「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

The embedded layer 50 is positioned at least below the first well 42 in contact with the first well, and formed such that the end 50a on the side of the peripheral circuit region 200 is positioned in the dummy cell region 300.例文帳に追加

埋込み層５０は、少なくとも第１ウェル４２の下に位置し、第１ウェルと接して形成され、かつ、周辺回路領域２００側の端部５０ａがダミーセル領域３００内に位置するように形成される。 - 特許庁

A specific region on an inner surface of the folded thin film body 3a1 and the lead body 3A come into direct contact with and welded to each other in a predetermined region R3U without the intermediary of the plated layer 3a2.例文帳に追加

折り曲げられた薄膜本体３ａ１の内側表面の特定領域と、リード本体３Ａとは、所定領域Ｒ３Ｕにおいて、メッキ層３ａ２を介することなく、直接接触して溶接されている。 - 特許庁

While gate word line protrusions (33a-33d) are provided in a border region of a memory cell forming area (20), a contact to this gate word line protrusion is provided in the border region of the memory cell of an adjacent line.例文帳に追加

メモリセル形成領域（２０）の境界領域においてゲートワード線突出部（３３ａ−３３ｄ）を設けるとともに、このゲートワード線突出部に対するコンタクトを、隣接列のメモリセルの境界領域において設ける。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1 formed with an active region 1ac on a surface side, a source electrode 7s and a drain electrode 7d composed of a refractory metal are formed in a state of being in ohmic contact with the active region 1ac.例文帳に追加

表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対してオーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。 - 特許庁

Consequently, the low-refractive-index layer 21 serves to confine light emitted from the light emission region 16, and the contact layer 19 becomes harder to operate as an absorbing layer for the light emitted from the light emission region 16.例文帳に追加

このため、低屈折率層２１が発光領域１６から発生した光を閉じ込める役割を果たすこととなり、コンタクト層１９は発光領域１６から発生した光の吸収層として働きにくくなる。 - 特許庁

Accordingly, the access transistor Q5 is formed into a DTMOS structure where its gate electrode and body region are connected by the contact 45, which is further electrically connected to the body region of the first driver transistor Q1.例文帳に追加

よって、アクセストランジスタＱ５はそのゲート電極とボディー領域との間がコンタクト４５で接続されたＤＴＭＯＳ構造になり、コンタクト４５はさらに第１ドライバトランジスタＱ１のボディー領域にも電気的に接続する。 - 特許庁

In this method, mask pillars 40 are formed by exposing and developing resist films at positions corresponding to contact hole forming areas on a source region 16 and a drain region 18 of a polycrystalline silicon film 14 and a gate electrode 34.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１４のソース領域１６、ドレイン領域１８およびゲート電極３４の上の、コンタクトホール形成領域に対応した位置のレジスト膜を露光、現像してマスクピラー４０を形成する。 - 特許庁

In at least a final transfer stage 4 disposed at a part where the width of the transfer path 1 narrows, a barrier region 6 forming a potential barrier between the drain region 5 and the transfer path 1 is formed in contact with the final transfer stage.例文帳に追加

転送路１の幅の狭くなっている部分にある少なくとも最終転送段４には、ドレイン領域５と転送路１との間にポテンシャル障壁を形成するバリア領域６が接して形成されている。 - 特許庁

Then, a region of the piezoelectric layer 43 in contact with the vibration plate 40 is formed into a high-conductivity region 43b by diffusing metal atoms of the vibration plate 40, and the vibration plate 40 is electrically connected to the common electrode 42.例文帳に追加

すると、圧電層４３の振動板４０と当接している領域は、振動板４０の金属原子が拡散して高導電領域４３ｂとなり、振動板４０及び共通電極４２と導通する。 - 特許庁

A third electrode 104c consisting of a tungsten film is formed on the region 102c via the film 103A and comes into contact with the region 102c via an aperture 103a.例文帳に追加

タングステン膜からなる第３の電極１０４ｃは第３の領域１０２ｃの上に第２の絶縁膜１０３Ａを介して形成され且つ開口部１０３ａを介して第３の領域１０２ｃと接触している。 - 特許庁

A fourth electrode 104d consisting of a tungsten film is formed on the region 102d via the film 103A and comes into contact with the region 102d via the aperture 103a.例文帳に追加

タングステン膜からなる第４の電極１０４ｄは第４の領域１０２ｄの上に第２の絶縁膜１０３Ａを介して形成され且つ開口部１０３ａを介して第４の領域１０２ｄと接触している。 - 特許庁

Polysilicon plugs 14a, 14b are formed in a contact hole 13 penetrating a silicification prevention protective film 8 and a first interlayer insulating film 12 on the source region 7a and the drain region 7b of the transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース領域７ａ、ドレイン領域７ｂ上には、シリサイド化防止保護膜８及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１３内にポリシリコンプラグ１４ａ、１４ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.例文帳に追加

電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The non-toxic region may be a pharmacologically inert substance and is a region such as a layer, a coating, or a shell that provides an isolation barrier between the toxic or potent interior and exterior contact.例文帳に追加

この非毒性領域は、薬理学的に不活性な物質であり得、そして毒性または有効性を有する内部と外部接触との間に隔離バリアを提供する、層、コーティングまたはシェルのような領域であり得る。 - 特許庁

A p+ type impurity region 15a for suppressing the occurrence of a dark current is formed on the top surface of the photodiode portion 15 and the side surface of the photodiode portion 15 which is in contact with the element isolation region 17.例文帳に追加

フォトダイオード部１５の表面上と、フォトダイオード部１５の素子分離領域１７と接する側の側面には、暗電流が発生するのを抑制するためのｐ＋型不純物領域１５ａが形成されている。 - 特許庁

In a MOS transistor having a nonsalicide structure, a silicide film 9d, 9e is formed only at a portion corresponding to the contact hole on a surface of a gate electrode 7b, a source region 4b, and the drain region 5b.例文帳に追加

そして、非サリサイド構造とするＭＯＳトランジスタに関しては、ゲート電極７ｂ、ソース領域４ｂ及びドレイン領域５ｂの表面のうちコンタクトホールに対応する部位のみにシリサイド膜９ｄ、９ｅを形成する。 - 特許庁

When the outer peripheral region S 2 is pressed between the electrode 50 and the presser body 52, the inner peripheral region S 1 comes into tight contact with a top surface 3a of the main substrate 3 on the inner side of the electrode 50.例文帳に追加

前記外周領域Ｓ２が前記電極５０および前記押さえ体５２との間で押圧されたときに、前記内周領域Ｓ１が前記電極５０の内側で前記主基板３の上面３ａに密着する。 - 特許庁

A first radiation source is arranged so as to emit radiation to a first region of the insulating layer and a first electric contact is arranged so as to apply a first bias voltage to the first region.例文帳に追加

第１の放射線源は、絶縁層の第１の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第１の電気接点は、第１の領域へ第１のバイアス電圧を印加するように構成される。 - 特許庁

On the multilayer interconnection board for composing the solid-state image pickup device, there is a region in which no through holes are disposed around a region in which the nail component of a support member in the solid-state image pickup device comes into contact with the side of the multilayer interconnection board.例文帳に追加

固体撮像装置を構成する多層配線基板に、固体撮像装置支持部材の爪部品と多層配線基板の側面とが当接する領域周辺に、スルーホールを配置しない領域を設ける。 - 特許庁

On the control board 550, the blank region 502 to be the shadow of the reception antenna 331 and the non-contact IC tag 332 installed in the installation region 501 when viewing the inner side of the board case 310 is provided.例文帳に追加

制御基板５５０上には、基板ケース３１０の内側を目視する際、設置領域５０１に設置された受信アンテナ３３１や非接触ＩＣタグ３３２の陰になる空白領域５０２が設けられている。 - 特許庁

By forming a convex part or a trench (groove) in an insulation layer and providing a channel formation region of a semiconductor layer in contact with the convex part or the trench, the channel formation region is extended in a substrate vertical direction.例文帳に追加

絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。 - 特許庁

In the drain region 8D between a pair of drain contacts 10D, a high-resistance region 30D in which the on-drain silicide film 5D is not formed, is provided at least in a region between a terminal position of a drain contact 10D at the side of the gate electrode 4 and the sidewall spacer 7.例文帳に追加

一対のドレインコンタクト１０Ｄ間に位置するドレイン領域８Ｄのうち、少なくともドレインコンタクト１０Ｄのゲート電極４側の端部位置とサイドウォールスペーサー７との間の領域に、ドレイン上シリサイド膜５Ｄが形成されていない高抵抗領域３０Ｄが設けられている。 - 特許庁

Only a toner image for printing is formed on a region, where deformation caused by contact with tensioning and laying means on the intermediate transfer body shows such an extent that the image correction is not appropriately performed if a toner image for controlling is formed on the deformed region, but the toner image for controlling is not primarily transferred to that region.例文帳に追加

中間転写体上の、張架手段との接触によって生じた変形が、その変形領域に制御用トナー像を形成すると画像補正が適正に行われない程度のものである領域には、プリント用トナー像のみを形成し、制御用トナー像は一次転写しない。 - 特許庁

The p/n-inversion region caused by thermal donor generation is formed at a depth position not contacting the device activation region and the depletion region to be formed so as to contact therewith when heat treatment at 450°C for one hour is applied, and the depth position exceeds 8 μm from the surface.例文帳に追加

前記サーマルドナー発生に起因するｐ／ｎ反転部は、４５０℃にて１時間加熱する処理を行った場合に、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置に形成され、そして、その深さ位置は、表面から８μｍを超えるものである。 - 特許庁

A region in the AlGaAs emitter layer 5, which is not covered with the GaAs emitter layer 6, is a passivation region 10, and a base electrode 11 in contact with the base layer 4 is formed inside the opening part of the AlGaAs emitter layer 5 so as to extend to the passivation region.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓエミッタ層５において、ＧａＡｓエミッタ層６に覆われていない領域はパッシベーション領域１０となっており、ＡｌＧａＡｓエミッタ層５の開口部内には、ベース層４に接触するベース電極１１がパッシベーション領域上まで延出するように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device of high reliability can be prepared because electric field formed by drain voltage is relaxed, by allowing the source region or the drain region to contact the side of the island semiconductor film which is the channel formation region, thereby allowing a depletion layer to spread in a film thickness direction and in a lateral direction.例文帳に追加

かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域，Ｓｉ活性層領域，ゲート電極，サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

The charge storage region is provided so as to contact the interface between the substrate and the insulator film (21), and includes a first conductive type (P-type) region (17) formed of a first conductive type (P-type) semiconductor and second conductive type (N-type) regions (11 and 12) provided under the first conductive type (P-type) region.例文帳に追加

そして、電荷蓄積領域は、基板と絶縁膜（２１）との界面に接するように設けられ、第１導電型（Ｐ型）半導体で形成された第１導電型（Ｐ型）領域（１７）と、その下に設けられ第２導電型（Ｎ型）領域（１１、１２）とを含むものである。 - 特許庁

Further, the plurality of insulating columns 22a to 22d are positioned in a region B different from an arrangement region A of the semiconductor element 10, and arranged at irregular intervals (a) and (b) in a rotating direction of the semiconductor element 10 in a region C which comes into contact with the semiconductor element 10 when the semiconductor element 10 rotates.例文帳に追加

また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の配置領域Ａと異なる領域Ｂに位置し、且つ、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔ａ，ｂでそれぞれが配置されている。 - 特許庁

Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11).例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐベース領域３に挟まれたｎ^- ドリフト領域１の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極１０の一部領域をショットキー接触（ショットキー接合１１）させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。 - 特許庁

In a diode cell 20, a P-type resurf region 52 is formed as an anode having a depth deeper than a trench 38 of an IGBT cell 10 and a surface density lower than that of a channel layer 37, and a P+ type second contact region 55 is formed on a surface part of the resurf region 52.例文帳に追加

ダイオードセル２０において、ＩＧＢＴセル１０のトレンチ３８よりも深く、チャネル層３７よりも面密度が小さいアノードとしてのＰ型のリサーフ領域５２が形成され、このリサーフ領域５２の表層部にＰ＋型の第２コンタクト領域５５が形成されている。 - 特許庁

Since the width of the second cavity region 72 is smaller than that of the first cavity region 71, even if resin injection pressure is applied to the thermistor 10, the lead wires 12, 13 contact the inner wall portion of the second cavity region 72, thereby regulating the movement of the thermistor 10.例文帳に追加

そして、第２キャビティ領域７２の幅が第１キャビティ領域７１よりも狭くなっているため、樹脂注入圧力がサーミスタ１０に作用した場合でも、リード線１２，１３が第２キャビティ領域７２の内壁面に接触することでサーミスタの移動が規制される。 - 特許庁

On a face plate 1017, an image display region 101 as a phosphor region is formed, and a conductive member 102 is formed to surround the image display region 101, an anode electrode outer border 104, and a high voltage input terminal contact section 100.例文帳に追加

フェースプレート１０１７上には、蛍光体領域である画像表示領域１０１が形成されており、導電性部材１０２が、画像表示領域１０１、アノード電極外周辺１０４、および高圧導入端子当接部１００の周りを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

An under fill material 9 is filled in a region R1 of the region R sandwiched by the two printed circuit boards 2 and 6, the region R1 containing two or more gaps of the bonding electrode terminals 7, such that it is in non-contact with the semiconductor element 1 lying between the two printed circuit boards 2 and 6.例文帳に追加

そして、２つのプリント配線基板２，６で挟まれた領域Ｒのうち、複数の接合用電極端子７の間隙を含む領域Ｒ１に、２つのプリント配線基板２，６間に介在する半導体素子１と非接触状態でアンダーフィル材９が充填されている。 - 特許庁

Gas that is chemically inert to a semiconductor wafer (4) is sprayed to an element formation region (7) of the semiconductor wafer (4), a probe needle (3) is brought into contact with the element formation region (7), and at the same time an electrical signal is received from the probe needle (3) to inspect the electrical characteristics of the element formation region (7).例文帳に追加

半導体ウエハ(4)に対して化学的に不活性なガスを半導体ウエハ(4)の素子形成領域(7)に吹き付け、素子形成領域(7)にプローブ針(3)を当接させと共に、プローブ針(3)から電気的信号を受信して素子形成領域(7)の電気的特性を検査する。 - 特許庁

In a method for forming the wiring structure of the semiconductor device, a first insulator film is formed on a substrate having a cell region and a peripheral circuit region, and a first contact plug having a first conductive material, which extends through the first insulator film, is formed in the cell region.例文帳に追加

半導体装置の配線構造物の形成方法において、セル領域及び周辺回路領域を有する基板上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜を貫通して延長する第１導電物質を含む第１コンタクトプラグを前記セル領域に形成する。 - 特許庁

When the need for the processing arises, the desired processing can be performed by breaking the partition 36 to introduce the processing liquid 38 housed in the processing liquid storage region 32 into the lens housing region 12 and housing the contact lens into the lens housing region 12.例文帳に追加

そして、処理が必要とされた際に、隔壁３６を破断させて、処理液貯留領域３２に収容した処理液３８をレンズ収容領域１２に導き入れて、該レンズ収容領域１２にコンタクトレンズを収容することで目的とする処理を施すことが出来るようにした。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, the contact hole of a region where the drain electrode of a thin film transistor and the pixel electrode of the pixel area of the display device are electrically connected is formed over the prescribed region of the drain electrode and the prescribed region of the pixel electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタのドレイン電極と前記画素領域の画素電極が電気的に連結される部位のコンタクトホールが前記ドレイン電極の所定部位と前記画素領域の所定部位にわたって形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Gate wiring is provided around an element region, a trench is extended in the element region and under the gate wiring, a gate electrode is provided inside the trench in the element region, and a gate electrode pull-out part in contact with the gate wiring is provided inside the trench under the gate wiring.例文帳に追加

素子領域の周囲にゲート配線が設けられ、素子領域及びゲート配線の下にトレンチが延在し、素子領域におけるトレンチの内部にはゲート電極が設けられ、ゲート配線の下におけるトレンチの内部には、ゲート配線に接するゲート電極引き出し部が設けられている。 - 特許庁

Out of the inner face of the press-fit holes 14, 14A in the housing 10, the inner face corresponding to the region where the contact part 41 passes has a shape to be gradually separated from the region toward the crowning 62, 62A corresponding to the center part 65 in width direction of the region.例文帳に追加

ハウジング１０における圧入孔１４，１４Ａの内面のうち、接触部４１が通過する領域に対応する内面は、同領域の幅方向中心部６５に対応した頂部６２，６２Ａに向かって同領域から次第に離れる形態をなしている。 - 特許庁

An extension drain region 103 composed of an n--type impurity layer is formed in the semiconductor layer 1 so that the bottom of the region 103 may come into contact with the insulating layer 101 and, at the same time, a source region 104 composed of an n+-type impurity layer is formed in the surface section of the semiconductor layer 102.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０２には、底部が絶縁層１０１と接するようにｎ^- 型の不純物層からなる延長ドレイン領域１０３が形成されていると共に、ｐ型半導体層１０２の表面部にはｎ^+ 型の不純物層からなるソース領域１０４が形成されている。 - 特許庁

In a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it, the high concentration impurity region, which is formed parallel to a gate electrode at a distance apart from only a position with a contact hole to be formed, is included.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部において、コンタクトホールが形成されるべき位置だけ離隔した距離にゲート電極と平行に形成された高濃度不純物領域を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of sufficiently achieving low resistance of a region equivalent to a source region and a drain region of a TAOS layer in a self-aligned TAOS TFT of bottom contact structure, and also to provide a manufacturing method of an electrode substrate for a display device which uses this TAOS TFT.例文帳に追加

ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。 - 特許庁

Thereafter, after a carbon cap 17 is removed by conducting the ion activation annealing under the condition that the carbon cap 17 is formed on the p-well region 12, source region 13 and p^+ contact region 15; the outermost surface of the substrate is polished with CMP until the average surface roughness of about 0.1 to 0.5 nm can be attained.例文帳に追加

その後、ｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５の上にカーボンキャップ１７を形成した状態でイオン活性化アニールを行い、カーボンキャップ１７を除去してから、ＣＭＰにより基板の最表面を、平均表面粗さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ程度まで研磨する。 - 特許庁