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「selection ratio」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索
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selection ratioの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 499



例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask.例文帳に追加

基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the SiN film 52 is flattened, the SiN film 52 is etched at a higher selection ratio than the BPSG film 49 to be exposed in regions on the transfer electrodes 19a and 19b and at peripheries thereof.例文帳に追加

SiN膜52を平坦化した後、SiN膜52をBPSG膜49よりも高選択比でエッチングして、各転送電極19a,19b上及びその周囲の領域のBPSG膜49を露出させる。 - 特許庁

The selection control signal from the receiver 18 is composed of a combination of supply voltages, the duty ratio of a pulse signal superposed on the supply voltages, a frequency, and different specifications of a transmission rule.例文帳に追加

受信機18からの選択制御信号は、複数個の供給電圧と、その供給電圧に重畳するパルス信号のデューティ比、周波数、送信規則の複数通りの仕様との組み合わせにより構成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of preventing deterioration in an etching selection ratio in etching treatment, and reducing roughness of a pattern edge in a substrate in which a wiring pattern of photoresist is formed in a photolithographic process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストの配線パターン形成がなされる基板おいて、エッチング処理でのエッチング選択比の低下を抑制し、パターンエッジのラフネスを低減することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

例文

Anisotropic etching is performed on the condition that the upper layer insulating films 7, 10 be removed from the lower layer insulating film 6 at a high selection ratio, and a SC 11 is formed so as to open to the lower layer insulating film 6 (B).例文帳に追加

下層絶縁膜6に対して上層絶縁膜7および10を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行って下層絶縁膜6に開口するSC11を形成する(図3(B))。 - 特許庁


例文

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process.例文帳に追加

まず、第1のクリーニング工程で、処理室内の温度を300℃とすることで、SiN膜/石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したSiN膜を主に除去する。 - 特許庁

Then, when an etching rate of the silicon wafer 52 is defined as R1, and the etching rate of the resist pattern 64 is defined as R2, a selection ratio (R1/R2) is 0. 5 to 1. 5, and etching is performed on condition that R1 is 5 to 40 nm/minute.例文帳に追加

このとき、シリコンウエハ52のエッチングレートをR1、レジストパターン64のエッチングレートをR2としたとき、選択比(R1/R2)が0.5〜1.5であって、且つ、R1が5〜40nm/分の条件でエッチングを行う。 - 特許庁

It also selects or rearranges combination of the compounding ratio meeting the selection condition input from the input part and stores it in a retrieval output file and/or displays it on the display part S117, S119.例文帳に追加

処理部は、入力部から入力された選択条件に合致する配合比の組み合わせを選択し又は並べかえ、検索出力ファイルに記憶及び/又は表示部に表示する(S117、S119)。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises an etching process which is unavoidable of the deterioration of an etching selection ratio of each oxide film, when the method of manufacturing the semiconductor device is accompanied by the formation of two kinds of oxide films or more, having etching characteristics different from each other.例文帳に追加

互いにエッチング特性が異なる2種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

A contact hole is formed in the interlayer insulating film, the contact hole is hole-opened followed thereto, by removing the silicon nitride film by anisotropic etching having a high selection ratio to the silicon oxide film, and the contact wire 43 is formed thereby.例文帳に追加

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、続いてシリコン酸化膜との選択比が高い異方性エッチングによってシリコン窒化膜を除去することでコンタクトホールを開孔し、コンタクト配線43を形成する。 - 特許庁

例文

An overexposure amount of the resist film 17 in the process (a) for the nitride film 16 to be leaved is50 nm and the selection ratio of the nitride film 16 to the resist film 17 in the process (b) is 0.8 to 1.2.例文帳に追加

残される窒化膜16に対する工程(a)におけるレジスト膜17のオーバー露光量は50nm以上であり、工程(b)における窒化膜16のレジスト膜17に対する選択比は0.8〜1.2である。 - 特許庁

A content selector 7 selects contents of each area from the content database 5 according to a ratio of a weight of each area to the total weight of each the area within a content selection limit (maximum choices).例文帳に追加

コンテンツ選択部7は、コンテンツ選択枠(選択可能最大数)の範囲で、コンテンツデータベース5から、各地域の重みが各地域の重みの合計に対して占める割合に従って、各地域のコンテンツを選択する。 - 特許庁

To provide an etching material for carbonic material, which can keep extremely excellent flatness and mask selection ratio without needing special heating, and can get form loyal to the mask form and high etching speed.例文帳に追加

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light.例文帳に追加

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもArFエキシマレーザーのような短波長でのk値及び屈折率nが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The present invention relates to a mobile communication system for transmitting the same information to a plurality of cells via one or more base stations and subjecting the same information received by a mobile station, to maximum ratio combining or selection combining.例文帳に追加

本発明は、1つ又は複数の基地局が複数のセルに対して同一情報を送信し、移動局が受信した前記同一情報を最大比合成又は選択合成する移動通信システムに関する。 - 特許庁

In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required.例文帳に追加

フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜14とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。 - 特許庁

The selection means 32 selects either the first performance value or the second performance value as the performance value on the basis of the time ratio α_1, the first execution time tcpu, and the second execution time tdisk.例文帳に追加

選択手段は上限実行可能時間割合と第1の部分処理実行時間と第2の部分処理実行時間とに基づいて第1の性能値及び第2の性能値の一方を性能値として選択する。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of increasing an etching rate for a transparent conductive film on a substrate to 1500 to 2000 Å/min. without impairing a selection ratio and also suppressing dusting.例文帳に追加

基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを1500〜2000Å/minまで選択比を損なうことなく向上させ、さらにダストの発生も抑制したドライエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

When the distribution of transmittance of a mask corresponding to a predetermined pattern figure to be manufactured is determined, the distribution of transmittance of the mask is determined by taking into consideration the relation between the etching selection ratio for etching (the ratio of the etching rate of a substrate to the etching rate of a resist) and the predetermined pattern figure.例文帳に追加

製造すべき前記所定のパターン形状に対応したマスクの透過率分布を決定する際に、前記エッチングにおけるエッチング選択比(基板のエッチンクレートとレジストのエッチングレートの比)と前記所定のパターン形状との関係を考慮して、前記マスクの透過率分布を決定するようにしている。 - 特許庁

An image search part 6 searches images in a word/image DB 7 and determines a relevance ratio of a candidate image corresponding to each keyword and the attribute, calculates an image selection score for each candidate image from the word weight and the relevance ratio, and selects an image to be added to the input document from the candidate images based on the score.例文帳に追加

画像検索部6は単語・画像DB7内の各画像を検索して各キーワードと属性に対応する候補画像の関連度を求め、各候補画像に対して単語重みと関連度とから画像選択スコアを算出し、該スコアに基づいて候補画像の中から入力文書に対して付与すべき画像を選定する。 - 特許庁

The optimal gear ratio calculation processing means 93 comprises a recovery condition selection processing means 94 for selecting a condition for return to change the driving environment mode to the normal driving mode, and a return control processing means 95 for calculating the optimal gear ratio when the condition for return is fulfilled.例文帳に追加

前記最適変速比算出処理手段93は、走行環境モードを通常走行モードに移行させるための復帰条件を選択する復帰条件選択処理手段94、及び復帰条件が成立したときに前記最適変速比を算出する復帰制御処理手段95を備える。 - 特許庁

Even when a manual shift function is selected based on the operation of a driver, adjustment of a gear ratio of a toroidal type continuously variable transmission and consequently a speed ratio as the whole continuously variable transmission is carried out based on an automatic speed-change function regardless of the selection when the speed of a vehicle is not more than a predetermined speed V_1.例文帳に追加

運転者の操作に基づき手動変速機能が選択されていても、車両の速度が所定の速度V_1 以下の場合に、この選択に拘らず、自動変速機能に基づいてトロイダル型無段変速機の変速比、延いては、無段変速装置全体としての速度比の調節を行う。 - 特許庁

A bit selection logic or selector 67 selects, on the basis of the ratio of the photo-diode integration time to the stray diffusion integration time, whether or not a random number is to be added to a product of the integration time ratio and stray diffusion overflow pixel data, and a total value of photo-diode pixel values, and when adding the random number, the random number is outputted.例文帳に追加

ビット選択論理またはセレクタ67は、フォトダイオード集積時間対浮遊拡散集積時間の比率に基づいて、ランダム数を、集積時間比率と浮遊拡散溢出し画素データの積とフォトダイオード画素値の合計値に加算するかを選択し、加算する場合にはランダム数を出力する。 - 特許庁

Comparison selection parts 107-1 to 107-N receive the signal to interference wave power ratio from the SIR operation parts 106-1 to 106-N, and select whether the signal to interference wave power ratio from the SIR operation parts 106-1 to 106-N is to be outputted or not as the measured value according to the characteristic of the propagation path.例文帳に追加

比較選択部107−1〜107−Nは、SIR演算部106−1〜106−Nからの信号対干渉波電力比を受けて前記伝搬路の特性に応じてSIR演算部106−1〜106−Nからの前記信号対干渉波電力比を測定値として出力するか否かを選択する。 - 特許庁

This selection support device of the power consumer has: a base condition reception part 10 receiving base conditions including a base supply voltage and a base basic charge unit price; an annual charge/charge ratio calculation part 20; and a display device 9.例文帳に追加

電力需要家の選択支援装置は、ベース供給電圧及びベース基本料金単価を含むベース条件を受け付けるベース条件受付部10と、年間料金/料金比算出部20と、表示装置9とを備えている。 - 特許庁

A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K.例文帳に追加

第2の半導体領域24をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第2のマスク層25aの厚さFを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Kとを用いてエッチングの停止を判断する。 - 特許庁

To provide a forming method of slurry for CMP which is superior in grinding selection ratio with respect to polycrystalline silicon compared with an oxide film, and the forming method of a semiconductor element for forming the self aligned floating gate of a flash memory element utilizing the slurry.例文帳に追加

酸化膜に比べて多結晶シリコンに対する研磨選択比に優れたCMP用スラリー及び、前記スラリーを利用してフラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲートを形成する半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

Etching selection ratio of the amorphous silicon film 24 is practically equal to that of the silicon substrate 20, and etching is performed by RIE, so that the side surface of the trench 25 can be finished gentle by reflecting the sectional form of the amorphous silicon film 24.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜24とシリコン基板20はエッチング選択比が実質的に等しく、RIEによりエッチングが行われるため、アモルファスシリコン膜24の断面形状を反映してトレンチ25の側面を緩やかに出来る。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To control an etching rate, an in-plane uniformity and a selection ratio by adjusting the flow ratios of two kinds of etching gases, and to form a micro-lens having a desired shape when the micro-lens is formed by etching a lens-material layer and a mask layer.例文帳に追加

レンズ材料層とマスク層とをエッチングしてマイクロレンズを形成するにあたり、2種類のエッチングガスの流量比を調整して、エッチングレートや面内均一性、選択比を制御し、所望の形状のマイクロレンズを形成すること。 - 特許庁

To improve the etching selection ratio by forming an antireflection film using only a hydrocarbon gas, to form an antireflection film which can be easily removed and can be formed into a thin film at a low cost, and to provide a method for its application.例文帳に追加

炭化水素系ガスのみを使用して反射防止膜を形成することによって食刻選択比を改善し、除去しやすく、安価に薄膜を形成しうる反射防止膜の形成及び適用方法を提供する。 - 特許庁

The master disk is irradiated, after development, with at least one of irradiation treatment media 104, such as light, plasma, and ion having 1 or under in the etching selection ratio of the master disk substrate and below 40 nm/min in an etching treatment rate.例文帳に追加

原盤現像後、フォトレジスト層に対する原盤基板のエッチング選択比が1未満であって、かつ、エッチング処理速度が40nm/分以下である光、プラズマ、イオンなど照射処理媒質104を少なくとも一つ照射する。 - 特許庁

To provide a polished composition for a copper-based metal, which increases the polishing rate of copper (Cu) or a copper alloy (Cu alloy) and also enables increase in the selection ratio of polishing of the polishing composition to a copper diffusion preventing material such as tantalum.例文帳に追加

銅(Cu)または銅合金(Cu合金)の研磨速度を高めるとともに、タンタルのような銅拡散防止材料との研磨選択比を高めることが可能な銅系金属用研磨組成物を提供しようとものである。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

Following deposition of a first interlayer insulation film on a semiconductor substrate on which a first conductive pattern has been formed, an etching block layer pattern having an etching selection ratio to the first interlayer insulation film is formed partially only in a specified region.例文帳に追加

第1導電パターンが形成された半導体基板に第1層間絶縁膜を蒸着した後、第1層間絶縁膜とエッチング選択比を持つエッチング阻止層パターンを特定の領域に限って部分的に形成する。 - 特許庁

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high.例文帳に追加

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。 - 特許庁

The fluid exhibits a high selection ratio for a barrier for metal and a barrier for an insulating layer.例文帳に追加

酸化剤を含有せず、有機酸、砥粒及び場合によっては銅コロージョンインヒビターを含有する、銅CMPにおける第二工程バリヤ除去研磨のための研磨流体は、金属に対するバリヤ及び絶縁層に対するバリヤの高い選択比を示す。 - 特許庁

To provide a method for etching a carbon-based material, which does not require heating in particular, and keeps very excellent flatness and mask selection ratio, and can obtain a shape faithful to the shape of a mask and a high etching rate.例文帳に追加

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching device capable of etching a rare earth element oxide formed on a silicon board at a high selection ratio, and a manufacturing method for a semiconductor in which a rare earth element oxide film is formed on a silicon board.例文帳に追加

シリコン基板上に形成された希土類元素の酸化物を高い選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング装置、及びシリコン基板上に希土類元素の酸化膜が形成された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The reactive ion etching is carried out by replacing with the reactive gas having a low etching selection ratio between the monocrystalline silicon and the silicon oxide, thereby performing the anisotropic etching for the thermal oxide film 33 and the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

上記反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が低い反応性ガスに切り替えて行うことにより熱酸化膜33及び単結晶シリコン層21Cを異方性エッチングする。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

(e)トレンチエッチングマスク32を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層21Cを異方性エッチングする。 - 特許庁

A tip working part 7 moves in a straight line by selection of a speed reduction ratio by driving three revolving systems consisting of the first speed reduction mechanism 20, the second speed reduction mechanism 21 and the third speed reduction mechanism 22 in one driving source by a driving part 8.例文帳に追加

駆動部8による一つの駆動源で、第一減速機構20、第二減速機構21及び第三減速機構22からなる三つの回動系を駆動して、減速比の選択により先端作動部7が直線移動する。 - 特許庁

When a high melting point metal film formed on a substrate via an SiO_2 film is subjected to dry etching, the transition of the plasma emission intensity in an overetching process is monitored to confirm that the etching selection ratio between the high melting point metal film and the SiO_2 film can be secured.例文帳に追加

基板上にSiO_2を介して形成された高融点金属薄膜をドライエッチングする際、オーバーエッチングにおけるプラズマ発光強度の推移をモニターすることにより、SiO_2とのエッチング選択比の確保が確認可能となる。 - 特許庁

An operation state selection means (game control unit 100) is constituted such that a selection ratio of an operation state in a second start winning hole differs when a next variation display game results in a special result, based on a probability state and an operation state of the second start winning hole (usual variable winning device 37) after completion of a special game state.例文帳に追加

動作状態選択手段(遊技制御装置100)が、特別遊技状態の終了後、確率状態及び第2始動入賞口(普通変動入賞装置37)の動作状態に基づいて、次に変動表示ゲームの結果が特別結果となる場合における第2始動入賞口の動作状態の選択割合が異なるように構成する。 - 特許庁

When a primary rotation number Np is a kick-down allowable rotation number Nth or less, and an accelerator pedal depressing amount θacc is the kick-down allowable depressing amount θaccth or more, a T/M_ECU20 determines acceleration intention from an accelerator operation of the driver and kicks down the gear ratio to the lower gear ratio side even upon selection of the manual shift mode.例文帳に追加

T/M_ECU20は、プライマリ回転数Npがキックダウン許可回転数Nth以下であり、且つ、アクセルペダル踏込量θaccがキックダウン許可踏込量θaccth以上である場合には、マニュアル変速モードの選択時においても、ドライバのアクセル操作から加速意思を判断して変速段を低速段側にキックダウンさせる。 - 特許庁

To provide a vehicle selection system for selecting and providing an optimal vehicle which is the closest to the request of a user by obtaining a candidate vehicle from data which predicts a congestion ratio of the same time statistically by referring to a past congestion ratio data stored in a data base based on the request from the user, and determining the candidate vehicle and the request of the user comprehensively.例文帳に追加

利用者からの要望に基づいて、データベース化された過去の乗車率データを参照して同一時期の乗車率を統計的に予測したデータから候補車両を取得し、該候補車両と利用者の要望を総合的に判断して、利用者の要望に最も近い最適車両を選択して提供する車両選択システムを提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 3 whose etching selection ratio to wet etching by hot phosphoric acid is higher than that of the element isolation structure 2 is formed as a metallic impurity capturing film, on a silicon substrate 1 where the element isolation structure 2 made of a silicon oxide film has been formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜よりなる素子分離構造2が形成されたシリコン基板1上に、熱燐酸によりウェットエッチングに対するエッチング選択比が素子分離構造2に比較して高いシリコン窒化膜3を金属不純物捕獲膜として形成する。 - 特許庁

A reception antenna selection control section 111 changes a connection assignment ratio to a plurality of the inverse spread sections 9a-9n of each antenna branch depending on the quantity of each AGC value to an antenna branch #1 of an antenna 1a and an antenna branch #2 of an antenna 1b.例文帳に追加

受信アンテナ選択制御部111はアンテナ1a側のアンテナブランチ#1及びアンテナ1b側のアンテナブランチ#2に対する各AGC値の大小に応じて、各アンテナブランチの複数の逆拡散部9a〜9nへの接続割り当て比率を変化する。 - 特許庁

To provide a motor controller stably operating even for a ratio of moment of inertia as large as dozens of times or more without inputting a control parameter selection signal, moment of inertia of a load and a target response frequency, and to provide a control method thereof.例文帳に追加

制御パラメータ選択信号、負荷慣性モーメント、目標応答周波数などを入力することなく、数十倍以上の大きな慣性モーメント比に対しても安定に動作するモータ制御装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁




  
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