「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, a piezoelectric body film 16 composed of AlN is formed on the SOI substrate 11 so as to contact with the n type region 15, and a conductor film 17 composed of aluminum is formed on the piezoelectric body film 16.例文帳に追加

また、ＳＯＩ基板１１上に、ｎ型領域１５に接するようにＡｌＮからなる圧電体膜１６を設け、圧電体膜１６上に、アルミニウムからなる導電体膜１７を設ける。 - 特許庁

When a holder 1 leaves a chassis and a cassette component is open, the holder 1 and an arm 2 are in contact mutually without creating a clearance therebetween due to a stepped part 1a formed in an engaging region of the holder 1.例文帳に追加

ホルダー１とシャーシ３とが離間してカセコンが開いた状態では、ホルダー１の係合領域に形成された段差部１ａにより、ホルダー１とアーム２とがすき間のない状態で接触している。 - 特許庁

A recess A is formed in a part of the region in the holder 1 where the ceramic heater 2 is mounted, and the contact area of the holder 1 and the ceramic heater 2 is 20 to 50% of the area of the under surface of the ceramic heater 2.例文帳に追加

ホルダ１のセラミックヒータ２が載置される領域の一部に凹部Ａを設け、ホルダ１とセラミックヒータ２との接触面積をセラミックヒータ２下面の面積に対し２０％〜５０％とした。 - 特許庁

This method also includes a step in which a buffer layer 108 to alleviate the impact applied to the printing layer when the opening is formed is locally provided in the periphery of the opening formation region in contact with the printing layer.例文帳に追加

開口部を設ける際に印刷層に加わる衝撃を緩和する緩衝層１０８を、開口部形成領域の周囲に印刷層に接して局所的に設ける工程を有する。 - 特許庁

To provide a crystallizability evaluation device of a polysilicon thin film capable of evaluating the crystal state of a polysilicon (p-Si) thin film sample with high precision in a non-destructive and non-contact state in a short time and capable of further evaluating the crystal state of a local region.例文帳に追加

ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）薄膜試料の結晶状態を、非破壊及び非接触で、かつ短時間で、かつ高精度で評価でき、さらに、局所領域の結晶状態を評価できること。 - 特許庁

Also, a heat reception block 6 that projects in the thickness direction of the metal plate 1 for dissipating heat and becomes a contact region with an electronic element 9 is mounted on the other parts of the heat pipe 2, so that it can receive and send heat.例文帳に追加

またヒートパイプ２の他の部分には、放熱用金属板１の厚さ方向に突出しかつ電子素子９との接触部位となる受熱ブロック６が熱授受可能に取り付けられている。 - 特許庁

Consequently, a surface of the rough surface portion 14 is slightly uneven in conformity with the uneven surface of the region where the rough surface portion 14 should be formed, thereby enhancing the contact with the sealing resin 13 more.例文帳に追加

これにより、粗面部１４を形成すべき領域の凹凸面に合わせて粗面部１４の表面も多少凹凸することから、封止樹脂１３との密着性をさらに高めることができる。 - 特許庁

By cutting up the first leg part 27 from the central region in the width direction of the locking piece part 24, the contact of the locking piece part 24 to the electric wire is made uniform and stable in the width direction of the locking piece part 24.例文帳に追加

第１の脚部27を鎖錠片部24の幅方向中央域から切り起こすことで、電線に対する鎖錠片部24の接触を鎖錠片部24の幅方向で均一にして安定させる。 - 特許庁

This field effect transistor comprises a source electrode and a drain electrode in a semiconductor layer of an oxide film, wherein a concentration of hydrogen or heavy hydrogen in a contact region of these electrodes is higher than an average concentration of the same layer.例文帳に追加

酸化物半導体層中のソース電極及びドレイン電極と接する領域における水素又は重水素の濃度が、同層中の平均濃度に比べて大きい構成とする。 - 特許庁

Such an abutment absent overlap provides for enhanced manufacturing flexibility when forming a contact to a silicide layer upon a source/drain region within one of the first transistor and the second transistor.例文帳に追加

こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁

In a liquid crystal display device used for a liquid crystal display projector, the alignment layer disposed to be in contact with its liquid crystal is constituted of a material having a low absorption coefficient in a blue wavelength region.例文帳に追加

液晶表示プロジェクタに用いられる液晶表示装置であって、その液晶と接触して配置される配向膜は青色の波長域で吸収係数が低い材料で構成されている。 - 特許庁

The first contact plug 8 is formed penetrating the first interlayer dielectric 7 in the thickness direction thereof, is electrically-connected with a source-drain region 5 at the bottom face thereof, and has a first electric resistivity.例文帳に追加

第一のコンタクトプラグ８は、第一の層間絶縁膜７の膜厚方向に貫通して形成され、下面においてソース・ドレイン領域５と電気的に接続され、第一の電気抵抗率を有する。 - 特許庁

The spring energizes the pad to the drive roller to put the overlayer in contact with the periphery of the drive roller and forms a nipping region 148 between the drive roller and the pad on the basis of compression of the underlayer.例文帳に追加

スプリングは、パッドを駆動ローラに付勢して上層を駆動ローラの外周に接触させ、下層の圧縮に基づいて駆動ローラとパッドとの間にニップ領域１４８を形成している。 - 特許庁

A contamination removing part 3 comprising a linear recessing groove 3c and a projecting line 3d adjacent thereto is arranged at least on a region of an edge part of a substrate 1 where a rubbing cloth 11 begins to be in contact with it.例文帳に追加

基板１の端部には、少なくともラビング布１１が接触し始める領域に、線状の凹溝３ｃとこれに隣接する凸条３ｄとからなる異物除去部３が設けられている。 - 特許庁

The EL sheet 14 is provided with a shield layer 27 that shields the noises, and the shield layer 27 is provided with an aperture 27a formed in a region opposing to the switching pattern 12 and the movable contact 13.例文帳に追加

ＥＬシート１４はノイズをシールドするシールド層２７を備えており、シールド層２７は、スイッチパターン１２及び可動接点１３と対向する領域に形成された開口部２７ａを備える。 - 特許庁

To provide wiring structure in a semiconductor device that can reduce sheet resistance in a lower layer conductive region, can inhibit crease of contact resistance and junction leakage, and has a superior barrier property.例文帳に追加

下層導体領域のシート抵抗の低減を図ることができ、コンタクト抵抗や接合リークが増大することを抑制でき、しかもバリア性に優れた半導体装置における配線構造を提供する。 - 特許庁

For the biasing means, coned disk springs 28 of which the shape is changed flexibly within a nonlinear spring region wherein the variation of resilience in relation to the amount of flexible deformation is small when a set force of pressure contact is given are sued.例文帳に追加

また、付勢手段は、設定圧接力が加えられて撓み変形量に対する弾発力の変動が小さい非線形ばね領域内でたわみ変形される皿ばね２８とした。 - 特許庁

Another method involves providing an amount of polymerizable photochromic monomer for the pupillary region and an amount of polymerizable non-photochromic monomer for the remainder of the contact lens in a casting mold.例文帳に追加

別の方法は、瞳孔領域のための一定量の重合可能なフォトクロミックモノマーとコンタクトレンズの残部のための一定量の重合可能な非フォトクロミックモノマーを成形鋳型に提供することを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a quantitatively stable coil component capable of preventing contact between a drum core and a perimeter core and having an inductance value of the coil component which is small in change even in a minute current region.例文帳に追加

ドラムコアと外周コアとの接触を防止することができ、微小電流領域でもコイル部品のインダクタンス値の変化が少ない定量的に安定したコイル部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A probe card needle is simultaneously brought into contact with a testing bonding pad of the plurality of semiconductor chip regions adjacent to each other, and normalities or abnormalities of the plurality of semiconductor chip region are simultaneously tested.例文帳に追加

互いに隣接する複数の半導体チップ領域の試験用ボンディングパッドにプローブカード針を同時に接触させて、複数の半導体チップ領域の正常又は異常を同時に試験する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, where the distance between adjoining wirings in a contact region is longer than conventional one, for avoiding desirable short circuit among the wirings.例文帳に追加

コンタクト領域における隣り合う配線間距離が従来よりも広く、配線同士の好ましくない短絡を回避することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A DLC film, for example, with low wettability with the solder is coated by a predetermined thickness on a member for holding and conveying the solder in a region in contact with the solder on the member and its vicinity.例文帳に追加

半田を保持し且つ搬送する部材に対し、当該部材における半田と接触する領域及びその近傍に対して、半田との濡れ性が低い、例えばDLC膜を所定厚さコーティングすることとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a wiring structure which is adaptive to microfabrication and prevents a contact plug formed on an impurity diffusion region from short-circuiting with a nearby conductive material.例文帳に追加

微細化に対応可能であり、不純物拡散領域上に形成したコンタクトプラグが近傍の導電材料とショートすることを防止する配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The conductive film 92 is formed like islands to overlap in the region extending between the pixel electrodes 9a1, 9a2 and electrically connected to a data line 6a through a contact hole 91.例文帳に追加

導電膜９２は、画素電極９ａ１及び９ａ２間に延びる領域に重なるように島状に形成されており、且つデータ線６ａにコンタクトホール９１を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

To realize a semiconductor device in which an extension region may not extend in the lower part of a gate electrode and a junction leakage current may not be generated when a shared contact is formed.例文帳に追加

エクステンション領域がゲート電極の下側に広がることがなく且つシェアードコンタクトを形成する際に接合リーク電流が発生するおそれがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

(2) The interface distance of the catalyst solution (Lc) is a distance from the interface of the monomer solution and the catalyst solution to the farthest point in a region in the presence of the catalyst solution to contact with the monomer solution.例文帳に追加

（２）触媒溶液の界面距離（Ｌｃ）とは、モノマー溶液と接触する触媒溶液の存在する領域で、モノマー溶液と触媒溶液の界面から最も遠い点までの距離を指す。 - 特許庁

A W plug 22 is formed in a contact hole penetrating an etching protective film 11 and the first interlayer insulating film 12 on a cobalt silicide film 10 on the source/drain region 6 of the transistor for logic.例文帳に追加

ロジック用トランジスタのソース・ドレイン領域６上のコバルトシリサイド膜１０上には、エッチング保護膜１１及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール内にＷプラグ２２が形成されている。 - 特許庁

While the contact electrode 29 and gate electrodes 16 and 18 can be arranged correspondingly closer to each other while held at predetermined distances, thereby reducing the extension-directional size of the active region 22.例文帳に追加

その分、コンタクト電極２９とゲート電極１６，１８とを、一定の距離を確保しつつ、さらに近づけて配置することができ、活性領域２２の延在方向のサイズが縮小化される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing the number of wiring that can be formed in a predetermined region including a contact pad and having a pattern layout that can improve a degree of freedom in layout design.例文帳に追加

コンタクトパッドを含む所定領域内に形成できる配線数を増加させることができ、設計レイアウトの自由度を向上させることができるパターンレイアウトを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

(1) The interface distance of the monomer solution (Lm) is a distance from the interface of the monomer solution and the catalyst solution to the farthest point in a region in the presence of the monomer solution to contact with the catalyst solution.例文帳に追加

（１）モノマー溶液の界面距離（Ｌｍ）とは、触媒溶液と接触するモノマー溶液の存在する領域で、モノマー溶液と触媒溶液の界面から最も遠い点までの距離を表す。 - 特許庁

The DRAM 100 has silicon nitride films 33 formed on the sidewalls 31 and has a storage node 140 so filled into the contact hole 30h as to connect it electrically with the source/drain region 3.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、側壁３１に形成されたシリコン窒化膜３３と、ソースおよびドレイン領域３と電気的に接続されるようにコンタクトホール３０を充填するストレージノード１４０とを備える。 - 特許庁

To prevent the oxidation of a contact plug for coupling a ferroelectric capacitor directly with the source-drain region of a transistor surely at the time of oxygen annealing in a method for manufacturing a stacked ferroelectric memory.例文帳に追加

スタック型の強誘電体メモリの製造方法において、酸素アニール時に、強誘電体キャパシタとトランジスタのソースドレイン領域とを直結するコンタクトプラグが酸化することを、確実に防止する。 - 特許庁

A conductive layer 26 is formed via an insulating layer 25 in the outer side region from the part in contact with the sealing member 3 on an array substrate 2 and opposed to the counter electrode film 14.例文帳に追加

一方アレイ基板２上のシール部材３と接触している部分から外側の領域で、対向電極膜１４に対向する領域に、絶縁層２５を介して導電層２６を形成する。 - 特許庁

The fluid jetting apparatus includes a jetting head 13 having a jetting face 21A containing a nozzle forming region in which a plurality of nozzles 17 are formed, and a capping apparatus brought into contact with the jetting face 21A.例文帳に追加

複数のノズル１７が形成されたノズル形成領域を含む噴射面２１Ａを有する噴射ヘッド１３と、噴射面２１Ａに当接するキャッピング装置と、を有する流体噴射装置である。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 1, a contact region 4 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, and an interlayer dielectric 21 formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１表面に形成されたコンタクト領域４と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２１とを備える。 - 特許庁

It seems that in 1546 in the Aizu region, he imparted the way of appreciation of paintings to Moriuji ASHINA, and in 1550 he visited Odawara City and Kamakura City where he came into contact and communicated with artist monks. 例文帳に追加

天文(日本)15年（1546年）会津地方で蘆名盛氏に絵画の鑑賞法を授け、天文19年（1550年）には小田原市や鎌倉を訪れ、多くの名品に接し画僧達と交流したらしい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As for a region where the insulation coating films Fa are formed, no new conductive channels are formed even if a movable part 7 comes in contact with the other part when elastically deformed in a direction approaching a base 2.例文帳に追加

絶縁性被膜Ｆａが設けられた区域については、可動部７が基部２に接近する方向に弾性変位したときに他の部分に接触しても新たな導通経路は形成されない。 - 特許庁

The bending in the elastic deformation region is generated in the cover 32 to which the external force is applied, the cover 32 is in contact with the X-ray incident surface 29 of the scintillator layer 24, and the external force is also received by the entire scintillator layer 24.例文帳に追加

外力が加えられたカバー32に弾性変形領域の撓みが発生し、カバー32がシンチレータ層24のＸ線入射面29と接し、外力をシンチレータ層24全体でも受け止める。 - 特許庁

In this piston 20, regions S1-S3 where the wear resisting film C is formed and a region where the film C is not formed exist on a head peripheral surface 22a which is in sliding contact with the inner circumferential surface 26a of a cylinder bore 26.例文帳に追加

ピストン２０においてシリンダボア２６の内周面２６ａと摺接する頭部外周面２２ａには、耐摩耗性皮膜Ｃが形成された領域Ｓ1 〜Ｓ3 と形成されない領域とが存在する。 - 特許庁

At this time, a pressurized part 6 is provided with a chamfer 6a making a 45° angle with the planar direction of the pressurized part 6 on the edge part in contact with the planar region 4 of the sealing glass 3.例文帳に追加

ここで、加圧部品６は、シールガラス３の平面領域４と接する方の面のエッジ部分において、加圧部品６の平面方向に対して４５度の角度を有する面取り部６ａを設けている。 - 特許庁

A transporting belt 29 is formed not to come into contact with each photoreceptor drum 16 in a region obtained by projecting each side sealing member 25 to a plane F including a facing surface with each photoreceptor drum 16.例文帳に追加

搬送ベルト２９を、各感光ドラム１６との対向面を含む平面Ｆに対して各サイドシール部材２５を投影して得られる領域において、各感光ドラム１６と接触しないように形成する。 - 特許庁

A contact with such reflectivity as parallel to a light-emission region is provided with at least two reflecting surfaces so that at least two interference fringes occur with the light emitted from the LED.例文帳に追加

少なくとも２つ干渉縞がＬＥＤから発する光に生ずるように、発光領域に平行な反射性を有するコンタクトに少なくとも２つの反射性を有する面が設けられる。 - 特許庁

A lap angle which is a central angle of circular arc corresponding to a region of a receiving capstan being in contact with the optical fiber is set to an angle at which the slippage between the optical fiber and the receiving capstan does not occur.例文帳に追加

引取キャプスタンの光ファイバと接触する範囲に対応する円弧の中心角であるラップ角度を、光ファイバと引取キャプスタンとの間で滑りが発生しないような角度に設定する。 - 特許庁

At least one of the size, the shape and the quantity of a contact determination region which is set for the mobile object changes in response to the distance by which the mobile object has moved in the three-dimensional space.例文帳に追加

移動オブジェクトに設定される接触判定領域の大きさ、形状、および数のうち少なくとも１つは、当該移動オブジェクトが３次元空間を移動した距離に応じて変化する。 - 特許庁

This semiconductor substrate 100 includes: a base substrate 102 having an impurity region 104 having impurity atoms doped into silicon; a plurality of seed bodies 112 provided in contact with the impurity region 104; and a plurality of compound semiconductors 114 each provided in contact with each of the plurality of seed bodies 112 and each lattice-matched or pseudo-lattice-matched with each of the plurality of seed bodies 112.例文帳に追加

シリコンに不純物原子が導入された不純物領域１０４を有するベース基板１０２と、不純物領域１０４に接して設けられている複数のシード体１１２と、複数のシード体１１２の各々に接して設けられ、複数のシード体１１２の各々とそれぞれ格子整合または擬格子整合する複数の化合物半導体１１４とを備える半導体基板１００。 - 特許庁