「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The outer lead 3 of this device is roughly J-shaped, and a surface area increasing region 3a is made at the section to contact with solder 4.例文帳に追加

半導体装置のアウターリード３は、略Ｊ字形状を有しており、半田４と接触する部分には、表面積増加領域３ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a storage node for a stacked capacitor having a barrier layer from a contact in a memory cell of a DRAM to a region of an element, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

DRAMメモリセル内のコンタクトから素子の領域に至るバリア層を有するスタックトキャパシタのストレージノード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The receiving portion 2 and the transmitting portion 3 are jointed by a hinge region 4 in an opening and closing enable fashion, and the open angle at the time of full open is prescribed by a contact portion 5.例文帳に追加

受話部２と送話部３は、蝶番部４によって開閉可能に接合しており、全開時の開角度は、当接部５によって規定されている。 - 特許庁

A light-irradiating device 3 has a pulse-like spot beam irradiated in a unit region positioned on a contact surface, where an interlayer film 2 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

光照射装置３は、基板１上に層間膜２を形成してなるコンタクト表面上に位置する単位領域に、パルス状のスポット光を照射する。 - 特許庁

The drain-gate separation portion 9 separates the drain region and gate insulating film 14, in a non-contact state where a gap is provided therebetween.例文帳に追加

このドレイン−ゲート分離部９によって、ドレイン領域とゲート絶縁膜１４とは、それらの間に間隔を空けた非接触な状態に分離されている。 - 特許庁

The conductive line 34 is electrically connected to the contact plug 44 through its side wall, the conductive region 31 is electrically connected to the contact plug 44 through its bottom, and the contact plug 44 gets gradually smaller in cross sectional area from its top to bottom.例文帳に追加

前記導電ライン３４は、前記コンタクトプラグ４４の側壁を通じて電気的に接続され、前記導電領域３１は、前記コンタクトプラグ４４の底部を通じて電気的に接続され、前記コンタクトプラグ４４の平断面の面積は、上部から下部にいくほど縮小する。 - 特許庁

The contact member 2 is made of a solid material, a bush contact 17 has a nipper-shaped housing having an expanded notch 13, and a contact element in which a U-shaped, elastic and tulip-like insertion region 12 is installed is inserted into the notch.例文帳に追加

前記接点部材２が中実な材料から製造されており、前記ブシュ接点１７が、拡大された切欠１３を備えたニッパ状の収容部を有しており、前記切欠に、Ｕ字形の、ばね弾性的な、チューリップ状の挿入領域１２が設けられた接点エレメント１８が挿入されている。 - 特許庁

Probability for adhesion of fine foreign materials to a contact surface within a contact region is reduced by forming a space through provision of a recess in the reticle side or in the reticle stage side or provision of recesses to both reticle side and reticle stage side at the contact surface of the reticle and reticle stage.例文帳に追加

レチクルとレチクルステージの接触面において、レチクル側に凹部を設ける、あるいはレチクルステージ側に凹部を設ける、もしくはレチクル側およびレチクルステージ側の両方に凹部を設けて空間を形成し、接触領域内の接触面に微小異物が付着する確立を低減させる。 - 特許庁

This oscillatory actuator, which has a stator where oscillation is excited by an electrical signal and a rotor for performing the relative shifting to the stator, is equipped with a gate array 604 for preventing the contact state between the stator and the rotor from becoming a boundary region between full-face contact and partial contact.例文帳に追加

電気信号により振動が励起されるステータと、該ステータに対して相対移動を行うロータとを有する振動型アクチュエータにおいて、ステータとロータとの接触状態が全面接触と部分接触の境界領域になることを回避するためのゲートアレイ６０４を備えた。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises a P-type side ohmic electrode 52 brought into ohmic contact with a P-type contact layer 43 in other region except at least one end of a resonator direction A, and a P-type side Schottky electrode 53 brought into Schottky contact with the layer 43 at its end.例文帳に追加

共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３とオーミック接触するｐ側オーミック電極５２と、その端部においてｐ側コンタクト層４３とショットキー接触するｐ側ショットキー電極５３とを備える。 - 特許庁

In such a PET bottle 1 that an inner ring 7 is in pressure contact with an inner peripheral surface 3a of a mouth 3 when a cap 5 with the inner ring 7 is screwed with the mouth 3 and fastened, a pressure contact region R where the inner ring 7 is in pressure contact with the inner peripheral surface 3a of the mouth 3 is smoother than other regions.例文帳に追加

インナーリング７付きのキャップ５を口部３に螺合して締めたとき、インナーリング７が口部３の内周面３ａを圧接するペットボトル１において、口部３の内周面３ａのうちインナーリング７が圧接する圧接領域Ｒは、他の領域よりも平滑になっている。 - 特許庁

Also, the vibration-damping member 32 is connected to the contact member 31 in the part, excluding the both ranges (CR, RR); a contacting range CR with the vibrating body 31 in the contact member 31 and an opposite surface side range RR of the contacting region in the contact member 31.例文帳に追加

また、制振部材３２は、接触部材３１における振動体３１との接触領域ＣＲと接触部材３１における接触領域の反対面側領域ＲＲとの両領域（ＣＲ，ＲＲ）を除外した部分で、接触部材３１に接続される。 - 特許庁

In regions 30A, 30B divided by a straight line R1 passing from the elastic deformation part 28 of the vibrator 21 to the contact point S of the rotor 30 and a contact portion 25, the center of rotation 301 of the rotor 30 is arranged in the region 30B at the second rotation direction side to the contact point S.例文帳に追加

ローター３０の回転中心３０１を、振動体２１の弾性変形部２８からローター３０および当接部２５の接点Ｓを通る直線Ｒ１で区分けされる領域３０Ａ，３０Ｂにおいて、接点Ｓに対して第２回転方向側の領域３０Ｂに配置する。 - 特許庁

Alternatively, the image forming apparatus comprises the image forming carrier 1 and a charging member which is disposed in contact with the carrier 1, wherein at the end of forming the images, the charged color material 4 is interposed between the carrier 1 and the charging member in a contact region m in which the carrier 1 and the charging member come in contact with each other.例文帳に追加

また、像形成担持体１と、この像形成担持体１に接触配置される帯電部材とを備え、画像形成終了時において、像形成担持体１と帯電部材との接触領域ｍにて像形成担持体１と帯電部材との間に帯電色材４を介在させる。 - 特許庁

A rib 17 abutting on a bottom surface of the base portion 9 just under a pressure contact portion 10 and pushing the base portion 9 to a wall surface 14a of the notch 16 of the side wall 14a is provided in a region of a bottom wall 15 of the housing 2 just under the pressure contact portion 10 of the pressure contact terminal 8.例文帳に追加

そして、圧接端子８の圧接部１０の直下にあたるハウジング２の底壁１５の一領域には、圧接部１０の直下にあたる基部９の底面と当接し、基部９を側壁１４ａの切欠き１６の壁面に押圧するリブ１７が設けられている。 - 特許庁

The inner races 1 and the outer race 2 are formed such that the maximum lengths L of surface holes and oxide based non-metallic inclusions existing in a contact region in the raceway surfaces 1a, 2a with the balls 3 are 80 μm or less respectively in the case that a contact angle is within an initial contact angle of -5° to +5°.例文帳に追加

内輪１及び外輪２は、軌道面１ａ，２ａのうち、接触角が初期接触角の−５°以上＋５°以下である場合に玉３と接触する接触部分に存在する表面孔及び酸化物系非金属介在物の最大長さＬが、それぞれ８０μｍ以下となっている。 - 特許庁

The contact surface pressure P shifts at a value lower than a bearing level P_0 causing abrasion on a contact part as a phenomenon where the contact surface pressure P rises at comparatively acute inclination in comparison with a skew angle θ in a region of 0<θ≤θT but a critical skew angle θT is regulated to a small angle.例文帳に追加

０＜θ≦θ_Tの範囲において、接触面圧Ｐがスキュー角θに比例して比較的急激な勾配で上昇する現象が起こるが、限界スキュー角θ_Tが小さな角度に規制されているため、接触面圧Ｐは、該接触部に摩耗が発生する面圧レベルＰ_0以下の値で推移する。 - 特許庁

A receiving region which is extended in the lateral direction to the insertion direction of the contact is provided at immediately after or immediately before the sealing part viewed from the insertion direction of the contact, in each case for the sealing material which is transformed when the contact is inserted or pulled out.例文帳に追加

接点が差し込まれる、または引き抜かれるとき変位される密封用材料のためにそれぞれの場合に、接点差し込み方向で見て密封部の直後および／または直前に接点差し込み方向に対して横方向に広げられた受容領域が設けられる。 - 特許庁

This semiconductor storage device 100 includes a DRAM including a first bit line 126a and a second bit line 126b formed on a first active region 106a in plan view, a first cell contact 122a formed on the first active region 106a, and a first capacitor contact 128a formed on the first cell contact 122a and connected to a capacitor (not shown).例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、平面視で第１の活性領域１０６ａ上に形成された第１のビット線１２６ａおよび第２のビット線１２６ｂと、第１の活性領域１０６ａ上に形成された第１のセルコンタクト１２２ａと、第１のセルコンタクト１２２ａ上に形成されるとともにキャパシタ（不図示）に接続された第１のキャパシタコンタクト１２８ａとを含むＤＲＡＭを含む。 - 特許庁

There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode.例文帳に追加

半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

Then a part of relatively high reflectivity of the center part of the projection region is different in length with respect to two mutually orthogonal directions (X-axial direction and Y-axial direction) in the emitting surface, and a current injection region of the p-side electrode 113 which is in contact with a contact layer 109 has shape anisotropy.例文帳に追加

そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 - 特許庁

A wipe unit 82 can move relative to an inkjet head 22 in a direction roughly parallel to a nozzle face 22a from a wipe start position where a wipe member 118 is in contact with one end side of a nozzle forming region N to a wipe finish position where the wipe member 118 is in contact with the other end side of the nozzle forming region N.例文帳に追加

ワイプユニット８２は、ワイプ部材１１８がノズル形成領域Ｎの一端側に当接するワイプ開始位置からワイプ部材１１８がノズル形成領域Ｎの他端側に当接するワイプ終了位置までノズル面２２ａに略平行な方向にインクジェットヘッド２２に対して相対移動可能である。 - 特許庁

The fuser device 40 includes: the fuser member 44 that heats a developer on a print medium 100; a pressure member 46 that presses the fuser member 44 so as to provide a contact region therebetween; and the separation member 50 that separates the print medium 100 which is ejected from the contact region, from the fuser member 44.例文帳に追加

定着装置４０は、印刷媒体１００上の現像剤を加熱する定着部材４４と、定着部材４４を加圧して接触領域を形成する加圧部材４６と、接触領域から排紙された印刷媒体１００を、定着部材４４から分離する分離部材５０を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 further includes: a polysilicon gate 10 embedded in the gate trench 7 so that the entire part is positioned under a surface of the source region 4; and gate metal 14, 22 and 162 which are embedded in a gate contact groove 21 formed in the polysilicon gate 10 so as to reach the depth of the channel region 5, and which are in contact with the polysilicon gate 10.例文帳に追加

半導体装置１は、さらに、ソース領域４の表面以下に全部が位置するようにゲートトレンチ７内に埋め込まれたポリシリコンゲート１０と、チャネル領域５の深さに達するようにポリシリコンゲート１０に形成されたゲートコンタクト溝２１内に埋め込まれ、ポリシリコンゲート１０に接するゲートメタル１４，２２，１６２とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises: a first electrode that is provided in contact with the semiconductor layer and the first region; a second electrode that is provided in contact with the second region; and a third electrode that is electrically connected to a second primary surface side of the semiconductor layer opposite to the first primary surface.例文帳に追加

そして、前記半導体層と前記第１の領域とに接して設けられた第１の電極と、前記第２の領域に接して設けられた第２の電極と、前記半導体層の前記第１の主面とは反対の第２の主面側に電気的に接続された第３の電極とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor element in which the resistive contact is formed in the high defect-density region of the semiconductor, and the non-resistive contact is formed in the low defect-density region, is used.例文帳に追加

少なくとも一つの抵抗性接触を有する電極と、少なくとも一つの非抵抗性接触を有する半導体素子であって、前記半導体の高欠陥密度領域に抵抗性接触が形成され、かつ低欠陥密度領域に非抵抗性接触が形成されていることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

A first and a second silicide layer 31a and 31b are obtained by turning metal layers, which are deposited covering the parts of the source region 40 and the drain region 41 exposed by the contact holes 21a and 21b and the contact holes 21a and 21b, to silicide by the use of a silane gas or a mixed gas containing silane gas.例文帳に追加

第１及び第２のシリサイド層３１ａ，３１ｂは、コンタクトホール２１ａ，２１ｂにより露出されるソース領域４０，ドレイン領域４１の一部及びコンタクトホール２１ａ，２１ｂを覆うように設けられた金属層をシラン系ガス或いはシラン系ガスを含む混合ガスによりシリサイド化させてなる。 - 特許庁

A contact hole 22a made in the chip region for protecting the IC chip region of a glass protection board is filled with a conduction plug 26a and a relief groove 24a surrounding the contact hole 22a, a bump electrode 28a connected with the plug 26a, and an adhesion layer 30 of thermoplastic adhesive are provided on the lower surface side.例文帳に追加

ガラス等の保護基板においてＩＣチップ領域保護用の保護チップ領域に設けた接続孔２２ａに導電プラグ２６ａを埋設すると共に下面側に接続孔２２ａを取囲む逃がし溝２４ａと、プラグ２６ａに接続されたバンプ電極２８ａと、熱可塑性接着剤からなる接着層３０とを設ける。 - 特許庁

The CMOS transistor is formed with a conductive layer in a contact hole provided so as to come into contact with one side face of a source and drain region of a semiconductor layer of an n-type thin film transistor, and one side face of the source and drain region of the semiconductor layer of a p-type thin film transistor, respectively.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳトランジスタは、ｎ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、ｐ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、にそれぞれ接するように設けられたコンタクトホール内に導電層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30.例文帳に追加

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a resist film 3 on an opening formation region for contact hole or the like, forming an insulating film 4 in a region other than the resist film 3, and removing the resist film 3 to form an opening such as a contact hole 8a in the insulating film 4.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、コンタクトホールなどの開口部形成領域に、レジスト膜３を形成する工程と、レジスト膜３以外の領域に、絶縁膜４を形成する工程と、レジスト膜３を除去することにより、絶縁膜４にコンタクトホール８ａなどの開口部を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

At the position where the seal material 5 is contact with a transfer electrode 7 provided in a peripheral region of the array substrate 1, a coating film (a protective film 6 or a gate insulating film 13 and interlayer dielectrics 16 and 17) formed covering a display region of the array substrate 1 is expanded to come into contact with the seal material 5.例文帳に追加

シール材５がアレイ基板１の周辺領域に設けられたトランスファ電極７と接する位置において、アレイ基板１の表示領域を覆って形成された被覆膜（保護膜６、あるいはゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６，１７）がシール材５と接するように拡張されている。 - 特許庁

The writing barrel 12 is constituted of a hard part 20 and a soft part 22, and the soft part 22 includes a finger tip supporting region 12a with which the tips of a thumb, a forefinger and a middle finger normally come into contact and an interfinger part supporting region 12 with which the part between the thumb and the forefinger normally comes into contact, when the writer grips the writing barrel 12.例文帳に追加

筆記軸１２は、硬質部２０と軟質部２２とで構成され、軟質部２２は、筆記軸１２を筆記者が把持したときに、通常親指、人差し指及び中指の指先が当たる指先支持部位１２ａ及び、親指及び人差し指の指間が当たる指間支持部位１２ｂを含む。 - 特許庁

On the substrate contact surface of a bonding tool 12 for connecting wiring formed on the substrate and the bump electrode of the semiconductor chip, a substrate deformation prevention 12a is formed in a contact region with a substrate center that becomes the inside of the arrangement region of the bump electrode for preventing the deformation of the substrate, and the semiconductor chip is connected to the substrate.例文帳に追加

そして、前記基板に形成された配線と半導体チップのバンプ電極とを接続するボンディングツール１２の基板接触面に、バンプ電極の配置領域の内側となる基板中央部との接触領域に基板変形防止部１２aを形成し、基板の変形を防止して、基板に半導体チップを接続する。 - 特許庁

A method of annealing a semiconductor device so as to form a substantially ohmic contact region between a wide band gap semiconductor layer 14, and a contact region 20 positioned thereon includes a process of subjecting the semiconductor device to an annealing temperature of ≤approximately 900°C extending over an annealing time of approximately two hours or longer.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材層１４とその上に配置されるコンタクト領域２０との間に実質的なオーミックコンタクト領域を形成するための半導体デバイスをアニーリングする方法は、約２時間以上のアニーリング時間に亘って約９００℃以下のアニーリング温度に半導体デバイスをさらす工程を含む。 - 特許庁

A gate electrode is formed by using a resist film for the region where a contact hole is formed on the gate electrode and a mask for a gate electrode formation made of a first silicon nitride for the region where a contact hole is not formed on the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極上にコンタクトホールを形成する領域にはレジスト膜、ゲート電極上にコンタクトホールを形成しない領域には第一の窒化シリコン膜からなるゲート電極形成用のマスク用いてゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。 - 特許庁

The surface of the substrate 2 with the mask 7 formed thereon is subjected to heat treatment in an oxygen-containing atmosphere, and this oxidizes a predetermined region of the conductive hydrogen barrier film 6 for the conversion of at least a part of the region in contact with the contact plug 5 into a conductive hydrogen barrier layer 8.例文帳に追加

次に、マスクが形成された基板表面を、酸素を含む雰囲気で熱処理して導電性水素バリア膜の所定領域を酸化させ、コンタクトプラグに接する領域の少なくとも一部を導電性水素バリア層８とし、導電性水素バリア層となる領域以外に絶縁性水素バリア層９を形成する。 - 特許庁

The electrostatic chuck 21 has a first supporting region 36 in contact with a first area corresponding to a center area of the reticle, on the rear face of the reticle and a second support region 37, which is in contact with a second area located around a circumference of the first area on the rear face of the reticle which are integrally formed.例文帳に追加

この静電チャック２１には、レチクルの裏面において該レチクルの中央領域に対応する第１領域に接触する第１の支持部位３６と、レチクルの裏面において第１領域の外周側に位置する第２領域に接触する第２の支持部位３７とが一体に形成されている。 - 特許庁

The belt 70 contacts the roll surface 32 in a contact region C and has a second temperature that is different from the first temperature of the roll 30 such that the belt 70 affects a temperature change in at least a part of the surface 32 of the roll 30 in the contact region C as the roll is rotated.例文帳に追加

ベルト７０は、接触領域Ｃにおいてロール表面３２に接触し、ロール３０の第一の温度と異なる第二の温度を有して、ここでロールが回転する時に、接触領域Ｃ内において、ベルト７０が、ロール３０の表面３２の少なくとも一部に温度変化の影響を及ぼす。 - 特許庁

In the solar cell 10, a p-type electrode 15 is disposed in a first trench 13a formed in a first insulating layer 13, and is contact with a p-type region 11a, while a n-type electrode 16 is disposed in a second trench 14a formed in a second insulating layer 14, and is in contact with a n-type region 11b.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｐ側電極１５は、第１絶縁層１３に形成された第１溝部１３ａに配設されてｐ型領域１１ａと接触しており、ｎ側電極１６は、第２絶縁層１４に形成された第２溝部１４ａに配設されてｎ型領域１１ｂに接触する。 - 特許庁

Then, a period before a recording medium recorded following the high duty region is permitted to come into contact with is determined by taking a scanning direction (ink application order) in which the detected high duty region is recorded into account.例文帳に追加

次に、検出された高デューティー領域が記録された走査方向（インク付与順序）を考慮して、その高デューティー領域に後続して記録される記録媒体が接触することを許容するまでの期間を決定する。 - 特許庁

The IO cell is formed inside the formation region of an isosceles triangle, and the power supply track is disposed so as to extend along the base of the formation region of the isosceles triangle, from one side to the other side that is in contact with the base.例文帳に追加

ＩＯセルは、二等辺三角形の形成領域内に形成され、電源トラックが、二等辺三角形の形成領域の底辺に沿って、かつ、底辺に接する一方の辺から他方の辺まで延びるように配置されている。 - 特許庁

To provide a device capable of coming into close contact with the surface of an object using a negative pressure region, and capable of moving along the surface, which negative pressure region is filled with the gas different from the fluid surrounding the device.例文帳に追加

負圧領域を備えたことにより物体表面に密着し且つ物体表面に沿って移動可能な装置において、該負圧領域が装置を包囲する流体とは異なる気体で満たされている装置を提供する。 - 特許庁

The base 301 includes a first contact part 201a which contacts to a rear surface of the mounting region 101a, and a positioning part 201c which contacts to the supporting region 101b and positions the FP type LDA 100 in an optical axis direction.例文帳に追加

基台３０１は、搭載領域１０１ａの裏面に当接する第１当接部２０１ａと、支持領域１０１ｂに当接しＦＰ型ＬＤＡ１００を光軸方向に位置決めする位置決め部２０１ｃと、を備える。 - 特許庁