「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

In a semiconductor device comprising a complementary MOSFET, all of lower surfaces and side surfaces as well as upper surfaces except for a contact hole region for wiring connection, in an n-type MOSFET region and p-type MOSFET region, are enclosed with an insulating film.例文帳に追加

相補型ＭＯＳＦＥＴからなる半導体装置において、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域、及び、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域は、各々下面及び側面のすべての部分、及び、配線接続のためのコンタクト穴領域を除いた上面が、絶縁膜で囲まれている。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

Here, inside the element region EA, a region CA where neither a diffused layer of the source diffused layer nor the drain diffused layer is formed is provided as a contact region of a gate electrode layer composed of polycrystal silicon and a gate wiring EG composed of aluminium.例文帳に追加

ここで、素子領域ＥＡの内側には、それらソース拡散層およびドレイン拡散層のいずれの拡散層も形成されない領域ＣＡが、多結晶シリコンからなるゲート電極層とアルミニウムからなるゲート配線ＥＧとのコンタクト領域として設けられる。 - 特許庁

A contact combustion type gas sensor 21 of a gas sensor device 1 includes a first region 31 coated with a first catalyst, and a second region 32 coated with a second catalyst reacting with gas in a manner different from the first catalyst outside the first region 31.例文帳に追加

ガスセンサ装置１の接触燃焼式ガスセンサ２１は、第１の触媒が塗布された第１領域３１、及び、第１領域３１の外側において第１の触媒とガスに対する反応が異なる第２の触媒が塗布された第２領域３２を有している。 - 特許庁

A first region 11a in contact with the pad 9, a second region 11b, formed under a grid line 17 and a third region 11c for separating the regions 11a and 11b from each other, are formed on a transistor 11 on the circuit 5.例文帳に追加

保護回路５のトランジスタ１１には，アルミパッド９にコンタクトされた第１領域１１ａと，グリッドライン１７下に形成された第２領域１１ｂと，第１領域１１ａと第２領域１１ｂとを離隔する第３領域１１ｃとが形成されている。 - 特許庁

And since a gap between the first region 3A and a slider 2 is wider than that between a second region 3B mounted to outside of the first region 3A and the slider 2, contact of both the regions can be prevented for restraining galling and seizing thereby.例文帳に追加

また、第１の領域３Ａとスライダ２との間隙量を、第１の領域３Ａよりも外部側に設けられた第２の領域３Ｂとスライダ２との間隙量よりも大きくしているので、両者の接触を阻止でき、それによりカジリや焼き付きを抑止できる。 - 特許庁

When a user touches the display region 51 in such a status that the user touches the drag mode designation region 54 and moves his or her contact position to the display region 51, the display of the button or menu or the like of the touch panel 31 is moved according to the moving direction and the moving distance.例文帳に追加

ユーザがドラッグモード指定領域５４に接触した状態で表示領域５１に接触し、表示領域５１への接触位置を移動させた場合、移動方向及び移動距離に応じてタッチパネル３１のボタン又はメニュー等の表示を移動させる。 - 特許庁

Since the embedded region has a floating structure, energy bands of the embedded region and one conductivity-type semiconductor layer are flat and the depletion layer is prevented from spreading around the embedded region when a forward direction voltage is applied, and thus, an area of Schottky contact is not impaired.例文帳に追加

埋め込み領域がフローティング構造であるので埋め込み領域と一導電型半導体層のエネルギーバンドはフラットとなり、順方向電圧印加時に埋め込み領域周囲に空乏層が広がることはなく、ショットキー接合面積を損なうことがない。 - 特許庁

The gas detector 1 applies a voltage higher than the reference voltage to the contact combustion type gas sensor 21 so that an extended region including the reference region of the contact combustion type gas sensor 21 reaches the combustion temperature for combusting polar gas or higher, and acquires an output from the contact combustion type gas sensor driven by the voltage application.例文帳に追加

また、ガス検出装置１は、接触燃焼式ガスセンサ２１の基準領域を含む拡大領域が有極性ガスを燃焼させる燃焼温度以上となるように、接触燃焼式ガスセンサ２１に基準電圧よりも高い電圧を印加し、この電圧印加によって駆動させられた接触燃焼式ガスセンサからの出力を取得する。 - 特許庁

With a first resist 13a and a second resist 13b as masks, a first inter-layer insulating film 12a and a second inter-layer insulating film 12b are vertically etched, and a first contact hole upper region 15a and a second contact hole upper region 15b are formed.例文帳に追加

第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。 - 特許庁

A removal region 7A for passing a first contact hole H1 connecting a gate electrode 3, a source electrode and a drain electrode of an MOS transistor T with a wiring layer 9 is formed to a hydrogen barrier film 7, and the first contact hole H1 is formed inside the removal region 7A.例文帳に追加

水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁

There is provided the holding material for the catalytic converter which is for the catalyst carrier having an ellipse cross section, and which has a first portion in contact with a region of the catalyst carrier, corresponding to 40 to 95% of a major axis centering on an intersection of an ellipse and a minor axis in the catalyst carrier, larger than a second portion in contact with any other region of the catalyst carrier.例文帳に追加

断面が楕円の触媒担体用であって、触媒担体の、楕円と短径との交点を中心にして長径の４０〜９５％に相当する領域と接する第１部分が、他の領域と接する第２部分よりも坪量が大きい触媒コンバーター用保持材。 - 特許庁

The second p-type semiconductor anode region 206 is electrically coupled to the anode contact area 218 via a switch, such as a MOSFET 228, configured to provide an electrical connection or an electrical disconnection between the second p-type anode region and the anode contact area 218.例文帳に追加

第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁

A contact region 42 which is brought into contact or proximity with the pixel electrode 14 due to deflection of a second substrate 20 and an elongated region 43 disposed on the upper stream side in the rubbing direction rather than an upstream side end part 16A in the rubbing direction of a protrusion 16 are disposed on the opposed sensor electrode 41.例文帳に追加

対向センサ電極４１に、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを設ける。 - 特許庁

A hydrogen barrier film 7 has a removal region 7A formed to bore a first contact hole H1 connecting the gate electrode 3, source electrode, and drain electrode of a MOS transistor T to a wiring layer 9, and the first contact hole H1 is formed inside the removal region 7A.例文帳に追加

水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁

In a high-frequency switch, constituted of a finger-type MOSFET formed on an Si substrate, a p+-type well contact region 105 for applying a fixed potential to a p-type well 102 is formed in an element isolation layer 101, and a capacitor 109 is formed between the p+ well contact region 105 and the p-type well.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成されたフィンガー型MOSFETからなる高周波スイッチにおいて、ｐ型ウエル１０２に固定電位を与えるｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５を素子分離層１０１の中に設け、ｐ＋型ウエルコンタクト領域１０５とｐ型ウエルとの間に容量１０９を設ける。 - 特許庁

After the formation of the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10 in the selective growth method, protruded portions 8a, 9a, and 10a produced by the selective growth, respectively, in the n+ contact regions 8 and 9 and the n- region 10, are flattened by chemimechanical polishing (CMP) method.例文帳に追加

選択成長法によるｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０の形成後に、選択成長によってｎ^+コンタクト領域８，９およびｎ^-領域１０にそれぞれ生じた凸部８ａ，９ａおよび１０ａを化学機械研磨（ＣＭＰ）法により平坦する。 - 特許庁

In a photovoltaic module 10, adhesive force with respect to a solar cell 1a of a first region 2a of a sealing member 2 that is in contact with a light receiving surface of the solar cell 1a is smaller than an adhesive force of a second region 2b that is in contact with the back surface of the solar cell 1a.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池モジュール１０では、太陽電池１ａの光入射面と接する封止材２の第１領域２ａの太陽電池１ａに対する接着力は、太陽電池１ａの裏面と接する第２領域２ｂの接着力よりも小さい。 - 特許庁

In a semiconductor in which an n-type transistor and a p-type transistor are formed on a (551) plane of silicon, a thickness of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the n-type transistor is smaller than that of a silicide layer being in contact with a diffusion region of the p-type transistor.例文帳に追加

ｎ型トランジスタおよびｐ型トランジスタがシリコンの（５５１）面に形成された半導体装置において、前記ｎ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さが前記ｐ型トランジスタの拡散領域に接触するシリサイド層の厚さよりも薄い。 - 特許庁

To provide an ultrasonic driver for reducing a distribution of a vibration speed in a contact region between an oscillator and a movable element in the drive direction without reducing the contact region between the oscillator and the movable element, reducing a slippage between the oscillator and the movable element, and improving the efficiency and lifetime.例文帳に追加

振動子と移動体の接触領域を減らすことなく、振動子における移動体との接触領域での駆動方向の振動速度の分布を減少させ、振動子と移動体の滑りを減少させ、高効率化及び長寿命化を可能とした超音波駆動装置を提供する。 - 特許庁

The shunt FET 1A has a gate electrode 30 on a gate region 34 inside a contact layer 17, a source electrode 31 and a drain electrode 32 on both sides of the gate electrode 30 on the contact layer 17, and a pair of recesses 35 on both sides of the gate region 34.例文帳に追加

シャントＦＥＴ１Ａは、コンタクト層１７内のゲート領域３４上にゲート電極３０を有し、コンタクト層１７上のゲート電極３０の両側にソース電極３１およびドレイン電極３２を有し、ゲート領域３４の両側に一対のリセス３５を有する。 - 特許庁

A new candidate for the first angle S' is selected based on the first points in the first group of points coming into contact with this first belt-like region, the second points in the second group of points which is brought into contact with the first belt-like region and the first angle (ST17, ST14).例文帳に追加

この第１の帯状領域と接する第１の点群の中の第１の点、この第１の帯状領域と接する第２の点群の中の第２の点、および第１の角度に基づいて、第１の角度Ｓ’の新たな候補を選択する（ＳＴ１７，ＳＴ１４）。 - 特許庁

The contact part is provided with an outside end region wherein a length in a first direction in a surface perpendicular to the thickness direction of the land part larger than a length of the contact part in a second direction perpendicular to the first direction, and continues to the land part at one end of the outside end region.例文帳に追加

接触部は、ランド部の厚さ方向と直角の面内における第１の方向への長さ寸法が第１の方向と直角の第２の方向への接触部の長さ寸法より大きい外側端領域を備えており、この外側端領域の一端部においてランド部に続いている。 - 特許庁

A first peripheral part of the cloth seal may include a part of the cloth assemblage 62 and/or the shim assemblage 64 in contact with the high pressure region PH, and a second peripheral part may include a part of the cloth assemblage 62 in contact with the low pressure region PL.例文帳に追加

クロスシールの第１周辺部分は、高圧領域（Ｐ_H）に接触するクロス集合体（６２）の一部及び／又はシム集合体（６４）を含むことができ、第２周辺部分は低圧領域（Ｐ_L）に接触するようにされたクロス集合体（６２）の一部を含むことができる。 - 特許庁

The contact angle θb of the drop of dispersion liquid adhered to a first region to which the conductive fine particles must be arranged is set to provide a relationship of θa > θb for the contact angle θa for a second region to which the conductive fine particles are not arranged.例文帳に追加

導電性微粒子を配置すべき第１の領域に付着した分散液滴の、前記第１の領域に対する接触角θｂが、導電性微粒子を配置しない第２の領域に対する接触角θａに対して、θａ＞θｂとなるように形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The receiving spring 41 has a supporting portion 41a extended from the end at which the movable contact 22 in the proximal region 42 is fixed to the opposite side of the fixed contact 21; and a collision piece 41b along the proximal region 42, and collides against the wall of a base 32 forming a housing 3 on the collision piece 41b.例文帳に追加

受けばね４１は、基部４２における可動接点２２が固着された端部から固定接点２１とは反対側に延設された支持部４１ａと、基部４２に沿う衝突片４１ｂとを備え、衝突片４１ｂにおいて筐体３を形成するベース３２の壁に衝突する。 - 特許庁

To provide a shaft seal structure of a gear device capable of eliminating energy loss, prolonging the service life of a seal and reducing heat generation, by keeping a seal lip portion in a non-contact state in a low-speed rotation region and keeping the same in contact due to centrifugal force only in a high-speed rotation region.例文帳に追加

歯車装置の軸封構造において、シールリップ部を低回転域は非接触とし、高回転域のみに遠心力によって接触させる事により、エネルギー損失をなくし、シールの長寿命化と発熱低減が可能となる軸封構造を提供する。 - 特許庁

And, the sum of the lengths of edges of the slide-contact parts formed per one square meter of the surface of the polishing pad is adjusted to 200 m or more and a filling factor which is an area ratio of the region of the slide-contact parts to the whole region of the surface of the polishing pad is adjusted to 80% or more.例文帳に追加

そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とし、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率を８０％以上とする。 - 特許庁

According to the technique, at least a part of the single solid surface includes a water-repellent region having a contact angle with water, equal to 90° or more, and a hydrophilic region having a contact angle with water, equal to 60° or less, which regions are combined with each other.例文帳に追加

同一の固体表面の少なくとも一部に、水接触角が９０°以上の撥水部からなる領域と、水接触角が６０°以下の親水部からなる領域とを組み合わせて形成することを特徴とする落雪防止材料の製造方法、および落雪防止材料。 - 特許庁

When forming the adhesive layer, a protrusion 10a where the adhesive layer is formed thicker than a second region P2 in contact with other semiconductor chip is provided at least partially in a first region P1 of the first surface not in contact with other semiconductor chip in stacked state.例文帳に追加

接着層の形成において、第１の面のうち積層された状態で他の半導体チップに接触しない第１の領域Ｐ１の少なくとも一部には、他の半導体チップに接触する第２の領域Ｐ２よりも接着層が厚く形成された凸部１０ａが設けられる。 - 特許庁

First standard cells 10 where no substrate contact pattern is arranged, and a second standard cell 15 where a substrate contact pattern 16 is arranged, are mixedly arranged, and a substrate contact pattern 21 is additionally arranged between the desired standard cells so as to make contact between the standard cells and a substrate region.例文帳に追加

基板コンタクトのパターンが配置されない第１のスタンダードセル１０および基板コンタクトのパターン１６が配置された第２のスタンダードセル１５とが混在して配置され、所望のスタンダードセルの相互間に当該セルの基板領域とのコンタクトをとるための基板コンタクトのパターン２１が追加配置されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

A mesh-like emitter region 23 is formed beneath a base pad 25b of a base electrode and contacted to a contact region 24 of a base region 22 underneath it, and an emitter pad 26b of an emitter electrode 26 contacts the emitter region 23 surrounded with the mesh-like base region 22, thus providing a transistor with both pads activated in a single-layer electrode structure.例文帳に追加

ベース電極のベースパッド部分２５ｂの下にはメッシュ状のエミッタ領域２３を形成し且つその下のベース領域２２のコンタクト領域２４とコンタクトさせ、エミッタ電極２６のエミッタパッド部分２６ｂはメッシュ状に形成したベース領域２２に囲まれたエミッタ領域２３とコンタクトさせることにより単層電極構造で両パッド部分を活性化したトランジスタを提供する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device having the charge retention portion, of an element isolation region in contact with a semiconductor region is disposed in the semiconductor substrate from a reference level including a light reception surface of the photoelectric conversion element up to the depth equal to the semiconductor region or the depth deeper than the semiconductor region when compared with the semiconductor region comprised of the charge retention portion.例文帳に追加

電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部を構成する半導体領域に比べて、その半導体領域と接する一部の素子分離領域が、光電変換素子の受光面を含む基準面から半導体基板に、その半導体領域と等しい深さまで、もしくはその半導体領域より深くまで設けられている。 - 特許庁

The photomask defining a STAR (step asymmetry recess) gate region includes a transparent substrate 101 and a light-shielding pattern 103 defining a zigzag recess W-STAR (waved STAR) gate region, wherein a waved portion of the light-shielding pattern partially overlaps a gate region and a storage electrode contact region of an active region disposed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＳＴＡＲゲート領域を定義するフォトマスクにおいて、透明基板１０１とジグザグ形態のリセスＷ−ＳＴＡＲゲート領域を定義する遮光パターン１０３とを含み前記遮光パターンの屈曲部は半導体基板に備えられた活性領域のゲート領域および格納電極コンタクト領域と部分的に重畳されることを特徴とするフォトマスク。 - 特許庁

A conductive layer for electrically connecting the impurity region to a gate electrode of the transistor, or a conductive layer for electrically connecting the impurity region to a drain region of the transistor is electrically connected to the pad and is electrically connected to the impurity region via a contact hole of an interlayer insulation film provided on the impurity region.例文帳に追加

不純物領域及び前記トランジスタのゲート電極を電気的に接続するための導電層、又は前記不純物領域及び前記トランジスタのドレイン領域を電気的に接続するための導電層が、前記パッドと電気的に接続されると共に、該不純物領域上に設けられた層間絶縁膜のコンタクトホールを介して該不純物領域と電気的に接続される。 - 特許庁

A lightly doped impurity layer is grown epitaxially on the footprint of a contact hole in order to decrease an aspect ratio, to improve coverage of a titanium nitride film on the sidewall of a contact hole, and to prevent ingress of metal from the sidewall of a contact hole to a heavily doped active region.例文帳に追加

コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。 - 特許庁

When electric characteristics of a group of semiconductor devices positioned at a peripheral edge of the substrate 11 are measured at the same time, contact pins opposed to an outside region of the substrate 11 among a plurality of contact pins 31 to 60 are brought into contact with an upper surface of the ring 61.例文帳に追加

基板１１の周縁部に位置する一群の半導体装置の電気的特性を同時に測定する際には、複数のコンタクトピン３１〜６０のうち基板１１の外側の領域と対向するコンタクトピンをリング６１の上面に接触させる。 - 特許庁

When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.例文帳に追加

ゲート電極１の上層に第１，第２の応力膜４，５を張り分けてからそのゲート電極１に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域９を第１の応力膜４側にレイアウトする。 - 特許庁

After F10 adhering to the WSi exposed region on the inner surface of the contact hole is removed, during the formation of the capacity contact hole by heating the semiconductor substrate in nitrogen by means of a lamp annealing unit, O2 gas is introduced to form an oxide film 9 on the bottom of the contact hole.例文帳に追加

半導体基板をランプアニール装置で窒素中加熱することにより、容量接続孔形成時に接続孔内壁のＷＳｉ露出領域に付着したＦ１０を除去した後、Ｏ_２ガスを導入して接続孔底部に酸化膜９を形成する。 - 特許庁

To surely form a contact hole with high precision by avoiding a problem with lack of the depth of focus, and to surely form multi-layer wiring structure to be in contact with each conductive region even when large difference exists in the depth of the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールの深さに大きな差が存在するような場合であっても、焦点深度の不足の問題を回避してコンタクトホールを確実に高い精度で形成して、それぞれの導電領域にコンタクトする多層配線構造を確実に歩留まり良く形成する。 - 特許庁

Thence the dirt, dust or the like on the tip of the probe 9 causing a defective contact can easily be removed by bringing the probe 9 into contact with the cleaning area 8 and by forwardly rubbing the tip of the probe 9 while bringing into contact with the cleaning region 8.例文帳に追加

そして、プローブ９をクリーニング領域８にコンタクトさせ、プローブ９の先端をクリーニング領域８に接触させながら前方向に擦ることで、コンタクト不良の原因であるプローブ９の先端の汚れまたはごみ等を簡単に除去することができる。 - 特許庁

Expansion and contraction are caused and flexibility is generated in a contact region between a seal land 36 and the seal 26 by the flexible member 34.例文帳に追加

可撓部材３４により、シールランド３６とシール２６との間の接触領域において、伸縮がもたらされるとともに可撓性が生じる。 - 特許庁

On each layer, the conductor pattern 1 is located in the film layer region of a non-magnetic material 4, and arranged so as not to bring its edge into contact with the magnetic material 3.例文帳に追加

各層においては導体パターン１は非磁性体４の膜層領域に位置してパターン縁部が磁性体３に接しない配置とする。 - 特許庁