「selection ratio」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, a tandem (MS/MS) mass spectrometric analytical method includes selection for a collision induction dissociation (CID) voltage amplitude and a q parameter value as to a quadrupole ion trap, so as to optimize a daughter ion fragmentation process with respect to a prescribed parent ion mass-to-charge (m/z) ratio.例文帳に追加

ある実施形態において、タンデム（ＭＳ／ＭＳ）質量分析方法は、所与の親イオン質量対電荷（ｍ／ｚ）比に対して娘イオン断片化プロセスを最適化するように、四重極イオントラップに関する衝突誘発解離（ＣＩＤ）電圧振幅およびｑパラメータ値を選択することを含む。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a magnetic recording head having a reverse tapered shape, with which the retreat of a mask layer scarcely occurs in processing, and little engraving of an insulating underlayer occurs, by making a selection ratio of a wider range with respect to the mask layer and the insulating underlayer than that in the conventional technique available.例文帳に追加

従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。 - 特許庁

Then, when the shift is performed to the time shortening state or the latent probability variable state, on condition that an operation button 120 is operated, a reporting performance (display of reporting contents when the operation is present or the like) whose selection ratio is different depending on whether or not the game state is the probability variable state is executed.例文帳に追加

そして、時短状態または潜伏確変状態に移行されているときに、操作ボタン１２０が操作されたことを条件に、遊技状態が確変状態であるか否かにより選択割合が異なる報知演出（操作有のときの報知内容の表示など）を実行する。 - 特許庁

In a Pachinko game machine for executing a performance of making a player recognize the form of a drawn winning when the winning is drawn in winning drawing for determining the winning or losing, the selection ratio of symbols forming the ready-to-win state is set for the development of the performance.例文帳に追加

当りか否かの当り抽選で当りに当選した場合に、その当選した当りの態様を遊技者に認識させる演出を実行させるパチンコ遊技機において、前記演出の展開に対してリーチ状態を形成する図柄の選択割合を設定する。 - 特許庁

To provide an optical switch and a wavelength selection switch in which a high extinction ratio is obtained even if the coupling rate of a directional coupler or a multimode interference optical coupler which constitutes an optical branch and an optical multiplex branch is shifted from 50% due to a manufacturing error or the like.例文帳に追加

光分岐部および光合分岐部を構成する方向性結合器もしくは多モード干渉光カプラの結合率が製造誤差等によって５０％からずれた場合でも、消光比の高いが得られる光スイッチ及び波長選択スイッチを提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining high chlorination ratio, readily carrying out treatment of unreacted chlorine gas in discharged hydrochloric acid gas, effectively utilizing hydrochloric acid gas as by-product and making selection ration of p-DCB high when producing p-DCB by chlorinating benzene or monochlorobenzene.例文帳に追加

ベンゼン、モノクロロベンゼンを塩素化してｐ−ＤＣＢを製造するにあたり、塩素転化率が高く、排塩酸ガス中の未反応塩素ガスの処理が容易でありかつ副生塩酸ガスを有効に活用でき、さらにｐ−ＤＣＢの選択率を高くできる方法を提供する。 - 特許庁

A nitride compound semiconductor layer 8 is formed on an Al containing nitride compound semiconductor layer 7, and the nitride compound layer 8 is subjected to dry etching, under conditions where the etching selection ratio of the nitride compound layer 8 to the Al containing compound semiconductor layer 7 is 100 or higher.例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物化合物半導体層７上に窒化物化合物半導体層８を形成し、Ａｌ含有化合物半導体層７に対する窒化物化合物層８のエッチング選択比が１００以上となる条件で窒化物化合物層８をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for plasma treatment which can remove a spontaneous oxide film on the surface of a metal or a metal compound film, or particularly a CoSi_2 film at a sufficient selection ratio and which can efficiently remove the spontaneous oxide film while damages which are to be imparted to the metal or the metal compound film are reduced.例文帳に追加

金属または金属化合物膜、特にＣｏＳｉ_２膜表面の自然酸化膜を十分な選択比で除去することができ、金属または金属化合物膜に与えるダメージを低減しつつ効率よく自然酸化膜を除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

The composition for etching silicon nitride which contains phosphoric acid, a soluble silicon compound, nitric acid and/or nitrate, and water and contains no hydrofluoric acid has a high etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide and is free of a problem of redeposition of silicon oxide when a batch process is repeated.例文帳に追加

リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び／又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。 - 特許庁

The formation of the synchronized unevenness periodic structure is easily realized by forming a ridge shape after the unevenness periodic structure as the diffraction grating is uniformly formed in a surface, and the optical waveguide which has the high wavelength selection ratio can be provided by the easy method.例文帳に追加

また回折格子となる凹凸周期構造を一様に面内に形成した後にリッジ形状を作製することで、前記同期した凹凸周期構造の形成を容易に実現し、簡便な手法で高い波長選択比を有する光導波路を提供することが可能となる。 - 特許庁

Regarding the etching composition of silicon nitride containing phosphoric acid and hexafluorosilicate or the etching composition containing phosphoric acid, ammonia, hexafluorosilicic acid or its salt, when it is used at the high temperature; the etching selection ratio of silicon nitride to silicon oxide is maintained stably for a long time.例文帳に追加

リン酸及びヘキサフルオロケイ酸塩を含んでなる窒化ケイ素のエッチング用組成物、或いはリン酸、アンモニア、ヘキサフルオロ珪酸及び／又はその塩を含んでなるエッチング用組成物では、高温で用いた場合、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が長期間安定に維持される。 - 特許庁

The selection ratio of respective forms determining which of the decorative lamp and the accessory the advance pseudo notice is to be executed by is different between the case of performing the variable display again after the decorative patterns are temporarily stopped and the case of not performing the variable display again after the decorative patterns are temporarily stopped.例文帳に追加

先疑似予告を装飾ランプ、役物の何れで実行するかを定める各態様の選択割合は、飾り図柄が仮停止した後に再度変動表示が行われる場合と、飾り図柄が仮停止した後に再度変動表示が行われない場合とで異なる。 - 特許庁

The etching speed of a surface-reforming layer 12 is improved, an etching selection ratio for the hard mask layer 7 of the lower electrode layer 5 is improved, and the surface- reforming layer 12 and the lower electrode layer 5 are etched using an O2/Cl2 gas, thus obtaining the lower electrode layer 5 into a prism shape.例文帳に追加

表面改質層１２のエッチング速度が向上し、下部電極層５のハードマスク層７に対するエッチング選択比を向上でき、表面改質層１２および下部電極層５をＯ_2 ／Ｃｌ_2 ガス系を用いてエッチングし、角柱形状の下部電極層５を得る。 - 特許庁

Then, when determining one of several variation patterns for the pseudo succession as the variation pattern, the variation pattern is determined so that the selection ratio of a ready-to-win type to be executed after temporary stop is different corresponding to the number of times of executing the re-variation in the variation pattern for the pseudo succession.例文帳に追加

そして、変動パターンとして複数種類の擬似連用の変動パターンのいずれかに決定するときに、擬似連用の変動パターンにおける再変動の実行回数に応じて、仮停止を経た後に実行されるリーチ種類の選択割合が異なるように変動パターンを決定する。 - 特許庁

When the STB LOCK signal after the signal in the "Low" state and the pulse signal generated by the frequency divider circuit 31 are given to a double latch signal generating circuit 32, the double latch signal generating circuit 32 generates a double latch signal twice for a DI ON time by a DI ON/OFF time ratio selection signal.例文帳に追加

この “Low”状態の信号の後のSTB LOCK信号と分周回路３１で生成されたパルス信号は、ダブルラッチ信号発生回路３２に入力されると、ダブルラッチ信号発生回路３２は、DIオン／オフ時間比選択信号によるDIオン時間の間にダブルラッチ信号を２回発生する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

When a non-development variation form is selected, the non-development performance selection part 1306 selects, by a prescribed ratio, one of a first non-development variation performance executing the suggestion performance at the defined timing, and a second non-development variation performance not executing the suggestion performance.例文帳に追加

非発展演出選択部１３０６は、非発展変動態様が選択された場合、規定のタイミングにて示唆演出を実行する第１非発展変動演出と、示唆演出を実行しない第２非発展変動演出とのうち、いずれか一方を所定の割合にて選択する。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

A distributor 5, variable phase shifters 4a, 4b and a hybrid 3 distribute a signal from a transmitter-receiver 6 into two signals V1, V2 whose power ratio is variable, and an electronic switch 2 is used to provide the signals to beam selection terminals 7 corresponding to two optional adjacent beams respectively.例文帳に追加

送受信機６の信号を、分配器５、可変移相器４ａ，４ｂ及びハイブリッド３により、電力比が可変である２つの信号Ｖ１，Ｖ２に分配し、これらの信号を、電子スイッチ２を用いて隣接する任意の２ビームに対応するビーム選択端子７にそれぞれ入力する。 - 特許庁

During fluctuation using a high expectation-degree performance pattern in which a game is lost, an announcement performance selection part 311 increases a ratio to perform announcement performance low in expectation degree when a prescribed condition is set, in comparison with the case that the prescribed condition is not set, and selects the announcement performance.例文帳に追加

予告演出選択部３１１は、ハズレとなる高期待度演出パターンを用いた変動時に、所定の条件が設定されている場合には、所定の条件が設定されていない場合に比べて、期待度の低い予告演出をおこなう割合を高くして、予告演出を選択する。 - 特許庁

When determining one of the plurality of kinds of variation patterns for the pseudo continuation as the variation pattern, the variation pattern is determined such that a selection ratio of a ready-to-win kind executed after the temporary stop varies according to the execution frequency of the re-variation in the variation pattern for the pseudo continuation.例文帳に追加

そして、変動パターンとして複数種類の擬似連用の変動パターンのいずれかに決定するときに、擬似連用の変動パターンにおける再変動の実行回数に応じて、仮停止を経た後に実行されるリーチ種類の選択割合が異なるように変動パターンを決定する。 - 特許庁

During fluctuation using a high expectation-degree performance pattern to win a game, an announcement performance selection part 311 increases a ratio to perform announcement performance of a high expectation degree when a prescribed condition is set, in comparison with a case that the prescribed condition is not set, and selects the announcement performance.例文帳に追加

予告演出選択部３１１は、当たりとなる高期待度演出パターンを用いた変動時に、所定の条件が設定されている場合には、所定の条件が設定されていない場合に比べて、期待度の高い予告演出をおこなう割合を高くして、予告演出を選択する。 - 特許庁

The circuit 33 has a selector 41 for inputting a jitter detection signal and a logical gate 42 for inputting the output signal of the selector 41 and a synchronization detection signal from the circuit 31 to generate a frequency division ratio selection signal for controlling the selectors 13 and 14.例文帳に追加

また、分周率選択回路３３は、ジッタ検出信号を入力とするセレクタ４１およびこのセレクタ４１の出力信号と位相比較回路３１からの同期検出信号を入力とする論理ゲート４２を有し、セレクタ１３、１４を制御する分周率選択信号を生成する。 - 特許庁

To improve receiving quality by satisfactorily performing RAKE synthesis of a DPCH (dedicated physical control channel) with actually large received power even when a transmission power ratio of the DPCH to a CPICH (common pilot channel) transmitted from each base station is different in each base station in controlling site selection diversity transmission.例文帳に追加

サイトセレクションダイバーシチ送信制御時に、各基地局から送信されるＤＰＣＨとＣＰＩＣＨの送信電力比が基地局毎に異なる場合でも、実際に受信電力の大きいＤＰＣＨを良好にＲＡＫＥ合成して受信品質を向上させること。 - 特許庁

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.例文帳に追加

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁

This construction is achieved by a condition, where etching selection ratio of the second insulating film 14 and the first insulating film 13 is set to be somewhat low, and a part from which the hole edge of an aperture part 15 on the second insulating film 14 is exposed is etched slightly at the etching of the wiring trench 17.例文帳に追加

この構成は、第２の絶縁膜１４と第１の絶縁膜１３のエッチング選択比をやや低めに設定し、配線溝１７のエッチング時、第２の絶縁膜１４における開孔部１５の穴縁が露出する部分は若干エッチングされる条件とすることにより達成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, when shifted to the time shortening state or the latent probability variable state, on condition that an operation button 120 is operated, a reporting performance (display of reporting contents when there is an operation or the like) in which a selection ratio is different depending on whether or not the game state is the probability variable state is executed.例文帳に追加

そして、時短状態または潜伏確変状態に移行されているときに、操作ボタン１２０が操作されたことを条件に、遊技状態が確変状態であるか否かにより選択割合が異なる報知演出（操作有のときの報知内容の表示など）を実行する。 - 特許庁

When a driving mode is switched, a function calculation is carried out by means of the conversion measure 66 instead of a control calculation by means of the PI control calculating measure 61 by the action of the calculating value selection measure 62, and a duty ratio signal Dt is switched so that the same applied voltage is obtained as that before switching.例文帳に追加

駆動モードが切り替わると、演算値選択手段６２の作用で、ＰＩ制御演算手段６１による制御演算の代わりに変換手段６６による関数演算が行われ、切替え前と同等の印加電圧が得られるようにデューティ比信号Ｄｔが切替えられる。 - 特許庁

An intensive information reception part 105 receives a user selected intensive ratio selected by the user based on the number of recording paper displayed in the operation part 47, and a recording part 40 prints the intensive images which is made from the originals read by a reading means arranging with the user selection intensive ratio received by the intensive information reception part 105 on the recording paper.例文帳に追加

そして、集約情報受付部１０５は、操作部４７に表示された集約率毎の記録紙の枚数に基づいてユーザが選択したユーザ選択集約率を受け付け、記録部４０は、読み取り手段によって読み取って得られた原稿画像が集約された集約画像を、集約情報受付部１０５によって受け付けられたユーザ選択集約率で集約させて記録紙に印刷する。 - 特許庁

This combined weighing device wherein articles are weighted individually, and input into a plurality of containers after determining each weight rank, and a combination forming a prescribed weight is selected in the same weight rank, is characterized by calculating a distribution ratio of each weight rank based on weighed articles, and determining the number of containers joining combined selection corresponding to the distribution ratio of each weight rank.例文帳に追加

物品を個別計量して、その重量ランクを判定し、複数の容器毎に投入して、同一重量ランク内で所定重量となる組合せを選択する組合せ計量装置において、前記計量された物品に基づいて、各重量ランクの分布比率を算出し、前記組合せ選択に参加させる容器の個数を各重量ランクの分布比率に応じて決定することを特徴とする。 - 特許庁

When the user operates any operator (for instance, a channel selection button 8 or the like), the ratio of brightness of the plurality of LEDs is changed so that the brightness of an LED corresponding to the color designated to an adjustment object in the multicolor LED unit 10 corresponding to the operator is relatively increased, and the tint of the color is increased.例文帳に追加

ユーザが、いずれかの操作子（例えばチャンネル選択ボタン８など）を操作すると、その操作子に対応する多色ＬＥＤユニット１０中の調整対象に指定された色に対応するＬＥＤの輝度が相対的に高くなるよう、前記複数のＬＥＤの輝度の比率が変更され、その色の色合が強める。 - 特許庁

When executing a notice performance after a ready-to-win state is attained during the variation of pseudo succession, when selecting a notice performance form when executing the notice performance from two or more kinds of notice performance forms, the selection ratio of the notice performance form is made different corresponding to the number of times of the pseudo succession.例文帳に追加

擬似連の変動中においてリーチ状態になった後に予告演出を行なうときにおいて、予告演出を実行するときの予告演出態様を複数種類の予告演出態様の中から選択する場合に、擬似連の回数に応じて、予告演出態様の選択割合を異ならせる。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

When a clutch cut-off selection switch 9 is selected so as to execute the clutch cut-off, the clutch cut-off is executed if the brake hydraulic pressure Plb detected by a pressure sensor 33 is equal to or higher than the first brake hydraulic pressure cut-off threshold Ps1, and the torque converter speed ratio e is equal to or less than the first threshold es1.例文帳に追加

クラッチカットオフを行うようにクラッチカットオフ選択スイッチ９が選択されている場合に、圧力センサ３３で検出したブレーキ液圧Ｐｌｂが第１のブレーキ液圧カットオフ閾値Ｐｓ１以上となり、かつ、トルコン速度比ｅが第１の閾値ｅｓ１以下となると、クラッチカットオフを行うように構成した。 - 特許庁

When executing a notice performance before a ready-to-win state is achieved during the variation of pseudo successive winning, in the case of selecting a notice performance mode when executing the notice performance from two or more kinds of notice performance modes, the selection ratio of the notice performance mode is made different according to the total number of times of the pseudo successive winning.例文帳に追加

擬似連の変動中においてリーチ状態になる前に予告演出を行なうときにおいて、予告演出を実行するときの予告演出態様を複数種類の予告演出態様の中から選択する場合に、擬似連の合計回数に応じて、予告演出態様の選択割合を異ならせる。 - 特許庁

A selection ratio of a special game after game balls PB flown by opening of a wing member 202 win a V prize on the basis of small winning (a result of special symbol drawing) by entering a special symbol A start prize winning port 108A is set V prize winning game (opening of the wing member 202):a jackpot winning game = 67:33.例文帳に追加

特図Ａ始動入賞口１０８Ａへの入賞による小当たり（特図抽選の結果）に基づく、羽根部材２０２開放により流入した遊技球ＰＢがＶ入賞した後の特別遊技の選択割合が、Ｖ入賞遊技（羽根部材２０２の開放）：大入賞遊技＝６７：３３に設定されている。 - 特許庁

Meanwhile, a selection ratio of the special game after the game balls PB flown by the opening of the wing member 202 win the V prize based on small winning (a result of special symbol drawing) by entering a special symbol B start prize winning port 108B is set V prize winning game (opening of the wing member 202):jackpot hit game = 10:90.例文帳に追加

一方、特図Ｂ始動入賞口１０８Ｂへの入賞による小当たり（特図抽選の結果）に基づく、羽根部材２０２開放により流入した遊技球ＰＢがＶ入賞した後の特別遊技の選択割合が、Ｖ入賞遊技（羽根部材２０２の開放）：大入賞遊技＝１０：９０に設定されている。 - 特許庁

The prescribed selection criteria allow the in-vehicle information terminal 14a or the like to select a random access slot weighted highestly by weighting positions of the random access slots to be selected in response to a ratio of a distance Ra from the road side unit 16 to the in-vehicle information terminal 14a to a coverage of the road side unit 16.例文帳に追加

所定の選択基準としては、路側機１６から車載情報端末装置１４ａまでの距離Ｒａと路側機１６のカバー範囲との比に応じて、選択するランダムアクセス用スロットの位置に重み付けさせ、最も高く重み付けされたランダムアクセス用スロットを選択させる基準とする。 - 特許庁

Selection ratio of the titanium nitride film to the polysilicon film can be increased by performing etching at a p-type layer structure portion until the titanium nitride film is exposed, supplying plasma of nitrogen gas to a substrate, and then nitriding the polysilicon film in the layer structure portion for forming an n-type transistor.例文帳に追加

ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with fuse wiring for element separation for separating a defective element, an etching stop film (insulating film) 180 capable of securing a selection ratio in respect to a metal wiring insulating film 120 is provided on the upper surface of the metal wiring insulating film 120 provided on the upper layer of metal wiring 110 for fuse.例文帳に追加

不良素子を分離するための素子分離用ヒューズ配線を設けた半導体装置で、ヒューズ用金属配線１１０の上層に設けられる金属配線間絶縁膜１２０の上面に、金属配線間絶縁膜１２０に対して選択比を確保できるエッチング停止膜（絶縁膜）１８０を設ける。 - 特許庁

A Co silicide layer 17 is formed as a cap layer in a specified region of a silicon substrate 1 provided with a polymetal gate electrode 9 including tungsten by using a TiN film 16, and the TiN film 16 is wet-etched using an H_2SO_4 solution, for example, so that a TiN/W selection ratio becomes 5 or larger.例文帳に追加

タングステンを含むポリメタルゲート電極９が設けられたシリコン基板１の所定の領域に、キャップ膜としてＴｉＮ膜１６を用いてＣｏシリサイド層１７を形成した後、ＴｉＮ／Ｗ選択比が５以上となるように、ＴｉＮ膜１６に対して例えばＨ_2ＳＯ_4溶液を用いてウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming an insulating film 4 so as to embed scratches 3a, 3b occurring on the surface of the film 2 at this polishing time, and then etching back under the condition where an etching selection ratio of the film 4 to the film 2 becomes '1' by reactive ion etching until the film 2 is exposed.例文帳に追加

この研磨時に層間絶縁膜２の表面に生じるスクラッチ３ａ、３ｂを埋め込むように絶縁膜４を形成した後、層間絶縁膜２に対する絶縁膜４のエッチング選択比が１になる条件で反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜２が露出するまでエッチバックを行う。 - 特許庁

To enable checking for example, a ratio of shifting according to a gear shift instruction, in a drive advice system used for a vehicle having a transmission 2 capable of carrying out manual shift operation, and instructing gear position selection of the transmission 2 suitable for improving fuel economy according to a traveling state of the vehicle.例文帳に追加

手動変速操作の可能な変速機２を有する車両に用いられ、かつ車両の走行状況に応じて燃費向上を図る上で適した変速機２のギアポジション選択を指示する運転アドバイスシステムにおいて、例えば変速指示に従ってシフトチェンジした割合を確認できるようにする。 - 特許庁

The number of game media which are lost due to failures in capturing is totaled, and a selection table to decide the occurrence of an advantageous situation is switched according to the totaled value, so that it becomes possible to control a ratio of the occurrence of the advantageous situation based on the losses incurred because of inability to perform appropriate stop operations.例文帳に追加

取りこぼしによって損した枚数を積算し、その積算した値によって、有利な状況の発生を決定するための選択テーブルを切り替えるようにしたので、適切な停止操作が行えないことで発生する損失分に基づいて有利な状況が発生する割合を制御することができるようになる。 - 特許庁