「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of projections consisting of a plurality of projected parts 22 and a plurality of recessed parts 23 are formed to the region, which comes into contact with the external connection terminal of an IC or the like, of a contact terminal 20 and each of them is constituted of a matrix having fine unevenness and the conductive layer 27 covering the fine uneveness.例文帳に追加

接触端子２０の、ＩＣなどの外部接続端子と接触する領域に、複数の凸部２２及び複数の凹部２３よりなる複数の突起を形成し、上記複数の突起は、微小な凹凸を有する母材と上記微小な凹凸を覆う導電層２７とにより構成する。 - 特許庁

The scanning mirror 22 on the detection side is constituted so as to alter the direction of a reflecting surface and the measuring region in the contact surface measured by the light detecting means 18 is altered by altering the reflecting surface of the scanning mirror 22 on the detection side with respect to the total reflection light from the contact surface to perform mapping measurement.例文帳に追加

検出側スキャンミラー２２は反射面の向きを変更可能に構成され、前記当接面からの全反射光に対して検出側スキャンミラー２２の反射面を変更することで、光検出手段１８で測定する当接面内での測定部位を変更しマッピング測定を行う。 - 特許庁

If a large force is applied downward in an axial direction of the lead terminal from above a circuit component 10, this large force can be received by a region of a contact surface 13a on which the flange 3 of the stationary auxiliary member 2 and the circuit board 13 are brought into contact with each other via the lead terminal 7.例文帳に追加

回路部品１０の上方からリード端子軸方向の下向きに大きな力がかかると、リード端子７を介して固定補助部材２のフランジ部３と、回路基板１３とが接触している接触面１３ａの部分でこの大きな力を受け止めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based LED element that includes a process of partially increasing resistance between a p-type contact layer and a translucent element in a predetermined region after forming the translucent electrode of a TCO film on the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層上にＴＣＯ膜からなる透光性電極を形成した後に、このｐ型コンタクト層と透光性電極との間の抵抗を所定領域において部分的に増加させる工程を含む、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring board for IC inspection capable of adjusting properly the relative position between an IC electrode loaded on an IC acceptance part and an electrode for IC contact, by arranging properly the electrode for IC contact on the wiring board in the region (IC acceptance part) surrounded by an IC acceptance wall.例文帳に追加

ＩＣ受容壁で囲まれた領域（ＩＣ受容部）内に、配線基板上のＩＣ接触用電極を適正に配置し、ＩＣ受容部に装填されたＩＣの電極と上記ＩＣ接触用電極との相対位置を適正にするＩＣ検査用配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin semiconductor device on which a back electrode is disposed via an impurity diffusion region for contact for preventing the strength failure of a wafer-shaped substrate, and obtaining the contact of the back electrode at a lower temperature.例文帳に追加

薄型で、かつ、コンタクト用不純物拡散領域を介して裏面電極を配した半導体装置において、ウエハ状の基板における強度的な不具合を回避できるとともに、より低温で裏面電極のコンタクトをとることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrical tester (1) of the invention for testing the electrical test piece (2) preferably a wafer (3) has a contact region (12) in which the electrical test piece (2) directly contacts the contact apparatus (5), and is provided with an electrical connection mechanism (7) associated with a support mechanism (8).例文帳に追加

本発明は、電気試験片(2)と接触可能な接触装置(5)を直接接触させるための接触領域(12)を有しかつ支持機構(8)が関連付けられている電気接続機構(7)を備えた、電気試験片(2)、好ましくはウェハ(3)を試験するための電気試験装置(1)に関する。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting device 11, a plurality of openings 43 are formed in a specific light emission take-out region 41 of an insulation layer 35, and a contact electrode 39 is installed at the end of each of the opening 43, thus connecting a p-type contact layer 31 to a positive electrode 37.例文帳に追加

半導体発光素子１１では、絶縁層３５の所定の発光取出し領域４１内に複数の開口４３が形成され、各開口４３の縁部にコンタクト電極３９が設置されることによってｐ型コンタクト層３１と正電極３７とが電気的に接続される。 - 特許庁

A sponge-like substrate cleaning brush 10 for cleaning a peripheral region of a substrate W has a peripheral edge face cleaning part 31 in contact with a peripheral edge face 8 of the substrate W and a peripheral part cleaning part 32 in contact with a peripheral part 9 of one surface of the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの周縁領域を洗浄するスポンジ状の基板洗浄ブラシ１０は、基板Ｗの周端面８に当接する周端面洗浄部３１と、基板Ｗの一方表面の周縁部９に当接する周縁部洗浄部３２とを有する。 - 特許庁

On a part of a contact surface 11A of the heater block 10 in contact with both overlapping ends 2W of the packaging film 2, a heat shielding body 12 for forming a heat shielding region is provided, which regulates heat conduction of a predetermined temperature or higher to the overlapping ends 2W from the heater block 10.例文帳に追加

包装フィルム２の両端重ね合わせ部２Ｗに当接するヒーターブロック１０の当接面１１Ａの一部に、当該ヒーターブロック１０から重ね合わせ部２Ｗへの所定温度以上の熱伝導を規制する熱遮蔽領域を形成するための熱遮蔽体１２を設ける。 - 特許庁

The oil film thickness after elastic deformation is increased by a depth of a groove 5 in a rolling direction by forming the groove 5 in the rolling direction at the end of at least one contact region with which the rolling member rollingly contacts, so that the contact parts are separated from each other by lubricating oil.例文帳に追加

転がり接触する部材の少なくとも一方の部材の接触領域の端部に、転がり方向溝５を設けることにより、この転がり方向溝５の深さ分だけ、弾性変形後の油膜厚さが増加するようにして、接触部を潤滑油で分離できるようにした。 - 特許庁

When the lens 9 is moved in a predetermined region of a plane perpendicular to the optical axis (XY plane defined by the X direction and the Y direction), the regions where the lens frame 10 can contact with the vibrating bodies 11, 12, 13 are the contact regions 31a, 32a and 33a.例文帳に追加

光軸に垂直な平面内（Ｘ方向とＹ方向とで規定されるＸＹ平面内）における所定領域内でレンズ９を移動させる際にレンズ枠１０と振動体１１，１２，１３とが接触しうる領域が接触領域３１ａ，３２ａ，３３ａである。 - 特許庁

The tip area 36b is thereby solder-jointed to a terminal part of the electrical component via the Au plating layer 41, and the fused solder stays only in the tip region 36b of the spiral contact, and will not flow along a support 35 direction of the spiral contact 34.例文帳に追加

よって、前記Ａｕメッキ層４１を介して前記先端領域３６ｂと電子部品の端子部とを半田接合でき、このとき溶融した半田は前記スパイラル接触子の先端領域３６ｂのみに留まり、スパイラル接触子３４の支持部３５方向へ伝わって流れない。 - 特許庁

The contact region of the outer circumferential part of the work is increased to the polishing member 28 and the polishing effect is enhanced by bringing the outer circumferential part of the work (a semi-conductor wafer) 42 into contact with the polishing member (an abrasive cloth) 28 inside a cylindrical polishing drum 23 and by relatively rotating the polishing drum 23 and the work 42.例文帳に追加

円筒形の研磨ドラム２３内の研磨用部材（研磨布）２８にワーク（半導体ウェーハ）４２の外周部を接触させて、研磨ドラム２３とワーク４２とを相対回転させることにより、研磨用部材２８に対しワーク外周部の接触領域が増大し、研磨効果が高まる。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

Defective junctions are avoided in the periphery of the contact part by forming a recess in the semiconductor substrate made to contact the electrode on the glass in the recess, reliability in gas leakage or the like is secured thereby, and a cost is reduced, since there is no unnecessary junction region required to be provided.例文帳に追加

半導体基板内に凹みを形成して凹み内で硝子上の電極とコンタクトさせることにより、その周囲での接合不良を回避できる為、ガスリーク等における信頼性を確保でき、且つ不要な接合領域を設けることが無い為に、低コスト化を図ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a grease composition for electric contact points, effectively decreasing abrasion of copper surface, copper alloy surface, and noble metal surface (silver-plated surface, gold-plated surface and the like) without generating chattering (voltage drop) in applications even of fine current contact points in a low temperature region.例文帳に追加

微小電流の接点でも低温域での使用においてチャタリング（電圧降下）を発生させることなく、銅表面、銅合金表面、貴金属表面（銀メッキ表面、金メッキ表面等）の摩耗を有効に低減し得る電気接点用グリース組成物を提供すること。 - 特許庁

At the same time when a seal stand frame 40 elevating toward the tray 10 on the deck plate 30 from the lower region comes into contact with a flange part of the tray 10, a touch base 50 provided on a frame 41 comes into contact with the undersurface 40 of the deck plate 30 to raise up the deck plate 30.例文帳に追加

デッキプレート３０のトレイ１０に向け下域から上昇するシール台枠４０が、前記トレイ１０のフランジ部分に接触すると同時に、枠フレーム４１に設けたタッチベース５０が、前記デッキプレート３０の下面に４０に接触して同デッキプレート３０を持ち上げ構成。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a well voltage supply line 57 for supplying a voltage to the well; a well contact portion 56 connecting the well voltage supply line 57 and the well (well contact region 48); and a plurality of transfer control signal lines 30a-30d for controlling the plurality of transfer transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、ウェルに電圧を供給するためのウェル電圧供給線５７と、ウェル電圧供給線５７とウェル（ウェルコンタクト領域４８）とを接続するウェルコンタクト部５６と、複数の転送トランジスタを制御するための複数の転送制御信号線３０ａ〜３０ｄとを含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate 1 having a primary surface; and a silicon carbide layer (a breakdown-voltage holding layer 2, a semiconductor layer 3, an n-type source contact layer 4, and a p-type contact region 5) including inclined side surfaces with respect to the primary surface.例文帳に追加

半導体装置は、主表面を有する基板１と、基板１の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層（図２の耐圧保持層２、半導体層３、ｎ型ソースコンタクト層４、およびｐ型のコンタクト領域５）とを備える。 - 特許庁

Consequently, when the film thickness Da is made sufficiently thin, the penetration to the film 76 of the base 79a of the contact hole 79 can be prevented even if etching conditions are set so that the hole 78 is connected surely to the region 75 when each contact hole 78 and 79 is formed simultaneously.例文帳に追加

そのため、膜厚Ｄａを十分に薄くすれば、各コンタクトホール７８，７９を同時に形成するとき、ホール７８が領域７５と確実に接続されるようにエッチング条件を設定しても、ホール７９の底面７９ａが膜７６を突き抜けるのを防止できる。 - 特許庁

The first contact point 21, which is the contact point of the inside surface 140 fronted on the duct 15 in the buffer layer 16 and the laminating surface 111, is arranged to the region 3 between the mutual extension lines of a pair of the vertically provided surfaces 141 in the cross section crossing the axial direction of the gas sensor element 1 at a right angle.例文帳に追加

ガスセンサ素子１の軸方向に直交する断面において、緩衝層１６におけるダクト１５に面する内側面１４０と積層面１１１との接点である第一接点２１は、一対の立設面１４１の延長線同士の間の領域３に配置されている。 - 特許庁

A titanium film 101 is formed in a contact hole 22 exposing a desired part of a semiconductor substrate 1 and after a titanium silicide film 102 is formed in that region by heat treatment, a TiN film (barrier metal film) 104 is formed and the contact hole is filled with a high melting point metal 105.例文帳に追加

半導体基板１の所望の領域を露出させた接続孔２２内にチタン膜１０１を形成し、この領域に熱処理によりチタンシリサイド膜１０２を形成した後に、ＴｉＮ膜（バリアメタル膜）１０４を形成し、高融点金属１０５を接続孔内に充填する。 - 特許庁

A partial region on the surface of the aluminum foil is brought into contact with an acidic first liquid comprising hydrogen fluoride, and thereafter, the surface of the aluminum foil at least comprising the part is brought into contact with an acidic second liquid comprising hydrochloric acid, so that the aluminum foil is subjected to etching treatment.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面上で一部の領域にフッ化水素を含む酸性の第１の液を接触させた後、一部の領域を少なくとも含むアルミニウム箔の表面上に塩酸を含む酸性の第２の液を接触させることによってアルミニウム箔をエッチング処理する。 - 特許庁

The printer apparatus is equipped with a control means which sends out the printing sheet S in a state while elastic contact of the pinch roller to the grid roller is released, brings the pinch roller into elastic contact with the grid roller after sending out the printing sheet by a length according to printing region length data, and carries out printing while drawing back the printing sheet.例文帳に追加

グリッドローラに対するピンチローラの弾接を解除した状態で印刷用シートSを送出し、印刷範囲長データに応じた長さを送出した後に、グリッドローラへピンチローラを弾接させて、印刷用シートを引戻しつつ印刷を行う制御手段を備える。 - 特許庁

The bearing pressure of each cell C is calculated, based on a balance condition expression where the total of the bearing pressures of the cells C balances with an external force, and the total of the products of the bearing pressure and influence quantity for the cells C balances with the difference between the approach amount between the contact objects and initial clearance inside a contact region.例文帳に追加

各セルＣの面圧の合計が外力と釣り合い、かつ各セルＣにつき面圧と前記影響量の積の合計が接触領域内部において接触物体間の接近量と初期隙間の差に釣り合うという釣り合い条件式から、各セルＣの面圧を算出する。 - 特許庁

This process cartridge has a thin-plate elastic sheet 71, brought into a sliding contact with the periphery surface of the charging roller 2 and the sheet exists between the electroconductive member 59a and the charging roller 2, with the length of the elastic sheet 71 being made longer than that of the contact region of the charging roller 2 that contacts with an electrophotographic photoreceptor drum.例文帳に追加

帯電ローラ２の周面を摺擦する薄板状の弾性シート71を有し、前記弾性シート71の長さを帯電ローラ２が電子写真感光体ドラムに接触している接触領域の長さよりも長くして、導電性部品59ａと帯電ローラ２との間に介在している。 - 特許庁

At least one of a part where the drain region 116 is in contact with the semiconductor layer 114 and a part where the source electrode 117 is in contact with the semiconductor layer 114 is formed to be positioned on the outer side in a channel length direction of the thin film transistor 100 as compared with the gate electrode 112.例文帳に追加

ドレイン領域１１６と半導体層１１４が接触する箇所及びソース領域１１７と半導体層１１４が接触する箇所のうち少なくとも一方は、ゲート電極１１２と比較し、薄膜トランジスタ１００のチャネル長方向に外側に位置するように形成されている。 - 特許庁

The second layer 40 is provided in contact with the well region 56 on a part of a top surface of a buried insulating layer 52, and has a plurality of concentration regions 41-43 of which impurity concentration is different from one another, the plurality of concentration regions 41-43 being arranged in the increasing order of the impurity concentration from the side of the body region 26 to the side of the well region 56.例文帳に追加

また、第２層４０は、埋め込み絶縁層５２の上面の一部にウェル領域５６に接して設けられ、さらに、不純物濃度がそれぞれ異なる複数の濃度領域４１〜４３を有しており、その複数の濃度領域４１〜４３は、ボディ領域２６側からウェル領域５６側に向けて不純物濃度が増加する順に配置されている。 - 特許庁

The sockliner 1 has a heel region 3 making a contact with the heel of the foot, the heel region 3 is composed of an outside heel area 3A along the contour of the heel region 3 and an inside heel area 3B adjacent to the outside heel area 3A, and the outside heel area 3A is composed of a sponge layer 5 having a substantially U-shape.例文帳に追加

履物用中敷１は、足のかかとに接触するかかと領域３を有しており、かかと領域３は、かかと領域３の外形に沿った外側かかと領域３Ａと、外側かかと領域３Ａに隣接する内側かかと領域３Ｂとから構成されていると共に、外側かかと領域３Ａは略Ｕ字型の形状を有するスポンジ層５で構成されている。 - 特許庁

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced.例文帳に追加

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1 provided with a primary surface, an element isolating region 10 provided on the primary surface of the substrate 1, an insulating layer 6 provided on the primary surface of the substrate 1, and a first semiconductor layer 11 provided in a prescribed region of the element isolating region 10 which is cut when a contact hole 13 is formed.例文帳に追加

主表面を有する半導体基板１と、半導体基板１の主表面に設けられた素子分離領域１０と、半導体基板１の主表面上に設けられた絶縁層６と、絶縁層６にコンタクトホール１３を形成時に削られた素子分離領域１０の所定領域に設けられた第１の半導体層１１とを備えたものである。 - 特許庁

The semiconductor element consists of a semiconductor substrate 60 including a conductive region and insulating region, a conductive pattern formed on the conductive region of the semiconductor substrate 60, an auxiliary pattern composed of a conductive layer positioned adjacent to the conductive pattern, and an inter-layer dielectric film 66 which is formed on the semiconductor substrate 60 and has a contact hole 68 exposing the conductive pattern and auxiliary pattern at the same time.例文帳に追加

導電領域と絶縁領域とを含む半導体基板６０と、半導体基板６０の導電領域に形成される導電パターンと、導電パターンと隣接して配置される導電層よりなる補助パターンと、半導体基板６０上に形成され、前記導電パターンと補助パターンとを同時に露出させるコンタクトホール６８を有する層間絶縁膜６６とを含む。 - 特許庁

First and second word lines 12A, 12B extending across a bend with a spacing therebetween are formed on an element region 11 formed on a semiconductor substrate, a data-storing capacitor is formed approximately at the center of the element region 11, and a capacitor contact 13 for connecting a storage node of the capacitor to the element region 11 is formed thereon.例文帳に追加

半導体基板上に形成された素子領域１１上には、屈曲部をそれぞれ横切るように互いに間隔をおいて延びる第１のワード線１２Ａ及び第２のワード線１２Ｂが形成され、素子領域１１のほぼ中央部には、データ蓄積用のキャパシタが形成されると共に、キャパシタのストレージノードと素子領域１１とを接続するキャパシタコンタクト１３が形成されている。 - 特許庁

The exposure mask comprises a substrate 100 having a transmitting property for exposure light and a light shielding layer 101 disposed in contact on the substrate and having a light shielding region 102 and a transmissive region 103, wherein the transmissive region 103 comprises a porous structure having a plurality of pores 104 perpendicular to the substrate 100.例文帳に追加

露光光に対して透過性を有する基体１００と、該基体上に接して配置された遮光性領域１０２と透過性領域１０３とを備える遮光層１０１と、を有する露光マスクであって、該遮光層の透過性領域１０３は、該基体１００に対して垂直な複数の細孔１０４を有するポーラス構造であることを特徴とする露光マスク。 - 特許庁

In this electrooptical device, TFTs for switching pixels in a display region and TFTs for forming a circuit in a peripheral circuit region all consist of the same conduction type (e.g. N channel) TFTs and polysilicon of the same conduction type with the TFTs is embedded in contact holes 82 and 83 for electrical connection to a source region or drain regions 1d and 1e of the TFT 30.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴが全て同一導電型（例えばＮチャネル）のＴＦＴであり、ＴＦＴ３０のソース領域またはドレイン領域１ｄ，１ｅとの電気的接続をとるコンタクトホール８２，８３内に前記ＴＦＴと同一導電型のポリシリコンが埋め込まれている。 - 特許庁

An alignment mechanism 200 carries out positioning of a substrate G transferred to a transportation region M_1 of a stage 76 by bringing a plurality of, for instance, eight, alignment pints 202A to 208B into contact with four corners of the substrate G.例文帳に追加

アライメント機構２００は、ステージ７６の搬入領域Ｍ_1に搬入された基板Ｇの四隅に複数本たとえば８本のアライメントピン２０２Ａ〜２０８Ｂを当接させて基板Ｇの位置合わせを行う。 - 特許庁

When certification is to be conducted, a region (122) where a non-contact type certification IC card (200), that is to be read by the card reader, is to be placed is displayed on the device (120).例文帳に追加

認証が行われるときに、その近接カード・リーダによって読み取られるべき非接触型の認証用ＩＣカード（２００）を配置すべき領域（１２２）がそのフラットパネル表示装置に表示される。 - 特許庁

In particular, when a ridge sidewall is made in the form of an inverted mesa, element characteristics are greatly improved through the enlargement of an electrode contact width and constriction of a light emission region, thus forming a light transmission device.例文帳に追加

特に、リッジ側壁形状を逆メサ形状にした場合において、電極接触幅の拡大、発光領域の狭窄化を通じて素子特性を大きく向上する光送信装置を構成する。 - 特許庁

Metal wirings 31a, 31b, 31c on an uppermost layer are exposed to bring probes into contact, and spaced apart via a gap G substantially parallel to the longitudinal direction of a dicing region 12.例文帳に追加

最上層のメタル配線３１ａ，３１ｂ，３１ｃは、プローブが接触可能なように露出しており、ダイシング領域１２の長手方向と略平行な間隙Ｇを介して空間的に分離して配置される。 - 特許庁

The base portion 11 includes a recessed part 13 for reducing the size of a contact region where the base portion 11 touches the inner circumferential surface of the hot plate 2 in a part which defines the holding hole 3 in the circumferential surface face thereof.例文帳に追加

基部１１は、当該基部１１と保持用穴部３を規定する部分のホットプレート２の内周面との接触領域の大きさを減じるための凹部１３をその周面に有する。 - 特許庁

In the peripheral region, first metals 27 in a (4m-1)th position and in a (4m)th position from the predetermined position in the column direction each have a contact connection 27a at one end side in the row direction.例文帳に追加

周辺領域において、所定位置からカラム方向の（４ｍ−１）番目及び４ｍ番目に位置する第１メタル２７は、そのロウ方向の他端側にコンタクト接続部２７ａを有する。 - 特許庁

Further, a p+-type region is formed without direct contact with the n+-type source between the isolated n+-type source regions to be contacted with a p-type gate provided in parallel at both sides of each channel.例文帳に追加

さらには各チャネルの両側に平行して設けられるｐゲートへは、分離されたｎ+ソース領域間に、ｎ+ソースとは直接接することなくｐ+領域を形成することによりコンタクトする。 - 特許庁

To provide a speaker that can avoid the problem of contact to the magnetic yoke in a voice coil regardless of a large amplitude in terms of structure, and hence can obtain a large sound pressure at a low sound region even if the speaker is compact.例文帳に追加

構造上、大振幅にしても、ボイスコイルの磁気ヨークへの接触の問題を回避することができ、その結果、小型であっても、低音域において、十分な音圧が得られるスピーカを提供する。 - 特許庁

Recessed parts 30, 31, 32 are formed in a region where the elastic projection 28 comes into contact with a fixed side plate 16 in the fixed side plate 16 on one side of the upper part fixing bracket 17.例文帳に追加

上部固定ブラケット１７の一方の固定側板１６には、チルト調節時に弾性突起２８が固定側板１６と接触する領域に、凹部３０、３１および３２が形成されている。 - 特許庁