「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

At least part of the region in contact with the first contact member 26 on the substrate 23 and a projection region onto the first main surface 23a of the region in contact with the second contact member 28 on the substrate 23 overlap.例文帳に追加

基板２３における第１当接部材２６との当接領域と、基板２３における第２当接部材２８との当接領域の第１主面２３ａへの投影領域とは、少なくとも一部が重畳する。 - 特許庁

In this case, when the contact region is moved, the moving amount calculation part 35 calculates the moving amounts based on the correction coordinates, and when the contact region is stopped, when the contact region is separated, and when the contact is started, the moving amount calculation part 35 calculates the moving amounts based on the central coordinates.例文帳に追加

ここで、接触領域の移動時は補正座標によって移動量を算出し、接触領域の停止時、離反時、及び接触開始時は中心座標によって移動量を算出する。 - 特許庁

In this case, when the contact region is moved, the moving amount calculation part 24 calculates the moving amounts based on the top end coordinates, and when the contact region is stopped, when the contact region is separated, and when the contact is started, the moving amount calculation part 24 calculates the moving amounts based on the central coordinates.例文帳に追加

ここで、接触領域の移動時は先端座標によって移動量を算出し、接触領域の停止時、離反時、及び接触開始時は中心座標によって移動量を算出する。 - 特許庁

Under a boundary section of the base contact region 14, an N-type region 21 having the same conductivity type as the emitter region 13 is formed so as to surround the base contact region 14.例文帳に追加

ベースコンタクト領域１４の境界部の下方には、エミッタ領域１３と同じ導電型を有するＮ型領域２１がベースコンタクト領域１４を包囲するように形成されている。 - 特許庁

The first body contact region 21, the source region 23, the second body contact region 24, and the drain region 26 are arranged in this order along one direction of a surface layer part of a semiconductor layer 20.例文帳に追加

第１ボディコンタクト領域２１、ソース領域２３、第２ボディコンタクト領域２４、及びドレイン領域２６は、半導体層２０の表層部を一方向に沿ってこの順で並んでいる。 - 特許庁

An anode contact region 20 is formed on an outer region of the high-concentration cathode contact region 16 and from a surface of the photodiode PD to the depth of reaching the low-concentration anode region 12.例文帳に追加

アノードコンタクト領域２０は、高濃度カソードコンタクト領域１６よりも外側の領域に、フォトダイオードＰＤの表層から低濃度アノード領域１２に達する深さまで形成される。 - 特許庁

A higher resistive region for an electron hole than the anode region 38 is interposed between the anode region 38 and the circumference contact region 35.例文帳に追加

アノード領域３８と周辺コンタクト領域３５の間には、正孔に対してアノード領域３８よりも高抵抗な領域が介在している。 - 特許庁

The main side 3a has a region 3e in contact with the edge of the main side 3a and a region 3d that is the region other than the region 3e.例文帳に追加

主面３ａは、主面３ａの縁に接する領域３ｅと、該領域３ｅ以外の領域である領域３ｄとを有する。 - 特許庁

A body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed on an epitaxial layer 3 having a gate trench 6.例文帳に追加

ゲートトレンチ６を有するエピタキシャル層３に、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０を形成する。 - 特許庁

Also, when the change region is brought into contact with the optical region in the optical region, and the luminance of the change region is lower than that of the optical region, it is judged that shadows are detected, and the influence is removed.例文帳に追加

また、変化領域が光領域内で、光領域に接していて、光領域より低い輝度の場合は、影が検出されたとしてその影響を除去する。 - 特許庁

A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4.例文帳に追加

ｐボディ領域４内の、ｐボディ領域４領域と、ｎ^+エミッタ領域５およびｐ^+コンタクト領域６との界面には、ｐ^+低抵抗領域４１が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A barrier rib part 190 isolates a contact region of the movable contact portion 164a with the fixed terminal 162 from a contact region of a contact portion 163a with the memory card 20 between the contact portion 163a and the movable contact portion 164a.例文帳に追加

隔壁部１９０は、接触部１６３ａと可動接点部１６４ａとの間に、可動接点部１６４ａの固定端子１６２との接点領域を、接触部１６３ａのメモリカード２０との接触領域から隔離する。 - 特許庁

On the surface layer of p body region 4, an n^+ emitter region 5 and a p^+ contact region 6 are provided adjacently.例文帳に追加

ｐボディ領域４の表面層には、ｎ^+エミッタ領域５とｐ^+コンタクト領域６とが接するように設けられている。 - 特許庁

An N+ region 37 is formed as the contact of the N-diffused layer 35 in a partial region of the P-region 21a.例文帳に追加

Ｐ領域２１ａの一部の領域にＮ拡散層３５のコンタクトとしてＮ^+領域３７が形成されている。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING CONTACT RESISTANCE AT SEMICONDUCTOR CONNECTION REGION例文帳に追加

半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法 - 特許庁

A gate contact is also formed on the gate region of the barrier layer.例文帳に追加

バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。 - 特許庁

The second detection board 140 includes a second contact region.例文帳に追加

第２の検出ボード１４０は第２のコンタクト領域を含む。 - 特許庁

The first detection board 130 includes a first contact region.例文帳に追加

第１の検出ボード１３０は第１のコンタクト領域を含む。 - 特許庁

The well contact 12 has a well contact active region 34 having a plane pattern width wider than that of the memory cell active region 20.例文帳に追加

ウェルコンタクト部１２は、メモリセル活性領域２０よりも平面パターン幅の広いウェルコンタクト活性領域３４を有する。 - 特許庁

A drain contact 2a is formed on the drain region 2, and a source contact 3a is formed on the source region 3.例文帳に追加

前記ドレイン領域２の上にはドレインコンタクト２ａが形成され、前記ソース領域３上にはソースコンタクト３ａが形成される。 - 特許庁

An island-shaped and N-type extension drain region 24 is provided around a drain contact region 21 of a semiconductor substrate 10 so that a channel region 23 may be formed between the drain contact region and a source region 22.例文帳に追加

半導体基板１０のドレインコンタクト領域２１の周囲には、ソース領域２２との間にチャネル領域２３が形成されるように島状で且つＮ型の延長ドレイン領域２４が設けられている。 - 特許庁

Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

The diffusion region 14 extends to a depth reaching the back face of an element region 31 from the front face of the element region 31 in body regions 6a, 16a between the emitter region 12 and the drift region 22, and divides the body region 6, 16 into a first region 6 in contact with the emitter region 12 and a second region 16 in contact with the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、エミッタ領域１２とドリフト領域２２の間のボディ領域６ａ、１６ａ内において素子領域３１の表面から素子領域３１の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域６、１６をエミッタ領域１２に接する第１領域６とドリフト領域２２に接する第２領域１６に分離している。 - 特許庁

A probe region 32 allowing probe contact and a non-probe region 31 are formed in an electrode pad 21.例文帳に追加

電極パッド２１内にプローブコンタクト可能なプローブ領域３２と非プローブ領域３１を設ける。 - 特許庁

Deformation quantity of the whole region of the contact surface at this time is stored at every individual unit region.例文帳に追加

そのときの接触面全域の変形量を個々の単位領域ごとに記憶させておく。 - 特許庁

Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.例文帳に追加

光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁

The insulating film 62 is in contact with a surface of the second channel region and a surface of the barrier region.例文帳に追加

絶縁膜62は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。 - 特許庁

A channel proximity region 8, an intermediate region 9, a contact forming region 10, an intermediate region, and a channel proximity region are arranged in this order in the drain region 5 of the MOS-type ESD protecting device 1.例文帳に追加

ＭＯＳ型のＥＳＤ保護素子１のドレイン領域５に、チャネル近接領域８、中間領域９、コンタクト形成領域１０、中間領域、チャネル近接領域をこの順に配列する。 - 特許庁

The center region comprises: a body region 27 formed on the surface of the center region; a contact region 26 formed in the body region 27; a source electrode 36 electrically connected to the contact region 26; and an insulator region 28 formed between the contact region 26 arranged at the furthest terminal side and the terminal region.例文帳に追加

中心領域は、中心領域の表面に設けられているボディ領域２７と、そのボディ領域２７内に設けられているコンタクト領域２６と、そのコンタクト領域２６に電気的に接続されているソース電極３６と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域２６と終端領域の間に設けられている絶縁体領域２８を備えている。 - 特許庁

The width of a contact region 12 of a probe terminal 1 for inspection is smaller than the width of the electrode 110 of the liquid crystal panel 100 and the width of an extendedly existing region 11 and a non-contact region 13 is greater than the width of the contact region 12.例文帳に追加

検査用のプローブ端子１において、接触領域１２の幅は液晶パネル１００の電極１１０の幅より小さく、延在領域１１と非接触領域１３の幅は接触領域１２の幅よりも大きい。 - 特許庁

To fully secure a contact region between a source/base electrode and a source region/base region and the contact region between a gate electrode and a gate electrode contact pad thinning a pattern in a semiconductor device having a trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する半導体装置におけるパターンの微細化に伴うソース・ベース電極とソース領域・ベース領域とのコンタクト面積およびゲート電極とゲート電極コンタクト用パッドとのコンタクト面積を十分に確保する。 - 特許庁

A drain contact 10 and a well contact 11 are made common in the same active region.例文帳に追加

ドレインコンタクト１０とウェルコンタクト１１を同じ活性領域（アクティブ領域）で共通化している。 - 特許庁

BOUNDARY CONTACT FOR CONCATENATING CONTACT REGION AND CONDUCTIVE LAYER USING SILICIDE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリサイドを使用してコンタクト領域と導電層を連接する境界コンタクトとその製造方法 - 特許庁

The bottom section of the contact plug 15 is inserted into the groove 11 and is in contact with the source region 9.例文帳に追加

コンタクトプラグ１５は、その底部が溝１１に入り込み、ソース領域９にコンタクトしている。 - 特許庁

The pressure mechanism is disposed within the plane region to heighten contact pressure between the contact pads and contacts.例文帳に追加

圧力機構は、平面領域内に配置され、接触パッドとコンタクトとの接触圧を高める。 - 特許庁

The apparatus has a pressing section 15 to press the contact region 12 so as to come into contact with the electrode 110.例文帳に追加

電極１１０と接触するように接触領域１２を押圧する押圧部１５を有する。 - 特許庁

The channel region is n-type or i-type, is in contact with a surface of the p-type region, and provided with a first channel region and a second channel region.例文帳に追加

チャネル領域は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。 - 特許庁

A well contact that is a region for applying a reference voltage to the well region is formed in a region adjacent to the diffusion region 12.例文帳に追加

また、拡散領域１２に隣接する領域には、ウェル領域に基準電圧を印加するための領域であるウェルコンタクトが形成されている。 - 特許庁

The channel region 20 is an n-type or i-type and in contact with a surface of the p-type region, and includes a first channel region and a second channel region.例文帳に追加

チャネル領域20は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。 - 特許庁

An N-type high-concentration cathode contact region 16 is formed on a surface of the low-concentration cathode region 10 and an outer region of the light reception region 14.例文帳に追加

Ｎ型の高濃度カソードコンタクト領域１６は、低濃度カソード領域１０の表層であって受光領域１４より外側の領域に形成される。 - 特許庁

The first body region is connected to a second body region 13b provided outside of the active region, and the second body region is brought into contact with a first electrode layer (source electrode).例文帳に追加

第１ボディ領域は、動作領域外に設けられた第２ボディ領域に接続し、第２ボディ領域が第１電極層（ソース電極）とコンタクトする。 - 特許庁

The second kind partial region 64 has a second body region 35, a second body contact region 34, and a second kind side accumulating region 54.例文帳に追加

第２種類の部分領域６４は、第２ボディ領域３５と、第２ボディコンタクト領域３４と、第２種類側蓄積領域５４を有している。 - 特許庁

In a contact region 120 which connects the gate electrode 106 and a shallow well region 104, a contact conductor 115 is so formed as to be stretched over the gate electrode 106 and the contact region 120.例文帳に追加

ゲート電極１０６と浅いウェル領域１０４とを接続するコンタクト領域１２０においては、ゲート電極１０６とコンタクト領域１２０にまたがるようにコンタクト導電体１１５を形成する。 - 特許庁

A first N-type region 12b is formed in contact with the P-type region 7b of the channel region in a source region 14 which is a P-type, and a second N-type region 11a having a larger impurity density than the first N-type region 12b is formed in contact with the first N-type region 12b.例文帳に追加

Ｐ型であるソース領域１４において、第１のＮ型領域１２ｂをチャネル領域のＰ型領域７ｂに接して形成し、第１のＮ型領域１２ｂに接してそれよりも不純物密度の大きい第２のＮ型領域１１ａを形成する。 - 特許庁