「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic disk device in which contact of a magnetic head slider and a magnetic disk in loading is prevented, decrement of a recording region is suppressed, while reduction of a surfacing property can be restrained.例文帳に追加

ロード時の磁気ヘッドスライダと磁気ディスクとの接触を防止し記録領域の減少を抑止するとともに、浮上特性の低下を抑止できる磁気ディスク装置を提供すること。 - 特許庁

To shift a region in which a frequency is excited to a high drive level side under the consideration of the drive level dependency of a frequency by forming a non-contact part at an electrode in a high frequency oscillator.例文帳に追加

高周波振動子において、電極に非接触部を形成して、周波数のドライブレベル依存性において周波数の立ち上がる領域を高ドライブレベル側にシフトする。 - 特許庁

A conductive layer 40 is formed to cover the inner surface of the contact hole 46 to a specified film thickness in a region between the inner surface of the hollow node 48 and the exposed part of the silicon substrate 32.例文帳に追加

中空ノード４８の内面からシリコン基板３２の露出部に至る領域において、コンタクトホール４６の内面を所定膜厚で覆う導電層５０を形成する。 - 特許庁

To provide carbon brush material which can maintain normal slide contact even in a sliding state under an impact vibration and in a low temperature - high temperature region, exhibits excellent commutation capability and, further, has high abrasion-resistant properties.例文帳に追加

衝撃振動下や低温域〜高温条件下での摺動においても正常な摺動接触を維持し、整流能力に優れ、かつ耐摩耗性の高いカーボンブラシ材を提供する。 - 特許庁

The electrically insulating layer 23 adheres, with its own adhesion, to the electric wire 21 to coat a surface of the electric wire 21 (noncontact region) out of contact with the film 17.例文帳に追加

電気的絶縁層２３は、それ自身の付着力によって、電線２１におけるフィルム１７に接触していない面（非接触領域）を被覆するように電線２１に付着されている。 - 特許庁

The electrically insulating layer 22 adheres, with its own adhesion, to the electric wire 20 to coat a surface of the electrical wire 20 (noncontact region) out of contact with the film 16.例文帳に追加

電気的絶縁層２２は、それ自身の付着力によって、電線２０におけるフィルム１６に接触していない面（非接触領域）を被覆するように電線２０に付着されている。 - 特許庁

To provide a thermopile type infrared sensor wherein a temperature measuring element is arranged to a reference temperature measuring region capable of more accurately measuring the temperature of the cold contact point (theoretical reference point) of a thermopile.例文帳に追加

熱電堆の冷接点（原理的基準点）の温度がより正確に測れる基準温度の測定領域に温度測定用素子を配したサーモパイル型赤外線センサを提供する。 - 特許庁

By selecting the appropriate space from the active region to the reflective ohmic contact, interference fringes of upwards guided lights are concentrated into an escape cone.例文帳に追加

活性領域から反射性コンタクトまでの間隔を適切に選択することは、上方に導かれた光の干渉縞を発光のための脱出錐体内に集中させることになる。 - 特許庁

Furthermore, the first epitaxial layer is made uniformly thinner from the side having been in contact with the silicon substrate 30 to be as thick as a region to serve as the p+ collector layer 1 when an FS type IGBT is completed.例文帳に追加

ついで、第１エピタキシャル層を、シリコン基板３０に接していた側から、ＦＳ型ＩＧＢＴ完成時にｐ^+コレクタ層１となる領域の厚さになるまで一様に薄くする。 - 特許庁

A position forming a nip region G in which the driving side PS roller and the following side PS roller come in contact with each other is changed in the peripheral direction of the driving side PS roller according to the thickness of paper.例文帳に追加

駆動側のＰＳローラと従動側のＰＳローラとが互いに接触するニップ領域Ｇの形成位置を用紙の厚みに応じて駆動側のＰＳローラの周方向に変化させる。 - 特許庁

In a region of the second pressure contact part 26 for pressing a second connector 20, the third pitch P3 is set so that the pitch of the wires 2 equals to an arrangement pitch (second pitch P2) of the terminals of the second connector 20.例文帳に追加

第２コネクタ２０を圧接する第２圧接部２６の領域で、電線２のピッチが第２コネクタの端子の配列ピッチ（第２ピッチＰ２）になるように第３ピッチＰ３が設定される。 - 特許庁

To provide a fuel cell achieving an increase in contact force between a catalyst layer and a diffusion layer in a region corresponding to a gas passage of a separator without causing any damage to MEA.例文帳に追加

セパレータのガス流路に対応する部位における触媒層と拡散層との接触力を増大でき、しかもそれをＭＥＡの損傷を伴わずに達成できる、燃料電池の提供。 - 特許庁

To provide a touch panel with enhanced detection accuracy of a contact region by reducing dead parts on an ultrasonic propagation board by eliminating a terminal electrode formed on a piezoelectric body.例文帳に追加

圧電体上に形成していたターミナル電極をなくして超音波伝搬基板上の不感部分を減少させたことにより、接触部位検出精度が向上したタッチパネルの提供。 - 特許庁

In this case, in the prescribed region of the upper electrode 105 and the high dielectric thin film 104, a contact window 100a is formed for electrically contacting the lower electrode 103 later.例文帳に追加

ここで、上部電極１０５および高誘電体薄膜１０４の所定の領域に、後に下部電極１０３と電気的にコンタクトをとるためのコンタクト窓１００ａが形成されている。 - 特許庁

A contact hole 18 for electrically connecting the gate electrode 7 and a gate interconnection 10 is formed in an interlayer insulation film 8 above the trench 5 within a transistor region.例文帳に追加

また、ゲート電極７とゲート配線１０とを電気的に接続させるためのコンタクトホール１８を、層間絶縁膜８のうち、トランジスタ領域内におけるトレンチ５の上方の位置に形成する。 - 特許庁

Then, the electrodes 14q corresponding to upper electrodes of the potential compensating cells and the N well region 21d are connected with an upper interconnection layer 21e respectively via a contact 21g.例文帳に追加

そして、電位補償用セルの上部電極相当電極１４ｑとＮウェル領域２１ｄとに、それぞれコンタクト２１ｇを介して、上部の配線層２１ｅとのコンタクトをとる。 - 特許庁

The adhesion layer 25 is formed only within a region overlapping a site where the separator 30 is not in contact with the electrode 20 directly when viewed along a lamination direction of the electrode 20.例文帳に追加

接着層２５は、電極２０の積層方向に沿って見たときに、セパレータ３０と電極２０とが直接的に接触していない部位と重なる領域内にのみ形成されている。 - 特許庁

The recording medium carrying the toner image is conveyed to a contact region formed with the fixing member and the pressure member, and the toner image is melted and pressurized and is fixed to the recording medium.例文帳に追加

定着部材と加圧部材とによって形成される接触領域にトナー像を担持した記録媒体が搬送され、トナー像が溶融、加圧されることによって記録媒体に定着される。 - 特許庁

The ink head 10 makes the ink discharged from each nozzle contact the ink on the ink hold region 40, unites ink drops during flying and records to the recording medium.例文帳に追加

インクヘッド１０は、各ノズルから吐出されるインクと、インク保持領域４０上のインクとを接触させてインク滴を飛行中において、互いに一体化させ、記録媒体に記録させる。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

The replica agent is supplied from the replica agent cartridge 20 into a replica agent supply region 38 formed in the replica collection head 7 and being in contact with the surface of the core internal structure 40.例文帳に追加

レプリカ採取ヘッド７内に形成されて炉内構造物４０の表面に接するレプリカ剤供給領域３８内に、レプリカ剤カートリッジ２０からレプリカ剤を供給する。 - 特許庁

By doing so, duplication due to mutual contact or intersection of the standard models is avoided and an appropriate extraction object region is stably extracted.例文帳に追加

これによれば、標準モデル同士の接触又は交差等による重複を回避することが可能となり、適切な抽出対象領域を安定して抽出することが可能となる。 - 特許庁

Consequently, no individual signal conductor contact region for each pixel is required to be provided and a timing signal and a bus for a row is used as the timing signal and the bus for the following row.例文帳に追加

これにより、各画素に個別の信号線コンタクト領域を設ける必要がなくなり、ある行に対するタイミング信号およびバスを次の行のタイミング信号およびバスとして使用する。 - 特許庁

In a semiconductor structure constituting the semiconductor light-receiving device, a dielectric film is formed in a region where incident light is reflected, and the contact electrode is formed around the dielectric film.例文帳に追加

半導体受光装置を構成する半導体構造上、入射光が反射される領域に誘電体膜を形成し、コンタクト電極を前記誘電体膜の周囲に形成する。 - 特許庁

When the control gate electrodes 4a are formed, the conductive film 4 is left over the bit line contact region 20 and the bit line diffusion layers 2 on both sides thereof.例文帳に追加

コントロールゲート電極４ａを形成する時に、ビット線コンタクト領域２０の上及びその両側のビット線拡散層２の上にまたがるように導電膜４を残存させる。 - 特許庁

To attain miniaturization of a common contact hole for commonly taking a source potential and a substrate potential in a semiconductor device including a channel formation region in stripe structure.例文帳に追加

ストライプ構造のチャネル形成領域を有する半導体装置において、ソース電位と基板電位を共通でとるための共通のコンタクトホールの小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

Preload imparting mechanisms 81 and 82 impart preload to a contact region Q with a driven gear 22 common to driving gears 211 and 212 connected to a rotary shaft 20 of each of the electric motors 161 and 162.例文帳に追加

予圧付与機構８１，８２が、各電動モータ１６１，１６２の回転軸２０に連結された駆動歯車２１１，２１２と共通の従動歯車２２との接触領域Ｑに予圧を付与する。 - 特許庁

Further, since no member in contact with the inside of the front cover 11 is present within a region 2 except a drive member, unnecessary sound caused by resonance of the members except for the front cover 11 is suppressed.例文帳に追加

また、駆動部材１を除いて領域２内で前カバー１１の内側に当接する部材をなくしたので、前カバー１１を除く部材が共振して生じる不要音が抑えられる。 - 特許庁

The contact spring 10 is provided with a region 19, which is not only flexible but also can be twisted fully around the longitudinal axis, enabling the closing movements of both pairs of contacts.例文帳に追加

接点ばね（１０）には、フレキシブルであるだけでなく長手方向軸のまわりで十分にねじれることができる領域（１９）が設けられて、両方の接点対の閉動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a silicon on insulator (SOI) substrate which suppresses the deterioration of element characteristics even though formation regions of contact holes are overlapped with an element isolation region, and to provide a semiconductor device using the SOI substrate.例文帳に追加

コンタクトホールの形成領域が素子分離領域と重複しても、素子特性の劣化を抑制できるＳＯＩ基板とこのＳＯＩ基板を用いた半導体装置とを提供する。 - 特許庁

An N-type contact layer 21 is formed by a lateral selection growth anisotropic in a positive-c axis direction so as to cover the masks 65 from a region between the masks 65.例文帳に追加

Ｎ型コンタクト層２１は、マスク６０の間の領域から当該マスクを覆うように、＋ｃ軸方向への異方的な横方向選択成長によって形成されたものである。 - 特許庁

The remaining noise that reach the p-type diffusion region 206 pass sequentially through a contact hole 207, a guard band metallic electrode layer 205, and an outside connecting pad and absorbed by a bypass capacitor.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域２０６に到達に到達した残りのノイズは、コンタクトホール２０７、ガードバンド用メタル電極層２０５、外部接続用パッドを順に通過しバイパスコンデンサに吸収される。 - 特許庁

The method for forming the contact structure comprises the steps of: forming an interlayer insulating film on a semiconductor substrate; forming a contact hole by patterning the interlayer insulating film and exposing the predetermined region of the semiconductor substrate; and forming the contact spacer on the side wall of the contact hole by the use of a depositing method having a depositing direction slanted to the main surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のコンタクト構造体の形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜をパターニングして半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、半導体基板の主表面に対して傾斜した蒸着方向を有する蒸着法を用いてコンタクトホールの側壁にコンタクトスペーサを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

The auxiliary terminal 100 is formed from a contact device 140 in an auxiliary terminal contact region of a power semiconductor element 200, a conductive connecting element 120, and a contact element 110 partially formed as a fastening disk 114, which is arranged on the pin-like metal forming member of the outer terminal element.例文帳に追加

補助端子１００が、パワー半導体素子２００の補助端子コンタクト部におけるコンタクト装置１４０と、導電性の接続要素１２０と、部分的に締付ディスク１１４として形成されているコンタクト要素１１０とから形成され、締付ディスク１１４が、外側の端子要素のピン状の金属成形部材上に配設されている。 - 特許庁

A liquid droplet ejection sensor 50 comprises a plate 53 which has both an ink passing hole 52 formed larger than an ink droplet and an ink contact area 59 as a region just for the ink droplet to be able to contact, and a detecting means which judges the contact that the ink droplet contacts the plate 53 by detecting a change of a potential because of the deformation of a piezoelectric layer 54.例文帳に追加

液滴吐出センサ５０は、インク滴よりも大きく形成されたインク通過孔５２及びインク滴が接触できるだけの領域であるインク接触エリア５９とを備えたプレート５３と、インク滴がプレート５３に接触したことを圧電層５４の変形による電位の変化を検出することで接触を判断する検出手段とを備える。 - 特許庁

A drain line DL is electrically connected by the intermediary of a drain connection line DJ to the drain electrode DE through a contact hole DC formed in the upper region of the gate line GL, and a pixel electrode PE is electrically connected by the intermediary of a pixel electrode connection line PJ to a source electrode SE through a contact hole SC formed in the upper region of the gate line GL.例文帳に追加

ドレイン線ＤＬはドレイン接続線ＤＪを介してゲート線ＧＬ上方の領域に形成されたコンタクトホールＤＣを通してドレイン電極ＤＥと電気的に接続しており、画素電極ＰＥは画素電極接続線ＰＪを介してゲート線ＧＬ上方の領域に形成されたコンタクトホールＳＣを通してソース電極ＳＥに電気的に接続している。 - 特許庁

The NOx reduction catalyst 5, when viewed from its upstream side, is formed so that the density of a carried novel metal may be higher in a first region 5a coming into contact with the exhaust gas in a relatively large amount per unit time and per unit area than in a second region 5b coming into contact with the exhaust gas in a relatively small amount.例文帳に追加

ＮＯｘ還元触媒５は、その上流側から見て、偏流生成手段による排気ガスの偏流により排気ガスが単位時間及び単位面積当たりに相対的に多く接触するようになる第１領域５ａの方が排気ガスが相対的に少なく接触するようになる第２領域５ｂよりも、貴金属の担持密度を大きくしたものとする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a transistor having a source-drain region selectively formed in the semiconductor substrate; an interlayer film covering the semiconductor substrate, a capacitor formed on the interlayer film and having a bottom electrode; and a contact plug including a metal in contact with the source-drain region of the transistor and the bottom electrode of the capacitor in the interlayer film.例文帳に追加

半導体基板中に選択的に形成されたソース・ドレイン領域を有するトランジスタと、 前記半導体基板を覆う層間膜と、 前記層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタと、 前記層間膜中に前記トランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグとを有する半導体装置。 - 特許庁

The carry container consists of a cylindrical or parallelopiped container having an opening on its upper part and is equipped with a contact region on both right and left side faces of the container in conformity with a shape of a clamp arm to be pinched by the clamp arm and with a stopper on and under the contact region to prevent the container from dropping from the clamp arm.例文帳に追加

上部に開口部を有する円筒状または四角柱状の容器であって、該容器の左右の両側面部に、クランプアームによって挟み込みが可能なようにクランプアームの形状に合わせた接触部分を設けると共に、当該接触部分の上下部分にストッパーを設けてクランプアームからの脱落を防止するようにしたことを特徴とする運搬容器。 - 特許庁

A through-hole 43 and a contact hole 21, which connect the lower electrode 49 of the noise reduction capacitor Cn to an N+-type semiconductor region 6 are wider in opening area than a through-hole 43 and a contact hole 21 which connect the data storage capacitor element Cs to either of the source and drain (N--type semiconductor region 11) of the memory cell selection MISFET Qs.例文帳に追加

また、ノイズ対策用容量素子Ｃn の下部電極４９とｎ^+ 型半導体領域６とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積は、情報蓄積用容量素子Ｃs とメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）の一方とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積よりも広い。 - 特許庁

At least one region 20a out of these solder regions is conducted with a power supply to form a current injection region electrically touching the contact part 17 of the semiconductor laser chip 51 arranged under junction down state, and other solder regions 20b and 20c are brought into grounded or electrically floating state and bonded to a part of the semiconductor laser chip 51 other than the current injection contact part.例文帳に追加

それらの半田領域のうちの少なくとも１つの領域20ａを、電源と導通した上で、ジャンクションダウン状態に配された半導体レーザチップ51のコンタクト部17と電気的に接触した電流注入領域とし、その他の半田領域20ｂ、20ｃを、接地もしくは電気的に浮遊した状態として、半導体レーザチップ51の電流注入用コンタクト部以外の部分と接合させる。 - 特許庁

In the method for coating the substrate 1 with the liquid 5 by bringing the liquid 5 held by the wiry coating member 3 into contact with the substrate 1, a region having width equivalent to wire width and a very small area, i.e. a minute region is coated with the liquid.例文帳に追加

そして、この線状を呈する塗布部材３に保持された液体５を基板１に接触させることにより、液体５を塗布するため、本発明に係る液体の塗布方法では、線幅程度の、非常に面積の小さな領域、すなわち微小領域に対して液体を塗布することができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device; an inter-layer insulating film 9 is formed on the entire surface on a semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 9 is selectively etched thereafter, and contact holes 10 and 11 are formed for respectively partially exposing a polysilicon resistance layer 4, a source region 7 and a drain region 8.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に層間絶縁膜９を形成し、その後当該層間絶縁膜９を選択的にエッチングし、ポリシリコン抵抗層４，ソース領域７及びドレイン領域８をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール１０，１１を形成する。 - 特許庁

In the electrostatic chuck comprising an insulating substrate 2 and a dielectric 1 having an electrode 3 for attracting an article being chucked, a region for attracting the article being chucked is located in contact with the outer circumference of the article being chucked and the inner region requiring no chucking is a cavity.例文帳に追加

絶縁性の基体２と被吸着物を吸着するための電極３を形成した誘電体１を含む静電チャックにおいて、被吸着物を吸着する領域が被吸着物の外周に接する部分にあり、吸着を不要とする内部領域は空洞としてなる静電チャック。 - 特許庁

A conduction opening 117 is provided in the region of the first conductive layer 113, where a contact hole which electrically connects the second conductive layer 116 to a main electrode 111 is provided, and the openings 118 whose sidewalls are tapered are provided in the other region of the conductive layer 116.例文帳に追加

また、第１の導電層１１３の、第２の導電層１１６と主電極１１１とを導通するコンタクトホールを形成する領域に導通開口１１７を作成すると同時に、他の領域に側壁をテーパ形状とした複数の開口１１８を作成する。 - 特許庁