「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which is free from an increase in electric resistance between a source electrode and a well region and can obtain a stable low-resistance contact region if a silicon carbide layer for forming a channel layer is either over-etched or under-etched.例文帳に追加

チャネル層を形成するための炭化珪素層のエッチングが、オーバエッチング又はアンダーエッチングのいずれの場合であっても、ソース電極とウェル領域間の電気抵抗の増大が無い、安定した低抵抗のコンタクト領域を得ることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The mold matching surfaces 7a and 8a of the lower and upper molds 7 and 8 are brought into contact with each other in the inner region in the diametric direction of the annular stepped part D and the mold matching surfaces 7b and 8b of the upper and lower molds 7 and 8 are constituted so as to form a slight gap in the outer region in the diametric direction.例文帳に追加

環状段差部Ｄの径方向内側領域において、下型７と上型８の型合わせ面７ａ，８ａを当接させ、径方向外側領域において下型７と上型８の型合わせ面７ｂ，８ｂは若干の隙間が生じるように構成される。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁

When one side 11b of an article 10 to be inspected is directed to a forward side of a conveyance device 30, and a first region R1 of a fitting member 20 is brought into contact with a first resistance imparting part 33A, any slip between the first region R1 and the resistance imparting part 33A is suppressed.例文帳に追加

検査品１０の一方の面１１ｂが搬送装置３０の前方側を向き、装着部材２０の第１領域Ｒ１が第１抵抗付与部３３Ａに接触する状態にあると、第１領域Ｒ１と第１抵抗付与部３３Ａとの間における滑りが抑制される。 - 特許庁

On a third region R3 of the surface 301S1, a schottky gate electrode 304 having schottky contact with the third region R3 and having a thickness ≥5 μm is formed, and on the back face of the semi-insulating substrate 305, a metal layer 306 formed by a vapor deposition method or the like is arranged.例文帳に追加

表面３０１Ｓ１の第３領域Ｒ３上には、第３領域Ｒ３とのショットキー接触を有する厚み５μ以上のショットキーゲート電極３０４が形成され、半絶縁性基板３０５の裏面上には、蒸着法等によって形成された金属層３０６が配設される。 - 特許庁

Especially, controlling the rotational frequency and the torque while avoiding a high vibromotive force region H in which the vibromotive force is at a predetermined value or more enables to control the operation within a region in which the contact noises is less than a predetermined level so as to reduce noises without improving the machining accuracy.例文帳に追加

特に、起振力が所定値以上となる高起振力領域Ｈを避けて回転数とトルクとを制御することにより、噛み合い音が所定レベルより小さい領域で運転制御することができ、加工精度を上げなくても低騒音化を図ることができる。 - 特許庁

Further, the pressing pad changes gently to the shape having nearly the same curvature as the curvature of the contact surface of the cap member and the fixing belt toward both ends from the paper passage region and therefore the shape of the fixing belt changes gently from the end along the pressing pad to the paper passage region and hardly gives rise to wrinkling and bending.例文帳に追加

そして、通紙域から両端に向ってゆるやかにキャップ部材と定着ベルトとの接触面とほぼ同じ曲率を有する形状へと変化するため、定着ベルトは押圧パッドに沿って端部から通紙域まで形状がなだらかに変化し、しわや折れ曲がりが生じにくい。 - 特許庁

Since air-conditioning air blown out from the air outlet 2 is lifted in a region 50 along the back face of the back plate 47 due to the Coanda effect, the air-conditioning air does not directly come into contact with the legs of the audience and reaches the upper side of the accommodation region.例文帳に追加

吹出口２から吹出された空調空気は、コアンダ効果により、背面板４７の裏面に沿った領域５０を上昇することとなり、観客の下肢に直接空調空気があたらず、また、居住域高さ上方まで空調空気が到達することとなる。 - 特許庁

Some p-type base regions 12 of the p-type base regions 10 and 12 without any n-type source region 3 are electrically connected with an emitter electrode 7 via contact holes 11 provided in the vicinity of the terminal ends of the trenches 21 and provided on the both sides of a gate runner 14 in an active region.例文帳に追加

そして、ｎ型ソース領域３のないｐ型ベース領域１０，１２のうちの一部のｐ型ベース領域１２とエミッタ電極７とを、トレンチ２１の終端部近傍と活性領域内のゲートランナー１４の両脇にそれぞれ設けたコンタクトホール１１を介して、電気的に接続する。 - 特許庁

By forming the sealed space 2A by the air curtain, the detection region of the ground is specified in a non-contact state and, since the harmful substance 3 is analyzed and detected in the detection region, the polution detector is mounted on the moving body such a vehicle or the like to detect the presence and position of pollution efficiently in a real time.例文帳に追加

このように、エアカーテンによる封止空間２Ａの形成により、地面の探知領域が非接触で特定され、その中で有害物質３が分析検知されるので、車両等の移動体に搭載して、リアルタイムで効率良く汚染の有無及びその位置を探知することができる。 - 特許庁

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

The respective interlayers are electrically connected to each other via contact holes appropriately opened in the respective interlayer insulating films; and thereby a TFT 30, a storage capacitance 70, and a pixel electrode 9a, etc., are formed in a pixel region 10a, and TFT 30p, 30n, etc., are formed in a peripheral region 10b.例文帳に追加

各層間絶縁膜に適宜開孔されるコンタクトホールを介して各層間が電気的に接続されることにより、画素領域１０ａには、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、及び画素電極９ａ等が形成され、周辺領域１０ｂには、ＴＦＴ３０ｐ，３０ｎ等が形成される。 - 特許庁

A CPU detects that a reproduction button is turned on (S62: Yes), and when the designation of a writing region is detected by bringing a pen into contact with a touch panel, or starting a writing (S64: Yes), the CPU detects the designated writing region (S66).例文帳に追加

ＣＰＵは、再生ボタンがＯＮしたことを検出し（Ｓ６２：Ｙｅｓ）、タッチパネル上にペンを接触させることにより、あるいは、筆記を開始することにより、筆記領域が指定されたことを検出すると（Ｓ６４：Ｙｅｓ）、その指定された筆記領域を検出する（Ｓ６６）。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

This vertical MOS semiconductor device has a 2nd conductivity type 1st semiconductor region 12 formed below a thick part 3b of a gate insulating film, and a 1st conductivity type 2nd semiconductor region 11 formed in contact with the 1st semiconductor 12.例文帳に追加

この縦型ＭＯＳ半導体装置では、ゲート絶縁膜の厚い部分３ｂの下方には第２導電型の第１の半導体領域１２が形成されており、この第１の半導体１２と接するように第１導電型の第２の半導体領域１１が形成されている。 - 特許庁

An insulation layer capable of discharging oxygen by heating is formed in contact with an oxide semiconductor layer, and by applying light on a gate electrode or a metal layer formed in a region overlapping the gate electrode, oxygen is added in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device which prevents the protrusion of a silicide film formed in a source/drain contact region toward a silicon substrate side, wherein a driving force is given by giving stress to a channel region, and avoids the occurrence of a junction leakage defect and a gate leakage defect, and a manufactured semiconductor.例文帳に追加

チャネル領域に応力を与えるため、ソース・ドレイン・コンタクト領域に形成されるシリサイド膜がシリコン基板側に突出することを防ぎ、接合リーク不良の発生やゲートリーク不良の発生を回避する半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置の提供。 - 特許庁

This method comprises a process wherein RR of the green tire 1 is measured on a former by using a displacement gage 2 after the green tire 1 is formed and a process wherein a contact bonding plate which can cover substantially an RR peak region obtained by the measurement is pressed against this region to correct the RR of the green tire 1.例文帳に追加

グリーンタイヤ１の成型後、フォーマー上で該グリーンタイヤ１のＲＲを変位計２を用いて測定する工程と、測定により得られたＲＲピーク領域に、この領域を実質上カバーし得る圧着板を押し付けて該グリーンタイヤ１のＲＲを修正する工程とを含む。 - 特許庁

The opposite ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator are current non-injection regions and the part of the active layer 30 corresponding to the p-side contact layer 43 in the region except for the opposite ends in the direction A of the resonator is the current injection region.例文帳に追加

これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Ａにおける両端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for suppressing the occurrence of end fogging resulting from changing of the surface potential of a region with which a recording medium of a width narrower than a recording medium of the greatest width does not come into contact, of a region after transfer in the rotation axis direction of a photoreceptor.例文帳に追加

感光体の回転軸方向における転写後の領域のうち最大の幅の記録媒体よりも狭い幅の記録媒体が接触しないことになる領域の表面電位が変動してしまうことに起因した端部かぶりの発生を抑制できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A quantum dot 1 is periodically provided for giving wavelength selectivity, and at the same time a quantum well layer 2 is provided at a region without at least the quantum dot 1, and is physically or electrically brought into contact at least partially with the region having the quantum dot 1.例文帳に追加

量子ドット１を周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも量子ドット１が設けられていない領域に量子井戸層２を設け、量子井戸層２を、量子ドット１を設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触させる。 - 特許庁

A nickel silver electrode 140 placed on the first face has a swell part 143 projecting toward the second face to be in contact with the measurement target region when the measurement target region is held by the first and second faces, so that the swell part 143 can detect biological information on the subject.例文帳に追加

洋白電極１４０は、第１の面から第２の面の側に隆起してなり、第１および第２の面により測定対象部位を挟むときに測定対象部位に当接する隆起部１４３を有し、この隆起部１４３により被検者の生体情報を検出する。 - 特許庁

Introduction of the sample into the capillary is performed, by forming a plug region which holds a liquid different from the migration liquid to one end of the capillary and applying the electric field to the capillary, in a state where the end surface of the plug region is brought into contact with a sample solution containing the sample.例文帳に追加

前記キャピラリー内への試料導入は、前記キャピラリーの一端に泳動液とは異なる液体を保持したプラグ領域を形成し、該プラグ領域端面を、前記試料を含む試料溶液と接触させた状態で該キャピラリーに電界を印加することにより行う。 - 特許庁

This current detection device is equipped with at least one sensor element 3 provided on a carrier portion 4 for detecting the magnetic field; and a prescribed region which is a prescribed region S of the conductor 1, at which the at least one sensor element 3 is arranged in contact with the conductor.例文帳に追加

本発明に係る電流検出装置は、磁界を検出するために支持体部(4)上に設けられた少なくとも一つのセンサ素子(3)と、導体(1)の所定の領域(S)であって、当該導体に接して少なくとも一つのセンサ素子(3)が設けられている所定の領域とを備えている。 - 特許庁

The diode (20) is formed so as to be brought into contact with the channel region 11 of the thin-film transistor 10 and constituted, so that a p^+-type semiconductor layer 34 (anode) is connected to the channel region 11 and an n^+-type semiconductor layer 34 (cathode) is connected to the gate electrode 15 via body electrode 25.例文帳に追加

ダイオード２０の部分は、薄膜トランジスタ１０のチャネル領域１１に接するように形成され、ｐ＋型半導体層３４（アノード）がチャネル領域１１に接続され、ｎ^＋型半導体層３４（カソード）が、ボディ電極２５を介してゲート電極１５に接続されている。 - 特許庁

After a passivation film 6 is formed and a contact hole c for taking out an electrode are formed, the depression type transistor side is coated with a resist material r, impurity ions are implanted into the enhancement type transistor side using the gate electrode 5e as a mask, and thus an n-type source region 7 and a drain region 8 are formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。 - 特許庁

It also includes a step in which a first oxide film is formed by thermally oxidizing the exposed upper part of a source region 3 and the upper part of p+ contact region 5, and at the same time, an oxide film 16 which is thicker than the first oxide film is formed by thermally oxidizing the exposed upper part of gate electrode 7.例文帳に追加

露出されたソース領域３上部およびｐ＋コンタクト領域５上部を熱酸化して第１の酸化膜を形成するとともに、露出されたゲート電極７上部を熱酸化して、第１の酸化膜の膜厚よりも厚い酸化膜１６を形成する工程を備える。 - 特許庁

The rigidity of the diaphragm 7 in a region 7b, which comes into contact with the liquid and corresponds to both end sections in the longitudinal direction of the individual liquid chamber 5, is made larger than a region 7a at the center in the longitudinal direction of the individual liquid chamber 5, and thus, the diaphragm 7 is prevented from being cracked.例文帳に追加

振動板７の、前記液体に接する領域であって個別液室５の長手方向に関する両端部に対応する領域７ｂの振動板７の剛性を、個別液室５の長手方向中央の領域７ａよりも大きくすることで、振動板７の割れを防ぐ。 - 特許庁

Liquid crystal in the effective display region which corresponds to the position of the sub-pixel electrodes and becomes the display part is hardly affected by disturbance in alignment of liquid crystal occurring in the part of the contact hole and can prevent the disturbance in alignment of liquid crystal in the effective display region from occurring.例文帳に追加

サブ画素電極の位置に対応し、表示部分となる有効表示領域の液晶は、コンタクトホールの部分にて生じる液晶の配向乱れの影響を受け難くなり、その有効表示領域の液晶の配向乱れの発生を防止することができる。 - 特許庁

An X-ray radiographing apparatus is equipped with a chair 16 and a backrest 17 for positioning a region Px to be imaged of the subject P within an X-ray irradiation region and a lower limb guard 18 located in front of the subject P for preventing lower limbs Pa of the subject P from making a contact with a non-rotary part during the rotations.例文帳に追加

被検者Ｐの撮影対象部位ＰｘをＸ線照射領域の内部に位置決めする椅子１６、背当て１７と、被検者Ｐの前方に位置し回転中に被検者Ｐの下肢Ｐａが非回転部に接触することを防止する下肢ガード１８とを備えている。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p body 21, an n^+source region 22, a p^+region 23, a gate oxide film 30, a gate electrode 40, an interlayer insulating film 50, a contact electrode 80, a source electrode 60, and a drain electrode 70.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐボディ２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、ｐ^＋領域２３と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０と、層間絶縁膜５０と、コンタクト電極８０と、ソース電極６０と、ドレイン電極７０とを備えている。 - 特許庁

In the transflective liquid crystal display device, the reduction of color purity generated by providing the pinhole at a part of the color filter in the reflection region can be suppressed by superposing the two-dimensional position of the pinhole on the position of a contact of a pixel electrode in the reflection region.例文帳に追加

反射領域のピンホールの平面位置を、画素電極のコンタクトの位置と重ねることにより、反射領域のカラーフィルタの一部にピンホールを設けることによる色純度の低下を抑制することが可能な半透過型の液晶表示装置を提供することができる。 - 特許庁

In regard to a region where a door glass DG in a reference position in the vehicle width direction is positioned inside the main body part 11, a tip portion on a face opposite to a glass sliding contact face of the vehicle internal seal lip 13 in the region is set to abut on the projection part 21.例文帳に追加

車幅方向において基準位置にあるドアガラスＤＧが本体部１１の内側に位置している部位に関し、当該部位における車内側シールリップ１３のガラス摺接面とは反対側の面の先端部位と、凸部２１とが当接するよう設定されている。 - 特許庁

An accurate measurement of the body temperature can be performed in a shorter time by computing the body temperature, on the basis of a contact temperature of a measuring region of the living body measured by a first temperature measuring means, and an ambient temperature in the vicinity of the measuring region measured by a second temperature measuring means.例文帳に追加

第１の測温手段が測定した生体の測定部位の接触温度と、第２の測温手段が測定した測定部位近傍の雰囲気温度とに基づいて体温を演算することによって、より短時間に正確な体温を測定できるようにした。 - 特許庁

That is, the high resistor element region 3, contact plugs 4a and 4b and extended parts of wiring layers 6a and 6b are symmetrical, and both of the wiring layers 6a and 6b are laid over the high resistor element region 3 by the same lengths in vertical and transverse directions.例文帳に追加

すなわち、高抵抗素子領域３、コンタクトプラグ４ａ，４ｂおよび配線層６ａ，６ｂの張出し部分は、左右対称の構造をしており、断面的にもおよび平面的にも、配線層６ａ，６ｂそれぞれが高抵抗素子領域３に対して同じ長さだけ被さっていることになる。 - 特許庁

The waveguide 103 includes a core 101 made of a nonlinear optical crystal having a refractive index n_1,light in a wavelength region of light, and cladding 102 disposed in contact with the core 101 and made of a material whose refractive index in the wavelength region of light is lower than the refractive index n_1,light.例文帳に追加

導波路１０３は、光の波長域における屈折率がｎ_1,光の非線形光学結晶で構成されたコア１０１と、光の波長域における屈折率がｎ_1,光より小さい材料で構成されコア１０１と接して配置されたクラッド１０２を含む。 - 特許庁

In the PDP 10, a protective film 114 is formed of a first protective film region 114a and a second protective film region 114b, and both protective film regions 114a, 114b contact a dielectric layer 1134 and face a discharge space 13.例文帳に追加

ＰＤＰ１０では、保護膜１１４が第１の保護膜領域１１４ａと第２の保護膜領域１１４ｂとから構成されており、両保護膜領域１１４ａ、１１４ｂは、ともに誘電体層１１３４に接し、且つ、ともに放電空間１３を臨むように形成されている。 - 特許庁

Hence, since the bipolar transistor can be formed, without causing the penetration of the external base layer or the trench isolation region in the forming of the contact via hole on the external base layer, leakage will not be generated at the collector-base region and is capable of forming the bipolar transistors with high yield.例文帳に追加

そのため、外部ベース層上のコンタクトヴィア形成において外部ベース層又はトレンチ分離の突き抜けを起こすことなくバイポーラトランジスタを形成することができるため、コレクタ・ベース間リークを引き起こすことなく、高歩留なバイポーラトランジスタを形成することができる。 - 特許庁

This means, a holder 615c in each of the chuck pins 615 is maintained in contact with an outer edge of the substrate W when it passes through the region R1 outside the magnet plate 614a, but it is spaced apart from the outer edge of the substrate W when it passes through the region R2 outside the magnet plate 614b.例文帳に追加

すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 - 特許庁

On each of the roller members 2a, 2b, 2c, a contact region with a glass substrate, which has a surface arranged on a circle centered on the drive shaft 3 and a noncontact region with the glass substrate, which has a surface arranged within the circle towards a shaft center of the drive shaft 3 are formed.例文帳に追加

これらのローラ部材２ａ、２ｂ、２ｃには、その表面が駆動軸３を中心とする円上に配置されたガラス基板との当接領域と、その表面が円より駆動軸３の軸心側に配置されたガラス基板との非当接領域とが形成されている。 - 特許庁

Instead of an implanted heavy body and heat cycle, the invented process forms the transistor heavy body by etching a trench into the body region and filling the heavy body trench with a high conductivity material such as metal that makes contact to both the source and the body region.例文帳に追加

高量注入および熱サイクルの代わりに、トレンチを基体領域にエッチングして、その高重基体トレンチをその基体およびソース領域の双方にコンタクトを形成する金属のような高導電材料で充填することによってトランジスタの高重基体を形成する。 - 特許庁

After forming a side wall insulation film in the common contact section 11A and second gate electrode 11B, a titanium film is formed over the entire surface, and then is heat-treated to form a titanim silicide film on the common contact section 11A, on the second gate electrode 9, and on the source and drain formation region.例文帳に追加

そして、前記共通コンタクト部１１Ａと第２のゲート電極１１Ｂに側壁絶縁膜を形成した後、全面にチタン膜を形成し熱処理することで、共通コンタクト部１１Ａ上と第２のゲート電極９上及びソース・ドレイン形成領域上にチタンシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

Thus, the depth of the contact trench 10 can be prevented from being deepened too much and recovery loss can be reduced, and recovery characteristics can be improved while preventing deterioration in withstand voltage between a collector and an emitter due to punch through of a base region 3 below the contact trench 10.例文帳に追加

このため、コンタクト用トレンチ１０の深さを深くし過ぎることなくリカバリ損失の低減を図ることが可能となり、コンタクト用トレンチ１０の下のベース領域３がパンチスルーしてしまうことによるコレクタ−エミッタ間耐圧の低下を抑制しつつ、リカバリ特性を改善することができる。 - 特許庁

The contact region R_D has a plurality of subregions R1 and R2 formed so that the N (N is an integer number greater than or equal to 2) contact plugs CW are arranged on straight lines not parallel to the first and second directions on the successive N element regions 111.例文帳に追加

前記コンタクト領域Ｒ_Ｄは、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の前記コンタクトプラグＣＷが、連続するＮ本の前記素子領域１１１上に、前記第１及び第２方向に非平行な直線上に並ぶように形成された部分領域Ｒ１、Ｒ２を複数有する。 - 特許庁

The two dimensional hole gas layer is generated in an interfacial region between the first semiconductor layer 14 and the second semiconductor layer 15 of the second semiconductor layer 15, and a base electrode 19 selectively formed so as to contact with a part of the base layer is in ohmic contact with the two dimensional hole gas layer.例文帳に追加

第２の半導体層１５における第１の半導体層１５と第２の半導体層１４との界面領域には、２次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極１９は、２次元正孔ガス層とオーミック接続している。 - 特許庁