「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride semiconductor laser element has a nitride semiconductor layer including a first nitride semiconductor layer, and an active layer, a second nitride semiconductor layer; and a protective film in contact with a cavity end face of the nitride semiconductor layer, wherein the protective film in contact with at least the active layer of the cavity end face has a region thinner than the maximum thickness of the first protective film.例文帳に追加

第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子であって、少なくとも共振器面の活性層に接触する保護膜が、前記保護膜の最大膜厚よりも薄い領域を有する窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate SUB having a principal surface, a pair of source/drain regions formed on the principal surface of the semiconductor substrate SUB, a gate insulation film AFE formed on a region sandwiched by the pair of source/drain regions so as to contact the principal surface, and a gate electrode PO formed so as to contact a top face of the gate insulation film AFE.例文帳に追加

主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された１対のソース／ドレイン領域と、１対のソース／ドレイン領域に挟まれる領域上であって、主表面に接するように形成されたゲート絶縁膜ＡＦＥと、ゲート絶縁膜ＡＦＥの上面に接するように形成されたゲート電極ＰＯとを備える。 - 特許庁

The photosetting ink composition for a color filter is precisely and uniformly deposited on the region where the hydrophilicity of the wettability changeable layer is increased by using a solvent exhibiting ≥10° contact angle to a test piece having 30 mN/m surface tension and ≤10° contact angle to a test piece having 70 mN/m surface tension.例文帳に追加

また、臨界表面張力が３０ｍＮ／ｍの試験片に対する接触角が１０°以上を示し、且つ、界表面張力が７０ｍＮ／ｍの試験片に対する接触角が１０°以下を示す溶剤を用いることによって、カラーフィルター用光硬化性インキ組成物は、濡れ性可変層の親水性を大きくした領域に、正確且つ均一に付着させることができる。 - 特許庁

In an IEGT 1 having a dummy cell region DC, a narrow second emitter layer 32 is selectively formed on the surface layer of a dummy base layer 18, and the base layer 18 is connected to an emitter electrode 28 through this second emitter layer 32 and a via contact 30, and the resistance value of a floating resistor 34 is adjusted by shapes of the second emitter layer 32 and the via contact 30.例文帳に追加

ダミーセル領域ＤＣを有するＩＥＧＴ１において、ダミーのベース層１８の表面層に狭小な第２のエミッタ層３２を選択的に形成し、この第２のエミッタ層３２とビアコンタクト３０を介してベース層１８をエミッタ電極２８に接続し、かつ、第２のエミッタ層３２とビアコンタクト３０の形状でフローティング抵抗３４の抵抗値を調整する。 - 特許庁

The galvanic cell has thin electrodes 5, 6 in a casing formed with plastic sheets 1, 7 which are sealed each other, at least one of the plastic sheets 1, 7 is metalized in a partial region on a surface facing one electrode, and one of metalized parts 2, 8 forms an electric contact part with the electrode and the other of them forms contact tongue-shaped terminals 3, 9.例文帳に追加

互いに封止されたプラスチックシート（１．７）から形成されたケーシング内に薄い電極（５，６）を有するガルバーニ電池において、プラスチックシート（１，７）の少なくとも１つが、電極の１つに面する面で部分領域において金属化されており、該金属化部（２，８）が一方では前記電極との電気的接触部をかつ他方では前記電極の接触舌状端子（３，９）を形成する。 - 特許庁

Since the portion 20, whose temperature is to be adjusted, is controlled beforehand at a prescribed temperature, when the microchip 11 is rotated and the microchip 11 is brought into contact with the heat transfer part 22, the sink region 111 is controlled quickly, to the set temperature of the portion 20 whose temperature is to be adjusted.例文帳に追加

また、温度調節部２０を予め所定の温度に制御することにより、マイクロチップ１１が回転しマイクロチップ１１と伝熱部２２とが接触すると、槽領域１１１は設定された温度調節部２０の温度に迅速に制御される。 - 特許庁

Then, since the region formed of a P-type impurity diffused layer 6 is covered with the photoresist, the N-type impurity is not implanted, a photolithographic step can be reduced, and the impurity concentration of the layer 6 sufficient to take the contact is obtained.例文帳に追加

このとき、Ｐ型不純物拡散層６が形成される領域はフォトレジストで覆われているためＮ型不純物は注入されず、フォトリソグラフィ工程を削減できるとともに、コンタクトを取るのに十分なＰ型不純物拡散層６の不純物濃度を得られる。 - 特許庁

When a wafer W is suction held by forming a negative pressure region X at a position on the surface of a protrusion WB by air blown outward from an outlet 7, the wafer W can be supported by non-contact and scratches on the wafer W can be prevented.例文帳に追加

吹出口７から外方に吹き出した空気によって凸部ＷＢ表面位置に負圧領域Ｘを形成してウェハＷを吸引保持することで、ウェハＷを非接触で支持することができ、ウェハＷへの傷付きを防止することができる。 - 特許庁

As a heating object 12 in a heating chamber 11 is heated by infrared ray transmitting the steam, a concentration of steam of a region kept into contact with the object 12 is lowered by radiation from the surface of the object 12, and the surface of the object 12 is crisply baked.例文帳に追加

蒸気を透過する赤外線が加熱室１１の被加熱物１２を加熱するので、加熱された被加熱物１２の表面からの輻射により、被加熱物１２に接する領域の蒸気密度が低下して、被加熱物１２の表面をカリッと焼くことができる。 - 特許庁

Contact with wiring layer for the entire part of source drain diffusing layer region is enabled by crossing a gate electrode without short-circuit with the gate electrode, by utilizing that an insulating film which is mainly formed of Al as the structural atoms has extremely large selection ratio of etching with an Si oxide film.例文帳に追加

Ａｌを主たる構成原子とする絶縁膜がＳｉ酸化膜とのエッチング選択比が極めて大きいことを利用し、ゲート電極を跨ぎゲート電極との短絡なしにソース・ドレイン拡散層全領域にわたる配線層とのコンタクトを可能とした。 - 特許庁

The light controlling electrode 140 is not in contact with a pixel electrode 130, and the liquid crystal display device equipped with the liquid crystal panel 61 is constructed so as to control the voltage between the light controlling electrodes 140, 240 irrespective of a display state of a display region 60A.例文帳に追加

調光電極１４０は画素電極１３０に接しておらず、液晶パネル６１を備える液晶表示装置は、表示領域６０Ａの表示状態にかかわらず、調光電極１４０，２４０間の電圧を制御可能に構成されている。 - 特許庁

As the result of such wiring, even if the wiring is shifted to a center direction of the imaging region by pupil correction, the pupil correction with the high degree of freedom can be performed since the right and left vertical signal lines 28 move to directions detached from the contact sections 31.例文帳に追加

このような配線の結果、瞳補正によって配線を撮像領域の中心方向に移動した場合でも、左右の垂直信号線２８はコンタクト部３１から離れる方向に移動することから、自由度の高い瞳補正を実現できる。 - 特許庁

In the peripheral region 40 of the surface of the wafer W, DIW from a second surface DIW nozzle 57 is supplied to a DIW liquid feeding position P6 away from a brush contact position P1 by an interval L5, downstream of the rotational direction of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。 - 特許庁

After a first contact hole 16 is formed in a region CB2; the three-layered multilayer resist structure 41 of a photoresist 38, a coating type oxide film 39, and a photoresist 40 is formed, and holes 24, 25 are also formed on the upper part of a fifth silicon oxide film 23.例文帳に追加

領域ＣＢ２に対して第１のコンタクトホール１６を形成した後、フォトレジスト３８、塗布型酸化膜３９、フォトレジスト４０の３層構造の多層レジスト構造４１を形成し、第５のシリコン酸化膜２３の上部に穴部２４および２５を形成する。 - 特許庁

This work holding plate holds the work via a plurality of through holes by vacuum absorption and has a mechanism controlling the pushing force towards the outer circumference of the work holding region in polishing the circular work surface by bringing it in contact with the polishing cloth by a prescribed pushing force.例文帳に追加

円形状のワーク表面を所定の押圧力で研磨布に接触させて研磨する際、該ワークを複数の貫通孔を通じて真空吸着保持するワーク保持板であって、ワーク保持領域外周上の押圧力を制御する機構を具備するワーク保持板。 - 特許庁

In the apparatus and method for manufacturing the label, a label surface guide roller guides a label raw material so as to prevent the contact with a part or the whole of the region subjected to tack-free treatment of the label raw material.例文帳に追加

ラベル製造装置及びラベル製造方法において、ラベル原反を案内するラベル面案内ローラを非粘着処理した領域の一部又は全部を当接しないようにして案内することを特徴とするラベル製造装置及びラベル製造方法である。 - 特許庁

Cleaned water into which ozone has been bubbled from the bottom of an observation hole and which has been pumped up from the downstream region of underground water is injected into an reaction observation hole again for decomposing the aromatic compounds (benzene etc.), and the ozone-containing underground water is brought into contact with a contaminated soil part to decompose benzene.例文帳に追加

芳香族化合物（ベンゼン等）の分解の為、オゾンを観測孔底よりバブリングし地下水下流域からポンプアップした浄化水を、再度反応観測孔に注入し汚染部分においてオゾンを含有した地下水と接触させベンゼンを分解する。 - 特許庁

The module substrate 2 has projection parts 6 formed in a lattice shape, linearly, or in dots in a package mounting region 4 while positioned between the plurality of connection terminals 8, tips of the projection parts 6 being in contact with the package bottom surface.例文帳に追加

モジュール基板２は、複数の接続端子８の端子間に位置する状態でパッケージ搭載領域４に格子状、線状又は点状に形成された突起部６を有するとともに、突起部６の先端がパッケージ底面に接触する状態で配置されている。 - 特許庁

An electrode 23 has a Schottky conductive portion 23a forming a Schottky contact 25 and a field plate conductive portion 23b provided on the insulating film 21a and surrounding the Schottky conductive portion 23a on the first semiconductor region 19a via the opening 21b of the insulating film 21a.例文帳に追加

電極２３は、絶縁膜２１ａの開口２１ｂを介して第１の半導体領域１９ａにショットキ接触２５を成すショットキ導電部２３ａと絶縁膜２１ａ上に設けられショットキ導電部２３ａを囲うフィールドプレート導電部２３ｂとを有する。 - 特許庁

To provide an absorbent article having a leakproof wall which has an almost circular hollow loop-shaped cross section formed to its excretion region brought into contact with the body fluid excretion part of a wearer and capable of enhancing the fitness to the wearer, twist preventing properties and leak preventing properties.例文帳に追加

着用者の体液排泄部に当接される排泄部領域に断面略円状の中空のループ形状の防漏壁を形成し、着用者へのフィット性を高め、ヨレ防止、漏れ防止性を高めることができる吸収性物品を提供すること。 - 特許庁

In the fuel reforming method, a fuel fluid is passed through a catalytic passage at which a catalytic part is formed, the catalytic passage is locally irradiated with light, and gaseous hydrogen is taken out from the fuel fluid brought into contact with the catalytic part in the region which is irradiated with the light of the catalytic passage.例文帳に追加

触媒部が形成された触媒流路に燃料流体を流し、触媒流路に対して局所的に光を照射し、触媒流路の光が照射された領域の触媒部に接触する燃料流体から水素ガスを取り出す。 - 特許庁

This collect 40 includes an adsorption hole 50 for absorbing a work 10 on which a component 12 is placed in a storage space S having an opening, and the absorption hole 50 is arranged only in a region which is brought into contact with the work 10.例文帳に追加

開口部を有する収容空間Ｓ内に部品１２が載置されているワーク１０を吸着するようにした吸着孔５０を備えたコレット４０であって、吸着孔５０はワーク１０と接触する領域のみに設けられていることを特徴とするコレット。 - 特許庁

The bubbles are stirred by the rotating pulsator 7 to be crushed to a number of micro-bubbles, and when the micro-bubbles come into contact with the wash to burst, impulsive waves of an ultrasonic region are generated, thereby accelerating separation of dirt components adhering to the wash.例文帳に追加

この気泡は、回転するパルセータ７により攪拌されて、多数の微細な気泡に砕かれ、この微細な気泡が洗濯物に接触して破裂する際に、超音波領域の衝撃波が生じ、これにより、洗濯物に付着している汚れ成分の剥離が促進される。 - 特許庁

To prevent uncontrolled position adjustment aperture etching that arises in a scribe region in the process of forming contact holes in an interlayer insulating film, penetrating an A1_2O_3 film when a semiconductor device with a ferroelectric capacitor protected by the A1_2O_3 film is manufactured.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3膜で保護された強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造時に、前記Ａｌ_2Ｏ_3膜を貫通して層間絶縁膜中のコンタクトホールを形成する工程においてスクライブ領域で生じる、位置合わせ開口部のエッチングの暴走を阻止する。 - 特許庁

As a result, the entire region is secured in the visual field of the detector to the size of the different section of the specimen and at the same time the detector can be fully brought into contact with the specimen, thus improving the picture quality of an obtained radiation image.例文帳に追加

これにより、一つの視野サイズの検出器で、異なる被検体断面の大きさに合わせてその全域を検出器の視野内に確保すると共に該検出器を被検体に十分に近付けることができ、得られる放射線像の画質を向上することができる。 - 特許庁

This transporting container allows the object such as a fruit to be suspended in the hanging region inside the container by the soft material, so that it can be more resistant to the contact with a relatively hard portion such as the container itself or another object to be transported.例文帳に追加

この商品等の輸送容器によると、例えば果実などの輸送の対象物は載置用軟質材により容器内の吊り下げ領域に宙吊りにされるので、容器自体や他の輸送の対象物などの比較的固い部分に当たり難くすることができる。 - 特許庁

By bringing an irradiating surface in contact with a printing ink, the irradiated region is formed into an ink receiving printing surface for the execution of a printing.例文帳に追加

また、その印刷用原板に、像様の活性光（ヒートモード型）あるいはアブレーション型のレーザー光の照射によって画像を記録し、照射面を印刷用インキに接触させて、照射領域がインキを受け入れた印刷面を形成させて印刷を行う平版印刷方法。 - 特許庁

The light controlling electrode 140 does not come in contact with a pixel electrode 130 and the liquid crystal display provided with a liquid crystal panel 61 is so constituted that voltage between the light controlling electrodes 140 and 240 can be controlled regardless of the display state of a display region 60A.例文帳に追加

調光電極１４０は画素電極１３０に接しておらず、液晶パネル６１を備える液晶表示装置は、表示領域６０Ａの表示状態にかかわらず、調光電極１４０，２４０間の電圧を制御可能に構成されている。 - 特許庁

When a tooth 51a of a brush-side gear 51 is positioned at an idle region fa of a driving-side gear 54, the tooth 51a of the brush-side gear 51 and a tooth 54a of the driving-side gear 54 are in a positional relationship that they are not brought into contact with each other, and are not engaged with each other.例文帳に追加

ブラシ側歯車５１の歯５１ａが駆動側歯車５４の遊び領域ｆａに位置するときには、ブラシ側歯車５１の歯５１ａと駆動側歯車５４の歯５４ａとが当接しない位置関係にあって互いに噛み合っていない。 - 特許庁

A resistance dividing circuit is provided with a resistance element formed in a region between the first segment set on a substrate and a second segment adjacent to the first segment in parallel and a tap part brought into contact with the first segment, and connected to the resistance element at a predetermined site.例文帳に追加

抵抗分割回路は、基板上に設定された第１線分と第１線分に並列に隣接する第２線分との間の領域に形成された抵抗素子と、第１線分に接して抵抗素子に所定部位で接続されるタップ部とを備える。 - 特許庁

The mask fixture is provided with a locator 10 provided with a vessel 40 surrounding the selected part of the work piece to be masked and a shield 26 for shielding a region selected from the surrounded part not to be in contact with a masking powder.例文帳に追加

マスク固定具は、ワークピースの選択的にマスキングされるべき部分を包囲する容器４０を備えたロケータ１０と、包囲された部分のうちの選択された領域がマスキング粉末に接触しないようにこの領域をシールドするためのシールド２６と、を備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device 70, a P-base layer 4, a P^+-contact layer 5, and an N^+-source layer 6 are formed on a surface region of an N^- high-resistance layer 3 on an N^+-buffer layer 2, and a gate insulating film 7 and a gate electrode 8 are formed in a laminated manner on the N^- high-resistance layer 3.例文帳に追加

半導体装置７０では、Ｎ^＋バッファ層２上のＮ^−高抵抗層３の表面領域にＰベース層４、Ｐ^＋コンタクト層５、Ｎ^＋ソース層６を形成し、Ｎ^−高抵抗層３上にゲート絶縁膜７及びゲート電極８を積層形成する。 - 特許庁

In the periphery of the chip 1, when the conductive film left in the dicing line region is turned up by dicing and burr 7 is generated, the burr 7 is covered with the insulation sealing member 3, so that wire 9 dose not come into contact directly with the burr 7.例文帳に追加

半導体チップ１の周縁において、ダイシングライン領域に残された導電性膜がダイシングにより捲れ上がってバリ７が生じた場合でも、そのバリ７は、絶縁性シール部材３によって覆われて、ワイヤ９とバリ７とが直接接触することがなくなる。 - 特許庁

To easily check the degree of penetration of a lacrimal fluid to a bevel region of a contact lens placed on the cornea and to rapidly and exactly judge that an appropriate lacrimal fluid exchange is performed and whether a good wearing state can be obtained or not.例文帳に追加

角膜上に置かれたコンタクトレンズのベベル領域に対する涙液の進入の程度を容易にチェックでき、当該コンタクトレンズについて適切な涙液交換がなされ、良好な装用状態が得られるかどうかを迅速かつ的確に判断できるようにする。 - 特許庁

To provide a phase transformation memory element in which a current required for the phase transformation of a phase transformation film is reduced effectively and a contact area between a lower electrode and the phase transformation film can be made uniform over the entire region of a substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相変化膜の相変化に必要な電流を効果的に低減し、基板の全領域に亘って、下部電極と相変化膜との間の接触面積を均一にすることができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve load bearing capability of a contact region between a projecting part 10 and a recessed part 20 in a fitting part of an outer pipe member 5 to an inner-diameter-side member 21, in a structure at least relatively unrotatably fitting the outer pipe member 5 to the inner-diameter-side member 21.例文帳に追加

外筒部材（５）と内径側部材（２１）とを少なくとも相対回転不可能に嵌合させる構造において、外筒部材（５）と内径側部材（２１）との嵌合部分における凸部１０と凹部２０との接触領域の荷重負担能力を向上する。 - 特許庁

To provide an integrated thin film solar cell which prevents an intermediate junction layer between a plurality of laminated photoelectric conversion layers from short-circuiting with a contact region and lowering F.F., and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

積層された複数の光電変換層の相互間に生じる中間接合層がコンタクト領域と短絡してＦ．Ｆ．を低下させることを防止し、光電変換効率を向上することが可能な集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

One of connecting wirings 121 and 122 formed by the re-wiring of the WL-CSP is connected to terminal pads 1 and 6, and the other is led out to a scribe lane region 30 and connected to a contact post 123 connected to a silicon board 56 through a wiring layer 55.例文帳に追加

ＷＬ−ＣＳＰの再配線により形成された接続配線１２１，１２２の一方を端子パッド１，６に接続し、他方をスクライブレーン領域３０に引き出した後、配線層５５を介してシリコン基板５６に接続されているコンタクトポスト１２３に接続する。 - 特許庁

The coupling section 104 is made of a material whose refractive index in a wavelength region of the terahertz wave is higher than the refractive index n_1,light and disposed in contact with the cladding 102, and extracts into a space the terahertz wave radiated due to the nonlinear optical effect of light propagating through the waveguide 103.例文帳に追加

結合部１０４は、テラヘルツ波の波長域における屈折率がｎ_1,光より大きい材料で構成され、クラッド１０２と接して配置され、導波路１０３を伝播する光の非線形光学効果により放射されるテラヘルツ波を空間に取り出す。 - 特許庁

A filler 30 is filled into a cooling pipe 3c (cooling region) in a cooling section 4x, thus cold heat is transferred to the filler 30 in contact with the inner wall of the cooling pipe 3c, and the cold heat is transferred to the whole of the filler 30 in the cooling pipe 3c.例文帳に追加

冷却部４ｘにおける冷却管３ｃ内（冷却領域）に充填材３０を充填することにより、冷却管３ｃの内壁に接する充填材３０に冷熱を伝達し、冷却管３ｃ内の充填材３０全体に冷熱を伝導する。 - 特許庁

The die bonding pad 65 formes an opening 76, by eliminating a region opposite to a lower end of the valley 75 formed on an inner peripheral face of the cavity 73 of the semiconductor element 53, and the die bonding pad 65 is formed so as not to be brought into contact with the lower end of the valley 75.例文帳に追加

ダイボンド用パッド６５は、半導体素子５３の空洞７３の内周面に生じている谷部７５の下端に対向する領域を除去して開口部７６を形成されており、ダイボンド用パッド６５が谷部７５の下端に接触しないようになっている。 - 特許庁

A plurality of ribs 11 are formed in the peripheral direction which continue in the tire peripheral direction each having a tire axial width of 2.0 to 7.0 mm in a range region Y of a distance of not less than 55% and not more than 120% of a tread earth-contact half width TW away from a tire equator C.例文帳に追加

タイヤ赤道Ｃからトレッド接地半幅ＴＷの５５％以上かつ１２０％以下の距離を隔たる範囲領域Ｙに、タイヤ周方向に連続しかつタイヤ軸方向巾Ｗを２．０〜７．０ｍｍとした複数の周方向リブ１１を設ける。 - 特許庁

The diaphragm 3 has port contact faces 34o and 34p for maintaining the aperture area of the ports 26 and 27 when a pressure difference is provided by a normal region, narrowing the aperture area of the ports 26 and 27 when a pressure difference is larger than a predetermined pressure and suppressing the operation speed of the valve element 4.例文帳に追加

ダイヤフラム３は、差圧が通常領域のときポート２６、２７の開口面積を維持し、差圧が所定圧力よりも大きいときポート２６、２７の開口面積を狭小化させ、弁体４の作動速度を抑制するポート接触面３４ｏ、３４ｐを有する。 - 特許庁

A lower DBR (distributed bragg reflector) miller layer 11, a lower clad layer 12, an active layer 13 having a light emitting region 13A, an upper clad layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR miller layer 16 and a contact layer 17 are laminated in this sequence from the side of a substrate 10.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１、下部クラッド層１２、発光領域１３Ａを有する活性層１３、上部クラッド層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６およびコンタクト層１７が基板１０側からこの順に積層されている。 - 特許庁

The MOS semiconductor device is structured such that a contact region is formed between the trenches in the longitudinal direction of the short linear trenches; gate electrodes are wired in a direction vertically traversing the width of the short linear trenches to conductively connect the gate electrodes in the short linear trenches to one another.例文帳に追加

短い線状のトレンチの長手方向のトレンチ間にコンタクト領域を形成し、短い線状のトレンチの幅を垂直に横断する方向にゲート電極を配線して短い線状のトレンチ内のゲート電極を導電型的に接続する構造とする。 - 特許庁