例文 (999件) |
contact regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3198件
The light-emitting device further comprises an insulator formed between the n electrode in a first portion of the non-light-emitting region and the n-type semiconductor layer and defining at least one ohmic contact such that the n electrode in the first portion of the non-light-emitting region is electrically connected to the n-type semiconductor layer via the at least one ohmic contact.例文帳に追加
更に、前記発光装置は、前記非発光領域の第1の部分中の前記n電極と前記n型半導体層との間に形成され、少なくとも1つのオーム性接触を画定する絶縁体も備えて、前記非発光領域の前記第1の部分中の前記n電極が、前記少なくとも1つのオーム性接触を介して、前記n型半導体層に電気的に結合されるようにする。 - 特許庁
This disposable absorptive article has a liquid absorptive top sheet, a liquid-impermeable back sheet, an absorbing body arranged between these top sheet and back sheet, a skin contact sheet arranged on the top sheet forming a gap between the top sheet and having an opening at least in the lower crotch region, and an auxiliary absorbing body on at least one part of the rear body region of this skin contact sheet.例文帳に追加
液吸収性のトップシート、液不透過性のバックシート及びこれらトップシートとバックシートの間に配置される吸収体と、該トップシートの上に配置されてトップシートとの間に空隙を形成し、かつ、その少なくとも股下部領域に開口部を有しているスキンコンタクトシートと、このスキンコンタクトシートの後身頃領域の少なくとも一部上に補助吸収体を有することを特徴とする使い捨て吸収性物品。 - 特許庁
An underlying iridium conductive film 20 of about 0.1 μm thick is formed on a drain region 15 and the wall face of a contact hole 19a made in an insulation film 19 covering a transistor 17 on a substrate 11 while leaving the inner and upper parts of the contact hole 19a and a platinum plug 21 is formed at the upper part of the contact hole 19a while filling the inside thereof.例文帳に追加
基板11上のトランジスタ17を覆う絶縁膜19のコンタクトホール19aには、該コンタクトホール19aの内部及び上部を残して、その壁面及びドレイン領域15上に、イリジウムからなり膜厚が0.1μm程度の下地導電膜20が形成されており、コンタクトホール19aの内部及び上部には白金からなるプラグ21が充填されて形成されている。 - 特許庁
In a structure, in which a field effect transistor and a plurality of emitters 8 at its drain region are fitted on an amorphous substrate 1, SiNx6 is provided covering the field effect transistor, so as to get in contact with a polycrystalline silicon layer 3 in the drain region and having an opening 7 at the bottom of the emitters 8.例文帳に追加
非晶質基板1上に電界効果型トランジスタと、そのドレイン領域に複数のエミッタ8を組み込んだ構成において、ドレイン領域の多結晶シリコン層3に接するように電界効果型トランジスタを覆い、かつエミッタ8の底部に開口部7を有するSiN_x6を設けた構造とする。 - 特許庁
A semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate 21 and a gate structure formed on the semiconductor substrate 21 and which comes into contact with a first impurity region 22a and a second impurity region 22b formed on the semiconductor substrate 21, and the gate structure utilizes a metal nitride as a trap site.例文帳に追加
半導体基板21と、半導体基板21上に形成され、当該半導体基板21に形成された第1不純物領域22a及び第2不純物領域22bと接触するゲート構造体と、を備える半導体メモリ素子であって、ゲート構造体は、金属窒化物をトラップサイトとして利用している。 - 特許庁
Piezoelectric substance layers 11 and internal electrodes 12, 13 are laminated alternately, and every other piezoelectric substance layer 11 is disposed staggered, so that a part of lamination surface (region C) is not in contact with the adjacent piezoelectric substance layer 11 and a space 17 will be formed by the part of the region C.例文帳に追加
圧電体層11は、圧電体層11と内部電極12,13とを交互に複数層積層配置し、かつ、各圧電体層11は、1層毎に千鳥状にずらして配置し、積層面の一部(領域C)は隣接する圧電体層11と接していないので、領域Cの部分によって空間17を形成する。 - 特許庁
The optical module 100 further includes: a heat-transfer member 4 in contact with a surface other than a surface facing the flexible board 2 out of the outer surface of the photoelectric element; and a metal thin film 5 formed in a region other than the arrangement region of the photoelectric element on the flexible board 2 and connected to the heat-transfer member 4.例文帳に追加
光モジュール100は、更に、光電素子の外面のうち可撓性基板2と対向する面以外の面に接している伝熱部材4と、可撓性基板2上において光電素子の配置領域以外の領域に形成され、且つ、伝熱部材4と接続されている金属薄膜5とを有している。 - 特許庁
A hydrogen absorption metal 3 is arranged in another conductive film arrangement hierarchy in at least one direction of the direction of thickness of the resistance film 5 in such a condition that it is insulated from the resistance film 5 and at a position and in size wherein it overlaps at least the entire region of a region among contact edges of a metal resistance film when viewed from the top.例文帳に追加
また、抵抗膜5の厚さ方向の少なくとも一方の他の導電膜配置階層に、水素吸蔵金属3が、抵抗膜5と絶縁された状態で、かつ金属抵抗膜の少なくともコンタクトエッジ間の領域の全域と平面視で重なる位置と大きさで配置されている。 - 特許庁
At the time of setting the partial imaging region inside the imageable region of the plane detector 21 and performing the radiography from an oblique direction to the subject 150, the interference (contact) of the plane detector 21 and the subject 150 is detected by an interference detection part 8 mounted near the plane detector 21.例文帳に追加
平面検出器21の撮像可能領域内に部分撮像領域を設定して被検体150に対し斜め方向からX線撮影を行なう際に、平面検出器21の近傍に装着した干渉検知部8によって平面検出器21と被検体150との干渉(接触)を検知する。 - 特許庁
The thin film forming method consists of a process of scattering the coating liquid from the discharge nozzle of the coating liquid discharge head, and dispersing and arranging the coating liquid having a contact angle in the specific region on a substrate, and, thereafter, a process of wetting stretching the dispersed and arranged coating liquid in the specific region on the substrate.例文帳に追加
塗工液吐出ヘッドの吐出ノズルから塗工液を飛翔させ基板上の特定の領域内に接触角を有する塗工液を分散配置する工程のあとに、前記分散配置された塗工液を基板上の特定の領域内に濡れ広がらせる処理を行う工程を実施する。 - 特許庁
The elastic surface wave device comprises an elastic surface wave element, lead frame on which the elastic surface wave element is bonded, housing resin base integrally formed with the lead frame, and resin cap which has an attachment region to be in surface contact with an attachment region of the housing resin base and seals the housing with a hollow part being formed inside.例文帳に追加
弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、弾性表面波素子が接着搭載されたリードフレームと、リードフレームに一体形成された筐体樹脂ベースと、筐体樹脂ベースの被着領域に面接触する被着領域を有し、筐体内部を中空的に封じる樹脂キャップとを有する。 - 特許庁
The mold 40 is adapted to the wiring board provided with a region for joining the external connection terminal to the periphery of a region loaded with the semiconductor element to be sealed with the resin and equipped with a first mold 41 coming into contact with the surface on the side opposite to the surface loaded with the semiconductor element and a second mold 42 cooperating with the mold 41.例文帳に追加
金型40は、半導体素子が搭載されて樹脂封止される領域の周囲に外部接続端子を接合する領域が設けられている配線基板に適用され、半導体素子を搭載する面と反対側の面に当接する第1の金型41と、該金型と協働する第2の金型42を備える。 - 特許庁
The tool for blanking of the metallic sheet consisting of the die having a circular blanking hole on the inner side and a punch has a region smaller in hardness by ≥l0% than the hardness in a peripheral region to a shape concentric with the blanking hole on the surface of the die coming into contact with the metallic sheet.例文帳に追加
内側に円形の打ち抜き穴を有するダイとパンチからなる金属板の打ち抜き加工用工具において、金属板と接するダイの面上に、前記打ち抜き穴と同心円状に周辺領域より硬さが10%以上小さい領域を有することを特徴とする金属板の打ち抜き加工用工具。 - 特許庁
In the developing device, a block 60 of an adhesive force reducing substance, which decreases adhesive force between the developing sleeve surface and a toner is disposed in a region downstream the doctor blade of the first-stage developing sleeve and upstream a first-stage developing region, at a position where a magnetic nap of the developer on the first-stage developing sleeve can be in contact with.例文帳に追加
この現像装置で、1段目現像スリーブのドクターブレードよりも下流、且つ、1段目現像領域よりも上流の領域で、1段目現像スリーブ上の現像剤の磁気穂が接触し得る位置に、現像スリーブ表面とトナーとの間の付着力を低下させる低付着力化物質ブロック60を配設する。 - 特許庁
A contact 10b for electrical connection to a discrete electrode 10 which impresses a driving voltage to each driving region of the piezoelectric element 9 or to each separate piezoelectric element is set at a solid region where no hollow part such as the pressurization chamber 2, a nozzle part 3, a nozzle passage 4, a supply port 5 or a common feeding passage 6 of a substrate 1 is formed.例文帳に追加
圧電素子9の個々の駆動領域、または個別の圧電素子に駆動電圧を印加する個別電極10への電気接続のための接点10bを、基板1の、加圧室2、ノズル部3、ノズル流路4、供給口5、および共通供給路6などの中空部を形成していない中実状の領域に設けた。 - 特許庁
An IGZO semiconductor layer is provided on the source electrode layer and the drain electrode layer, and a source region and a drain region having lower oxygen concentration than the IGZO semiconductor layer is intentionally provided between the source electrode and drain electrode, and a gate insulating layer to form an ohmic contact.例文帳に追加
ソース電極層及びドレイン電極層上にIGZO半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、IGZO半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁
This semiconductor device has a semiconductor substrate, a semiconductor region arranged on the upper part including the surface of the semiconductor substrate, a plurality of wirings respectively arranged at different distances from the surface of the semiconductor substrate, a contact for connecting the semiconductor region with the wiring being nearest to the surface of the semiconductor substrate, and vias for connecting wirings each other.例文帳に追加
半導体基板と、半導体基板の表面を含む上部に配置された半導体領域と、半導体基板の表面から異なる距離にそれぞれ配置された複数の配線と、半導体領域と半導体基板の表面に最も近い配線とを接続するコンタクトと、配線同士を接続するビアとを有する。 - 特許庁
The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加
通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁
In this case, the upper semiconductor layer 200 has a drain penetrating part 501, formed at the upper part of the drain region 110D of the lower semiconductor layer 100, and each of the plugs, etc. of the bit lines BL is brought into contact with each of the drain region, etc. formed in the lower semiconductor layer 100 penetrating the drain penetrating part 501.例文帳に追加
このとき、上部半導体層200は、下部半導体層100のドレイン領域110Dの上部に形成されるドレイン貫通部501を有し、ビットラインBLのプラグ等はドレイン貫通部501を貫通して下部半導体層100に形成されたドレイン領域等に各々接触する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a bipolar transistor with a structure capable of regulating a base input signal voltage bringing the transistor forming a conductive diffusion region that is different from a base region at the contact part of a base electrode to ON-state and controlling a base current in the case when this is a digital transistor.例文帳に追加
ベース電極のコンタクト部にベース領域と異なる導電形の拡散領域を形成するトランジスタのオンするベース入力信号電圧を調整し得ると共に、これをデジタルトランジスタとする場合に、ベース電流を制御し得る構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
Here, the regions facing the openings 310 in the source region 302b' and the drain region 302c', i.e. connecting regions 311a and 311b which are the regions wherein the source electrode and the drain electrode are finally in contact with the surface of the semiconductor layer 302 are selectively doped with impurities via the openings 310, respectively.例文帳に追加
ここで、ソース領域302b´及びドレイン領域302c´のうち開口部310に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層302の表面と接触する領域である接続領域311a及び311bに開口部310を介して選択的に不純物がドープされる。 - 特許庁
The source electrode of a TFT in a reflection region 101 of an active matrix substrate 40 is used as a reflecting film in common and a transparent electrode film 11 in a transmission region 102 is extended to a surface of a projection transparent organic film 9 on the TFT and electrically connected to the source electrode 7 through a contact hole.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板40の反射領域101のTFTのソース電極7を反射膜として兼用し、透過領域102の透明電極膜11をTFT上の凸状の透明有機膜9表面に延設してコンタクトホールを介してソース電極7に電気的に接続する。 - 特許庁
An exposure method comprises: forming a liquid immersion region of a liquid on a substrate; exposing the substrate by irradiating the top of the substrate with exposure light through the liquid in the liquid immersion region; and determining exposure conditions in exposing the substrate on the basis of the receding contact angle of the liquid on the surface of the substrate at the time when the surface of the substrate is tilted.例文帳に追加
露光方法は、基板上に液体の液浸領域を形成し、液浸領域の液体を介して基板上に露光光を照射して基板を露光し、基板表面を傾斜させたときの基板表面における液体の後退接触角に基づいて、基板を露光するときの露光条件を決定する。 - 特許庁
An optical waveguide 12 made of a material having an electro-optical effect is provided between the first region 110 of the first substrate 100 and the second region 210 of the second substrate 200, while the both side faces of the optical waveguide 12 are in contact with air present between the first substrate 100 and the second substrate 200.例文帳に追加
第1基板100の第1領域110と第2基板200の第2領域210との間には、電気光学効果を有する材料から形成された光導波路12が設けられており、光導波路12の両側面は、第1基板100と第2基板200との間に位置する空気に接している。 - 特許庁
The skin diagnostic apparatus includes imaging means for imaging the face, wrinkle region detecting means for detecting wrinkle regions on the basis of the face image data imaged by the imaging means, and a three-dimensional profile measuring means for carrying out non-contact type three-dimensional profile measurement with respect to the wrinkle regions detected by the wrinkle region detecting means.例文帳に追加
顔を撮影する撮影手段と、前記撮影手段で撮影された顔画像データに基づいて、シワ領域を検出するシワ領域検出手段と、前記シワ領域検出手段によって検出されたシワ領域を、非接触の三次元形状測定をする三次元形状測定手段とを備える。 - 特許庁
In the charging device, both ends of a resin layer 102 as a charging member located on a core metal 101 which is an electrically conductive support of a charging roller 14 are equipped with gap holding members 103 which are brought into contact with a non-image region of a photoreceptor to form gaps between the resin layer 102 and an image forming region of the photoreceptor.例文帳に追加
帯電ローラ14の導電性支持体である芯金101に設けた帯電部材としての樹脂層102の両端部に、感光体の画像領域外に当接させて樹脂層102と感光体の画像形成領域との間にギャップを形成するギャップ保持部材103を備える帯電装置である。 - 特許庁
A ring-shaped spacer sandwiched by an outer circumferential part of a slave medium and the master carrier is provided at a facing part of the master carrier and the slave medium and positive pressure is generated in a space enclosed by the master carrier, the slave medium and the spacer, so that the master carrier and the slave medium do not come in contact with each other in the region other than the servo region.例文帳に追加
マスタ担体とスレーブ媒体との対向部にスレーブ媒体の外周部とマスタ担体とで挟むリング状のスペーサを設け、マスタ担体とスレーブ媒体とスペーサとに囲まれた空間に正圧を生じさせ、サーボ領域以外の領域においてマスタ担体とスレーブ媒体とが互いに接触しないようにする。 - 特許庁
In a main surface of a light extraction side of a laminate constituting the light-emitting element 100, concave portions LP are distributedly formed on a forming region of a light extraction side metal electrode 9, and the light extraction side metal electrode 9 is formed in a manner that the inside of each of the concave portions LP is covered in a close-contact manner together with its opening surrounding region.例文帳に追加
発光素子100を構成する積層体の光取出側の主表面において、光取出側金属電極9の形成領域に凹部LPを分散形成し、該凹部LPの内面をその開口周囲領域とともに密着被覆する形で光取出側金属電極9を形成する。 - 特許庁
The fixing film 31 rotates nearby the pressure roller 32 along the pressure roller 32 downstream from the nip region in the conveying direction of the recorded material, which is conveyed by a designated distance while its surface is in contact with the surface of the fixing film 31 after passing through the nip region.例文帳に追加
定着フィルム31は、ニップ領域よりも被記録材の搬送方向下流側では、加圧ローラ32の近傍を加圧ローラ32に沿って回ることになり、被記録材は、ニップ領域を通過した後に、その表面が定着フィルム31の表面と接する状態のまま、所定の距離だけ搬送される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can prevent a parasitic capacity increase of a conductive pattern due to a thickness increase of a barrier film by preventing a contact resistance of a portion connected with N-type conductive region from increase in forming the conductive pattern directly connected with the N-type conductive region containing silicon.例文帳に追加
シリコンを含むN型の導電領域と直接接続される導電パターンの形成時に、N型の導電領域と接続される部分のコンタクト抵抗の増大を防止し、バリア膜の厚さ増大に伴う導電パターンの寄生容量の増大を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
In the manufacturing method, a high crystalline region with little defect is locally formed on a low crystalline silicon layer with much defects, and a probe is brought into contact with an inside of the high crystalline region to measure sheet resistance, then an ion implant dose is adjusted from the ion concentration thus obtained.例文帳に追加
本発明は、欠陥が多い低結晶性シリコン層に、欠陥の少ない高結晶性領域を局所的に形成し、その高結晶性領域内に探針を接触させてシート抵抗を測定し、得られたイオン濃度からイオン注入量を調整する製造方法を持つことを解決手段とする。 - 特許庁
During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加
光電変換部となるフォトダイオードPDの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードPDの電荷蓄積領域17を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域17を素子分離膜13の下方に延在し、かつ拡散層14に当接または近接するように形成する。 - 特許庁
A semiconductor device 50 is provided with polysilicon regions 17 and 18 which are so selectively buried and formed as not to contact with a gate insulating film 6 or an element separating insulating film 11, at portions where a drain region 8 and a source region 9 within a major surface of a SOI layer and which has a function as gettering.例文帳に追加
半導体装置50は、ドレイン領域8及びソース領域9が形成されている部分のSOI層4の主面内において、ゲート絶縁膜6及び素子分離絶縁膜11に接触しないように選択的に埋め込み形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコン領域17,18を備えている。 - 特許庁
For example, an SRAM has gate electrodes 16 and 18 formed on an active region 22 not parallel, and a contact electrode 29 disposed between the gate electrodes 16 and 18 is disposed having its center positioned at a position where the interval between the gate electrodes 16 and 18 is wider than a center line C of the active region 22.例文帳に追加
例えばSRAMにおいて、活性領域22上に非平行でゲート電極16,18が形成され、そのゲート電極16,18間に配置されるコンタクト電極29を、その中心が活性領域22の中心線Cよりもゲート電極16,18の間隔が広い方に位置するように配置する。 - 特許庁
Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.例文帳に追加
半導体装置内に形成された複数の拡散層領域2、3の内の少なくとも一部の拡散層領域2に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域3に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域2に接続される第1のコンタクト配線4の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域3に接続される第2のコンタクト配線5の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置10。 - 特許庁
Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加
本発明の電極構造305、306は、n型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第1の領域にTi、Ta、Nb、Cr、V、Sn、In、Zr、Siのうち少なくとも1種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第2の領域にMgが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor device includes a substrate, a channel region formed on the substrate and having a graphene where a band gap is generated, source/drain regions formed on both sides of the channel region and each having a graphene where a band gap smaller than that of the graphene of the channel region is generated, and first and second gate electrodes formed on parts in contact with channels of the source/drain regions, respectively.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成され、バンドギャップが生成されたグラフェンを有するチャネル領域と、チャネル領域の両側に形成され、チャネル領域のグラフェンに比して小さいバンドギャップが生成されたグラフェンを有するソース/ドレイン領域と、ソース/ドレイン領域のチャネルに接する部分の上に、夫々形成された第1および第2のゲート電極と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁
Besides, the semiconductor device 10 includes a plurality of carbon nanotubes 32 whose first ends 44 and second ends 48 are coupled to the active region 22 and to the conductive layer 34, respectively, and further which extend from the active region 22 to the conductive layer 34 within a via hole 24 of the contact structure 40 to create conductivity between the active region 22 and the conductive layer 34.例文帳に追加
半導体デバイス10はまた、カーボンナノチューブ32の第1の端部44が活性領域22に接続され、カーボンナノチューブ32の第2の端部48が導電層34に接続された、多数のカーボンナノチューブ32であって、接点構造40のビア24内を活性領域22から導電層34まで延びて、活性領域22と導電層34との間に導電性を付与する前記カーボンナノチューブ32を含む。 - 特許庁
This solar battery 1 has a connection electrode to which a wiring material 41 is connected on one principal plane, wherein the wiring material 41 is adhered to a connection region ST on one principal plane by a resin adhesive 31, and contact area between the wiring material 41 and the connection electrode per unit length in the connection region ST is larger than area of the connection electrode per unit length except the connection region ST.例文帳に追加
太陽電池1は、一主面に配線材41が接続される接続用電極を有し、配線材41は、一主面の接続領域STに樹脂接着剤31によって接着されており、接続領域STにおける単位長さ当たりの配線材41と接続用電極との接触面積は、接続領域ST以外にある単位長さ当たりの接続用電極の面積よりも大きい。 - 特許庁
The retaining member comprises a base body 2 having an attachment region 3 to be attached onto the support 45 and retention regions 9, 10 protruded from at least one side of the attachment region with at least one line seat for at least one line, and elastic contact regions 36, 37 protruded from the side of the attachment region 3 required to be installed on the support 45.例文帳に追加
保持部材は、支持体45上に取付けるための取付け領域3、および少なくとも一つのラインのための少なくとも一つのライン座を持つ取付け領域の少なくとも一つの側から突出した保持領域9,10を有する基礎体2、ならびに前記支持体45上に設置される必要のある前記取付け領域3の側から突出した弾性コンタクト領域36,37を含む。 - 特許庁
This fluid dispenser incorporating at least one material being capable of interacting via an oligodynamically active substance, includes: a metering pump; an inlet valve 26 and an outlet valve 22, wherein the fluid coming into contact with at least one oligodynamically active substance is present the region of the outlet valve 22, and inlet region to the outlet valve 22 and/or outflow region from the outlet valve 22.例文帳に追加
流体ディスペンサに微量作用活性物質を介して相互作用する能力を有する少なくとも1つの材料が組み込まれ、定量ポンプと入口弁26および出口弁22とを含み、少なくとも1つの微量作用活性物質と接触する流体が、出口弁22の領域、出口弁22への流入および/または出口弁22からの流出領域に存在する構成とする。 - 特許庁
Since the upper region 3a of the p-type diffusion layers 3 is made narrow, a contact part of the n^--type epitaxial layer 2 with a Schottky electrode 5 is widened and contact resistance between the n^--type epitaxial layer 2 and the Schottky electrode 5 can be reduced while increasing a current passage resulting in low ON resistance.例文帳に追加
また、p型拡散層3の上部領域3aの幅を狭くしてあるため、n^-型エピ層2のうちショットキー電極5との接触部位を広くとれ、n^-型エピ層2とショットキー電極5との接触抵抗を低減および電流経路の増大を図ることができ、低オン抵抗化を図ることができる。 - 特許庁
In this method, the marring part 45 is brought into contact with the predetermined of the skin material 22 during the period from the arrangement of the skin material 22 between the molds 32 and 34 to the integral molding process to impart unevenness to the contact region without increasing the number of production processes to manufacture the laminated molded product reduced in friction.例文帳に追加
この方法では、表皮材22の成形型32,34間への配置から成形一体化の工程にかけて表皮材22の所定部位に擦傷部45を圧接させておくことで、製造工程数を増やすことなく、接触部位に凹凸を付与して摩擦が低減されている積層成形体を製造することができる。 - 特許庁
To at least a region in contact with the aluminum alloy melt of an aluminum titanate ceramics-made alluminum alloy melt contact member, an Al_2O_3 film and/or an MgAl_2O_4 film substantially not containing Si and capable of controlling the diffusion of Al or Mg in the alluminum alloy melt and of silica in the aluminum titanate is formed.例文帳に追加
チタン酸アルミニウムセラミックス製アルミニウム合金溶湯接触部材の、少なくともアルミニウム合金溶湯と接触する部位に、実質的にSiを含有せず、かつ、合金溶湯中のAl又はMg及びチタン酸アルミニウム中のシリカの拡散を抑制できるAl_2O_3被膜および/またはMgAl_2O_4被膜を備えるようにする。 - 特許庁
A method is for manufacturing a semiconductor device, including a semiconductor substrate forming a semiconductor element having a P-type semiconductor region on the rear face, and a rear electrode, having a first layer brought into contact with the rear face of the semiconductor substrate and a second layer brought into contact with the rear face of the first layer from a semiconductor wafer.例文帳に追加
裏面にP型の半導体領域を有する半導体素子が形成されている半導体基板と、半導体基板の裏面に接する第1層と、第1層の裏面に接する第2層とを有する裏面電極とを備えている半導体装置を、半導体ウェハから製造する方法。 - 特許庁
The LED (10) including a p-type material layer having an associated p-contact, an n-type material layer having an associated n-contact, and an active region (18) between the p-type layer and the n-type is equipped with a confinement structure (20) formed in either one of the p-type material layer and the n-type material layer.例文帳に追加
関連したpコンタクトを有するp型材料層(10)と、関連したnコンタクトを有するn型材料層と、p型層とn型層との間の活性領域(18)とを有するLED(10)は、p型材料層またはn型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造(20)を備える。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device and an optical semiconductor device, e.g. a laser diode, having a current uninjected region contiguous to the contact layer in the laser diode between the contact layer and the end face of the laser diode in which local heating due to local increase of current density is improved and failure of the device is reduced.例文帳に追加
レーザダイオード内のコンタクト層とレーザダイオードの端面の間にコンタクト層に隣接する電流非注入領域を有するレーザダイオードなどの半導体デバイスおよび光半導体デバイスにおいて、電流密度が局部的に増大し、局部的に発熱が起こるのを改善し、これらに伴うデバイスの故障を低減する。 - 特許庁
(1) The rolling elements are slightly pinched by a pair of rolling grooves, and the rolling elements in contact with each other are sent out by the relative movement of the transfer groove, and at the same time, the contact angle of the transfer groove is continuously reduced to generate operational slide, so that the revolution speed of the rolling elements entering the load region is increased.例文帳に追加
1)転動体を一対の転送溝間に僅かに侠持させ、転送溝の相対移動により当接している転動体を送り出すと同時に、転送溝の接触角を連続的に減少させることにより作動滑りを発生させ、負荷領域に突入する転動体の公転速度を上昇させる。 - 特許庁
In one set of memory cell M, first and second switching elements Tr1, Tr2 are arranged respectively at both sides of a capacitor contact 111 connected to a capacitor for accumulating data in an active region 102 so as to pinch the capacity contact 111 while first and second bit line contacts are arranged at the outside of both switching elements.例文帳に追加
1つのメモリセルMは、活性領域102内においてデータ蓄積用の容量に接続されるキャパシタコンタクト111を挟んで、その両側にそれぞれ第1及び第2のスイッチング素子Tr1,Tr2が配設され、その両外側に第1及び第2のビット線コンタクト121,122が配設される。 - 特許庁
An evaluation element 100, which evaluates the contact resistance dispersion within a flash memory 300's cell formed on a silicon wafer W, has a hole chain 20 containing a plurality of units, having a structure similar to a contact region in the cell to evaluate a resistance value between a first and second electrode pads 2a and 2b.例文帳に追加
シリコンウエーハW上に形成されるフラッシュメモリ300のセル内におけるコンタクト抵抗のばらつきを評価するための評価素子100であって、セル内のコンタクト部位と同じような構造を持ったユニットを複数個含むホールチェーン20を備え、第1、第2の電極パッド2a,2b間の抵抗値を測定する。 - 特許庁
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