「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

A contact opening 121 is formed in the dielectric layer 120 lowered to the surface of a bit line diffused part 115 of the specified region at the outside of the memory cell sub-array.例文帳に追加

コンタクト開口１２１は、メモリセルサブアレイに対して外側にある規定された領域のビットライン拡散部１１５の表面まで下がった誘電層１２０に形成される。 - 特許庁

A material film containing silicon and oxygen is formed on the exposed contact region 103, and then a metal film is formed on the material film containing silicon and oxygen.例文帳に追加

露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。 - 特許庁

The element ion larger than Si is implanted to the contact liner 513 in a P-channel region 202 to break the connection of the constituent atoms, and then oxygen or the like is ion-implanted.例文帳に追加

Ｐチャネル領域２０２内のコンタクトライナー５１３にＳｉより大きな元素イオンを注入して構成原子の結合を切断後、酸素などをイオン注入する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT TOGETHER WITH ITS MANUFACTURING METHOD COMPRISING BIT LINE LANDING PAD AND BORDERLESS CONTACT ON BIT LINE STUD COMPRISING LOCAL ETCHING PREVENTING LAYER FORMED IN VOID REGION例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

In one embodiment, the semiconductor device inside an integrated circuit includes an active region 22 relative to a contact structure 40 of the semiconductor device 10.例文帳に追加

本発明の１つの実施例においては、集積回路内の半導体デバイスは、その半導体デバイス１０の接点構造４０に関連する活性領域２２を含む。 - 特許庁

To prevent a short circuit caused by the mutual contact of second electrodes by positively vapor-depositing a second electrode material in a separator forming region B.例文帳に追加

確実にセパレータ形成領域Ｂ内に第２電極の材料を蒸着させることによって第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止する。 - 特許庁

A surface coat layer 33A is formed on the region of the cleaning blade 33, where it comes into contact with the photoreceptor drum 11 by binding particulates with a binder of room-temperature setting resin.例文帳に追加

クリーニングブレード３３の感光体ドラム１１と接触する部位には、常温硬化型樹脂のバインダーで微粒子を結合した表面コート層３３Ａが形成されている。 - 特許庁

To constantly monitor the tissue oxigenation state of a region in contact with a spatula body while supporting organism tissue with the spatula body in an abutting manner during an operation.例文帳に追加

手術中において、へら本体で生体組織を当接支持しながら、へら本体が接触している部位の組織酸素化状態を常時モニタ可能とする。 - 特許庁

Further, in the region deviated from right above a heater electrode 111, contact electrodes 116 and 118 are directly connected to the lead-out electrode layer 113a and 114a.例文帳に追加

そして、ヒータ電極（１１１）の直上から外れた箇所において、コンタクト電極（１１６，１１８）が、引き出し電極層（１１３ａ，１１４ａ）に直接的に接続される。 - 特許庁

The contact layers are formed in a region where the protective layer, and the source and drain electrodes overlap in a thickness direction and the source electrode is separated from the drain electrode.例文帳に追加

接触層は、保護層とソース電極及びドレイン電極とが厚さ方向で重なる領域に形成されており、ソース電極とドレイン電極との間では分離している。 - 特許庁

The convex dimples 226 protrude more than a contact face of the separator 200 and a seal gasket 120, and constitute a gas flow passage for the reaction gas in the power generating region EA.例文帳に追加

凸ディンプル２２６は、セパレータ２００とシールガスケット１２０との接触面よりも突出して、発電領域ＥＡにおける反応ガスのためのガス流路を構成する。 - 特許庁

The source electrode 24 and the drain electrode 25 are connected onto the main surface of the semiconductor film 4 via ohmic contact films 5 arranged to hold a channel region 28.例文帳に追加

そして、半導体膜４の主面上に、チャネル領域２８を挟むように配置されたオーミックコンタクト膜５を介してソース電極２４及びドレイン電極２５を接合する。 - 特許庁

This iridium layer 16 is composed of a portion being the lower electrode 16a of a capacitor, and a portion being a wiring 16b for contact with a drain region 6.例文帳に追加

このイリジウム層１６は、キャパシタの下部電極１６ａになる部分と、ドレイン領域６とのコンタクトのための配線１６ｂになる部分とから構成されている。 - 特許庁

The hydrophobicity is applied to the region in contact with the slurry on the disk D by applying any one of fluororesin coating, water-repellent plating, and sticking of a fluororesin sheet thereto.例文帳に追加

ディスクＤの表面のスラリーと接触する領域にフッ素樹脂コーティング、撥水めっき、フッ素樹脂シートの貼り付けのいずれかの処理を施して疎水性を付与する。 - 特許庁

To prevent foaming of dissolved gas in a filled ink by making the vacuum degree in a filling region lower than that during deaeration without bringing the filled ink into contact with atmospheric air after deaeration.例文帳に追加

脱気後に大気と接触させずに、脱気中の真空度よりも充填領域の真空度を低くし、充填インク中の溶存気体の発泡を防ぐ。 - 特許庁

Further, a wiring, a contact plug or the like for connecting the gate electrode to the high-concentration n^+-type region is not necessitated whereby the area of the input protective circuit unit is contracted.例文帳に追加

さらに、ゲート電極を高濃度Ｎ＋型領域と接続するための配線、コンタクトプラグ等が不要であり、入力保護回路部の面積が縮小される。 - 特許庁

A conductive member 17 is filled inside the common through-hole 18 of the interlayer insulating film 16 and at the same time, is brought into contact with both the region 12a and electrode 14.例文帳に追加

導電性部材１７は、層間絶縁膜１６の共通透孔１８の内部に充填され且つ領域１２ａと電極１４の双方に接触する。 - 特許庁

The first column brush member 220 is arranged in a region where the workpiece W is not mounted, and in slide contact with the mounting surface of the workpiece W in the mesh belt 210.例文帳に追加

第１円柱ブラシ部材２２０は、被処理物Ｗが搭載されない領域に配置され、メッシュベルト２１０における被処理物Ｗの搭載面に摺接する。 - 特許庁

Further, in a substantially center region in a height direction (h in figure) of the receiving section 212, a projection 214 is provided at a location which is a portion of contact with a barrel of the accumulator.例文帳に追加

さらに、受け部２１２の高さ方向（図中ｈ）のほぼ中央領域には、アキュムレータの胴部との接触部となる位置に突起部２１４が設けられている。 - 特許庁

The conductive probe comprises a support section, a lever extending from the support section, and a probe section 13 that is formed at a free end of the lever and is to be in contact with a measuring region 30A.例文帳に追加

導電性プローブは、支持部と、支持部から延びるレバーと、レバーの自由端に形成されて測定領域３０Ａに接触するための探針部１３とを有する。 - 特許庁

A contact plug 40, which is electrically connected to an impurity diffusion region between sidewalls of two adjacent memory cells 1, is provided by penetrating an interlayer insulation film 18.例文帳に追加

隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。 - 特許庁

A marginal part 50 of a peripheral border region of an interposer 6 of the lower stage package 2 which is overlapped by the upper and lower connecting terminals 11 is in immediate contact with the mother board 3.例文帳に追加

下段パッケージ２のインターポーザ６の周縁領域のうちの上下接続端子１１がオーバーラップする箇所である縁部５０は、母基板３に直接接触している。 - 特許庁

The area of the post spacers 21, arranged inside and outside the display region of a substrate, in contact with the substrate is set to a range of 0.05-0.15% of a pixel area.例文帳に追加

基板の表示領域の内外に配置した柱状スペーサー２１の基板との接する面積を１画素の面積の０．０５％〜０．１５％の範囲に設定する。 - 特許庁

A current constriction layer 24 which limits the current injection region of the active layer 30 is interposed between the N-type contact layer 21 and the N-type guide layer 23.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１とｎ型ガイド層２３との間には、活性層３０の電流注入領域を制限する電流狭窄層２４が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第１層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A tubular member 202 of the discharge device 200 is disposed so that its inlet part 202a is positioned in the bottom region 116 of a contact aeration chamber 110, and has a structure where an inflow port 101a and an overflow pipe 208 are connected to a defined region 204.例文帳に追加

排出装置２００の管状部材２０２は、その入口部２０２ａが接触ばっ気室１１０の底部領域１１６に配置され、区画領域２０４に流入口１０１ａとオーバーフロー管２０８が接続された構成を有する。 - 特許庁

To restrain generation of current leakage which is caused by a step generated in a boundary part in the case that a contact hole for connecting a source/drain region and a wiring is formed over the boundary part between the source/drain region and an STI structure.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域と配線とを接続するためのコンタクトホールがソース／ドレイン領域とＳＴＩ構造との境界部分を跨ぐように形成される場合において、その境界部分に生じる段差に起因する電流リークの発生を抑制する。 - 特許庁

A DRAM 100 has a source/drain region 3; interlayer insulation films 20, 30 having a contact hole 30h reaching the surface of the source/drain region 3; and a bit line 110 covered with the insulation films 20, 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、ソースおよびドレイン領域３と、ソースおよびドレイン領域３の表面に達するコンタクトホール３０ｈを有する層間絶縁膜２０および３０と、層間絶縁膜２０および３０によって被覆されたビット線１１０とを備える。 - 特許庁

Then, an inter-layer insulating film 6 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 6 is selectively etched thereafter, and a contact hole 7 is formed for respectively partially exposing a source formation region and a drain formation region.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面に層間絶縁膜６を形成し、その後当該層間絶縁膜６を選択的にエッチングし、ソース形成領域及びドレイン形成領域をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール７を形成する。 - 特許庁

The needle point region includes: a seat section integrally continued to a lower edge at the top of the arm region; and the contact section downwardly protruded from a lower end of the seat section, and having the needlepoint contacting an electrode of a to-be-inspected object at the lower end.例文帳に追加

針先領域は、アーム領域の先端側の下縁部に一体的に続く台座部と、該台座部の下端部から下方へ突出する接触部であって被検査体の電極に接触される針先を下端に有する接触部とを備える。 - 特許庁

Some of the noises that reach the p-type diffusion region 206 pass through a parasitic resistor 211 of the p-type semiconductor substrate, a p-type diffusion region 212, a contact hole 213, and a grounding metallic electrode 204; and reach a noise protecting circuit 204.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した一部のノイズは、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１１、Ｐ型拡散領域２１２、コンタクトホール２１３、接地用メタル電極２０４を通過しノイズ保護対象回路２０３に到達する。 - 特許庁

A non-bonding section on which the adhesive is not applied is provided between a first bonding section where the adhesive is applied in a region including the edge section of the recording paper sheet, and a second bonding section where the adhesive is applied in a region coming into contact with a center folding line.例文帳に追加

記録用紙辺縁部を含む領域に接着剤が付与された第１の接着部と、中折り線に接する領域に接着剤が付与された第２の接着部との間に、接着剤が付与されない非接着部を設ける。 - 特許庁

In the case of placing the body part 10 on the supporting surface such as a desk, a region 11 from which a first tube 24A protrudes and a region 11D from which a second tube 24B protrudes, that are located at the back 10B of the body part 10, come into contact with the supporting surface.例文帳に追加

本体部１０を机等の載置面に載置した場合には、本体部１０の裏面側１０Ｂに位置する第１チューブ２４Ａの膨出した領域１１Ｃおよび第２チューブ２４Ｂの膨出した領域１１Ｄが載置面に接することになる。 - 特許庁

When a first region R1 is brought into contact with a resistance imparting part 33, any slip between the first region R1 and the resistance imparting part 33 is suppressed, and a container 20 is moved forwardly while being turned clockwise (refer to the reference numeral 5B).例文帳に追加

第１領域Ｒ１が抵抗付与部３３に接触する状態にあると、第１領域Ｒ１と抵抗付与部３３との間における滑りが抑制され、容器２０は、時計回りの回転を行いながら前方へ移動する（符号５Ｂ参照）。 - 特許庁

As shown by the reference numeral 5B, when a second region R2 is brought into contact with the resistance imparting part 33A, a slip occurs between the second region R2 and the resistance imparting part 33A, and the turn of the fitting member 20 is stopped.例文帳に追加

そして符号５Ｂに示すように、第２領域Ｒ２が第１抵抗付与部３３Ａに接触する状態となると、第２領域Ｒ２と第１抵抗付与部３３Ａとの間で滑りが生じ、装着部材２０は回転を停止する。 - 特許庁

The conductive protection film 12 is formed so as to contact with the metal film 11 in the insulation film 10b and be located in a region on a film surface of the metal film 11, which includes a region that a probe contacts during a prober test conducted in the manufacturing processes.例文帳に追加

そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor layer 35 is selectively formed in the recess 23 in a contact state with the n-type impurity region 19r, thus forming a photoelectric conversion unit which includes the n-type impurity region 19r and the n-type semiconductor layer 35.例文帳に追加

その後、凹部２３内にｎ型不純物領域１９ｒに接する状態で選択的にｎ型半導体層３５を形成し、ｎ型不純物領域１９ｒとｎ型半導体層３５とからなる光電変換部を形成する。 - 特許庁

A region AH where only a film 9 and a sheet P come into contact with each other in the direction in which the sheet is ejected from a heat nip section N is provided by a guide member 15a located outside the sheet passage region of the film 9, which is on the side opposite to the pressure rotor 11 side.例文帳に追加

フィルム９の加圧回転体１１側とは反対面側のシート通過領域外のガイド部材１５ａによって、加熱ニップ部Ｎからシート排出方向にフィルム９とシートＰのみが接触する領域ＡＨを設けたこと。 - 特許庁

In the same impurity ion introduction process, a p^- type semiconductor region 10 and a p^- type field limiting ring 11 are formed collectively in a gate wiring region GLA to contact a groove 5 with a gate extraction electrode 8 formed therein.例文帳に追加

同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域ＧＬＡでｐ^−型半導体領域１０およびｐ^−型フィールドリミッティングリング１１をゲート引き出し電極８の形成された溝５と接するように一括して、形成する。 - 特許庁

The optical element comprises an Si semiconductor light guide 4 and an antireflection region 30, wherein the antireflection region 30 is formed in contact with an end face 32 forming the photo acceptance face (or emergent face) of the light guide 4.例文帳に追加

光素子はＳｉ半導体光導波路４と、反射防止領域３０とからなり、反射防止領域３０はＳｉ半導体光導波路４の受光面（若しくは出射面）を構成する端面３２に接するように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor chip 1a and the semiconductor chip 1b according to an embodiment of the present invention are connected by bumps 40 at a part of a narrow range corresponding to a first region and performing electrical signal communication in a non-contact second region.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体チップ１ａと半導体チップ１ｂとは、第１領域に対応する狭い範囲の一部分でバンプ４０により接続され、非接触である第２領域において電気信号のやり取りを行う。 - 特許庁

In a region between the gate insulation film 5 and the source electrode 3 and in a region between the gate insulation film 5 and the drain electrode 4, the carbon nanotube 6 is in contact with an insulation film 11 consisting of a material different from that of the gate insulation film 5.例文帳に追加

カーボンナノチューブ６は、ゲート絶縁膜５とソース電極３の間の領域、及び、ゲート絶縁膜５とドレイン電極４の間の領域のそれぞれの領域にて、ゲート絶縁膜５とは異なる材料よりなる絶縁膜１１と接する。 - 特許庁

On the other hand, in a peripheral circuit region 10B, a contact plug 212 is formed in the BPSG film 181 for electric connection between the gate electrode 142 and the diffusion region 171B, and the wiring pattern 222 formed in the BPSG film 182.例文帳に追加

一方、周辺回路領域１０ＢにおいてはＢＰＳＧ膜１８１に、ゲート電極１４２及び前記拡散領域１７１Ｂと、ＢＰＳＧ膜１８２に形成された配線パターン２２２との間の電気的接続のため、コンタクトプラグ２１２を形成する。 - 特許庁

An electrodeposition film of resin is formed on the surface of the ferrite core, so that the surface of a region of the ferrite core coming into contact with the radiator or a heat transfer unit jointed to the radiator can be made smooth by forming a uniform and thin film on the region.例文帳に追加

本発明は、フェライトコアの表面に樹脂系の電着膜を施し、フェライトコアと放熱器もしくは放熱器と接合する伝熱器と接触する領域の表面を均一で薄い膜を形成することで平滑な面を得ることができる。 - 特許庁

A probe identification signal line for transmitting/receiving probe identification signals for the apparatus body to identify the ultrasonic probe at least is arranged at the contact pads arranged in a region near the pressure mechanism within the plane region.例文帳に追加

平面領域内における圧力機構の近傍の領域に配置された接触パッドには、少なくとも、装置本体が超音波プローブを識別するためのプローブ識別信号を送受信するためのプローブ識別信号線が配されている。 - 特許庁