「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, by repeating a step to select a small region out of small regions (c) not selected in the previous step and to conduct the polarization reversal operation by bringing the first electrode into contact with the selected small region for required times, overall scheduled reversal region is subjected to polarization reversal.例文帳に追加

そして、先のステップにおいて選択されなかった小領域ｃのうちから小領域を選択して第一電極を形成し分極反転を行なうステップを、必要回数だけ繰り返すことによって、反転予定領域を全面的に分極反転させる。 - 特許庁

An upper conductive film 13c is formed so as to extend from the inside of the contact hole to a region positioned on the upper surface of the upper interlayer insulating film, and at least either the source region or the drain region is connected thereto.例文帳に追加

上層導電体膜１３ｃは、コンタクトホールの内部から上層層間絶縁膜の上部表面上において下層導電体膜上に位置する領域にまで延在するように形成され、ソースおよびドレイン領域の少なくともいずれか一方と接続されている。 - 特許庁

To obtain a magnetic head which can perform magnetic recording and reproducing to/from an information recording medium with a simpler configuration than heretofore and in which a magnetization free region is made into a magnetic domain and a magnetization fixing region is made into a magnetic fixing region correctly near a minute constricted part (minute contact point).例文帳に追加

従来よりも簡易な構成で、情報記録媒体に対する磁気記録又は再生が可能であり、磁化自由領域の単磁区化や磁化固定領域の磁化固定が微小くびれ部（微小接点）付近においても正確に行われている磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

The control means controls in such a manner that upon rendering the interfacial shape into a shape giving the target optical power in a region with hysteresis, a contact angle of the aimed liquid always reaches a target contact angle in terms of a receding angle.例文帳に追加

制御手段は、界面形状を、ヒステリシスがある領域中の目標光学パワーの形状にもたらすとき、着目する液体の接触角が常に後退角で目標接触角に達するようにする。 - 特許庁

A determination part 23 determines the presence/absence of the movement of the contact region, and a moving amounts calculation part 24 calculates the moving amounts of the contact point by using the top end coordinates Y or the central coordinates y based on the determination result.例文帳に追加

判定部２３は、接触領域の移動の有無を判定し、この判定結果に基づき、移動量計算部２４において先端座標Ｙまたは中心座標ｙを用いて接触点の移動量を算出する。 - 特許庁

A connecting housing element 12, which supports a connecting terminal 11 and in which a contact region 50 for a connecting terminal 10 to make contact with the terminal 11 to be connected is formed, is connected to a housing element 2 to be connected by engagement.例文帳に追加

接続端子１１を支持する接続用ハウジング要素１２は、被接続端子１１と接続端子１０との接触領域５０が内部に形成され、被接続用ハウジング要素２と嵌合接続される。 - 特許庁

A ring around the first peripheral end face contact 28 on an end face at the tip side of the body 27 is a first cleaning surface 29A in contact with a peripheral region on one surface of the substrate.例文帳に追加

胴部２７の先端側の端面における第１周端面当接部２８の周囲の円環帯状の部分が、基板の一方表面の周縁領域に当接する第１洗浄面２９Ａとなっている。 - 特許庁

Thus, the roller outside a contact region with a tube 51 makes contact with the damper member to block free movement of the roller in the support groove and quietness during movement is improved.例文帳に追加

したがって、チューブ５１との接触領域外にあるローラは前記ダンパ部材に接触し、ローラが支持溝内を自由に移動するのが阻止され、駆動時における静粛性を向上させたチューブポンプを提供することができる。 - 特許庁

Then, after an upper surface of the second insulating film 131a is planarized, a contact hole to the impurity region 118 of the transistor T is formed, and a conductor is embedded in the contact hole to form a plug 133.例文帳に追加

次に、第２の絶縁膜１３１ａの上面を平坦化した後、トランジスタＴの不純物領域１１８に到達するコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホール内に導体を埋め込んでプラグ１３３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises, for example, semiconductor layers DF2(n) and DF1(n^+) and a contact layer CNTd for a drain, a semiconductor region DFA and a contact layer for a source, and a gate layer GT arranged between the source and the drain.例文帳に追加

例えば、ドレイン用の半導体層ＤＦ２（ｎ），ＤＦ１（ｎ^＋）およびコンタクト層ＣＮＴｄと、ソース用の半導体領域ＤＦＡおよびコンタクト層と、ソース・ドレイン間に配置されるゲート層ＧＴとを備える。 - 特許庁

The electrode layers 113a and 114a are brought into contact with the bottom of a phase change layer 115 in a partially overlapping state in the region deviated from right above the contact surface (Y) of the phase change layer and a heater electrode.例文帳に追加

引き出し電極層（１１３ａ，１１４ａ）は、相変化層とヒータ電極との接触面（Ｙ）の直上から外れた領域において、相変化層（１１５）の底面に部分的な重なりをもつ形態で接触する。 - 特許庁

To provide a non-contact IC card and a portable terminal device having a non-contact IC card function that can reduce a communication disabled region at a reader/writer as well as almost does not increase price, thickness, size, or weight.例文帳に追加

リーダライタにおける通信不可領域の低減ができ、しかも価格、厚み、大きさ、重量の増大を殆ど招くことない非接触ＩＣカード及び非接触ＩＣカード機能付き携帯端末装置の提供。 - 特許庁

Upon the assemblage of the brushes, the brush having the contact pieces smaller in number than other is disposed outside the flexible printed board, and the brush having the contact pieces larger in number than other is disposed in a region with no level difference, of the flexible printed board.例文帳に追加

そして、ブラシ組込時に、接片の本数の少ない方をフレキシブルプリント基板外に配置し、接片の本数の多い方をフレキシブルプリント基板の段差の無い範囲に配置する事を特徴とする構成とした。 - 特許庁

The ultrasonic diagnostic apparatus intentionally generates the artifact phenomenon by regulating the shape and the contact angle, etc., of an ultrasonic probe 3 brought into contact with the abnormal region to classify the artifact phenomenon.例文帳に追加

超音波診断装置は、異常部位に接触させる超音波探触子３の形状や接触角度等を調節することにより、アーチファクト現象を意図的に発生させ、前記アーチファクト現象の類別を行う。 - 特許庁

Regions AR3021C, AR3022C where two of the resistive storage elements contact the diode element are each cut by F1 smaller than F (minimum processing size), and smaller than the contact region AR3020C.例文帳に追加

２個の抵抗性記憶素子がダイオード素子と接触する領域ＡＲ３０２１Ｃ、ＡＲ３０２２Ｃは、それぞれＦ（最小加工寸法）より小さいＦ１だけ削られており、上記接触領域ＡＲ３０２０Ｃよりも小さい。 - 特許庁

A side face part 1 integrally structured for restricting the storage vessel is formed as a liplike sealing element 6 in a contact region with an ink fountain roller so that the side face part 1 comes into contact elastically with the ink fountain roller.例文帳に追加

貯蔵容器を制限する一体に構成された側面部分１が、インキ出しローラとの接触領域において、リップ状のシールエレメント６として該インキ出しローラに弾性的に接触するように形成されている。 - 特許庁

Since the metal oxide silicide film consisting of the ternary system of metal, silicon and oxygen can be uniformly formed between the contact region and a contact, the semiconductor device has improved thermal stability and electric characteristics.例文帳に追加

コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 - 特許庁

The upstream member 1 has a plurality of ribs coming in contact with the membrane electrode assembly 5, each rib forms an upstream region 6a of an air chamber 6 by the contact of each rib with the membrane electrode assembly 5.例文帳に追加

上流用部材１は、膜電極接合体５に当接する複数本のリブ１ａを有し、各リブ１ａが膜電極接合体５に当接することによって空気室６の上流域６ａを形成している。 - 特許庁

When the distance of the side 50 of the first metal silicide layer 30, and one side of the contact 16 of the well tap region 14 is set to L4 and the distance of the side 54 and one side of the contact 18 is set to L5, it is made L5≥L4.例文帳に追加

第１金属シリサイド層３０の辺５０とウェルタップ領域１４のコンタクト１６の一辺との距離をＬ４、辺５４とコンタクト１８の一辺との距離をＬ５とした場合に、Ｌ５≧Ｌ４にする。 - 特許庁

Preferably, a gold (Au)-made conductive bump is formed on the passivation layer and makes electrical contact with the upper surface region which extends via the opening in the passivation and to which the contact pad is exposed.例文帳に追加

好適には金（Ａｕ）からなる導電性バンプが該パッシベーション層の上に形成されて該パッシベーションにおける開口を介して延在し該コンタクトパッドの露出されている上表面区域と電気的に接触している。 - 特許庁

To suppress a junction leak due to contacting of a shared contact with an extension region, to make contact without causing an increase in area nor an increase in resistance, and to contribute to element characteristic improvement and microfabrication.例文帳に追加

シェアードコンタクトがエクステンション領域に接触することによるジャンクションリークを抑制することができ、且つ面積の増大や抵抗の上昇を招くことなくコンタクトを取ることができ、素子特性及び微細化に寄与する。 - 特許庁

To form an aperture exposing a PAD (pad) in one process and to reliably measure the contact resistance by specifying the vertical position of the PAD, a contact hole or the like in an inspection element formation region.例文帳に追加

検査素子形成領域におけるＰＡＤ及びコンタクトホール等の垂直位置を規定することによって、ＰＡＤを露出させる開孔部を１工程で形成すると共に、確実なコンタクト抵抗の測定を可能にする。 - 特許庁

A part 144 for detecting an arch of a foot detects parameters showing a state of an arch of a foot of a sole of the subject person from a contact region 69 making a contact with the sole of the subject person in a pressure distribution sensor 11.例文帳に追加

土踏まず検出部１４４が、圧力分布センサ１１における被計測者の足裏と接触する接触領域６９から被計測者の足裏に係る土踏まずの状態を示すパラメータを検出する。 - 特許庁

To reduce contact resistance (injection resistance) to a channel region while ensuring the film quality of an organic semiconductor layer, in a top contact structure in which a source electrode/drain electrode and the organic semiconductor layer are contacted with each other strongly.例文帳に追加

ソース電極／ドレイン電極と有機半導体層との接触が強固なトップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。 - 特許庁

To allow a user who performs an operation input, on a display where operational input is performed by a contact of an object, to easily understand a region where a contact by a plurality of objects is allowed.例文帳に追加

物体の接触による操作入力が行われる画面上において、複数の物体による接触が行われることのできる領域を、その操作入力を行うユーザが容易に理解できるようにする。 - 特許庁

The area of the region of the second electrode overlapping the light-emitting layer when viewed from the stacking direction from the first semiconductor layer to the second semiconductor layer is larger than the contact area of the contact portion with the first semiconductor layer.例文帳に追加

第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第２電極の領域の面積は、接触部の第１半導体層との接触面積よりも大きい。 - 特許庁

A conductor layer, preferably a noble metal layer, further preferably a gold-plated layer 24 is provided so as to include a region where the insulation barrier 4 and the brush 1 slidably contact, and blocks the contact of the insulation barrier and the brush.例文帳に追加

絶縁バリア４のブラシ１と摺接する領域を含むようにして導体層、好ましくは貴金属層、さらに好ましくは金めっき２４の層を設け絶縁体バリアとブラシとの接触を断った。 - 特許庁

The electric structure element has a structure in which the contact means (40) has a recess part (43) on a second surface (42) thereof and the bonding wire (50) is connected to the contact means (40) in the region of the recess part (43).例文帳に追加

前記課題は、コンタクト手段（４０）が第２の面（４２）に凹入部（４３）を有し、ボンディングワイヤ（５０）が該凹入部（４３）の領域においてコンタクト手段（４０）に接続されている構成によって解決される。 - 特許庁

To form aperture parts through which PAD should be exposed, in one process by prescribing vertical positions of PAD, contact holes, etc. in an inspection element forming region and to allow a contact resistance to be surely measured.例文帳に追加

検査素子形成領域におけるＰＡＤ及びコンタクトホール等の垂直位置を規定することによって、ＰＡＤを露出させる開孔部を１工程で形成すると共に、確実なコンタクト抵抗の測定を可能にする。 - 特許庁

A plurality of portions 1b1 which do not contact the flexible member 2 are provided in a region 1b which slides in contact with the flexible member 2, of a holding member for holding a heating body 3, on the upstream of the recording material transport direction.例文帳に追加

加熱体３を保持する保持部材２において、可撓性部材２と摺動する記録材搬送方向の上流側の領域１ｂに、前記可撓性部材と接触しない部分１ｂ１を複数設ける。 - 特許庁

It is possible thereby to strongly bring the cleaning blade 63 into press contact with the part coming into contact with the dust proof glass 27, and to bring it into close sticking with the surface of the dust-proof glass 27 uniformly over the whole region in the main scanning direction.例文帳に追加

これにより、クリーニングブレード６３と防塵ガラス２７との接触部において強く圧接させることができ、且つ主走査方向全域において均一に、防塵ガラス２７表面に密着させることができる。 - 特許庁

Further, a p-type layer 12 is provided with a high-resistance surface 12sr so as to eliminate ohmic contact between a "p" contact electrode 121 and a p-type layer 12 below the large-area portion 130p and in a region wider than it.例文帳に追加

更には大面積部１３０ｐの下方とそれよりも広い領域においてｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２のオーミック接触を排除するため、ｐ型層１２に高抵抗面１２ｓｒを設けておく。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a cobalt film in contact with a specified region of a silicon region, a step for forming a titanium film and a titanium nitride film in this order on the cobalt film, and a step for making the specified region of the silicon region react with the cobalt film by heat treatment to form a cobalt silicide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン領域の所定領域と接するコバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜上にチタン膜、窒化チタン膜を順次形成する工程と、熱処理により前記シリコン領域の所定領域と前記コバルト膜とを反応させ、コバルトシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A contact type mask ROM including the memory cell array region 10 and a peripheral circuit region, includes a plurality of vias 104A to 104R, and 102R to 102H connecting predetermined wiring layers to each other, wherein the via 102A to 102H of the memory cell array region used for programming, and the vias 104A to 104R in the peripheral circuit region are different in diameter.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域１０と、周辺回路領域を含むコンタクト方式のマスクＲＯＭであって、所定の配線層間を接続する複数のビア１０４Ａ〜Ｒ、１０２Ａ〜Ｈ、を含み、プログラミングに使用されるメモリセルアレイ領域１０のビア１０２Ａ〜Ｈと、前記周辺回路領域のビア１０４Ａ〜Ｒとでは、径の大きさが異なるマスクＲＯＭ。 - 特許庁

The diode includes a semiconductor substrate 11 constituted of an N^+ semiconductor layer 1 and an N^- semiconductor layer 2, a P- type anode region 15 formed by selectively diffusing an impurity into an outer surface of the N^- semiconductor layer 2, and an anode electrode 17 conducting with the anode region 15 via a contact region 17c in the anode region 15.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体層１及びＮ^−半導体層２からなる半導体基板１１と、Ｎ^−半導体層２の外面に対する選択的な不純物拡散により形成されたＰ型のアノード領域１５と、アノード領域１５内のコンタクト領域１７ｃを介してアノード領域１５と導通するアノード電極１７とを備える。 - 特許庁

A storage MISFET comprises a high resistance SiC layer 102 epitaxially grown on a SiC wafer 101, a P-type well region 103, an n-type storage channel layer 104 having a multiple δ dope layer formed on the surface region of the region 103, a contact region 105, a gate insulation film 108, and a gate electrode 110.例文帳に追加

蓄積型ＭＩＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１０１上にエピタキシャル成長された高抵抗ＳｉＣ層１０２と、ｐ型ウェル領域１０３と、ｐ型ウェル領域１０３の表面領域に形成された多重δドープ層を有するｎ型の蓄積チャネル層１０４と、コンタクト領域１０５と、ゲート絶縁膜１０８と、ゲート電極１１０とを備えている。 - 特許庁

A magnet 101 of a rotor 100 is divided into an upper magnet region 110 and a lower magnet region 120 and poles different from each other in the axial direction of a rotating shaft 102 are formed in the upper magnet region 110 and the lower magnet region 120, so that a flux flowing through the contact part 80 of upper and lower stators 40 and 50 can be controlled.例文帳に追加

ロータ１００のマグネット１０１を上側マグネット領域１１０と下側マグネット領域１２０に分割し、上側マグネット領域１１０と下側マグネット領域１２０間で、回転軸１０２の軸方向で互いに異極を形成したことにより、上下のステータ４０，５０の接触部分８０を介して流れる磁束を抑制できる。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, an N-type region for receiving signals from an external connection terminal via a P-type region in contact with the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is formed near the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の近傍に、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域と接したＰ型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

Also, a region 17 where a contact resistance with the p-type layer 13 is higher than that in the other region of the transparent electrode 14 is formed in the region positioned right below the p pad electrode 15 of the transparent electrode 14 by the thermal treatment, and since the area 12a positioned below the region 17 of an active layer 12 does not emit light, light emitting efficiency is improved.例文帳に追加

また、熱処理により透明電極１４のｐパッド電極１５直下に位置する領域に、他の透明電極１４の領域よりもｐ型層１３とのコンタクト抵抗が高い領域１７が形成され、活性層１２の領域１７下方に位置する領域１２ａが発光しないため、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Although the display quality is degraded due to the insufficient rubbing on an inclined section on the downstream side in the direction of rubbing and a region B adjacent thereto with respect to a region A inside the contact hole 20a and an apex of the protrusion 40a, the area on which the display quality is degraded is reduced because the region A and the region B overlap with each other.例文帳に追加

コンタクトホール２０ａの内側の領域Ａおよび凸部４０ａの頂部に対してラビング方向の下流側の傾斜部およびその近傍の領域Ｂではラビングが不足するため表示品位が低下するが、領域Ａおよび領域Ｂが重なるため表示品位が低下する領域を低減することができる。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

When the poisoning amount in the first region detected by the poisoning amount detection section 14 is a predetermined value or more, the gas sensor device 1 applies a second voltage higher than the first voltage to the contact combustion type gas sensor 21 so that a second region wider than the first region of the contact combustion type gas sensor 21 has a combustion temperature for combusting polar gas or higher.例文帳に追加

被毒量検出部１４により検出された第１領域における被毒量が所定値以上となる場合、ガス検出装置１は、接触燃焼式ガスセンサ２１の第１領域よりも広い第２領域が有極性ガスを燃焼させる燃焼温度以上となるように、接触燃焼式ガスセンサ２１に第１電圧よりも高い第２電圧を印加する。 - 特許庁

Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁

To prevent a short-circuit and an increase in junction leakage current in a semiconductor device with a structure in which a part of a contact hole is disposed on an element isolation region.例文帳に追加

コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁