「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

An emission unit 16 emits laser beam SHG of YAG second harmonics received from a YAG laser oscillator via an optical fiber 18 through an optical lens in a unit from an emission port at the tip, and condenses and emits the same into a peeling region HW set to each contact W at an elliptic beam spot SP_SHG with a high flatness.例文帳に追加

出射ユニット１６は、ＹＡＧレーザ発振器より光ファイバ１８を介して受け取ったＹＡＧ第２高調波のレーザ光ＳＨＧをユニット内の光学レンズに通して先端の出射口より出射し、各コンタクトＷに設定された剥離領域ＨＥ内に扁平度の高い楕円状ビームスポットＳＰ_SHGで集光照射する。 - 特許庁

To provide a measuring probe capable of continuously an extremely fine region of a nanometer order while minimizing a contact state or a measuring position error without separating probes from a sample each time when measurement in a depth direction is performed with respect to the sample, a measuring instrument of surface characteristics and a measuring method of surface characteristics.例文帳に追加

試料に対して深さ方向の計測を行う際に、探針をその都度試料から離間させる必要がなく、接触状態や計測位置誤差を最小限に抑えてナノメートルオーダーの極微細領域を連続して計測することができる計測プローブ及び表面特性計測装置並びに表面特性計測方法を提供すること。 - 特許庁

The liquid crystal display device of both transmission and reflection type is constituted, by taking the misalignment of interlayer insulating films 3 and reflection electrode materials 4 and 5 into consideration so as to avoid the direct contact of the electrode material constituting the transmissible display part and the electrode materials 4, 5 constituting the reflection display part in the boundary region of the transmissible display part and the reflection display part.例文帳に追加

透過反射両用型の液晶表示装置の透過表示部と反射表示部との境界領域において、透過表示部を構成する電極材料と反射表示部を構成する電極材料とが直接接触しないように、層間絶縁膜と反射電極材料との位置合わせずれを考慮した構成とする。 - 特許庁

A second electrode 26 is constituted by a conductive material of which work function is smaller than the first electrode, has a bottom to contact the upper surface of a relay wiring 67, and comprises a cylindrical region projecting vertically upward so as to penetrate a first interlayer insulation film 21, the first electrode (bit line BL), and a second interlayer insulation film 22.例文帳に追加

第２電極２６は第１電極よりも仕事関数が小さい導電性材料で構成されており、中継配線６７の上面に接触する底面を有し、第１層間絶縁膜２１、第１電極（ビット線ＢＬ）、及び第２層間絶縁膜２２を貫通して鉛直上方に突出してなる筒形状を示す領域を備える。 - 特許庁

In the method, a fluorinating agent is allowed to be contact with the surface of the glass substrate in a gas phase, thereby, fluorine atoms are introduced to the surface layer including the surface of the glass substrate, thereafter, laser beams of the wavelength region having absorption for glass material constituting the glass substrate and, thereby, the surface of the glass substrate having a concave defect is smoothened.例文帳に追加

気相中でガラス基板表面にフッ素化剤を接触させることにより、該ガラス基板表面を含む表層にフッ素原子を導入した後、該ガラス基板を構成するガラス材料に対して吸収を有する波長域のレーザ光を該ガラス基板表面に照射することにより、凹欠点を有するガラス基板表面を平滑化する方法。 - 特許庁

The polysilicon fuse 1 having a contact 4 as an electrode to be connected to the electronic circuit of a semiconductor device (not illustrated) with wire bonding roughly includes first and second base parts 2A, 2B formed of polysilicon, and a melt-down part 3 formed of polysilicon and located in a region held between the first and second base parts 2A, 2B.例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ１は、図示しない半導体装置の電子回路にワイヤボンディングによって接続される電極としてのコンタクト４を有し、ポリシリコンによって形成された第１及び第２の基部２Ａ、２Ｂと、ポリシリコンによって形成され、第１及び第２の基部２Ａ及び２Ｂに挟まれた領域である溶断部３と、を備えて概略構成されている。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor 6 is processed by bringing the surface of the group III nitride semiconductor 6 fixed to the substrate stage 4 via a first substrate holder 11 into contact with the region, where the distribution of the amount of surface processing is gently distributed in all the regions of the plasma 10 between the cylindrical rotating electrode 2 and the substrate stage 4.例文帳に追加

上記円筒型回転電極２と基板ステージ４との間に生成されたプラズマ１０の全領域のうちの表面加工量の分布がなだらかな領域を、第１基板ホルダー１１を介して基板ステージ４に固定されたIII族窒化物半導体６の表面と接触させることによってIII族窒化物半導体６の表面を加工する。 - 特許庁

In the jig for supporting the semiconductor substrate at the heat treating time of the semiconductor substrate and formed of a silicon or a silicon compound in an internal material, a silicon oxide layer 1c and a silicon nitride film 1d on the silicon oxide layer are provided on the surface region brought into contact with at least the semiconductor substrate on the internal material 1b.例文帳に追加

半導体基板の熱処理時に該半導体基板を支持し、内部材料がシリコン又はシリコン化合物で形成された治具であって、前記内部材料１ｂ上の少なくとも前記半導体基板に接触する表面領域に、酸化シリコン層１ｃと、該酸化シリコン層上の窒化シリコン膜１ｄとが設けられている。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

A recessed part is provided in a region which includes the opening 11b of the nozzle holder and is in close contact with the nozzle member.例文帳に追加

高圧蒸気噴出ノズルは、蒸気導入口と排出口を有するとともに、一方向に走行する繊維シート状物と対向する面にシート幅方向に沿った開口を有する中空筒状のノズルホルダー11と、前記開口側のノズルホルダー部分に脱着可能で且つ前記開口に対向して形成された多数のノズル孔15a"を有するノズル部材15とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a BiCMOS integrated circuit has a step for forming a base region 211 of a bipolar transistor and a P-type well 212 of an N-channel MOS transistor in one injecting step, and a step for forming a collector contact body well 213 of the bipolar transistor and an N-type well 208 of a P-channel MOS transistor in one injecting step.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ集積回路を製造する方法は、バイポーラ・トランジスタのベース領域２１１とＮチヤンネルＭＯＳトランジスタのＰ形ウエル２１２とを１つの注入段階で作成する段階と、バイポーラ・トランジスタのコレクタ接触体ウエル２１３とＰチヤンネルＭＯＳトランジスタのＮ形ウエル２０８とを１つの注入段階で作成する段階とを有する。 - 特許庁

A first top face 44a of the first protruding portion 44 and a second top face 48a of the second protruding portion 48 constitute a separation portion 50 by separating each other to form a cooling medium passage 54, and a continuous contact portion 52 by contacting each other along a predetermined length to form a seal region to prevent the cooling medium from flowing.例文帳に追加

第１凸状部４４の第１頂面４４ａと、第２凸状部４８の第２頂面４８ａとは、互いに離間して冷却媒体流路５４を設けるための離間部５０と、所定の長さにわたって互いに接触し、前記冷却媒体の流通を阻止する封止領域を形成するための連続接触部５２とを構成する。 - 特許庁

Inspection items for lighting inspection of a light-emitting element inside the display image forming region 11, aging inspection, measurement of a transistor property, or the like, can be inspected by using the data voltage applying circuit 15, the data-selecting circuit 16, the gate-selecting circuit 17, and the anode driver without mounting all drivers IC and without expensive panel contact tools of a large mount.例文帳に追加

データ電圧印加回路１５、データ選択回路１６、ゲート選択回路１７、アノードドライバを用いて、表示画素形成領域１１内の発光素子の点灯検査、エージング検査及びトランジスタ特性の測定等の検査項目を、全てのドライバＩＣを実装せずに、かつ、高価なパネルコンタクト治具を多量に用いることなく検査することができる。 - 特許庁

The second spiral conductor 19 has nearly the same planar shape as that of the first spiral conductor 17, but the size of the second spiral conductor 19 is slightly smaller than the size of the first spiral conductor 17, and the second spiral conductor 19 covers a planar region except an edge part of the first spiral conductor 17, and a connection part between the first spiral conductor 17 and contact holes 14, 15.例文帳に追加

第２のスパイラル導体１９は、第１のスパイラル導体１７と略同一の平面形状を有しているが、そのサイズは第１のスパイラル導体１７よりも一回り小さく、第１のスパイラル導体１７のエッジ部分と、第１のスパイラル導体１７とコンタクトホール１４、１５との接続部とを逃げた平面領域を覆っている。 - 特許庁

The semiconductor device is sealed and molded without causing a runner composed of resin from a resin supply passage to contact the lead frame 13 by making use of a sealed mold 15, where a pot 16 for supplying sealing resin to an internal region of the lead frame 13 is located and by making use of the lead frame 13 where an opening 14 larger than a pot size is provided at a position corresponding to the pot 16.例文帳に追加

リードフレーム１３の内部領域に封止樹脂を供給するポット１６が位置する封止金型１５、及びポット１６に対応する位置にポット径より大きな開口部１４を設けたリードフレーム１３を用いることで、樹脂供給経路の樹脂からなるランナー部がリードフレーム１３に密着することなく半導体装置を封止成型する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, an image processing device and an image processing method without causing omission around a character (transfer failure) in a boundary where a low image density part and a high image density part are in contact with each other in an image region, without causing side effects such as toner splashing due to the increase of transfer residual toner, without adversely affecting density and color reproducibility.例文帳に追加

低画像濃度部と高画像濃度部とが画像領域内で接する境界部において、文字回り抜け（転写不良）が生じず、かつ転写残トナーの増加によるトナー飛散などの副作用や、濃度、色再現性への悪影響などのない画像形成装置、画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The inkjet head 1 includes piezoelectric members 3 and 4 in which an ink chamber 33 to be supplied with the ink 31 is formed, electrodes 7 and 8 formed on surfaces of the piezoelectric members 3 and 4 on the ink chamber 33 side, and the protective film 9 which includes a material with an insulating property and a flexibility and is formed on surfaces of the electrodes 7 and 8 in a region in contact with the ink 31.例文帳に追加

インクジェットヘッド１は、インク３１が供給されるインク室３３が形成された圧電部材３、４と、インク室３３側の圧電部材３、４の表面に形成された電極７、８と、絶縁性及びフレキシブル性を有する材料を含み、インク３１と接する領域の電極７、８の表面に形成された保護膜９とを備えている。 - 特許庁

In a liquid ejecting head, a liquid passage 10 having a bubble generating region 11 except a small gap between both of side walls of the liquid passage 10 and a movable member 31 and an ejection nozzle 18 becomes a substantially closed space by virtue of the contact of the deformed movable member 31 with a stopper 64 and extinguishing of a bubble is started in the closed space condition.例文帳に追加

変位した可動部材３１とストッパ６４との接触によって、気泡発生領域１１を有する液流路１０が液流路１０の両側壁と可動部材３１との僅かな隙間と吐出口１８を除いて、実質的に閉じた空間になり、この閉空間状態で気泡の消泡を開始する液体吐出ヘッドである。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor parts includes a process that starts the work of a semiconductor wafer, where the new element materials are subjected to film formation by using a conventional manufacturing device, and a process that cleans the region of the surface of the wafer which is in contact with the conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加

課題を解決する半導体部品の製造方法は、新規な素子材料を成膜された半導体ウェハを、従来の製造装置を用いて着工する工程と、当該ウェハの表面であって、前記の従来の製造装置と接触する領域を洗浄する工程(以下、本発明にかかる洗浄工程という)とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This light emitting device 1 comprises an LED device 20 for emitting light by being applied with a voltage, a lead 21 connected to the LED device 20, an outer shell portion 3 for receiving the LED device 20 therein and having translucency in at least partial region, and a fluid 4 in contact with the LED device 20 within the outer shell portion 3.例文帳に追加

発光装置１は、電圧の印加により発光するＬＥＤ素子２０と、ＬＥＤ素子２０に対して接続されたリード２１と、ＬＥＤ素子２０を内部に収容するとともに、少なくとも一部の領域で透光性を有する外殻部３と、外殻部３内でＬＥＤ素子２０に接触する流体４とを備える。 - 特許庁

Out of the lead frame 10, since a contact part 15 of a corrugated part 16 abutting on the electrode terminals 30, 31, 32, 34, 36 of the detection element 4 is not disposed in the lead frame disposition region 56 and the back end recess 60 and the width dimension is not limited, the width dimension can be set in accordance with the electrode terminal of a connected partner.例文帳に追加

リードフレーム１０のうち、検出素子４の電極端子部３０，３１，３２，３４，３６に当接する波状部分１６の接触部１５は、リードフレーム配置領域５６および後端側凹状部６０に配置されないため、幅寸法が制限されないことから、接続相手の電極端子部に応じた幅寸法に設定できる。 - 特許庁

A phototransistor forming a Schottky barrier diode between the base and collector by the contact of the exposed region 11 with the base electrode 6 on a semiconductor substrate 1 composing a collector layer exposed to the surface is surrounded by the metallic layers 7, 8, 9 in an emitter potential almost at the whole periphery of the base electrode 6.例文帳に追加

表面に露出したコレクタ層を構成する半導体基板１の露出領域１１とベース電極６との接触によりベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードを形成してなるフォトトランジスタにおいて、前記ベース電極６の略全周囲近傍をエミッタ電位の金属層７、８、９にて取り囲んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an antireflective coating and a spin-on glass antireflective coating capable of (a) absorbing strongly and uniformly in an ultraviolet spectrum region, (b) protecting a resist material from 'fall down' and spread to the outside of an intended resist line or contact with the inside, and (c) keeping impermeability to a photoresist developer.例文帳に追加

ａ）紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、ｂ）レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびｃ）フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。 - 特許庁

To provide a mold for continuous casting, which can prevent crack of a cast piece without causing such large contact pressure that causes the crack of the cast piece between a coagulated shell and the mold in a lower region of the mold, and can elongate the life of the mold, and can prevent development of a rhohmbus deformation when it has been produced.例文帳に追加

鋳型下部域において凝固シェルと鋳型間に鋳片割れを引き起こすような大きな接触圧力が発生することがなくて、鋳片割れを防止できるとともに、鋳型の長寿命化を図ることができ、また、鋳片菱形変形が発生した際にはその助長を防ぐことができる連続鋳造用鋳型を提供すること。 - 特許庁

In at least one of the first and second substrate-holding means, there is a projection in a region except at least one portion of the periphery of a surface holding the substrate, the portion of the substrate corresponding to the projection abuts first when the first and second sets of substrates are joined, and then a contact area on the substrate widens gradually.例文帳に追加

前記第１および第２の基板保持手段の少なくとも一方は、基板を保持する面の周縁部の少なくとも一部を除く領域に凸の部分を有し、前記第１および第２の組の基板を接合させる際に、前記凸の部分に対応する基板の部分が最初に接触し、次第に基板の接触面積が広がるように構成されている。 - 特許庁

An insulating film is formed on a recessed region formed around an anode electrode while penetrating an active layer and a second contact layer, then, a heat conductive layer on the insulating film by filling a thermably conductive material(gold, silver, copper or the like) is connected to a conductive projection (bump) to efficiently dissipate heat generated in the active layer.例文帳に追加

アノード電極の周囲に活性層および第２のコンタクト層を貫いて形成された凹部領域上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に熱伝導率の高い材料（金、銀，銅等）を充填して形成した熱伝導層を導電性突起部（バンプ）に接合して、活性層で発生する熱を効率よく放散させている。 - 特許庁

An upper mold 21 is made into contact without pressure with at least three solder bumps 14(a-d) which are provided outside the electrode region of a semiconductor chip 10 and whose diameter is larger than solder bumps 13a-13n formed on the electrodes of the semiconductor chip 10, and then is pressurized for planarizing the tops of the solder bumps 13a-13n.例文帳に追加

電極上に形成されたはんだバンプ１３ａ〜１３ｎを有する半導体チップ１０の該電極領域外に少なくとも３個設けた前記はんだバンプ１３ａ〜１３ｎより大径のはんだバンプ１４（ａ〜ｄ）に、上型２１を無加圧で当接させ、その後上型２１を加圧してはんだバンプ１３ａ〜１３ｎの頂点を平坦化する。 - 特許庁

A semiconductor layer in a VCSEL including an n-type lower DBR 104, an active layer 106, a p-type upper DBR 108, and a p-type contact layer 110 is laminated on a GaAs substrate 100; and a post structure P emitting laser light is separated from a pad forming region Q by a trench 114 formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型の第下部ＤＢＲ１０４、活性層１０６、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８、およびｐ型のコンタクト層１１０を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Ｐとパッド形成領域Ｑとが半導体層に形成された溝１１４によって分離されている。 - 特許庁

To enhance the safety of a liquid composition for a contact lens containing a proteolytic enzyme to the eyes by forming the composition so as to enhance the stability of the enzyme by a combination of a boric acid compound of the comparatively low concentration and polyhydric alcohol and to prevent the pH of a liquid mixture from deviating from a neutral region when the composition is diluted with an aqueous medium containing a cationic fungicide.例文帳に追加

タンパク質分解酵素を含むコンタクトレンズ用液状組成物において、比較的低濃度のホウ酸化合物と多価アルコールの組み合わせにより酵素の安定性を高め、且つカチオン性殺菌剤を含む水性媒体で希釈した時、混合液のｐＨが中性領域を外れることがないようにして、眼に対する安全性を高める。 - 特許庁

In the cell array substrate having cell-adhesiveness variation pattern that comprises regions having good cell adhesiveness and regions having inhibited cell adhesiveness patterned on a substrate and having a water contact angle of 10 to 40° at the good cell adhesiveness regions, and cells are adhered to the good cell adhesiveness region.例文帳に追加

基材上に細胞接着性良好領域と細胞接着性阻害領域がパターン化された細胞接着性変化パターンを有し、該細胞接着性良好領域の水接触角が１０〜４０°である細胞配列用基材において、該細胞接着性変化パターンの細胞接着性良好領域に細胞が接着された細胞接着基材。 - 特許庁

The diffusion preventing member is disposed by facing the back surface of the substrate, while being kept from coming into contact with the substrate in the thin film formation region, and has a protrusion that is protruded from each end in a width direction of the substrate in viewing from the raw material container and configured to be movable in a direction non-parallel to a conveying direction of the substrate.例文帳に追加

拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 - 特許庁

To provide a rolling bearing capable of preventing excessive increase of contact face pressure generated on a side of a small number of rows while maintaining advantages of unsymmetrical arrangement being advantageous for miniaturization and reduction of rise of temperature of the rolling bearing, enlarging a region selectable of pre-load, and expanding an application range such as the application in a high speed range of the unsymmetrical arrangement.例文帳に追加

転がり軸受の小型化・低昇温化に有利な非対称配列の利点を維持しながら、少数列側で生じる過度な接触面圧の増大を防止することができて、予圧荷重の選択可能な領域の拡張が図れ、これにより非対称配列の高速範囲での適用等の適用範囲拡大が図れる転がり軸受を提供する。 - 特許庁

At a front frame part 221 of the backlight fixing frame 220, a projection 223, which is in contact with the electro-optical panel 100 at a region where driving circuits 60, 70 are formed and lets heat generated in the driving circuits 60, 70 go to the backlight fixing frame 220 when the backlight unit 200 and the electro-optical panel 100 are superimposed, is formed.例文帳に追加

バックライト用固定枠２２０の前枠部分２２１には、バックライトユニット２００と電気光学パネル１００とを重ねたときに、駆動回路６０、７０が形成されている領域で電気光学パネル１００に当接して、駆動回路６０、７０で発生した熱をバックライト用固定枠２２０に逃がす突起２２３が形成されている。 - 特許庁

Further, there is a gap between each columnar member 22 and the frame member 16, so the air bubble 30 is held stably in the gap while being in contact with the frame member 16 and columnar member 22 to suppress the movement of the air bubble 30 to the display region E, and the generation of the display defect due to the air bubble 30 can be more effectively suppressed.例文帳に追加

また、柱状部材２２は、フレーム部材１６との間に間隙を有するので、気泡３０は、フレーム部材１６と柱状部材２２とに接して、そのフレーム部材１６と柱状部材２２との間隙に安定的に保持されることにより、表示領域Ｅへの移動が抑制され、気泡３０による表示不良の発生を、より抑制することができる。 - 特許庁

The concentration measuring device 1 includes: a grazed substrate 5 that composes a region where liquid is injected and has a ceramic substrate 13 and a first glass layer 14 formed on the ceramic substrate 13; and a first electrode 8 and a second electrode 7 arranged on the first glass layer 14 with a gap so that they come into contact with liquid.例文帳に追加

濃度測定装置（１）は、液体が注入される領域を構成するグレーズド基板（５）であって、セラミック基板（１３）と、セラミック基板（１３）上に形成した第１のガラス層（１４）と、を有するグレーズド基板（５）と、液体と接触するように、第１のガラス層（１４）の上に互いに間隔を空けて配置された第１の電極（８）及び第２の電極（７）と、を備える。 - 特許庁

This flash discharge lamp, having an electrode made by sintering powders of a high melting-point metal material and emitter is featured in that the electrode is monolithically sintered with an electrode mandrel made of a high melting point metal and that inner face of the electrode in contact with the mandrel located within the electrode has a region, where nickel is fused and/or permeated.例文帳に追加

高融点金属材料粉末とエミッター粉末とを焼結してなる電極を有する閃光放電ランプにおいて、該電極は高融点金属製の電極芯棒と一体焼結されてなり、該電極内に位置する電極芯棒に接する電極内面にニッケルが融着および／または浸透した領域を有することを特徴とする閃光放電ランプとする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a gate insulating film 16 provided on a semiconductor layer 10; a gate electrode 9 provided on the gate insulating film 16 and having at least one opening 8 between adjacent well regions 13; a source electrode 19 in ohmic contact with the source region 15; and a drain electrode 18 provided on the rear surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体装置は、半導体層１０上に設けられたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に設けられ、隣接するウェル領域１３間に少なくとも１つの開口部８を有するゲート電極９と、ソース領域１５にオーミック接触するソース電極１９と、半導体基板１１の裏面に設けられたドレイン電極１８とを備えている。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.例文帳に追加

固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁

This method is provided with a process of forming the upper surface electrodes 13 made of a thick film on the upper surface of a sheet-like insulation substrate 11; a process of sticking the insulation substrate 11 on a fixing tape 19 so that its upper surface side may contact the fixing tape; and a process of dicing a region including the upper surface electrode 13 of the insulation substrate 11 stuck on the fixing tape 19.例文帳に追加

シート状の絶縁基板１１の上面に厚膜からなる上面電極１３を形成する工程と、前記絶縁基板１１をその上面側が固定テープ１９に接するように固定テープ１９に貼り付ける工程と、前記固定テープ１９に貼り付けられた絶縁基板１１の上面電極１３を含む領域をダイシングで切断する工程とを備えたものである。 - 特許庁

In coining processing of a tooth part 3 of a processing object 1 which is preformed by punching a tabular steel plate, a press member 14 is first come into press-contact with the processing object 1 placed on a base 12 of a tooth shape-forming device 11 in a region except for the periphery including the tooth part 3 to chuck the processing object 1 by the base 12 and the press member 14.例文帳に追加

板状部材である鋼板をプレス抜きして予備成形された加工対象物１の歯部３をコイニング加工する際に、まず歯形成形装置１１の基台１２上に載置した加工対象物１の歯部３を含む周縁部を外した領域に押え部材１４を圧接させ、この加工対象物１を基台１２と押え部材１４とでチャッキングする。 - 特許庁

More specifically, the projecting part is formed on the surface of the alignment layer by using the liquid composition which is the same in each application treatment or using the liquid composition whose component is adjusted, as the vertical alignment layer material, and dropping and applying the liquid composition being the vertical alignment layer material on a portion of a region in contact with the liquid crystal on the substrate in at least one application treatment.例文帳に追加

より具体的には、各塗布処理で、垂直配向膜材料として同じまたは成分を調整した液体組成物を用い、少なくとも１回の塗布処理で、垂直配向膜材料である液体組成物を基板上の液晶と接する領域のうちの一部に滴下により塗布することによって、配向膜表面に凸部を形成する。 - 特許庁

This photoreduction method comprises fringing a higher valence metal porphyrin complex into contact with a saccharide in an aqueous electrolyte solution in a nitrogen atmosphere, or irradiating the above complex with light within the ligand-to-metal-charge-transfer (called LMCT) absorption band wavelength region to reduce the complex to the corresponding lower valence metal porphyrin complex.例文帳に追加

高原子価金属ポルフィリン錯体を、電解質水溶液中で窒素雰囲気下糖類と接触させるか、或いは一酸化炭素雰囲気下において、その配位子−中心金属間電荷移動（Ｌｉｇａｎｄ ｔｏ Ｍｅｔａｌ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ：ＬＭＣＴと呼ぶ）吸収帯波長域の光照射により、相当する低原子価金属ポルフィリン錯体へ還元することを特徴とする光還元方法。 - 特許庁

This semiconductor device has: a conductive pad which is a bit line landing pad formed in a non-cell region of a semiconductor substrate; a conductive pattern which is formed on the periphery of the top face of the conductive pad and includes an opening that partially exposes the conductive pad; and a conductive contact which fills the opening and connects the conductive pad to upper wiring.例文帳に追加

前記半導体装置は、半導体基板の非セル領域に形成されたビットラインランディングパッドである導電性パッド、前記導電性パッドの上面の周辺部上に形成され、前記導電性パッドを部分的に露出させる開口を含む導電性パターン、そして前記開口を埋め立て、前記導電性パッドを上部配線と連結する導電性コンタクトを含む。 - 特許庁