例文 (999件) |
contact regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3198件
The semiconductor element 30 is fixed on the support board 1 so as to bring its other surface where the bump electrodes 31 are not mounted into close contact with the element mounting region 20 of the support board 1.例文帳に追加
半導体素子は、バンプ電極の配置されていない背面が支持基板の素子搭載領域に密着するように、支持基板に固定されている。 - 特許庁
Especially, the conductor 20 is in contact with or in closest proximity to the first sealing section 7 substantially at a single point in a predetermined region of an outer surface of the first sealing section 7.例文帳に追加
特に、導体20は第1の封止部7の外面の所定の領域において実質的に一点のみで接触または近接している。 - 特許庁
At least one of both connection parts 141, 142, is solved by being made of ceramic material within at least a region at a contact part P.例文帳に追加
両連結部(141,142)の少なくとも一つが、少なくとも接触部(P)の領域内ではセラミック材料でできていることにより解決される。 - 特許庁
To provide a plug connector insulating a connection region of a contact easily as much as possible with a simple work and good sealing performance.例文帳に追加
簡単な作業及び良好な封止性能でコンタクトの接続領域を可能な限り容易に絶縁することができるプラグコネクタ及びその方法の提供。 - 特許庁
In regions 6-8 surrounded by the STI region 5, an NMOS transistor 9, a body contact 10 and an NMOS transistor 11 are respectively formed.例文帳に追加
STI領域5に囲まれた領域6乃至8には、夫々NMOSトランジスタ9、ボディコンタクト10及びNMOSトランジスタ11を形成する。 - 特許庁
To provide a phase change memory device for reducing the contact region of a phase change memory layer and an electrode and increasing integration effect, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The second insulation film has an opening for a second contact for exposing the first plug, and an opening for a stopper for exposing the first insulation film in the fuse region formed thereon.例文帳に追加
第2絶縁膜に、第1プラグを露出する第2コンタクト用開口部と、ヒューズ領域の第1絶縁膜を露出するストッパ用開口部を形成する。 - 特許庁
The impurity of the same conductive type, as a well 201, is doped in a channel region between source/drain diffusing layers 205 so as not to contact the diffusing layers 205.例文帳に追加
ソース/ドレイン拡散層205の間のチャネル領域に、ウェル201と同導電型の不純物を拡散層205と接触しないようにドーピングする。 - 特許庁
After an interlayer insulating film is formed, a contact hole, which exposes the silicide layer on both the sides of the fin-type semiconductor region, is formed for burying a conductive plug.例文帳に追加
層間絶縁膜形成後、フィン型半導体領域の両側面のシリサイド層を露出するコンタクトホールを形成し、導電性プラグを埋め込む。 - 特許庁
To detect residue of film in a region in which a contact hole is formed in an interlayer insulation layer, and to accurately obtain thickness of residue of film of the interlayer insulation layer.例文帳に追加
層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。 - 特許庁
It is considered that the strength of the silica body is obtained by precipitating silica on the contact part with the adjacent silica particle to form neck region.例文帳に追加
前記シリカ体は、隣接するシリカ粒子の接触部位でシリカが沈殿し、ネック領域を形成することにより、この強度に達すると考えられている。 - 特許庁
The region 12a of the conductive member 17 is brought into contact with the electrode 14 via the first and second through-holes 18a and 18b.例文帳に追加
導電性部材17の領域12aと電極14に対する接触は、第1透孔18aと第2透孔18bを介して行われる。 - 特許庁
To prevent an FPC from hanging down to come into contact with a region facing the pressurizing chamber of an actuator unit when the FPC and the actuator unit are heated and welded together.例文帳に追加
FPCとアクチュエータユニットとの加熱接合時にFPCが下垂してアクチュエータユニットの圧力室対向領域に接触しないようにする。 - 特許庁
A wiring layer formed on an interlayer dielectric 4 is electrically connected to the body region via a body contact formed in the interlayer dielectric 4.例文帳に追加
層間絶縁膜4上に形成された配線層は、層間絶縁膜4中に設けられたボディーコンタクトを介してボディー領域と電気的に接続される。 - 特許庁
A lightly-doped base region (4) of the first conductivity type is formed in the first and second regions and is in contact with the first deposition film (2).例文帳に追加
そして、第1伝導型の低濃度ベース領域(4)は、前記第1の堆積膜(2)に接し、前記第1の領域および第2の領域に形成されている。 - 特許庁
The end face of the article to be packed is brought into contact with the plate-like part 20 in a region A1 surrounded by the straight line l1 and the slit SL11.例文帳に追加
被梱包物の端面は、直線l1及びスリットSL11により囲まれている領域A1において、板状部20に接触している。 - 特許庁
Thereafter, as shown by the reference numeral 5D, a third region R3 is brought into contact with the second resistance imparting part 33B, and the turn of the fitting member 20 is stopped.例文帳に追加
その後、符号5Dに示すように、第3領域R3が第2抵抗付与部33Bに接触するようになり、装着部材20は回転を停止する。 - 特許庁
The auxiliary-layer forming step is a step for forming the auxiliary layer 18 which is in contact with the first side surface region 16a and is made of a material different from that of the core 4.例文帳に追加
補助層形成工程は、第1側面領域16aに接して、コア4とは異なる材料からなる補助層18を形成する工程である。 - 特許庁
In the liquid treatment apparatus, a hydrophilic region is formed in at least a part of a place where a substrate holding part for holding a substrate is brought into contact with a treating liquid.例文帳に追加
液処理装置において、基板を保持する基板保持部の処理液に接触する箇所の少なくとも一部に親水性領域を形成する。 - 特許庁
To reduce a forbidden region formed in a wiring layer positioned at an intermediate point by contact conductors for connecting wiring layers separated by two layers or longer.例文帳に追加
2層以上離れた配線層間を接続するコンタクト導体によって、その中間に位置する配線層に形成される禁止領域を小さくする。 - 特許庁
By completing meshing in a region where the occupancy of the smooth contact face is relatively large, the wear resistance and fatigue strength can be improved.例文帳に追加
平滑接触面占有率が比較的大きい領域で噛み合いを完了させることで、耐摩耗性及び疲労強度を向上させることができる。 - 特許庁
Contact holes 25 and 26 and a dummy hole 27 are formed by dry-etching in a gate insulating film and an interlayer insulating film positioned in the non-display region 9 of an array substrate 3.例文帳に追加
アレイ基板3の非表示領域9に位置するゲート絶縁膜および層間絶縁膜に、コンタクトホール25,26と、ダミーホール27とをドライエッチングにより形成する。 - 特許庁
In a region including an interface between the second TCO film and p-type GaN-based semiconductor layer, a metal film is formed which comes into contact with the second TCO film.例文帳に追加
第2のTCO膜とp型GaN系半導体層との界面上を含む領域に、第2のTCO膜に接するメタル膜を形成する。 - 特許庁
A contact region 120 which is formed by removing a gate electrode 106 and a gate insulation film 105 is set on a second conductivity type shallow well 104.例文帳に追加
第2導電型の浅いウェル104上にゲート電極106及びゲート絶縁膜105を除去してなるコンタクト領域120が設定されている。 - 特許庁
At the time of transfer, the fixing fixture 64 is kept and retained in contact within the circle of the flat region, thereby firmly fixing the pressurization liquid chamber forming member.例文帳に追加
そして、搬送時、フラット領域の円形内に収めて固定治具64を接触させて押さえ、加圧液室形成部材をしっかりと固定する。 - 特許庁
In comparing fill objects, not line segments showing the actual region of the fill object but a bounding box brought into contact with the area is defined as the object of comparison.例文帳に追加
フィルオブジェクトを比較する際に、フィルオブジェクトの実際の領域を示す線分ではなく、その領域に接するバウンディングボックスを比較対象にする。 - 特許庁
To improve a physical contact surface region with the aid of minute bumps and to provide an LGA (Land Grid Array) interconnection the electrical interconnection of which has been improved.例文帳に追加
微小バンプによって物理的な接触表面領域を向上させ、電気的相互接続を改善したランド・グリッド・アレイ相互接続を提供する。 - 特許庁
Thereby, the temperature T_core of the deep region can be calculated, and the body temperature can be measured with high precision, regardless of the differences in the body type or contact with clothing or bedding.例文帳に追加
これにより、生体の体型の違いや衣服や寝具などの接触にかかわらず、深部の温度T_coreを演算でき、高精度に体温を測定できる。 - 特許庁
To provide a substrate for liquid immersion lithography, which can suppress the enlargement of a region where liquid comes into contact with the backside of the substrate or a substrate holding section.例文帳に追加
液体と基板の裏面又は基板保持部とが接触する領域が拡大することを抑制できる液浸露光用の基板を提供する。 - 特許庁
The contact region for the reactant enables to cause a hot oxidizing agent to flow to the flow of the metal reactant, so as to be able to form a reaction flow.例文帳に追加
前記反応物の接触領域は、熱い酸化剤の流れを金属反応物の流れに向かって導き、反応流を形成することができる。 - 特許庁
The end part of the drying agent 5 is outside the end part of the display region 10 and inside the contact holes 28 so that brightness irregularity of a screen is prevented.例文帳に追加
乾燥材5の端部を表示領域10の端部よりも外側でコンタクトホール群28よりも内側とすることによって、画面の輝度むらを防止する。 - 特許庁
In this case, the contact region and the field ring structure are arranged at respectively assigned first and second partial areas of a first surface of the base body.例文帳に追加
この場合、接触領域とフィールドリング構造とは、それぞれ、ベース体の第1表面の第1及び第2部分面に割り当てられて配置される。 - 特許庁
A region of the recess 14 near to a through hole 13 has an arc recess portion 15 kept from contact with the fitting ring when the fitting ring is pressed in position.例文帳に追加
凹部14の貫通孔13側に、嵌合リングを圧入したときに嵌合リングと非接触の逃げ部15が円弧状に形成されている。 - 特許庁
Contact holes to an upper surface of the wafer 10 in the DRAM forming region are formed in a first interlayer insulation film 30 deposited on the gate electrode.例文帳に追加
その上に堆積した第1層間絶縁膜30に、DRAM形成領域のシリコン基板10の上面に到達するコンタクトホールが形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, an SRAM, and the manufacturing method of the semiconductor device wherein the process of disposing its contact in its narrow active region can be easily performed.例文帳に追加
狭い活性領域にコンタクト部を配設する工程を、容易に行うことができる半導体装置および半導体装置等を提供する。 - 特許庁
The edge contact region 18e is formed with valleys 30 and crests 31 each having a nearly circular arc cross section along the circumferential direction of the roller body 18a.例文帳に追加
耳部接触領域18eには、断面略円弧状の谷部30および山部31が、ローラ本体18aの周方向に沿って形成されている。 - 特許庁
The size of contact region can be set to d+2h (d is diameter of via 124 and h is depth at which the via 124 is embedded within the first wiring 112).例文帳に追加
接触領域のサイズは、d+2h(dはビア124の直径、hはビア124が第一の配線112内に埋め込まれる深さ)とすることができる。 - 特許庁
A source 27 and a drain 26 are formed in the well 24 along with an additionally doped region 28 for bringing into contact electrically the source 28 and the drain 26 with the well 24.例文帳に追加
Pウェル24と電気的に接触させるため、ソース27とドレン26が付加的にドーピングされた領域28とともにPウェル内に形成される。 - 特許庁
To provide a plated contact in which a barrier region required for preventing the crawling-up of solder can be easily and securely formed at low cost, and to provide a plating method therefor.例文帳に追加
半田上りを防止するために必要なバリア領域を、容易、且つ低コストで、さらに確実に形成できるメッキコンタクト及びそのメッキ方法を提供する。 - 特許庁
To suppress a rise of an initial threshold voltage of a memory cell caused by an influence of an ultraviolet ray while reducing an area of a region where a contact is formed.例文帳に追加
紫外線の影響によるメモリセルの初期しきい値電圧の上昇を抑制できると共にコンタクト形成領域の面積を縮小できるようにする。 - 特許庁
The antireflection film 115 is formed continuously in contact with the region surrounded with the groove 116, the inside of the groove 116, and the outside of the groove 116.例文帳に追加
反射防止膜115は、溝116に囲まれた領域、溝116の内部及び溝116の外側に連続的に密着して形成されている。 - 特許庁
The conductive region 40 is formed by bringing conductive particles 3 contained in the insulating resin 2 into contact with each other or fusing the conductive particles 3.例文帳に追加
導電性領域40は、絶縁性樹脂2中に含有する導電性粒子3を接触、若しくは融着させることによって形成される。 - 特許庁
Since a well contact can be formed in a picture element region, the shading of an output signal can be reduced by restraining fluctuation of a well potential.例文帳に追加
同時に、画素領域内にウェルコンタクトが形成できるため、ウェル電位の変動を抑えることにより、出力信号のシェーディングも低減される。 - 特許庁
Then, after reverse sputter etching, Ti and TiN are formed continuously as a contact layer, and further a dielectric film is formed on the capacitance formation region.例文帳に追加
次に、逆スパッタエッチングを行った後、連続してTi及びTiNを密着層として形成し、さらに容量形成領域に誘電体膜を形成する。 - 特許庁
To reduce the resistance of a source contact, by forming a proper ohmic junction between a source electrode and a source region in a trench gate MISFET.例文帳に追加
トレンチゲート型MISFETにおいて、ソース電極とソース領域との間に良好なオーミック接合を形成することにより、ソースコンタクトを低抵抗化する。 - 特許庁
Since the contact holes 7a, 9a can intercept external light, the external light does not enter into the charge transfer region of the CCD register 3b, and the like.例文帳に追加
コンタクトホール7a,9aにより外部光を遮ることができ、CCDレジスタ3bの電荷転送領域等に外部光が入り込まなくなる。 - 特許庁
To provide a vertical gate semiconductor device and a method for manufacturing it capable of reducing in size without increasing the contact resistance in a source region.例文帳に追加
ソース領域のコンタクト抵抗を増大させることなく、小型化を図ることができる縦型ゲート半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To enhance reliability in a three-layer contact structure in which a gate electrode is jointed to a semiconductor region provided in a substrate through a common connection hole.例文帳に追加
ゲート電極と基板に設けられた半導体領域とを共通の接続孔で接合する3層コンタクト構造の信頼性を向上する。 - 特許庁
In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加
図において、少なくとも層間絶縁膜12下層のコンタクト領域である拡散層13に接触するバリアメタル層BMTLが形成されている。 - 特許庁
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