「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The problem provided above is solved by a constitution in which the joint element has multilateral symmetric collar-shaped base body with two opposite corner regions, namely a first corner region and a second corner region, notched, and a contact holder for at least one electric signaling contact pointing toward the center of the base body is prepared within the base body in a third corner region between the two notches.例文帳に追加

前記課題は、接続エレメントが、多面体形かつ対称的であるカラー形のボディを有し、該ボディの２つの対向するコーナ領域である第１のコーナ領域と第２のコーナ領域とにノッチが設けられており、該ボディ内部において両ノッチの間の第３の領域に、該ボディの中心を向いている少なくとも１つの電気的な信号コンタクトに対するコンタクトホルダが設けられている構成によって解決される。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

On a SiC semiconductor region 30 of a power MOSFET 100, having a Si semiconductor region 20 made of silicon(Si) and a SiC semiconductor region 30 made of silicon carbide(SiC), a p-type protective layer 40 is formed which makes contact with the Si semiconductor region 20 and a n-type drift layer 30b and is made of p-type SiC.例文帳に追加

珪素（Ｓｉ）から形成されたＳｉ半導体領域２０と炭化珪素（ＳｉＣ）から形成されたＳｉＣ半導体領域３０とを備えるパワーＭＯＳＦＥＴ１００のＳｉＣ半導体領域３０に、Ｓｉ半導体領域２０に接すると共にｎ型ドリフト層３０ｂに接するように設けられｐ型のＳｉＣからなるｐ型保護層４０を形成した。 - 特許庁

A region whose electric characteristics in a sample are to be measured is set to be a blanking region, the number of direct irradiation of charged particles is set to one or none, and the current position of a probe tip is calculated from an image obtained in the past or an image at a peripheral region, thus bringing the probe into contact with a target location.例文帳に追加

試料の電気特性測定対象領域をブランキング領域とし、直接荷電粒子を照射する回数を１回ないし皆無にした上で、過去に得られた画像あるいは周辺領域の画像から探針先端の現在位置を演算することで探針を目的の場所に接触させる。 - 特許庁

The feed unit 50 has a feed region B for feeding the specimen rack L which can hold a plurality of the specimen containers T to the measuring unit 10, a rack housing region C for arranging the specimen rack L to be able to take out the same to the outside, and a suppression member for suppressing the contact with the specimen rack L on the feed region B.例文帳に追加

搬送ユニット５０は、複数の検体容器Ｔを保持可能な検体ラックＬを測定ユニット１０に搬送するための搬送領域Ｂと、検体ラックＬを外部へ取り出し可能に配置するためのラック収容領域Ｃと、搬送領域Ｂ上の検体ラックＬへの接触を抑制する抑制部材を有する。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by achieving uniformity in junction depth of a high concentration impurity layer of a source/drain electrode including an elevated source/drain region in a transistor in a peripheral circuit region while preventing short-circuit due to contact between semiconductor layers on the sourced/drain electrode in the transistor in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域のトランジスタにおけるソース／ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース／ドレイン領域を含むソース／ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

In the thin film transistor that uses the oxide semiconductor layer, a buffer layer having a high resistance region and a low resistance region on the oxide semiconductor layer is formed, and the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or drain electrode layer contact each other through the low resistance region of the buffer layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜２３が下部電極２２と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁

As viewed in a cross section of a trench gate electrode 12 extending along a surface 2a of a semiconductor substrate 2 in the semiconductor device 1, a trench gate electrode 12, an n^+-type source region 20, a p-type body contact region 30, a buried insulator layer 50 and an n^+-type drain region 60 are arranged in this order.例文帳に追加

半導体装置１を半導体基板２の表面２ａに沿って伸びているトレンチゲート電極１２を横断する断面で観測すると、トレンチゲート電極１２とn^+型ソース領域２０とp型ボディコンタクト領域３０と埋込絶縁体５０とn^+型ドレイン領域６０がその順序で配置されている。 - 特許庁

To provide an organic EL element manufacturing method for manufacturing an organic EL element by selectively forming an organic layer on part of the surface of a base material while preventing a trouble from occurring between application liquid applied to an application region where the organic layer is to be formed and a masking member in close contact with a non-application region adjacent to the application region.例文帳に追加

基材表面の一部に有機層を選択的に形成して有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、有機層を形成すべき塗布領域に塗布された塗布液と該塗布領域に隣接する非塗布領域に密着させたマスキング部材との間で発生する不具合を防止する。 - 特許庁

In the adjusting method, the liquid is introduced into a capillary tube passage (35) which has at least one step down joint section (36a, 36b), and a flow adjusting channel which has a hydrophobic region (50) in a contact state, whereby the liquid is stopped in the hydrophobic region and the passage region having at least one step down joint section.例文帳に追加

調整方法では、少なくとも１つのステップダウン接合部（３６ａ，３６ｂ）を有する毛管通路（３５）と接触状態にある疎水性領域（５０）を有する流れ調整経路に液体を導入し、それにより液体が疎水性領域及び少なくとも１つのステップダウン接合部を有する経路の領域で止められる。 - 特許庁

In the region other than the vicinity of the high-temperature heat generating region H1, an axial length (amplitude) of a main body 411 is made to be short, which decreases a calorific value in the region and expands a temperature gradient (temperature distribution) of the heat generating part 42 in the axial direction, giving a temperature distribution desirable for a linear contact type.例文帳に追加

高温発熱域Ｈ1付近以外の区域で本体部４１１の軸線方向長さＬ（振幅）を小とすることでこの区域での発熱量を減じ、発熱部４２の温度勾配（温度分布）がその軸線方向に広がりをもつようになり、線接触タイプに好ましい温度分布が得られることになる。 - 特許庁

The contact applies a reference voltage to a semiconductor region of a second conductivity type disposed below the source and drain regions of the transistor for amplification below the gate electrode of the transistor for amplification through a semiconductor region of the second conductivity type disposed along a side surface and a bottom surface of an element isolation region.例文帳に追加

このコンタクトは、素子分離領域の側面及び底面に沿って配された第２導電型の半導体領域を介して、増幅用トランジスタのゲート電極の下部で、増幅用トランジスタのソース及びドレイン領域よりも下方に配された第２導電型の半導体領域に基準電圧を供給する。 - 特許庁

The boundary contact comprises a first conductivity type first region and a second conductivity type second region formed adjacently to each other on a semiconductor substrate, a silicide abutting on the first and second regions, an insulation layer covering a part of the silicide, a contact formed to penetrate the insulation layer thus exposing a part of the silicide, and a metal layer filling the contact and being concatenated with the silicide.例文帳に追加

半導体基板上に形成されて相互に隣接する第１導電形態の第１領域と第２導電形態の第２領域と、第１及び第２領域に接触するシリサイドと、シリサイドの一部を被覆する絶縁層と、絶縁層内に形成されて絶縁層を貫通し、シリサイドの一部を露出させるコンタクトと、コンタクト内に充填されてシリサイドに連接する充填金属層と、を具えている。 - 特許庁

On the other hand, if the regions 3b in no contact with the surface channel region layer 5 are formed of B in high activating factor and low activating energy, the surge resistance level can be raised.例文帳に追加

また、表面チャネル層５と接しない領域３ｂは、活性化率が高く、活性化エネルギーの小さいＢで形成されるようにすることで、サージ耐量を向上できる。 - 特許庁

Subsequently, a polysilicon film 15 wherein dopants for forming a p-type region is introduced at a high concentration is so formed as to be filled in the contact holes 4 (refer to Fig. e).例文帳に追加

続いて、このコンタクトホール４を埋めるように、Ｐ型への制御のための不純物が高濃度に導入されたポリシリコン膜１５が形成される（図３（ｅ）参照）。 - 特許庁

The substance can be incorporated only in a region of the fiber capable of coming in contact with a medium.例文帳に追加

不織布セパレータを構成する繊維として、アルカリ性媒質中で化学的に活性なまたは活性化可能な物質を共重合やグラフトによって組み込んだ機能性繊維を使用する。 - 特許庁

To shorten a current-carrying region between a conductive part of a substrate and an electrode part of an inspection object, and to simplify a means for assembling a contact into the substrate.例文帳に追加

基板の導電性部と被検査体の電極部との間の通電領域を短くすると共に、接触子を基板に組み付ける手段を簡略化可能にすることにある。 - 特許庁

Many compensation connecting contacts such as conductive pads, rigid wires, or metal plates are mounted on the front edge region of a wiring plate for supporting many terminal contact wires.例文帳に追加

多数の補償結合コンタクト、たとえば導電性パッド、剛性のワイヤあるいは金属板が、多数の端子コンタクトワイヤを支持する配線板の前縁領域上に取り付けられる。 - 特許庁

At least one of a modifier coating 221 covering the base layer in the channel region 201 and modifier coatings 241 and 251 covering the contact pair is formed.例文帳に追加

更に、チャネル領域２０１内で基層を覆う改質被覆２２１並びにコンタクトペアを覆う改質被覆２４１及び２５１のうち少なくとも何れかを形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of then forming an interlayer insulating film 10 on a substrate, and a step of then forming a contact plug 11 connected to an n-type source/drain region 9 on the interlayer insulating film 10.例文帳に追加

次に、基板上に層間絶縁膜１０を形成した後、層間絶縁膜１０にｎ型ソース・ドレイン領域９と接続されるコンタクトプラグ１１を形成する。 - 特許庁

In this case, preferably, the ratio of an area of a region, wherein the suction cup is brought into contact with an object to be mounted, to the area of the whole sheet is in a range of 0.017-50%.例文帳に追加

ここで、シート全体の面積に対する吸盤の被装着物との接触領域の面積の割合が０．０１７％〜５０％であることが好ましい。 - 特許庁

Furthermore, on a part region of the flattened layer 6, an organic EL element 13 is arranged, and a contact part 14 is arranged along the pit structure installed at the flattened layer 6.例文帳に追加

また、平坦化層６の一部領域上には有機ＥＬ素子１３が配設されると共に、平坦化層６に設けられた穴構造に沿ってコンタクト部１４が配設される。 - 特許庁

The small-diameter plate 3 has an elevated portion 3b formed on the radially outer diameter side and disposed so as to come into contact with the base plate 1 in an outermost circumferential region 3a.例文帳に追加

小径板３は、半径方向外周側に、隆起部３ｂが形成され、最外周領域３ａにおいて、基板１と接触するように配置される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel, in which disconnection of a panel wiring 20 in a contact region between a TFT substrate 11 and a source TCP 18 or the vicinity thereof is corrected.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１１とソースＴＣＰ１８とのコンタクト領域またはその近傍におけるパネル配線２０の断線が修正された液晶表示パネルの提供。 - 特許庁

The sealing member 12 is first brought into contact with the corresponding laminate surface 5Ma (alignment layer 7b) of the laminate substrate 5M than the drops D of each drop region S.例文帳に追加

そして、貼合基板５Ｍの貼合面５Ｍａ（配向膜７ｂ）に対して、各滴下領域Ｓの液滴Ｄよりも先に、対応するシール部材１２が当接するようにした - 特許庁

A lower end 17a of the part 3 for treating the end region is arranged so as to contact a part of the treatment liquid X which flows on a face 13 of a supply guide.例文帳に追加

そして、端部領域処理部３の下端部１７ａは、供給ガイド面１３上を流れる処理液Ｘの一部に対して接するように配置されている。 - 特許庁

The leading end of the metallic probe 8 is made to project from the free end of the cantilever 6, so that a plurality of probes can be brought in contact with a region of a 10 nm level.例文帳に追加

この際、金属探針８の先端がカンチレバー６の自由端よりも飛び出るようにすることで、１０ｎｍレベル領域への複数探針の接触を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SOI (Silicon On Insulator) FET which can give a body contact region without attaching excessive gate capacitance, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

余分なゲート容量の付加なく、ボディーコンタクト領域を与えることのできるＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a resistor 2, having an annular section 12 made of an opening that is larger tan an emitter contact hole 41 is located on a first insulation film, being formed on the emitter region.例文帳に追加

エミッタ領域の上に形成された第１の絶縁膜の上に、エミッタコンタクトホール４１よりも大きな開口部からなる環状部分１２を具備した抵抗２を有する。 - 特許庁

The second etching stopper film pattern and the spacer are removed, and a lower electrode is formed in contact with the first etching stopper pattern, the fist insulation film pattern, and the conductive region.例文帳に追加

第２エッチング阻止膜パターン及びスペーサを除去し、第１エッチング阻止膜パターン、第１絶縁膜パターン及び導電領域に接する下部電極を形成する。 - 特許庁

The microchip 11 is pressed against the stage 12 side by a lid member 40, to thereby bring the sink region 111 of the microchip 11 into contact with a heat transfer part 22 of the portion 20 whose temperature is to be adjusted.例文帳に追加

蓋部材４０でマイクロチップ１１をステージ１２側へ押し込むことにより、マイクロチップ１１の槽領域１１１は温度調節部２０の伝熱部２２に接する。 - 特許庁

As a result, a projection objective lens having a very high numerical aperture in the region where NA is equal to or greater than 0.8 can be used for a non-contact projection lithography.例文帳に追加

その結果として、ＮＡ＞０．８以上の領域において非常に高い開口数を有する投影対物レンズを非接触投影リソグラフィーに用いることができる。 - 特許庁

At the most upstream region A in the reactive gas channel 5, the contact area between the wall surface of the groove 50 and the reactive gas gets larger than that of other regions.例文帳に追加

反応ガス流路５の最上流領域Ａにおいて、溝５０の壁面と反応ガスとの接触面積が、他の領域よりも大きくなるように構成する。 - 特許庁

To provide an edge-holding aligner that can adjust the position of a substrate in a short time by preventing a positioning section from being positioned to a region in which the aligner is in contact with the substrate.例文帳に追加

アライナと基板とが接触している領域に位置決め部が位置することをなくして、短時間に基板を位置調整することができるエッジ保持アライナを提供する。 - 特許庁

Meanwhile, the hole 18d is a dummy one, is embedded with a dummy plug member 19d, and has its lower end connected to a substrate contact region 12 of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ホール１８ｄは、ダミー用ホールで、埋め込まれたダミープラグ部材１９ｄは、その下端部が半導体基板１０の基板コンタクト領域１２に接続されている。 - 特許庁

The electrode 35 is provided in contact with the window layer on a substrate 13 and in such a way as to encircle a p+ diffused region 21.例文帳に追加

この半導体受光素子１１では、オーミック電極３５を基板１３上のウィンド層に接触した状態で、かつ、ｐ^+ 拡散領域２１を囲むように設ける。 - 特許庁

To prevent spill of a large amount of culm from a conveying region of a raking and conveying apparatus caused by the contact of a cover of the raking and conveying apparatus with culm before reaping.例文帳に追加

掻込搬送装置のカバーが刈り取り前の穀稈に接当することに起因して、掻込搬送装置の搬送領域からこぼれ落ちる穀稈が多発することを防止する。 - 特許庁

At least a sliding region A of the sliding surface of the lubricating passage member, which comes into contact with the movable section, is subject to machining B differently from the rest or employs a different component 22e.例文帳に追加

この給油通路部材が可動部と当接する摺動面の少なくとも摺動範囲Ａにおいて、他の部位とは別加工Ｂするか、又は別部品２２ｅとする。 - 特許庁

The cool feeling material 100 is disposed on the inner side of the edge part 30a in the longitudinal direction of the absorbing body 30 and on the outer side of the edge part Sa of the contact region S.例文帳に追加

冷感材１００は、吸収体３０の長手方向において縁部３０ａよりも内側、且つ当接領域Ｓの縁部Ｓａのよりも外側に配設される。 - 特許庁

If the contact region conforming with the shape of the clamp arm is designed to conform with the shape of a drum, the invention is effective with a wide applicable range.例文帳に追加

前記クランプアームの形状に合わせた接触部分が、ドラム缶の形状に合わせて設計された形状である場合は、本発明の適用範囲が広く効果的である。 - 特許庁

The interference detection means 41 is a means to detect whether or not the gripping head 2 makes contact with the bucket 1 by lowering it at a plural number of points on a peripheral edge of the picking region.例文帳に追加

干渉検知手段４１は、把持ヘッド２をピッキング領域の周縁における複数箇所で下降させてバケット１に当たるか否かを検知する手段である。 - 特許庁

A peel off region 61b on the face to be supported of the foundation cloth 61 on which brush bristles 53 are transplanted are attached to the contact face of an electrode 60 by a conductive two-sided tape 62.例文帳に追加

ブラシ毛５３が植毛された基布６１の被支持面の剥離領域６１ｂは、電極６０の当接面に、導電性の両面テープ６２で接着されている。 - 特許庁

A terminal pad 2 for carrying out surface mounting of an electrode terminal 4 is formed in the substrate surface, and a recess 3 is formed in the surface region with which the electrode terminal 4 is brought into surface contact.例文帳に追加

基板表面には電極端子４を表面実装するための端子パッド２を形成し、その電極端子４を接面させる表面領域に凹部３を設ける。 - 特許庁

Thus, void does will not occur in the partial region where the aspect ratio is reduced, even if the contact holes are formed, a part between them can be prevented from being communicated by the void.例文帳に追加

これにより、アスペクト比が低減したこの一部領域にはボイドが発生せず、コンタクトホールを形成してもその間がボイドによって連通することを防止できるのである。 - 特許庁