「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fuse equipped with an alarm contact capable of reducing a current flowing in an alarm contact display wire even in a high-frequency region, and improving high-frequency current characteristics without cutting off the alarm contact display wire by high-frequency components contained in a commercial current.例文帳に追加

本発明は、高周波領域でも警報接点表示線に流れる電流を低減させ、商用電流に含まれる高周波成分により警報接点表示線が遮断されず、高周波電流特性を向上させることができる警報接点付きヒューズを提供することを目的とする。 - 特許庁

After a conveyed substrate 2 is clamped by a pair of clamping members 25a, and before the clamped substrate 2 is brought into contact with the mask 15, a paste Pst is supplied to the region Rg on the mask 15, which is to be brought into contact with the clamping members 25a when the substrate 2 is brought into contact with the mask 15.例文帳に追加

搬入した基板２を一対のクランプ部材２５ａによりクランプした後、そのクランプした基板２をマスク１５に接触させる前に、基板２をマスク１５に接触させた場合にクランプ部材２５ａと接触することとなるマスク１５上の領域ＲｇにペーストＰｓｔを供給する。 - 特許庁

Then, the sidewall mask layer is removed, a first insulating film 23 is formed on the etching stopper film 21, a contact hole CH is bored to make the heavily- doped region exposed, second insulating films (24a and 25a) are formed on the inner wall of the contact hole CH, and an embedded electrode is formed inside the contact hole CH.例文帳に追加

次に、サイドウォールマスク層を除去し、エッチングストッパ膜の上層に第１絶縁膜２３を形成し、高濃度不純物含有領域を露出させるコンタクトホールＣＨを開口し、コンタクトホールの内壁面上に第２絶縁膜（２４ａ，２５ａ）を形成し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成する。 - 特許庁

This electric connector is provided with a contact wafer having at least one electric contact connected to a first housing part, a second housing part having a contact wafer receiving region provided with a snap-lock latching surface and a third housing part overmolded at the rear ends of the first and second housing parts.例文帳に追加

第１ハウジング部分と、スナップロックラッチング面を備えた接点ウェーハ受入れ領域を有する第２ハウジング部分と、前記第１および第２ハウジング部分の後端に重ね成形された第３ハウジング部分とに接続された少なくとも１つの電気接点を有する接点ウェーハを具備する電気コネクタである。 - 特許庁

The first guide surface 13 and the second guide surface 13 comprise, respectively, a first contact surface where a first end surface part of one first straight end edge region of an electronic circuit board 14 makes simultaneous contact with no force while the third guide surface 13 and the fourth guide surface 13 comprise a second contact surface, respectively, as well.例文帳に追加

第１案内面１３と第２案内面１３とは、電子回路基板１４の一方の直線状の第１端縁領域の第１端面部分が同時に無理なく接触することができる第１接触面をそれぞれに有し、第３案内面１３と第４案内面１３もそのような第２接触面を有している。 - 特許庁

This gas detector 1 applies reference voltage to a contact combustion type gas sensor 21 so that a reference region as a part of the contact combustion type gas sensor 21 reaches a combustion temperature for combusting polar gas or higher, and acquires an output from the contact combustion type gas sensor 21 driven by the voltage application.例文帳に追加

ガスセンサ装置１は、接触燃焼式ガスセンサ２１の一部である基準領域が有極性ガスを燃焼させる燃焼温度以上となるように、接触燃焼式ガスセンサ２１に基準電圧を印加し、この電圧印加によって駆動させられた接触燃焼式ガスセンサ２１からの出力を取得する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

A layout is employed where the first flicker projection 105 is brought into contact to a brush roller portion of the first cleaning brush roller 101 at a region that has passed through a contact position with an intermediate transfer belt 8 and is before entering to a contact position with a first recovery roller 102 among the whole brush roller in a circumferential direction of the first cleaning brush roller 101.例文帳に追加

第１クリーニングブラシローラ１０１のブラシローラ部の周方向における全域のうち、中間転写ベルト８との接触位置を通過した後、第１回収ローラ１０２との接触位置に進入する前の領域に対して、第１フリッカー突起１０５を接触させるレイアウトを採用した。 - 特許庁

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.例文帳に追加

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁

At the start time of application of vibration, the intial contact surface of the area reducing region 50 and the first joining scheduled surface 18 provided to a resin panel member are brought into contact with each other to reduce the load applied across the panel member and the insert member 30.例文帳に追加

振動付与開始時には、面積減少領域５０の初期当接面と、樹脂材質のパネル部材に設けた第１接合予定面１８とが当接することで、該パネル部材と前記インサート部材３０の間に加わる負荷が低減する。 - 特許庁

Consequently, even when a distance between neighboring two contact holes is of a level so small as several tens of nm or less in a high-density cell array region, the contact holes can be well separated from each other, and a short circuit can thus be prevented between neighboring unit cells.例文帳に追加

これにより、高密度セルアレイ領域で互いに隣接した２個のコンタクトホールの間隔が数十ｎｍまたはそれ以下のレベルに小さくなっても、コンタクトホールが互いに良好に分離して隣接した単位セル間の短絡が防止される。 - 特許庁

An area reducing region 50 having an initial contact surface set to an area smaller than that of a leading end contact surface is provided to the leading end part of the protruded fusin-bonding rib 42 provided to the second joining scheduled surface 38 provided to a resin insert member 30.例文帳に追加

樹脂材質のインサート部材３０に設けた第２接合予定面３８に突設した溶着リブ４２の先端部に、先端当接面の面積より小さい面積に設定された初期当接面を有する面積減少領域５０を設ける。 - 特許庁

To detect an abnormal state such as residual paper without having any damage occur to an apparatus even when the jammed paper, etc., remains in a detecting region of a non contact temperature detecting sensor in a heat belt fixing using the non contact temperature detecting sensor.例文帳に追加

非接触温度検知センサを使用する熱ベルト定着において、ジャム紙などが非接触温度検知センサの検知範囲に滞留しても装置にダメージを生じることなく、用紙残留などの異常状態を検出することができる。 - 特許庁

Width of the cut part 2 is formed at the maximum in a tread region to be deformed at the maximum by the Poisson effect generated by a load of the tread when the tread gets in contact with the road surface, and the effective cooperating work of the wall formed with the cut part is obtained when getting in contact.例文帳に追加

切込み（２）の幅は、路面との接触時にトレッドの負荷から生じるポアソン効果により最大変形を受けるトレッドの領域において最大であり、接触時に前記切込みを形成する壁の有効な協働作用が得られる。 - 特許庁

In this case, when the conductive region 31 formed under the plug 44 and the conductive line 34 formed on the upper side wall of the plug 44 are connected together with the contact plug 44, the contact plug 44 is formed in a self-aligned manner after the conductive line 34 is formed.例文帳に追加

これによれば、下部に形成される導電領域と上部に形成される導電ライン３４とをコンタクトプラグ４４を使って接続させる際に、コンタクトプラグ４４を導電ライン３４の形成後に自己整列方式で形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.例文帳に追加

層間膜８０にコンタクトホールを形成し、ＲＴＡ装置を用いて、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ^+型ソース領域４０の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極９０を形成する。 - 特許庁

A substrate scan mechanism 5 moves a position, where a contact is placed in vertical and/or horizontal direction, so that a unit region on the contact surface which is to be processed by a beam projecting device and microwave irradiation/detection mechanism is switched sequentially.例文帳に追加

基板走査機構５は、コンタクトが置かれている位置を縦方向及び／又は横方向に移動させて、前記光照射装置及びマイクロ波照射兼検出機構の処理対象であるコンタクト表面上の単位領域を、順次に切り換える。 - 特許庁

To make inspection feasible with high reliability even in the case an area of a peripheral part of an IC mounted region in an extending substrate part of a liquid crystal panel is narrow and besides to improve contact reliability between a contact connector for inspection and a wiring pattern.例文帳に追加

液晶パネルの基板張出し部におけるＩＣ実装領域の周辺部分の面積が狭い場合でも信頼性の高い検査を行うことができるようにし、しかも検査用接触コネクタと配線パターンとの接触信頼性を向上する。 - 特許庁

An information processor comprises detection means to detect a contact location on a display surface and setting means to set a region for recognizing a spatial gesture based on the detected contact location.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明に係る情報処理装置は、表示面上の接触位置を検知する検知手段と、検知された前記接触位置に基づいて、空間ジェスチャを認識する領域を設定する設定手段とを有する。 - 特許庁

The confinement structure (20) is generally aligned with a contact (22) on a main emission surface of the LED (10), and substantially prevents emission of a light from an area of the active region (18) matching an area of the confinement structure (20) and the top-surface contact (22).例文帳に追加

閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。 - 特許庁

The fusible element 3 is composed by disposing different kinds of metal (a first metal part 4 and a second metal part 5) so that they are brought into contact with each other, and the contact parts of these different kinds of metal are alloyed to form an alloyed region 6.例文帳に追加

可溶体３は、異種金属（第１金属部４と第２金属部５）を互いに接触するように配置することにより構成されるとともに、これら異種金属の接触部分が合金化され、合金化領域６が形成されている。 - 特許庁

Then, the contact electrode film 2 is patterned such that the contact region is segmented on nearly the entire rear surface of the substrate, more particularly, such that a collective pattern comprised of a number of squares is formed on nearly the entire rear surface of the substrate.例文帳に追加

そして、コンタクト電極膜２は、そのコンタクト領域が基板裏面の略全面にわたって細分化される態様でパターニングされ、詳しくは基板裏面の略全面にわたる多数の正方形からなる集合パターンをもって形成される。 - 特許庁

It is preferable to form the recess section 47 that ensures little contact or non-contact between the ink stick and a small chip capable of gathering under a supply slot or a piece of an ink particle on the floor region 45.例文帳に追加

フロア４５には、インクスティックと、供給スロットの下に集まる可能性のある小さなチップ及び他のインク粒子などの破片との間の接触が少ないこと又はそのような接触がないことを確実にするための凹部４７が形成されていてもよい。 - 特許庁

A flowing passage to enable the air between a rim 3 and the air tube 1 to flow is provided in a special outer surface region A along an outer surface part 5 making contact with the tire 2 from an outer surface part to make contact with at least the rim 3 on the supporting layer 7.例文帳に追加

支持層７の、少なくともリム３と接触する外面部分４から、タイヤ２と接触する外面部分５にわたる特定外面領域Ａに、リム３と空気のう１との間の空気の流動を可能にする流通路１４を有する。 - 特許庁

The measurement pads 2 each have a planar center portion having twenty via contacts arranged along the circumferential end and a planar center portion where no via contact is formed, and the center portion is a probe contact region 2A which a measurement probe contacts.例文帳に追加

測定パッド２は、その周端部に沿って２０個のビアコンタクトが配置され、当該ビアコンタクトが形成されていない平坦な中央部を有し、当該中央部は、測定用のプローブ針が接触されるプローブ針接触領域２Ａになっている。 - 特許庁

In the region where the solder resist layer is formed, a metal plated layer is not formed on the conductor wire, and the surface of the conductor wire in contact with the flexible insulating substrate is rougher than that not in contact with the flexible insulating substrate.例文帳に追加

ソルダーレジスト層が形成された領域においては、導体配線に金属めっき層が形成されておらず、かつ、導体配線の可撓性絶縁性基材と接触する面は、可撓性絶縁性基材と接触しない面より表面粗さが粗い。 - 特許庁

The series FET 1B has a gate electrode 41 on a gate region 45 formed on the bottom of a recess 40 inside the contact layer 17 and a source electrode 42 and a drain electrode 43 on both sides of the recess 40 on the contact layer 17.例文帳に追加

シリーズＦＥＴ１Ｂは、コンタクト層１７内のリセス４０の底部に形成されたゲート領域４５上にゲート電極４１を有し、コンタクト層１７上のリセス４０の両側にソース電極４２およびドレイン電極４３を有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel employing a batch contact system on each signal line, in which an inspection region formed on the liquid crystal display panel can be decreased without damaging stability of the contact operation, and to provide an inspection device and an inspection method.例文帳に追加

各信号線に一括コンタクトされる液晶表示パネルについて、コンタクトの安定性を損なうことなく液晶表示パネルに形成される検査用領域を小さくできる液晶表示パネル、検査装置、および検査方法の提供。 - 特許庁

Both end faces of each of the rollers 43a and 43b outside a contact region to the flexible tube 51 contact the projecting part 55a and the pump wheel 42, resulting in prohibiting roller shafts 43a1 and 43b1 from freely moving inside roller support grooves 42a and 42b.例文帳に追加

したがって、可撓性チューブ５１との接触領域外にあるローラ４３ａ，４３ｂの両端面がそれぞれ突出部５５ａとポンプホイル４２に接触し、ローラ軸４３ａ_1 ，４３ｂ_1 のローラ支持溝４２ａ，４２ｂ内での自由移動が阻止される。 - 特許庁

Three electrodes (a gate electrode 21a connected with a trench gate electrode 17, a source electrode 20 being in contact with an N^+ source region 14 and a P base layer 12, and a drain electrode 22 being in contact with an N^+ drain layer 10) are arranged on one side of semiconductor substrates 10, 11 of a U-MOSFET.例文帳に追加

Ｕ−ＭＯＳＦＥＴの半導体基板10、11の片面側に、３つの電極（トレンチゲート電極17に連なるゲート電極21a 、Ｎ+ ソース領域14およびＰベース層12にコンタクトするソース電極20、Ｎ+ ドレイン層10にコンタクトするドレイン電極22）を設ける。 - 特許庁

To provide a card reader/writer, capable of taking a large area for read/write region, reducing radiated power of an antenna on the side of the reader/writer and securing a communication distance with a non-contact IC card, in the case of reading and writing card data from/to the non-contact IC card.例文帳に追加

非接触ＩＣカードとの間でカードデータを読み書きする際に、読み書き領域の面積が広くとれ、リーダライタ側のアンテナの放射電力が小さくて済み、非接触ＩＣカードとの間の通信距離が確保できるようにする。 - 特許庁

When the portable terminal 10 is made to approach a relay terminal 30 equipped with a non-contact IC card reader/writer, the group of the expense application information stored in the region for application is transmitted through the non-contact IC card to the relay terminal 30.例文帳に追加

携帯端末１０は、非接触型ＩＣカードリーダ／ライタを備える中継端末３０に近づけられると、アプリケーション用領域に記憶している経費申請情報の集合を中継端末３０に非接触型ＩＣカードを介して送信する。 - 特許庁

The revolution speed of the rolling elements is reduced by once increasing the contact angle in the rolling groove to bring the rolling elements into contact or closer to each other, then gaps are formed between the rolling elements which enter the load region in the following ways (1), (2).例文帳に追加

転送溝の接触角を一旦増大させることにより転動体の公転速度を低下させて転動体同士を当接、もしくは近接させた後、以下の１）又は２）により負荷領域に進入する転動体の間に隙間を生成させる。 - 特許庁

With this, magnetic flux in a space between the opposing pair of contacts will not be concentrated on a specific region on a contact surface, and yet is parallel and almost perpendicular to the contact surface, which leads to an improved breaking performance and stabilization.例文帳に追加

これにより、対向する一対の接点空間の磁束は、接点面の特定領域に集中することがなく、しかも平行でかつ接点表面に対してほぼ垂直なものとなり、遮断性能が向上すると共に安定化する。 - 特許庁

Since a region in contact with a knot L of a rope 260 of the adjuster body 281 is thus a curved surface, a contact area between the rope 260 and the body 281 at the knot L is reduced, and therefore the knot L can be easily untied.例文帳に追加

これにより、調整具本体２８１のうちロープ２６０の結び目Ｌと接触する部位は曲面となるので、結び目Ｌにおけるロープ２６０と調整具本体２８１との接触面積が小さくなり、容易に結び目Ｌを解くことができる。 - 特許庁

A contact layer 7 is formed on the upper reflective layer 6, an annular p-type electrode 8 having a central current injection region is arranged on the contact layer 7, and an n-side electrode 9 is arranged on the lower surface of the substrate 1.例文帳に追加

上部反射層６上にはコンタクト層７が積層され、コンタクト層７上には、中央に電流注入領域を備えた円環形状からなるｐ側電極８が配置され、基板１下面にはｎ側電極９が配置されている。 - 特許庁

The resulting uniform thickness of the BPSG film from the wafer, regardless of the coarseness and denseness refraction of the gate electrode forming region, makes an etching rate between contact holes uniform to be able to form the contact holes having a small variation in the leakage current value.例文帳に追加

その結果、ゲート電極形成領域の疎密にかかわらず、基板からのＢＰＳＧ膜厚が均一となるため、コンタクトホール間のエッチングレートが均一となり、コンタクト抵抗、リーク電流値のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが出来る。 - 特許庁

Metal bit lines 123A, 123B are specified to cross a word line 119 on the bit line diffused part 115 so as to bring into contact with the position corresponding to the specified region by a normal contact forming technique and a metallization technique.例文帳に追加

通常のコンタクト形成技術及びメタライゼーション技術によって、金属ビットライン１２３Ａ，１２３Ｂは、そのように規定された領域に対応する箇所に接触するようにビットライン拡散部１１５上のワードライン１１９を横切るように規定される。 - 特許庁

A gap 32 is provided between an inner peripheral face 25a of the peripheral wall 25 and an outer peripheral face 16c of the stator core 16 which mutually come into contact, in such a manner that the contact in the annular region between both peripheral faces 16c and 25a is prevented with the faces separated.例文帳に追加

この締嵌により圧接する、周壁２５の内周面２５ａとステータコア１６の外周面１６ｃとの間には、両周面１６ｃ，２５ａ間の円環状領域での接触を離断するようにして空隙部３２が設けられている。 - 特許庁

This electrochemical device 1A is equipped with a first-gas passage; a second-gas passage; a first electrode coming in contact with the first gas; a second electrode coming in contact with the second gas; and a solid electrolyte separating the first electrode from the second electrode, and a high temperature region 24 and a low temperature region 35 are generated in operation.例文帳に追加

電気化学装置１Ａは、第一のガスの通路、第二のガスの通路、第一のガスに接触するべき第一の電極、第二のガスに接触するべき第二の電極および第一の電極と第二の電極とを隔離する固体電解質体を備えており、運転時に高温領域２４と低温領域３５とが発現する。 - 特許庁

To provide an operation switch and electronic equipment capable of securing a stable contact structure by avoiding a number of fixed contacts from being concentrated on a flat region, even in a contact structure with that many number of fixed contacts necessary for enabling a plurality of switch structures on a limited and narrow flat region of a rotating operation body.例文帳に追加

１つの回転操作体の限られた狭い平面領域に複数のスイッチ構成を可能にするための多数の固定接点が必要になる接点構造であっても、その多数の固定接点が平面領域で集中するのを解消して安定した接点構造を確保することができる操作スイッチ及び電子機器を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes wiring 2 having, at least in a partial region of the top surface, a tapered portion 2a having side walls one of which is tapered and the flat portion 2b having the other of which is flat, and a contact via 4 which is formed on a region including at least the tapered portion 2a and comes into contact with the tapered portion 2a.例文帳に追加

上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部２ａを有するとともに、他方側が平坦になった平坦部２ｂを有する配線２と、テーパー部２ａの少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともにテーパー部２ａと接触するコンタクトビア４と、を備える。 - 特許庁

The n+-type semiconductor region constituting a source through the above plurality of contact holes 11a-11c is shunted by the conductive film BL1 in the same layer as a bit line, and the n+-type semiconductor region constituting a drain through the above plurality of contact holes 11d-11f is shunted by the conductive film BL2 in the same layer as a bit line.例文帳に追加

ビット線と同一層の導電膜ＢＬ_1によって、上記複数のコンタクトホール１１ａ〜１１ｃを通してソースを構成するｎ^+型半導体領域がシャントされ、ビット線と同一層の導電膜ＢＬ_2によって、上記複数のコンタクトホール１１ｄ〜１１ｆを通してドレインを構成するｎ^+型半導体領域がシャントされる。 - 特許庁

The first electrode 16 of the capacitor 50 is electrically connected to the source region 23a (or the drain region 23b) of the transistor 23 through a first contact plug 13 formed in the semiconductor layer 11, while the first contact plug 13 is electrically insulated from the semiconductor layer 11 by the insulating film 12 formed on the side surface thereof.例文帳に追加

キャパシタ５０の第１の電極１６は、半導体層１１内に形成された第１のコンタクトプラグ１３を介して、トランジスタ２３のソース領域２３ａ（またはドレイン領域２３ｂ）に電気的に接続されており、第１のコンタクトプラグ１３は、その側面に形成された絶縁膜１２により、半導体層１１と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

That is, on the main regions 2a, 2b facing each other, one group of the first contact connections 6 of a semiconductor element 11 attached on one main region 2a and one group of the first contact connections 6 of a semiconductor element 12 arranged on another main region 2b, are arranged within the same zone of the printed circuit board, respectively.例文帳に追加

すなわち、対向する上記主領域２ａ、２ｂ上において、一方の主領域２ａに取り付けられた半導体素子１１の第１のコンタクト接続部６の１グループが、それぞれ、他方の主領域２ｂに配置された半導体素子１２の第１のコンタクト接続部６の１グループと、上記プリント回路基板の同じ区域内に配置されている。 - 特許庁