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「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索
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該当件数 : 3198



例文

A semiconductor chip C, where a bump electrode 28 is formed in a surface thereof, is bonded to bring a wiring 31 of a mounting substrate surface and the bump electrode 28 of the semiconductor chip C into contact with each other, in a mounting substrate 30 where the wiring 31 is formed in a surface thereof and a plastic ball 41 is mounted in a region where the wiring 31 is not formed.例文帳に追加

その表面にバンプ電極28が形成された半導体チップCを、その表面に配線31が形成された実装基板30であって、配線31が形成されていない領域にプラスチックボール41が搭載された実装基板30に、実装基板表面の配線31と半導体チップCのバンプ電極28とが当接するよう接着する。 - 特許庁

In a multilayer interconnection board 10 constituting a part of a wafer collective contact board, an outer peripheral pad 51 formed in the peripheral region of the board is made into a block for standardization, while a guide part (guide hole 53) for guiding and alignment when a connector is connected to the block outer peripheral pad 51, is provided adjacent to it.例文帳に追加

ウエハ一括コンタクトボードの一部を構成する多層配線基板10において、基板の周辺領域に形成される外周パッド51をブロック化するとともに標準化し、かつ、前記ブロック化された外周パッドに隣接して、前記ブロック化された外周パッドにコネクタを接続する際に案内及び位置合わせの役割を果たすガイド部(ガイド穴53)を設けた構造とする。 - 特許庁

With switching transistor formed on a semiconductor substrate, a drain region 2 of a switching transistor is electrically connected to a capacitor electrode, formed on a first interlayer insulating film 3 via a plug embedded in a contact hole formed on the first interlayer insulating film 3, and the plug comprises a tantalum silicon nitride film 7, which is to become a conductive film having a barrier characteristics with respect to silicon.例文帳に追加

半導体基板上にスイッチングトランジスタが形成されており、第1の層間絶縁膜3に形成されたコンタクトホールに埋設されたプラグを介して、スイッチングトランジスタのドレイン領域2と層間絶縁膜上に形成されたキャパシタの電極とが電気的に接続され、プラグがシリコンに対するバリア性を有する導電性膜となるタンタルシリコンナイトライド膜7からなる。 - 特許庁

A gate insulating film is formed over a gate electrode, and a microcrystalline semiconductor film which functions as a channel formation region is formed over the gate insulating film, and a buffer layer is formed over the microcrystalline semiconductor film, and a pair of source and drain regions are formed over the buffer layer, and a pair of the source and drain electrodes in contact with the source and drain regions are formed.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 - 特許庁

例文

The reader is adapted to photoelectrically detect chemiluminescence of a visible light wavelength region from an adsorptive area on a biochip by a contact between a chemiluminescent matrix and ferment by a cooled CCD camera 11, amplify the same by an amplifier 12, and convert the same to a digital signal by an analog-digital converter 13 to be input as light emission intensity to a data processing means 14.例文帳に追加

化学発光基質と酵素との接触によって吸着性領域から可視光波長領域の化学発光が放出されているバイオチップ10上を冷却CCDカメラ11によって光電的に検出し、増幅器12で増幅し、アナログ/デジタル変換器13でデジタル信号に変換して、発光強度としてデータ処理手段14に入力する。 - 特許庁


例文

A gate insulation layer with a hydrogen concentration of less than10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration of10^20 atoms/cm^3 or more is used as a gate insulation layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, whereby the amount of hydrogen released from the gate insulation layer can be reduced and hydrogen diffusion to the oxide semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が6×10^20atoms/cm^3未満であり、且つフッ素濃度が1×10^20atoms/cm^3以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

The immersion optical device comprises an illumination optical system 20, an optical lens system 33, a stage 34 for moving a sample tray 37 mounting a semiconductor substrate 10, a water injecting/recovering device 36 for forming a layer of liquid between the optical lens system 33 and the semiconductor substrate 10, and a cleaner 38 for cleaning a region with which the liquid comes into contact with a cleaning fluid.例文帳に追加

照明光学系20と、光学レンズ系33と、半導体基板10を搭載する試料台37を移動させるためのステージ34と、光学レンズ系33と半導体基板10との間に液体の層を形成するための水注入・回収器36と、液体が接触する部位の洗浄を洗浄液によって行う洗浄機38とを具備してなる。 - 特許庁

The first region includes first metal wiring formed in a first wiring layer on the semiconductor substrate and having a predetermined first width, second metal wiring formed in a second wiring layer above the first wiring layer and having the first width, and a first contact connecting the first metal wiring and the second metal wiring and having a second width less than or equal to the first width.例文帳に追加

第1の領域は、半導体基板上の第1配線層に形成され、所定の第1の幅を有する第1の金属配線と、第1配線層の上層の第2配線層に形成され第1の幅を有する第2の金属配線と、第1の金属配線と第2の金属配線とを接続し、第1の幅以下の第2の幅を有する第1のコンタクトとを有する。 - 特許庁

As for the data write-in processing of a non-contact IC card 3, when executing logical/physical address rewriting processing, only the physical address "X" of a data storage region where new data are written is saved so that it is possible to reduce write-in data quantity in data write-in processing, and to sharply improve the result processing efficiency compared with the conventional method.例文帳に追加

この非接触ICカード3のデータ書込処理によれば、論物アドレス書換処理を実行する際に、新データを書き込んだデータ記憶区域の物理アドレス「X」のみを退避させておけば良いので、その分従来手法と比べてデータ書込処理時の書き込みデータ量を低減させることができ、この結果処理効率を格段と向上させることができる。 - 特許庁

例文

In the above laminate manufacturing process, a pressing member 4 is provided which temporarily fixes by pressing a pair of green sheets that are arranged to come into contact with each other, and the pressing member 4 applies a pressure only on the surface region of the green sheets constituting the laminate 3 excluding laminated piece forming regions 31 to 31 which become the laminated pieces 2.例文帳に追加

前記積層体作製工程において、互いに接触して配置されるべき一対のグリーンシートに対して加圧を施して両者を互いに仮圧着させる加圧部材4が配備され、該加圧部材4は、積層体3を構成する各グリーンシートの表面領域の内、複数の積層片2となる積層片形成領域31〜31を除く表面領域に対してのみ、加圧を施す。 - 特許庁

例文

First and second information on allocation of patterns are added to boundary lines among small regions, and the patterns which are kept in contact with the boundary Lines and selected out of the complementarily divided patterns are allocated as referring to the first and second information, so that parallel processing can be realized by small region unit, and a troublesome pattern can be prevented from occurring in the mask pattern forming method.例文帳に追加

小領域の境界線にパターンの振り分けに関する第1および第2の情報を付加し、相補分割されたパターンのうち、境界線に接するパターンについては、第1および第2の情報を参照してパターンの振り分けを行うことにより、小領域単位での並列処理と問題パターンの発生防止を可能とするマスクパターン作成方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.例文帳に追加

支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which a cleaning device is not used and a residual toner after transfer on an image carrier does not adhere to a charging member even when a structure in which the residual toner passes through a contact region between the image carrier and the charging member is adopted, and which effectively suppresses degradation of image quality due to poor charging and makes miniaturization of the apparatus and upgrading of image quality compatible.例文帳に追加

クリーニング装置を用いない画像形成装置であって、像担持体上の転写残トナーが帯電部材との接触領域を通過する構成を採用しても転写残トナーが帯電部材に付着せず、帯電不良によって生じる画質劣化を効果的に抑制し、装置の小型化、及び画像品質の向上を両立した画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A titanium silicide film 22 is formed through a silicon film 21 on an impurity semiconductor region 11 of a memory cell selecting MISFETQs where a bit line BL is formed, and a plug 20 formed inside a connection hole 19 is made of a metal film, so that the bulk resistance and contact resistance of a plug 20 are reduce with no erosion of a semiconductor substrate 1 by the titanium silicide film 22.例文帳に追加

ビット線BLが形成されるメモリセル選択用MISFETQsの不純物半導体領域11上にシリコン膜21を介してチタンシリサイド膜22を形成し、接続孔19の内部に形成されるプラグ20を金属膜で構成することによって、半導体基板1をチタンシリサイド膜22で侵食することなく、プラグ20のバルク抵抗およびコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

SOI基板30を用いたMOS型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔13−1,13−2をソース・ドレイン拡散層10,11上から隣接する素子分離用の酸化膜7上に亘って、シリコン基板1に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してPN接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

A region of a boss member 22 to which connection pins 28 are fitted is constituted of a pair of steel-made boss cylinders 23 formed of a steel material having large strength, and an intermediate part of the boss member 22 in the axial direction not in contact with the connection pins 28 is constituted of a resin-made connecting pipe 24 formed by using fiber-reinforced resin lighter than the steel material.例文帳に追加

ボス部材22のうち連結ピン28が嵌合する部位を、強度が大きな鉄鋼材料を用いて形成された一対の鉄鋼製ボス筒体23によって構成すると共に、ボス部材22のうち連結ピン28が接触しない軸方向の中間部位を、鉄鋼材料よりも軽量な繊維強化樹脂を用いて形成された樹脂製連結パイプ24によって構成する。 - 特許庁

This microarray has a constitution wherein organism-related molecules are carried between the first member 1 and the second member 2, and, on either of the first member and the second member, a plurality of grooves are formed in parallel on the contact surface to the other member, to thereby provide a plurality of spaces working as a reaction region 3.例文帳に追加

本発明者らは、上記目的を達成すため、鋭意検討した結果、微細加工技術を用いて、試料を担持させる反応領域3を線形状の空間として複数並列的に配置することにより、試料間の干渉を防止した高精度な検出を実現できると共に、安価なラインセンサーにより簡便かつ高精度にデータの読み取りが可能であることを見出した。 - 特許庁

A plurality of kinds of transistor bulks having different a gate length and gate width, and different interval between a gate electrode and the contact of a source electrode or a drain electrode are arranged freely in an I/O buffer region and electrostatic protection capability and output drive capability are optimized by connecting transistor bulks, corresponding in number to requested functions or performances, arbitrarily through aluminum interconnect.例文帳に追加

入出力バッファ領域に、ゲート長やゲート幅、さらに、ソース電極やドレイン電極のコンタクトとゲート電極の間隔がそれぞれ異なるトランジスタのバルクを複数種類用意して自由に配置し、要求される機能や性能に応じた数のトランジスタのバルクを任意にアルミ配線により接続して静電保護能力や出力駆動能力の最適化を行う。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Vocを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device that provides wiring on a semiconductor substrate and forms final protective films on the wiring has a step to form a first protective film on the wiring, a step to form a second protective film having a tensile stress on the first protective film, and a step to eliminate the first protective film and the second protective film at a contact region of the wiring.例文帳に追加

半導体基板上に配線を設け、該配線上に最終保護膜を形成する半導体素子の製造方法において、前記配線上に第1保護膜を形成する工程と、前記第1保護膜上に、引張応力を有する第2保護膜を形成する工程と、前記配線のコンタクト領域の前記第1保護膜、及び前記第2保護膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁

The anti-fuse includes: a gate dielectric layer formed above a substrate; and a gate electrode including a body portion and a plurality of protruding portions extending from the body portion, wherein the body portion and the protruding portions are formed to contact on the gate dielectric layer; and a junction region formed in the substrate exposed to sidewalls of the protruding portions.例文帳に追加

本発明は、基板上に形成されたゲート絶縁膜と、本体部と、前記本体部から伸長された複数個の突出部を備え、前記本体部および前記突出部が前記ゲート絶縁膜上に接するように前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記突出部の側壁に露出した前記基板内に形成された接合領域と、を備える。 - 特許庁

Concerning the transparent substrate with the color filter 10 including the transparent substrate 1 being an observation side of the information display panel and the color filter provided on the transparent substrate, the color filter is transparent and formed by printing color inks 21RI, 21GI, 21BLI on an ink receiving layer 2 held by absorbing them when being brought into contact with them on a prescribed region by color classification.例文帳に追加

情報表示用パネルの観察側となる透明基板1と該透明基板上に設けられるカラーフィルターとを含むカラーフィルター付き透明基板10であって、前記カラーフィルターは、透明であって、インクに接触するとこれを吸収して保持するインク受容層2に、カラーインク21RI,21GI、21BLIを色別で所定領域に印刷することによって形成したものである。 - 特許庁

A fuel battery cell 10 constituting a PEFC includes an MEA member 7 having an MEA 5 and a plate-like frame body 6 in which the MEA 5 is arranged by holding the peripheral part of a polymer electrolyte membrane 2; and a pair of separators 8, 9 laminated on both sides of the MEA member 7 and having a reaction gas passage in a region coming in contact with the MEA 5.例文帳に追加

MEA5と、高分子電解質膜2の周縁部を保持することによって枠内にMEA5が配設された板状の枠体6とを有するMEA部材7と、MEA部材7の両面に積層されMEA5と当接する領域に反応ガス流路が設けられた一対のセパレータ8,9とを、PEFCを構成する燃料電池セル10に備える。 - 特許庁

The metal separator used in the fuel cell using a solid polymer electrolyte is constructed of aluminum or aluminum alloy having a prescribed thickness or more for a part of a face opposed to the electrolyte, and the aluminum or aluminum alloy is exposed, and the separator has a film growth suppression layer to suppress growth of a passivation film in an electric contact region of the separator.例文帳に追加

固体高分子電解質を用いた燃料電池に用いられる本発明の金属セパレータは、前記電解質に対面する面の一部が所定の厚さ以上の厚さを有するアルミニウムあるいはアルミニウム合金で構成され、かつ前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金が露出しており、かつ前記セパレータの電気的接点領域に不動態皮膜の成長を抑える皮膜成長抑制層を有する。 - 特許庁

In a transistor including an oxide semiconductor film, dehydration or dehydrogenation is performed on the oxide semiconductor film through heat treatment and an insulation film including oxygen, preferably a gate insulation film including a region containing oxygen more than the stoichiometric composition ratio is used as a gate insulation film in contact with the oxide semiconductor film, whereby oxygen is supplied from the gate insulation film to the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; an understructure formed on the semiconductor substrate; a first dielectric formed on the understructure; a first metal layer connected to the understructure through a first metal contact in the first dielectric; a second metal layer formed on the first metal layer; and a plurality of interior dummy gates formed in a pad region formed on the second metal layer.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板上に形成される下部構造と、前記下部構造上に形成される第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜内の第1金属コンタクトを介して前記下部構造に接続される第1金属層と、前記第1金属層上に形成される第2金属層と、前記第2金属層に形成されたパッド領域の内部に形成される複数の内部ダミーゲートとを備える。 - 特許庁

The module for testing comprises a test substrate having a bonding pad; the semiconductor device arranged on the test substrate; an anisotropic conductive sheet having conductivity only in the thickness direction in contact with the electrode of the semiconductor device; and a metal wire whose one end is connected to the bonding pad and whose the other end is connected to the anisotropic conductive sheet in a region for covering the electrode.例文帳に追加

ボンディングパッドを有する試験基板と、前記試験基板の上に配置された半導体装置と、前記半導体装置の電極に接触して厚さ方向にのみ導電性を有する異方性導電シートと、前記ボンディングパッドに一端が接続され、前記電極を覆う領域において前記異方性導電シートと他端が接続された金属ワイヤとを有することを特徴とする試験用モジュールによって解決する。 - 特許庁

The method for recovering the cyclic polyarylene sulfide comprises contact-reacting at least a dihalogenated aromatic compound with a sulfidization agent in an organic polar solvent to obtain a reaction mixture, subjecting the reaction mixture to solid-liquid separation at a temperature region below the boiling point of the organic polar solvent to obtain a filtrate, and removing the organic polar solvent from the filtrate to obtain the high purity cyclic polyarylene sulfide.例文帳に追加

有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させて得られる反応混合物を、有機極性溶媒の沸点以下の温度領域で固液分離することにより得られた濾液から、有機極性溶媒を除去するだけで、純度の高い環式ポリアリーレンスルフィドが得られることを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。 - 特許庁

To provide a simple and inexpensive attracting and trapping facility for female livestock in rut which is used for finding out and attracting and simply, certainly and safely capturing female livestock in rut without necessity of a large scaled modification of a rearing region such as an existing livestock barn or grazing land or use of an expensive apparatus breakable by contact or the like of mutual livestock, and can appropriately manage livestock.例文帳に追加

発情した雌家畜を見付け出して誘引し、簡便、確実かつ安全に捕獲するのに用いられ、既存の畜舎や放牧地等の飼育域に大掛かりな改築や改修を行ったり家畜同士の接触等により破損し易い高価な機材を用いたりする必要がなく、適切な家畜管理を行うことができる簡易で安価な発情雌家畜誘引捕獲設備を提供する。 - 特許庁

Surface temperature of a heating wire 15 is raised to or above thermal decomposition temperature of dioxin by energizing the heating wire 15, then dioxin in the combustion gas is thermally decomposed by bringing the combustion gas into contact with the heating wire 15 or by flowing the combustion gas into a high temperature region around the hearting wire.例文帳に追加

燃焼室から発生する燃焼ガスを外部に排出する排気経路の途中か又は終端に設けるダイオキシン除去装置9であって、電熱線15に通電してその電熱線15の表面温度をダイオキシンの熱分解温度以上に発熱させ、その電熱線15に前記燃焼ガスを接触させ又は電熱線周りの高温領域に燃焼ガスを通して燃焼ガス中のダイオキシンを熱分解させるようにした。 - 特許庁

The semiconductor element which is mounted on the flexible wiring board electrically connecting electrode wires leading to pixel electrodes formed on a display panel having an image display region with a large number of pixel electrodes aligned thereon, to a circuit board for supplying voltages to be applied to the electrode wires, is directly or indirectly brought into contact with a heat conductive panel holding member for supporting the display panel.例文帳に追加

多数の絵素電極が配列された画像表示領域を有する表示パネルに形成された絵素電極への電極配線と該電極配線に印加する電圧を供給する回路基板との間を電気的に接続するフレキシブル配線基板に実装された半導体素子が、表示パネルを保持する熱伝導性のパネル保持部材に直接的にまたは間接的に接触されている。 - 特許庁

An insulated gate field effect transistor is fabricated by forming an underlying silicide film or a gate insulation film on a substrate, forming an amorphous silicon film in contact therewith without exposing the film to the atmosphere, heat treating the amorphous silicon film to form a crystalline silicon film, and patterning the crystalline silicon film to form a semiconductor layer for forming a channel forming region.例文帳に追加

基板上の下地となる酸化珪素膜又はゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜を形成し、その酸化珪素膜を大気に曝すことなく、それに接して非晶質珪素膜を形成し、その非晶質珪素膜を熱処理し、結晶性珪素膜を形成し、その結晶性珪素膜をパターニングし、チャネル形成領域が形成される半導体層を形成して、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを作製する。 - 特許庁

A current density distribution or a potential distribution are measured by a non-contact detector such as a highly sensitive magnetic detector, an electromagnetic wave detector, or a potential sensor, and a described first floor space partial differential equation is solved by one of measured values, so as to estimate conductivity spatial distribution relative to the reference conductivity given in the concerned region.例文帳に追加

高感度な磁気検出器や電磁波検出器や電荷センサーなどの非接触検出器で電流密度分布又は電位分布を測定し、その一方の測定値によって記述される一階の空間偏微分方程式を解くことによって、既に電流場がある場合でもそれを乱すこと無く、関心領域内において与えられた参照導電率に対する相対的な導電率空間分布を推定する。 - 特許庁

The filling machine for a paper container has a carry means for carrying a subject, and an analysis processing means comprising a first electrode placed oppositely to a predetermined region of the subject at a predetermined distance from the subject for applying an inspection voltage to the subject, and a second electrode placed in contact with the subject for inspecting whether the subject is damaged based on a feedback current flowing in the second electrode.例文帳に追加

被検体を搬送する搬送手段と、前記被検体の所定の部分と対向させて、かつ、被検体と所定の距離を置いて配設され、被検体に検査電圧を印加する第1の電極と、前記被検体に接触するように配設された第2の電極と、からなり、第2の電極に流れるフィードバック電流に基づいて、被検体に損傷が発生したかどうかを検査する分析処理手段とを有する。 - 特許庁

To provide a gas adsorption/desorption apparatus wherein a continuous adsorption/desorption system using a rotary adsorbent is adopted as a method for desorbing the adsorbed organic solvent component by heating the adsorbent without bringing steam into direct contact with the adsorbent and whereby the oxygen gas concentration in a regeneration gas region can be kept sufficiently lower than the critical oxygen concentration, and the adsorption/desorption can be efficiently performed.例文帳に追加

吸着材に水蒸気を直接接触させることなく吸着材を加熱し、吸着した有機溶剤成分を脱着する方法として、回転吸着体を用いた連続吸脱着方式を採用し、再生ガス領域での酸素ガス濃度を限界酸素濃度よりも充分低く保ち、しかも効率的な効率的な吸脱着処理を行うことができるガス吸脱着処理装置を提供する。 - 特許庁

A composition containing a hydrophilic polymer having a photoactive group in at least a side chain or an end is brought into contact with the top of a hydrophobic support, energy is imagewise imparted to fix the hydrophilic polymer on a hydrophobia polymer-containing layer, thereby forming a hydrophilic pattern, and then a coloring material is stuck to the hydrophilic pattern or to a hydrophobic region with no imparted energy.例文帳に追加

疎水性支持体上に、少なくとも側鎖又は末端に光活性基を有する親水性ポリマーを含有する組成物を接触させ、画像様にエネルギーを付与して、疎水性ポリマー含有層上に該親水性ポリマーを固定化して親水性パターンを形成し、該親水性パターン、或いはエネルギーを付与されていない疎水性領域のいずれかに色材を付着させることを特徴とする。 - 特許庁

The method for fabricating a semiconductor device comprises steps for forming an N type semiconductor region 102, a field oxide film 103 and a gate oxide film 104, implanting high energy ions and low energy ions, forming a gate electrode, forming source and drain by implanting ions using the gate electrode as a mask, making a contact hole, forming an interconnection and then forming a final protective film through final heat treatment.例文帳に追加

N型半導体領域を形成し、フィールド酸化膜を形成し、ゲート酸化膜を形成し、高エネルギ−のイオン注入と低エネルギーのイオン注入し、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクにイオン注入にてソース、ドレインを形成し、コンタクトホールを形成し、配線を形成し、最終熱処理し、最終保護膜形成する工程とからなる半導体装置およびその製造方法。 - 特許庁

To suppress a variation of electric resistance in the surface layer of a toner carrier due to a change of environmental conditions and to achieve stable development even if environmental conditions change as well as to suppress the cracking of a toner when a regulating member is brought into press contact with the surface of the toner carrier with the surface layer comprising emulsion resin particles to regulate the amount of the toner carried to a developing region.例文帳に追加

エマルジョン樹脂粒子で構成された表面層を設けたトナー担持体の表面に規制部材を圧接させて、現像領域に搬送されるトナーの量を規制する際に、トナーが割れるのを抑制すると共に、環境条件の変化に伴ってトナー担持体の表面層における電気抵抗値が変動するのを抑制し、環境条件が変化した場合においても、安定した現像が行えるようにする。 - 特許庁

The video display apparatus includes the display panel 620 having a first substrate and a second substrate which are spaced from each other at a specified interval, a conductive member 650a provided to lateral sides and a front edge region of the video display panel 620, and a chassis member 630 is provided on the back of the video display panel 620 in contact with the conductive member 650a.例文帳に追加

当該映像表示装置が、第1基板と第2基板とが所定間隔で離隔されてなる映像表示パネル620と、前記映像表示パネル620の側面及び前面の外郭部に設けられた伝導性部材650aと、前記映像表示パネル620の背面に具備され、前記伝導性部材650aと接触するように設けられたシャシー部材630とを含んでなるようにした。 - 特許庁

The direction and the power of motion are converted to electric signals at the power detection means by bringing the power detection means into contact with a fixed object and by causing relative motion between the attached body region and the fixed object, and the electric signal is outputted to a computer system as the information of movement directions and velocities of a pointer and a cursor.例文帳に追加

身体の任意部位に装着可能な身体装着手段と、力検出手段からなり、力検出手段を固定物体に接触させ、装着した身体部位と固定物体間に相対運動を加えることで、力検出手段において運動の方向と力を電気信号へ変換し、電子計算機システムにポインターやカーソルの移動方向、速度の情報として出力することを特徴とする電子計算機システムのポインティングデバイス。 - 特許庁

In the COC type semiconductor mounted body, each of a first and a second electrode pads 1, 9 of a first semiconductor chip 2 and a second semiconductor chip 10 is disposed after being redesigned for re-wiring in the chip region to constitute each contact pad, and electrode formation at the semiconductor mounting process level is enabled corresponding to the electrode arrangement and number to improve the degree of freedom of the electrode formation.例文帳に追加

COC型の半導体実装体は、第1の半導体チップ2、第2の半導体チップ10の第1,第2の電極パッド1,9は各々チップ領域内において再配線で引き回されて配置され、各コンタクトパッドを構成したものであり、個々の半導体チップの電極配置、数に対応させて半導体実装工程レベルで電極形成が可能になり、電極形成の自由度を向上させることができるものである。 - 特許庁

To improve the product reliability by forming an auxiliary electrode line to be in contact with a second electrode power supply line for removing organic layer on the auxiliary electrode line, and to minimize the organic layer within a pixel region, thereby preventing pixel shrinkage, resulting from degradation of an organic emission layer caused by outgassing phenomenon from the organic layer during the formation of the auxiliary electrode line of an organic electroluminescent element.例文帳に追加

有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第2電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Another oxide layer is disposed in contact with an electron injection layer containing an alkaline earth metal, so that the heat generated by the short circuit between the electrodes of the light emitting element can react oxygen contained in the oxide layer with the alkaline earth metal contained in the electron injection layer to generate an oxide of the alkaline earth metal, which adsorbs out moisture entering the insulator generated by the insulation of the short circuit region.例文帳に追加

さらに、アルカリ土類金属を含む電子注入層と接して酸化物層を設けることにより、発光素子において両電極間の短絡が生じた際に発生する熱により、酸化物層に含まれる酸素と電子注入層に含まれるアルカリ土類金属とを反応させ、アルカリ土類金属の酸化物を生成することにより、短絡箇所の絶縁化により生成する絶縁体に侵入する水分を吸着して除去することができる。 - 特許庁

A semiconductor device, where a gold bump electrode 57 is formed on a pad 53 formed above a semiconductor substrate, comprises the pad 53 consisting of a plurality of openings provided in a passivation film 52 covering a pad forming region, a conductive film 55 that is buried in the openings to constitute the pad 53, and the gold bump electrode 57 that comes into contact with the pad 53 via the conductive film 55.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたパッド部53上に金バンプ電極57が形成されて成る半導体装置において、パッド部形成領域上を被覆するパッシベーション膜52に設けられた複数個の開口から成るパッド部53と、前記パッド部53を構成する開口内に埋設された導電性膜55と、前記導電性膜55を介して前記パッド部53にコンタクト接続される金バンプ電極57とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体発光素子1は、超伝導の第1電極13と絶縁層14とに跨って埋め込まれた第1半導体層17と、第1半導体層17と接するとともに、絶縁層14と超伝導の第2電極15とに跨って埋め込まれた第2半導体層18と、第1半導体層17と第2半導体層18との接合面に設けられた半導体量子ドット領域19とを備えている。 - 特許庁

A pin sheet has a region higher than the pin pedestal installed outside with respect to a lateral direction of the pin sheet and the polymeric film is prevented from being brought into contact with the pedestal of pins when the film is pressed by a press brush roll to thrust the pins in the film.例文帳に追加

ピンシートが幅方向に対し外側に設置したピン台座よりも高い部位を有し、押さえブラシロールでフィルムを押さえ込みピンに突き刺す際に、ピンの台座にフィルムを接触させないようにし、かつ、幅方向に対し外側に設置したピン台座よりも高い部位とピンシートに配された幅方向の最外に設置されたピンとの間隔が2mm以上10mm以下で、更に、下記の(1)式を満足するピン密度(P)を有するピンシートを用いることを特徴とする高分子フィルムの製造方法。 - 特許庁

A columnar alignment layer having a column structure wherein plate-like molecules having light dichroism in a visible light region are arranged is used for one of alignment layers for controlling alignment of the ferroelectric liquid crystal and a reactive liquid crystal layer formed by fixing a reactive liquid crystal containing a polymerizable liquid crystal material and showing a nematic phase is formed on the side in contact with the ferroelectric liquid crystal on the columnar alignment layer.例文帳に追加

本発明は、強誘電性液晶の配向を制御する配向層の一方に可視光領域に光二色性を有する板状分子が配列したカラム構造を有するカラムナー配向層を用い、このカラムナー配向層上の強誘電性液晶と接する側に重合性液晶材料を含む反応性液晶であって、かつ、ネマチック相を示す反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層を形成することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

例文

The organic electroluminescent element and its manufacturing method is capable of improving product reliability, by forming the auxiliary electrode line to be in contact with the second electrode power supply line to remove an organic layer on the auxiliary electrode line and minimize the organic layer on a pixel region, thereby preventing pixel shrinkage that results from degradation of organic emission layer due to the phenomenon of outgassing from the organic layer.例文帳に追加

本発明は有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第2電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる有機電界発光素子及びその製造方法に関する。 - 特許庁




  
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