調色の専門的知識を必要とせずに、目標色を実現するに好適なコンピュータカラーマッチングの提供。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing deterioration in the etching selection ratio of SiGe to Si when etching the SiGe formed on the Si.例文帳に追加
Si上に形成されたSiGeをエッチングする際に、Siに対するSiGeのエッチング選択比の劣化を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide compositions and methods for chemical-mechanical planarization of tungsten and titanium having an improved selection ratio, in which the removal of the titanium layer is improved, while suppressing the removal of an insulating layer.例文帳に追加
改善された選択比を有する、タングステン及びチタンのケミカルメカニカルポリッシングの為の組成物及び方法で、絶縁層の除去を押さえながらもチタン層除去を改善する。 - 特許庁
Then anisotropic dry etching is applied up to the electric connection region or electric wires of active elements, under the condition of the etching selection ratio being high between the photoresist 3 and the inter-layer insulating film 2.例文帳に追加
次に、フォトレジスト3と層間絶縁膜2とのエッチングの選択比が高い条件で能動素子の電気的接続領域あるいは電気配線の上まで異方性のドライエッチングを行う。 - 特許庁
The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5.例文帳に追加
シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域5に開口するまでSC11を延長する。 - 特許庁
Although the ground real amorphous silicon film 21 is exposed and the exposed real amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, a selection ratio of the dry etching is about 7.例文帳に追加
この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約7である。 - 特許庁
To provide an Si etching method that can prevent sidewall damages and makes high selection ratio and vertical form processing compatible, in an etching process for a silicon substrate or silicon layer.例文帳に追加
シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるSiエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide polishing solution which can take a large selection ratio to wiring metals as well as a large removing speed of barrier materials and suppress a polishing speed to insulating materials.例文帳に追加
バリヤ材料の除去速度が大きくとれると共に配線金属に対する選択比が大きく、かつ絶縁材料に対する研磨速度が抑制できる研磨溶液を提供する。 - 特許庁
To secure a high selection ratio to an insulation film used as a mask material, while controlling the generation of conical pattern defects, in performing dry etching for processing a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板を加工するためのドライエッチングにおいて、円錐状パターン欠陥の発生を抑制しつつマスク材となる絶縁膜に対して高い選択比を確保できるようにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element for implanting a trench without void by applying a polishing step and a wet etching step with a low selection ratio at the time of trench implant.例文帳に追加
トレンチ埋め込みの際に研磨工程及び低選択比のウェットエッチング工程を適用してボイドなしにトレンチを埋め込むための半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A power unit control device for shift-controlling a continuously variable transmission mechanism in a multistage shift mode includes a speed ratio selection section 83 outputting a target speed ratio ib as a speed stage switching signal based on the traveling state of a vehicle and the operation state of a driver.例文帳に追加
無段変速機構を多段変速モードで変速制御するパワーユニットの制御装置は、車両の走行状態や運転者の操作状態に基づいて目標変速比ibを変速段切換信号として出力する変速比選択部83を備えている。 - 特許庁
By the selection of the degree of polarization, that is, by the ratio of a first intensity of a first plane of polarization to a second intensity of a second plane of polarization, the change in the ratio of the width to the length of a resist pattern 38 formed on a resist layer 14 is made possible.例文帳に追加
偏光度の選択によって、すなわち、第2の偏光面の第2の強度に対する第1の偏光面の第1の強度の比によって、レジスト層14上に形成されるレジストパターン38の長さに対する幅の比の変更が可能になる。 - 特許庁
In the method, circumscribed input/output ports are connected to a resistance and a capacitor, a difference in charging/discharging times between the resistance and the capacitor is utilized to calculate the ratio and multiple kinds of data are obtained by division from the ratio for selection.例文帳に追加
本発明の抵抗コンデンサ選択機能制御方法によると、外接入出力ポートをそれぞれ抵抗とコンデンサに連接し、抵抗とコンデンサの充放電時間の差を利用してその比を計算し、この比により多くのデータに分けて選択に供する。 - 特許庁
To achieve a high aspect ratio and microfabrication of an uneven structure by improving a PR selection ratio in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern by executing the plasma processing on the sapphire substrate on which the mask pattern is arranged.例文帳に追加
マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、PR選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。 - 特許庁
Further, a table for image content selection corresponding to a two-dimensional code (QR code (R)) received from a portable terminal is selected when the event state has not been set, and a table for image content selection including image content having a low appearance ratio is selected when the event state has been set.例文帳に追加
また、イベント状態に設定されていないときには、携帯端末から受信した2次元コード(QRコード)に対応した画像コンテンツ選択用テーブルを選択し、イベント状態に設定されているときには、出現率が低い画像コンテンツを多く含む画像コンテンツ選択用テーブルを選択する。 - 特許庁
The JV type order contract support server 10 is equipped with: an attending company selection part 11; a company number determination part 12; an investment ratio calculation part 13; a candidate company selection part 14; a document preparation part 15; an investigation part 16; a JV determination part 17; and a data sending/receiving part 18.例文帳に追加
JV方式発注契約支援サーバ10は、共同企業体構成判定部11と、会社数決定部12と、出資比率決定部13と、候補会社選択部14と、資料作成部15と、審査部16と、共同企業体決定部17と、データ送受信部18とを備える。 - 特許庁
To provide a hybrid driving device for controlling a power source by optimally switching a torque request value corresponding to a driving operation and a torque request value corresponding to the change of the number of revolutions relating to a shift operation from a gear ratio during selection to a gear ratio larger than the gear ratio and a vehicle equipped with the hybrid driving device.例文帳に追加
選択中の変速比から当該変速比よりも大きな変速比への変速動作において、運転操作に応じたトルク要求値と変速動作に係る回転数変化に応じたトルク要求値とを最適に切替えて、動力源を制御することのできるハイブリッド駆動装置およびそれを備える車両を提供する。 - 特許庁
When performing the arbitration, the arbitration means 259 selects an individual input port from among the input ports, and determines, depending on a ratio among the input ports regarding magnitude of a conflict number indicated by the intensity information received from each input port, a selection ratio indicating a ratio for inputting conflict data from such input port.例文帳に追加
調停手段259は、調停を実行する場合には、複数の入力ポートの中でそれぞれの入力ポートを選択し、その入力ポートから競合データを入力する割合を示す選択割合を、各入力ポートから受信した強度情報が示す競合数の多さに関する入力ポート間の割合に応じて決定する。 - 特許庁
A selection unit 54 selects, according to the estimated state of the communication path, any of multiple normalization constants that are predefined and that should be used when an external value ratio is updated based on a prior value ratio in check node processing by means of min-sum algorithm.例文帳に追加
選択部54は、推定した通信路の状況に応じて、予め規定した複数の正規化定数であって、かつmin−sumアルゴリズムでのチェックノード処理において事前値比をもとに外部値比を更新させる際に使用すべき正規化定数のうちのいずれかを選択する。 - 特許庁
Furthermore, the method includes a process of polishing the oxide film 26 using ceria slurry as an abrasive until the nitride film 23 is exposed, and a polishing selection ratio defined as the ratio of the polishing speed of the oxide film 26 to the polishing speed of the nitride film 23 is adjusted to 7 to 11.例文帳に追加
この方法は更に、研磨剤としてセリアスラリーを用いて、窒化膜23が露出されるまで酸化膜26を研磨する工程を有し、窒化膜23の研磨速度に対する酸化膜26の研磨速度の比として定義される研磨選択比が7以上且つ11以下に調整される。 - 特許庁
To present a program guide in which visibility and selection operability are enhanced for programs of short broadcasting time, the program guide is not collapsed and the list is improved even if there are many programs of short broadcasting time, and the ratio of display size of each program is brought close to the ratio of the broadcasting time.例文帳に追加
放送時間の短い番組の視認性および選択操作性を向上させ、放送時間の短い番組が多数あっても番組表を破綻させずかつ一覧性を向上させ、さらに、各番組の表示サイズの比率を放送時間の比率に近づけた番組表を提示する。 - 特許庁
Morphology processing (44) for line segment element detection which accompanies operator's scanning is executed to a picked-up image, and an extraction object area selection processing (46) extracts even a part which continues from a part having a high contrast ratio in the growing direction of a line segment and has a low contrast ratio as one line segment.例文帳に追加
撮像画像に対し、オペレータの走査を伴う、線分要素検出のためのモルフォロジー処理(44)を実施し、抽出対象領域選択処理(46)により、コントラスト比の高い部分から線分の成長方向に連続するコントラスト比の低い部分も、1つの線分として、抽出する。 - 特許庁
In the case of conducting motion compensation prediction, a motion compensation prediction mode selector 15 adopts selection weighting in a way that a ratio of selecting a frame motion compensation prediction mode is increased when the zooming state is toward the wide-angle position or a ratio of selecting a field motion compensation prediction mode is increased when the zooming state is toward the telescopic position.例文帳に追加
動き補償予測を行う場合、動き補償予測モード選択器15において、ズーム状態が広角側のときフレーム動き補償予測モードを、ズーム状態が望遠側のときフィールド動き補償予測モードを選択する比率を大きくするよう選択の重み付けを行う。 - 特許庁
After the computation section 12 computes the ratio scale for the received codeword in reference to all the transmission codewords selected by the selection section 11, the determination section 13 determines that a transmission codeword having a minimum or maximum value of the ratio scale is a decoded code of the received codeword.例文帳に追加
判定部13は、選択部11で選択されたすべての送信符号語に対して、受信符号語との間における比例尺度を演算部12で演算した後、比例尺度が最小値又は最大値となる送信符号語を受信符号語の復号符号であると判定する。 - 特許庁
To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern.例文帳に追加
半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるBARCなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。 - 特許庁
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